本發(fā)明涉及液晶顯示的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種彩色濾光片基板及制作方法與液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板(liquid crystal display，LCD)具有畫質(zhì)好、體積小、重量輕、低驅(qū)動電壓、低功耗、無輻射和制造成本相對較低的優(yōu)點，在平板顯示領(lǐng)域占主導地位。液晶顯示面板包括相對設(shè)置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板以及夾置在兩者之間的液晶層。

一般情況下，當用戶從不同的視角觀看液晶顯示面板的屏幕時，圖像的亮度會隨著視角的增加而減小。傳統(tǒng)的扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)的液晶顯示面板，公共電極和像素電極分別形成在上下兩個不同的基板上，液晶分子在一個與基板垂直的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。然而，TN型液晶顯示面板的視角比較窄。為實現(xiàn)寬視角，采用水平電場的平面內(nèi)切換型(In-Plane Switching，IPS)和采用邊緣電場的邊緣電場切換型(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)的液晶顯示面板被開發(fā)出來。針對IPS型或FFS型的液晶顯示面板，公共電極和像素電極是形成在同一基板(即薄膜晶體管陣列基板)上，液晶分子在與基板大致平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)從而獲得更廣的視角。

在現(xiàn)有技術(shù)中，通常會在彩色濾光片基板上制作ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)層，該ITO層與陣列基板上的公共電極電性導通，以消除外部靜電對IPS、FFS型液晶顯示面板的影響，防止產(chǎn)生靜電云紋(Mura)現(xiàn)象。

但是，在這種方法中，由于彩色濾光片基板上的ITO層與陣列基板上的公共電極導通，使得彩色濾光片基板上的ITO層與陣列基板上的像素電極之間存在比較強的垂直電場，對液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動具有一定的抑制作用，使得液晶顯示面板的穿透率降低、響應(yīng)時間拉長。

中國專利申請第201130241819.3號即公開了一種彩色濾光片基板，包括：基板、屏蔽電極、黑矩陣、彩膜層以及平坦化層；屏蔽電極設(shè)置于基板的內(nèi)側(cè)面；黑矩陣設(shè)置于屏蔽電極下方的非密封膠區(qū)域；彩膜層設(shè)置于基板的內(nèi)側(cè)面沒有被黑矩陣和屏蔽電極覆蓋的區(qū)域；平坦化層設(shè)置于彩膜層以及黑矩陣的下方并覆蓋黑矩陣和彩膜層。該屏蔽電極可以防止靜電的發(fā)生，而且該屏蔽電極采用圖案化結(jié)構(gòu)，與像素電極上下錯開，使該屏蔽電極在與像素電極相對應(yīng)的位置鏤空，降低了屏蔽電極與像素電極之間的垂直電場，有利于提高穿透率和縮短響應(yīng)時間，降低飽和電壓和降低功耗。

但是，上述的彩色濾光片基板仍存在以下問題：

(1)、屏蔽電極形成在基板與黑矩陣之間，在涂布密封膠區(qū)域未設(shè)置黑矩陣，但是設(shè)置有屏蔽電極，黑矩陣和屏蔽電極的圖案不完全相同，導致需要增加制作屏蔽電極的光罩，需要濺射、光阻涂布、曝光、顯影、刻蝕、去光阻的制作過程，延長了整個制程的時間，使得成本大大提高；

(2)、屏蔽電極制作形成在黑矩陣之前，因為屏蔽電極為透明電極，在接著做黑矩陣時，黑矩陣與屏蔽電極之間的對位會有問題；

(3)、黑矩陣在密封膠區(qū)域要挖開，如果密封膠涂布精度不良，很可能導致出現(xiàn)漏光問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種彩色濾光片基板及制作方法，以解決現(xiàn)有彩色濾光片基板在設(shè)置屏蔽電極時，制程復(fù)雜、成本高以及存在對位和漏光的問題。

本發(fā)明實施例提供一種彩色濾光片基板，包括襯底，該襯底的一側(cè)設(shè)有色阻層、黑矩陣和屏蔽電極，該屏蔽電極由導電材料制成，該彩色濾光片基板具有顯示區(qū)和位于該顯示區(qū)四周外圍的非顯示區(qū)，該屏蔽電極與該黑矩陣在該顯示區(qū)和該非顯示區(qū)均具有完全相同的圖案，該屏蔽電極與該黑矩陣上下相互貼合接觸且完全重疊在一起。

