技術領域

本公開總體上涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種能夠在黑色狀態(tài)下防止漏光的顯示裝置。

背景技術：

液晶顯示器被廣泛用作平板顯示器的一種類型。液晶顯示器具有兩個顯示面板和置于兩個顯示面板之間的液晶層，其中，諸如像素電極和共電極的場產(chǎn)生電極形成在顯示面板上。電壓被施加到場產(chǎn)生電極以在液晶層的上方產(chǎn)生電場，并且液晶層的液晶分子的排列由電場確定。因此，入射光的偏振被控制，從而執(zhí)行圖像顯示。

形成液晶顯示器的兩個顯示面板可為薄膜晶體管陣列面板和對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，傳輸柵極信號的柵極線和傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線形成為交叉，并可形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管和連接到薄膜晶體管的像素電極。遮光構件、濾色器、共電極等可形成在對向顯示面板上或形成在薄膜晶體管陣列面板上。

然而，在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，需要兩個基底，組成元件分別形成在兩個基底上。結果，這種顯示裝置是重的和貴的，并且制造工藝花費時間長。

在此背景技術部分中公開的上述信息僅為了增強對本公開的背景的理解，因此其可包含不形成對于本領域的普通技術人員而言已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)要素：

本公開通過利用一個基底制造顯示裝置來提供一種具有減少的重量、厚度、成本和工藝時間的顯示裝置。此外，提供了一種能夠在黑色狀態(tài)下防止漏光的顯示裝置。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括：基底；薄膜晶體管，設置在基底上；像素電極，連接至薄膜晶體管；第一共電極，通過絕緣層與像素電極疊置；第二共電極，與第一共電極分隔開以使其間具有多個微腔；頂層，設置在第二共電極上；液晶層，包括設置在微腔中的液晶分子；以及包封層，設置在頂層上并密封微腔。

第一共電極可被施加第一共電壓，像素電極被施加表示包括最低灰度級和最高灰度級的多個灰度級的數(shù)據(jù)電壓。

在像素電極被施加表示最低灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，第二共電極可被施加第二共電壓。

在像素電極被施加表示最低灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，豎直電場可形成在第一共電極和第二共電極之間。

在像素電極被施加表示最低灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，豎直電場可形成在液晶層中。

在像素電極被施加表示最低灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，液晶層的液晶分子可沿與基底垂直的方向排列。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，沒有電壓被施加到第二共電極。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，水平電場可形成在像素電極和第一共電極之間。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，水平電場可形成在液晶層中。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓時，液晶層的液晶分子可沿與基底平行的方向排列。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓之前，第二共電極可被施加第二共電壓。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓之前，豎直電場可形成在第一共電極和第二共電極之間。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓之前，豎直電場可形成在液晶層中。

在像素電極被施加表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓之前，液晶層的液晶分子可沿與基底垂直的方向排列。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置還可包括設置在像素電極上的第一取向層和設置在第二共電極下面的第二取向層。

第一取向層和第二取向層可由水平取向層制成。

第一取向層和第二取向層可在微腔的側壁內(nèi)彼此連接。

絕緣層可設置在第一共電極上，像素電極可設置在絕緣層上。

像素電極可包括多個分支電極和設置在所述多個分支電極之間的縫隙。

基底可由可彎曲的材料制成。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置具有下面的效果。

根據(jù)示例性實施例，利用一個基底制造顯示裝置，從而降低了顯示裝置的重量、厚度、成本和工藝時間。

此外，通過在黑色狀態(tài)下形成豎直電場，可防止漏光。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

圖2是示出根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的一部分的布局視圖。

圖3是圖2的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置沿III-III線截取的剖視圖。

圖4是圖2的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置沿IV-IV線截取的剖視圖。

圖5是示出初始狀態(tài)下的液晶分子的排列方向的圖。

圖6是示出在初始狀態(tài)下彎曲基底時液晶分子的排列方向的圖。

圖7是示出在被驅動以表示最低灰度級時液晶分子的排列方向的圖。

圖8是示出在被驅動以表示除最低灰度級之外的灰度級時液晶分子的排列方向的圖。

圖9是示出在根據(jù)參照示例的顯示裝置表示最低灰度級時排列狀態(tài)的模擬結果。

圖10是示出在根據(jù)參照示例的顯示裝置表示最低灰度級時依賴于位置的亮度的曲線圖。

圖11是在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置表示最低灰度級時排列狀態(tài)的模擬結果。