進一步地，該色阻層和該黑矩陣形成在該襯底一側(cè)的表面上，該屏蔽電極設(shè)置在該黑矩陣下方。

進一步地，該色阻層和該黑矩陣形成在該襯底一側(cè)的表面上，該屏蔽電極設(shè)置在該黑矩陣下方，該屏蔽電極下方還重疊設(shè)有另一層黑矩陣。

進一步地，該色阻層和該屏蔽電極形成在該襯底一側(cè)的表面上，該黑矩陣設(shè)置在該屏蔽電極下方。

本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示面板，包括第一基板、與該第一基板相對設(shè)置的第二基板以及位于該第一基板與該第二基板之間的液晶層，該第一基板為上述的彩色濾光片基板，該第二基板為薄膜晶體管陣列基板，該第二基板上設(shè)有公共電極和像素電極，該第一基板上的屏蔽電極與該第二基板上的公共電極通過導電膠上下導電相連，其中該導電膠與該屏蔽電極的側(cè)表面導電連接。

本發(fā)明實施例還提供一種彩色濾光片基板的制作方法，包括在襯底的一側(cè)制作形成色阻層、黑矩陣和屏蔽電極，該屏蔽電極由導電材料制成，該彩色濾光片基板具有顯示區(qū)和位于該顯示區(qū)四周外圍的非顯示區(qū)，其中該屏蔽電極與該黑矩陣在該顯示區(qū)和該非顯示區(qū)均具有完全相同的圖案，該屏蔽電極與該黑矩陣上下相互貼合接觸且完全重疊在一起。

在其中一個實施例中，該制作方法具體包括：

在該襯底上涂布一層BM負性光阻層；

在該BM負性光阻層上涂布一層正性光阻層；

利用制作該黑矩陣的BM光罩對該正性光阻層進行曝光；

對經(jīng)過曝光的該正性光阻層進行顯影，移除被曝光位置的該正性光阻層并在被曝光位置露出該BM負性光阻層；

在該正性光阻層和露出的該BM負性光阻層上沉積一層導電材料層；

對該導電材料層進行蝕刻，使該導電材料層覆蓋該正性光阻層的側(cè)面被完全蝕刻掉；

剝離移除該正性光阻層，同時移除覆蓋在該正性光阻層正面的該導電材料層，僅在被曝光位置保留該導電材料層作為該屏蔽電極；

對該BM負性光阻層進行顯影，僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層作為該黑矩陣。

在另一個實施例中，該制作方法具體包括：

在該襯底上涂布一層BM負性光阻層；

在該BM負性光阻層上沉積一層導電材料層；

在該導電材料層上涂布一層負性光阻層；

利用制作該黑矩陣的BM光罩對該負性光阻層進行曝光；

對經(jīng)過曝光的該負性光阻層進行顯影，移除未被曝光位置的該負性光阻層并在未被曝光位置露出該導電材料層；

對露出的該導電材料層進行蝕刻移除，僅在被曝光位置保留該導電材料層作為該屏蔽電極；

剝離移除該負性光阻層；

對該BM負性光阻層進行顯影，僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層作為該黑矩陣。

在又一個實施例中，該制作方法具體包括：

在該襯底上涂布第一層BM負性光阻層；

在該BM負性光阻層上沉積一層導電材料層；

在該導電材料層上涂布第二層BM負性光阻層；

利用制作該黑矩陣的BM光罩對該第二層BM負性光阻層進行曝光；

對經(jīng)過曝光的該第二層BM負性光阻層進行顯影，移除未被曝光位置的該第二層BM負性光阻層并在未被曝光位置露出該導電材料層，同時僅在被曝光位置保留該第二層BM負性光阻層作為其中一層該黑矩陣；

對露出的該導電材料層進行蝕刻移除并露出下方的該第一層BM負性光阻層，僅在被曝光位置保留該導電材料層作為該屏蔽電極；

對該第一層BM負性光阻層進行顯影，僅在被曝光位置保留該第一層BM負性光阻層作為另一層該黑矩陣。

在又一個實施例中，該制作方法具體包括：

在該襯底上沉積一層導電材料層；

在該導電材料層上涂布一層BM負性光阻層；

利用制作該黑矩陣的BM光罩對該BM負性光阻層進行曝光；

對經(jīng)過曝光的該BM負性光阻層進行顯影，移除未被曝光位置的該BM負性光阻層并在未被曝光位置露出該導電材料層，同時僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層作為該黑矩陣；

對露出的該導電材料層進行蝕刻移除，僅在被曝光位置保留該導電材料層作為該屏蔽電極。

本發(fā)明實施例提供的彩色濾光片基板及制作方法，在彩色濾光片基板的內(nèi)側(cè)設(shè)置有屏蔽電極，可以實現(xiàn)靜電屏蔽，屏蔽電極采用圖案化結(jié)構(gòu)，與像素電極上下錯開，降低了屏蔽電極與像素電極之間的垂直電場，有利于提高穿透率和縮短響應(yīng)時間，降低飽和電壓和降低功耗。而且屏蔽電極和黑矩陣的圖案在中心顯示區(qū)和周邊非顯示區(qū)完全相同，可以利用一張光罩一次曝光實現(xiàn)黑矩陣和屏蔽電極的同時制作，無需增加制作屏蔽電極的光罩。這樣，可以簡化工序，從而節(jié)省了制程時間，并降低生產(chǎn)成本。由于利用一張光罩一次曝光實現(xiàn)黑矩陣和屏蔽電極的同時制作，在制作黑矩陣和屏蔽電極時也不存在對位問題。

本發(fā)明實施例在該液晶顯示面板周邊的框膠涂布區(qū)域，黑矩陣可以不挖開，黑矩陣延伸的面積與屏蔽電極完全相同，導電膠可從屏蔽電極的側(cè)表面與屏蔽電極導通，不會因為密封膠涂布不良而漏光。而且彩色濾光片基板上的屏蔽電極通過導電膠與薄膜晶體管陣列基板上的公共電極導通連接，也可以避免出現(xiàn)暗態(tài)漏光問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中液晶顯示面板的第二基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明第二實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明第三實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5a至圖5h為圖1中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖。

圖6a至圖6h為圖1中彩色濾光片基板的另一種制作方法的步驟示意圖。

圖7a至圖7g為圖3中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖。

圖8a至圖8e為圖4中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖。

圖9為本發(fā)明實施例中用于制作黑矩陣和屏蔽電極的共用光罩的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為本發(fā)明實施例中制作形成的黑矩陣的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11為本發(fā)明實施例中制作形成的屏蔽電極的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明的具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。

圖1為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，請參圖1，該液晶顯示面板包括包括第一基板11、與第一基板11相對設(shè)置的第二基板12以及位于第一基板11與第二基板12之間的液晶層13。第一基板11為彩色濾光片基板，第二基板12為薄膜晶體管陣列基板。

本實施例提供的液晶顯示面板適用于平面內(nèi)切換型(IPS)、邊緣電場切換型(FFS)等模式的液晶顯示面板，公共電極和像素電極均形成在同一基板(即薄膜晶體管陣列基板)上，在公共電極和像素電極之間施加顯示用的電場時，液晶分子在與基板大致平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)以獲得較廣的視角。本實施例中，以邊緣電場切換型(FFS)為例對該液晶顯示面板進行說明。

應(yīng)當理解地，本發(fā)明中，在第一基板11和第二基板12上僅示意了與本發(fā)明相關(guān)的部分膜層結(jié)構(gòu)，對其它的膜層結(jié)構(gòu)則進行了省略。

第一基板11(即彩色濾光片基板)具有顯示區(qū)A和位于顯示區(qū)A四周外圍的非顯示區(qū)B，第一基板11包括第一襯底110，第一襯底110在背向液晶層13一側(cè)的表面(即外表面)設(shè)有第一偏光片111。第二基板12包括第二襯底120，第二襯底120在背向液晶層13一側(cè)的表面(即外表面)設(shè)有第二偏光片121，第一偏光片111與第二偏光片121的透光軸方向(圖未示)相互垂直。