圖12是示出在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置表示最低灰度級時依賴于位置的亮度的曲線圖。

具體實施方式

將參照示出了本公開的示例性實施例的附圖更充分地描述本公開。如本領域的技術人員將認識到的，在不脫離本公開的精神或范圍的情況下，可以以各種不同方式修改所描述的實施例。

在附圖中，為了清楚起見，可夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。同樣的附圖標記在說明書中始終表示同樣的元件。將理解的是，在諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可直接在所述另一元件上，或者也可以存在一個或更多個中間元件。相反，在元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，可不存在中間元件。

首先，將參照圖1描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

如圖1所示，根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括由諸如玻璃或塑料的材料制成的基底110。微腔305設置在基底110上并由頂層360覆蓋。頂層360在行方向上延伸，多個微腔305設置在頂層360的下面。然而，本公開不限于此，頂層360可在列方向上延伸。

微腔305可以按矩陣形式布置，第一區(qū)域V1設置在豎直相鄰的微腔305之間，同時第二區(qū)域V2設置在水平相鄰的微腔305之間。第一區(qū)域V1設置在多個頂層360之間。微腔305可不被頂層360覆蓋，而是可在接觸第一區(qū)域V1的部分處暴露至外部。這些部分被稱作注入孔307a和307b。

注入孔307a和307b設置在每個微腔305的兩個邊緣處。注入孔307a和307b包括第一注入孔307a和第二注入孔307b，第一注入孔307a形成為暴露微腔305的第一邊緣的側表面，同時第二注入孔307b形成為暴露微腔305的第二邊緣的側表面。相鄰微腔305的第一邊緣的側表面與第二邊緣的側表面彼此面對。

每個頂層360設置為在相鄰的第二區(qū)域V2之間與基底110分開，從而形成微腔305。即，頂層360形成為覆蓋除了由注入孔307a和307b形成的第一邊緣和第二邊緣的側表面之外的側表面。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的前述結構僅是示例，并且各種修改是可行的。例如，微腔305、第一區(qū)域V1和第二區(qū)域V2可有區(qū)別地布置，多個頂層360可在第一區(qū)域V1中彼此連接，每個頂層360的一部分可形成為在第二區(qū)域V2中與基底110分隔開以使相鄰微腔305彼此連接。

在下文中，將參照圖2至圖4描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的一個像素。圖2是示出根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的一部分的布局視圖；圖3是圖2的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置沿III-III線截取的剖視圖，圖4是圖2的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置沿IV-IV線截取的剖視圖。

參照圖2至圖4，柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124形成在絕緣基底110上?；?10由諸如玻璃、塑料等被彎曲的透明材料制成。通過在基底110上形成所有組成元件之后將基底110彎曲，可形成彎曲的顯示裝置。

柵極線121可主要沿水平方向延伸并傳輸柵極信號。柵極線121可形成在沿著列方向相鄰的微腔305之間。即，柵極線121可形成在第一區(qū)域V1中。

柵極絕緣層140設置在柵極線121和柵電極124上。柵極絕緣層140可由諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的無機絕緣材料制成。此外，柵極絕緣層140可由單層或多層形成。

半導體154設置在柵極絕緣層140上。半導體154可形成在柵電極124上。在一些實施例中，半導體154還可以形成在數(shù)據(jù)線171下面。半導體154可由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物形成。

歐姆接觸件(未示出)還可形成在半導體154上。歐姆接觸件可由硅化物或由以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅制成。

數(shù)據(jù)線171和與數(shù)據(jù)線171分開的漏電極175形成在半導體154和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括源電極173，源電極173和漏電極175形成為彼此面對。

數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并主要沿豎直方向延伸，從而與柵極線121交叉。數(shù)據(jù)線171形成在沿著行方向相鄰的微腔305之間。即，數(shù)據(jù)線171形成在第二區(qū)域V2中。數(shù)據(jù)線171可周期性地彎曲。例如，如圖2中示出的，每條數(shù)據(jù)線171可在與一個像素PX的水平中心線CL對應的部分處至少彎曲一次。