第一襯底110在靠近液晶層13一側(cè)設(shè)有色阻層112、黑矩陣113(black matrix,BM)、屏蔽電極114和平坦層115。屏蔽電極114與黑矩陣113在顯示區(qū)A和非顯示區(qū)B均具有完全相同的圖案，屏蔽電極114與黑矩陣113上下相互貼合接觸且完全重疊在一起。本實施例中，色阻層112和黑矩陣113形成在第一襯底110靠近液晶層13一側(cè)的表面(即內(nèi)表面)上，屏蔽電極114設(shè)置在黑矩陣113下方，平坦層115覆蓋色阻層112和屏蔽電極114。

圖2為圖1中液晶顯示面板的第二基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖，請結(jié)合圖1與圖2，第二襯底120在靠近液晶層13一側(cè)設(shè)有掃描線122、數(shù)據(jù)線123、薄膜晶體管(TFT)124、公共電極125(common electrode)、絕緣層126和像素電極127(pixel electrode)。

如圖2所示，多條掃描線122與多條數(shù)據(jù)線123相互交叉限定形成多個子像素SP(sub-pixel)。子像素SP例如為紅色(R)、綠色(G)或藍色(B)子像素，多個相鄰的子像素SP構(gòu)成一個顯示像素(pixel)。例如一個顯示像素可包括紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)三個子像素SP。每個子像素SP內(nèi)設(shè)有像素電極127和薄膜晶體管(TFT)124，薄膜晶體管124位于掃描線122與數(shù)據(jù)線123交叉的位置附近。每個薄膜晶體管124包括柵極、源極及漏極(圖未示)，其中柵極電連接對應(yīng)的掃描線122，源極與漏極之一電連接對應(yīng)的數(shù)據(jù)線123，源極與漏極之另一電連接對應(yīng)的像素電極127，例如源極電連接對應(yīng)的數(shù)據(jù)線123，漏極電連接對應(yīng)的像素電極127。

本實施例中，像素電極127位于公共電極125上方，兩者之間設(shè)有絕緣層126，但不限于此。在其他實施例中，像素電極127也可以位于公共電極125下方，即像素電極127與公共電極125互換位置。另外，當采用平面內(nèi)切換型(IPS)的液晶顯示面板時，像素電極127和公共電極125還可以位于同一層中且相互絕緣，此時在每個子像素SP內(nèi)，像素電極127和公共電極125可以分別制成具有多個電極條的梳狀結(jié)構(gòu)且相互插入配合。

上述的屏蔽電極114、公共電極125與像素電極127可以采用ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等透明導電材料制成。另外，屏蔽電極114由于與黑矩陣113重疊設(shè)置且位于每個子像素SP四周的遮光區(qū)，因此屏蔽電極114也可以采用金屬等不透明導電材料制成。

如圖1所示，屏蔽電極114與公共電極125之間在該彩色濾光片基板的非顯示區(qū)B通過導電膠14導電相連，導電膠14例如通過點銀膠的方式形成在屏蔽電極114外部且與屏蔽電極114的側(cè)表面導電連接，這樣在平坦層115上無需開設(shè)容納導電膠14的穿孔，而且無論屏蔽電極114是設(shè)置在黑矩陣113上方或下方，均不影響導電膠14與屏蔽電極114實現(xiàn)側(cè)面導電連接。該液晶顯示面板還包括驅(qū)動電路15，該液晶顯示面板在顯示時，由驅(qū)動電路15提供電壓信號至第二基板12的公共電極125，該電壓信號再通過導電膠14提供給第一基板11的屏蔽電極114。

圖3為本發(fā)明第二實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，請參圖3，本實施例與上述第一實施例的主要區(qū)別在于，本實施例中，屏蔽電極114下方還重疊有另一層黑矩陣113，即屏蔽電極114夾設(shè)在兩層黑矩陣113之間，屏蔽電極114與兩層黑矩陣113在顯示區(qū)A和非顯示區(qū)B均具有完全相同的圖案，屏蔽電極114與兩層黑矩陣113上下相互貼合接觸且完全重疊在一起。關(guān)于本實施例的其他結(jié)構(gòu)，可參見上述第一實施例，在此不再贅述。

圖4為本發(fā)明第三實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，請參圖4，本實施例與上述第一實施例的主要區(qū)別在于，本實施例中，色阻層112和屏蔽電極114形成在第一基板11靠近液晶層13一側(cè)的表面(即內(nèi)表面)上，黑矩陣113設(shè)置在屏蔽電極114下方，平坦層115覆蓋色阻層112和黑矩陣113。即本實施例相較于上述第一實施例，黑矩陣113與屏蔽電極114的順序進行了互換。本實施例中屏蔽電極114若采用金屬材料制成，則第一偏光片111優(yōu)選采用抗反射偏光片，以避免金屬材料的屏蔽電極114對外界環(huán)境光產(chǎn)生反射而影響顯示效果。關(guān)于本實施例的其他結(jié)構(gòu)，可參見上述第一實施例，在此不再贅述。

本發(fā)明中，由于屏蔽電極114和黑矩陣113的圖形完全一致且相互重疊，可以共用現(xiàn)有的制作黑矩陣113的光罩(以下簡稱“BM光罩”)來同時制作屏蔽電極114，即共用BM曝光工程，實現(xiàn)一道光罩一次曝光，同時制作黑矩陣113和屏蔽電極114。

圖5a至圖5h為圖1中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖，請參圖5a至圖5h，本實例中的制作步驟具體如下：

如圖5a，在第一襯底110上涂布一層BM負性光阻層113a；

如圖5b，在該BM負性光阻層113a上涂布一層正性光阻層21；

如圖5c，利用制作該黑矩陣113的BM光罩30(該BM光罩30的平面結(jié)構(gòu)如圖9所示)對該正性光阻層21進行曝光；

如圖5d，對經(jīng)過曝光的該正性光阻層21進行顯影，移除被曝光位置的該正性光阻層21并在被曝光位置露出該BM負性光阻層113a；

如圖5e，在該正性光阻層21和露出的該BM負性光阻層113a上通過磁控濺射等方式沉積一層透明(例如ITO、IZO)或不透明(例如金屬)的導電材料層114a；

如圖5f，對該導電材料層114a進行蝕刻，使該導電材料層114a覆蓋該正性光阻層21的側(cè)面被完全蝕刻掉；

如圖5g，剝離移除該正性光阻層21，同時移除覆蓋在該正性光阻層21正面的該導電材料層114a，僅在被曝光位置保留該導電材料層114a作為該屏蔽電極114；

如圖5h，對該BM負性光阻層113a進行顯影，僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層113a作為該黑矩陣113。

圖6a至圖6h為圖1中彩色濾光片基板的另一種制作方法的步驟示意圖，請參圖6a至圖6h，本實例中的制作步驟具體如下：

如圖6a，在第一襯底110上涂布一層BM負性光阻層113a；

如圖6b，在該BM負性光阻層113a上通過磁控濺射等方式沉積一層透明(例如ITO、IZO)或不透明(例如金屬)的導電材料層114a；

如圖6c，在該導電材料層114a上涂布一層負性光阻層22；

如圖6d，利用制作該黑矩陣113的BM光罩30(該BM光罩30的平面結(jié)構(gòu)如圖9所示)對該負性光阻層22進行曝光；

如圖6e，對經(jīng)過曝光的該負性光阻層22進行顯影，移除未被曝光位置的該負性光阻層22并在未被曝光位置露出該導電材料層114a；

如圖6f，對露出的該導電材料層114a進行蝕刻移除，僅在被曝光位置保留該導電材料層114a作為該屏蔽電極114；

如圖6g，剝離移除該負性光阻層22；

如圖6h，對該BM負性光阻層113a進行顯影，僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層113a作為該黑矩陣113。

圖7a至圖7g為圖3中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖，請參圖7a至圖7g，本實例中的制作步驟具體如下：

如圖7a，在第一襯底110上涂布第一層BM負性光阻層113a；

如圖7b，在該第一層BM負性光阻層113a上通過磁控濺射等方式沉積一層透明(例如ITO、IZO)或不透明(例如金屬)的導電材料層114a；

如圖7c，在該導電材料層114a上涂布第二層BM負性光阻層113a；

如圖7d，利用制作該黑矩陣113的BM光罩30(該BM光罩30的平面結(jié)構(gòu)如圖9所示)對該第二層BM負性光阻層113a進行曝光；

如圖7e，對經(jīng)過曝光的該第二層BM負性光阻層113a進行顯影，移除未被曝光位置的該第二層BM負性光阻層113a并在未被曝光位置露出該導電材料層114a，同時僅在被曝光位置保留該第二層BM負性光阻層113a作為其中一層該黑矩陣113；

如圖7f，對露出的該導電材料層114a進行蝕刻移除并露出下方的該第一層BM負性光阻層113a，僅在被曝光位置保留該導電材料層114a作為該屏蔽電極114；

如圖7g，對該第一層BM負性光阻層113a進行顯影，僅在被曝光位置保留該第一層BM負性光阻層113a作為另一層該黑矩陣113。

圖8a至圖8e為圖4中彩色濾光片基板的一種制作方法的步驟示意圖，請參圖8a至圖8e，本實例中的制作步驟具體如下：

如圖8a，在第一襯底110上通過磁控濺射等方式沉積一層透明(例如ITO、IZO)或不透明(例如金屬)的導電材料層114a；

如圖8b，在該導電材料層114a上涂布一層BM負性光阻層113a；

如圖8c，利用制作該黑矩陣113的BM光罩30(該BM光罩30的平面結(jié)構(gòu)如圖9所示)對該BM負性光阻層113a進行曝光；

如圖8d，對經(jīng)過曝光的該BM負性光阻層113a進行顯影，移除未被曝光位置的該BM負性光阻層113a并在未被曝光位置露出該導電材料層114a，同時僅在被曝光位置保留該BM負性光阻層113a作為該黑矩陣113；

如圖8e，對露出的該導電材料層114a進行蝕刻移除，僅在被曝光位置保留該導電材料層114a作為該屏蔽電極114。

圖9為本發(fā)明上述實施例中所用到的BM光罩30的平面結(jié)構(gòu)示意圖，該BM光罩30可以是現(xiàn)有的用于制作黑矩陣113的光罩，上述實施例通過該BM光罩30，共用BM曝光工程，實現(xiàn)一道光罩一次曝光，達到同時制作黑矩陣113和屏蔽電極114的目的。所制得的黑矩陣113和屏蔽電極114的結(jié)構(gòu)可以參圖10和圖11，其中圖10為本發(fā)明實施例中制作形成的黑矩陣的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖11為本發(fā)明實施例中制作形成的屏蔽電極的平面結(jié)構(gòu)示意圖。由于在制程中共用該BM光罩30，所制得的黑矩陣113和屏蔽電極114在顯示區(qū)A和非顯示區(qū)B均具有完全相同的圖案，黑矩陣113與屏蔽電極114上下相互貼合接觸且完全重疊在一起。

本發(fā)明實施例通過在彩色濾光片基板的內(nèi)側(cè)設(shè)置有屏蔽電極，可以實現(xiàn)靜電屏蔽，屏蔽電極采用圖案化結(jié)構(gòu)，與像素電極上下錯開，降低了屏蔽電極與像素電極之間的垂直電場，有利于提高穿透率和縮短響應(yīng)時間，降低飽和電壓和降低功耗。而且屏蔽電極和黑矩陣的圖案在中心顯示區(qū)和周邊非顯示區(qū)完全相同，可以利用一張光罩一次曝光實現(xiàn)黑矩陣和屏蔽電極的同時制作，無需增加制作屏蔽電極的光罩。這樣，可以簡化工序，從而節(jié)省了制程時間，并降低生產(chǎn)成本。由于利用一張光罩一次曝光實現(xiàn)黑矩陣和屏蔽電極的同時制作，在制作黑矩陣和屏蔽電極時也不存在對位問題。

本發(fā)明實施例在該液晶顯示面板周邊的框膠涂布區(qū)域，黑矩陣可以不挖開，黑矩陣延伸的面積與屏蔽電極完全相同，導電膠可從屏蔽電極的側(cè)表面與屏蔽電極導通，不會因為密封膠涂布不良而漏光。而且彩色濾光片基板上的屏蔽電極通過導電膠與薄膜晶體管陣列基板上的公共電極導通連接，也可以避免出現(xiàn)暗態(tài)漏光問題。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。