如圖2所示，源電極173不從數(shù)據(jù)線171突出，并可與數(shù)據(jù)線171形成在同一條線上。漏電極175可包括與源電極173基本平行地延伸的桿狀部和與桿狀部相對的延伸部177。

柵電極124、源電極173和漏電極175連同半導體154形成薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體管可用作傳輸數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開關元件SW。在這種情況下，開關元件SW的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。

鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和半導體154的暴露的部分上。鈍化層180可由有機絕緣材料或無機絕緣材料制成，并可由單層或多層形成。

濾色器230在鈍化層180上形成在每個像素PX中。

每個濾色器230可顯示紅、綠和藍三原色中的一個顏色。濾色器230不限于這些紅、綠、藍三原色，還可顯示青色、品紅、黃色和白基色中的一個顏色。濾色器230可不形成在第一區(qū)域V1和/或第二區(qū)域V2。

遮光構件220形成在相鄰濾色器230之間的區(qū)域。遮光構件220形成在像素PX的邊界和開關元件上以防止漏光。即，遮光構件220可形成在第一區(qū)域V1和第二區(qū)域V2中。然而，本示例性實施例不限于此，遮光構件220可只形成在第一區(qū)域V1中而不形成在第二區(qū)域V2中。在這種情況下，在第二區(qū)域V2中，濾色器230可在相鄰像素PX內(nèi)彼此疊置。濾色器230和遮光構件220可在部分區(qū)域中彼此疊置。

第一絕緣層240還可形成在濾色器230和遮光構件220上。第一絕緣層240可由有機絕緣材料形成，并可用來使濾色器230和遮光構件220中的每個的上表面平坦化。第一絕緣層240可由雙層制成，所述雙層包括由有機絕緣材料制成的第一層和由無機絕緣材料制成的第二層。在一些實施例中，第一絕緣層240可省略。

第一共電極270設置在第一絕緣層240上。形成在多個像素PX中的相鄰的第一共電極270通過連接橋276等彼此連接以傳遞基本相同的電壓。形成在每個像素PX中的第一共電極270可由平面形狀制成。第一共電極270可由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物制成。第一共電極270可被施加第一共電壓。第一共電壓可為預定電壓。

第二絕緣層250設置在第一共電極270上。第二絕緣層250可由諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的無機絕緣材料制成。

鈍化層180、第一絕緣層240和第二絕緣層250具有暴露漏電極175的一部分(例如，延伸部177)的接觸孔185a。

像素電極191設置在第二絕緣層250上。像素電極191可包括多個分支電極193和形成在多個分支電極193之間的縫隙93。像素電極191的多個分支電極193與第一共電極270疊置。像素電極191和第一共電極270通過第二絕緣層250分開。第二絕緣層250用來使像素電極191和第一共電極270絕緣。

像素電極191可包括用于連接其它層的突出部195。像素電極191的突出部195通過接觸孔185a物理地連接并電連接到漏電極175，從而接收來自漏電極175的電壓。像素電極191可由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物制成。

像素電極191可包括沿數(shù)據(jù)線171的彎曲形狀彎曲的邊緣。例如，像素電極191可形成為包括在與像素PX的橫向中心線CL對應的部分處至少彎曲一次的邊緣的多邊形。

向像素電極191施加數(shù)據(jù)電壓。在開關元件SW導通時，數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線171傳輸至像素電極191。數(shù)據(jù)電壓可表示從最低灰度級變化至最高灰度級的多個灰度級中的一個。例如，最低灰度級可為0，最高灰度級可為61，在最低灰度級和最高灰度級之間可存在總計62個灰度級。

上述像素的布置及薄膜晶體管的形狀可以改變。此外，像素電極191和第一共電極270的位置可以交換。即，第二絕緣層250設置在第一共電極270上，像素電極191設置在第二絕緣層250上，然而，絕緣層可設置在像素電極上，共電極可設置在絕緣層上。此外，像素電極191可制成平面形狀，第一共電極270可包括分支電極193和縫隙93。

與像素電極191分開預定距離的第二共電極280形成在像素電極191上。微腔305設置在像素電極191和第二共電極280之間。即，微腔305被像素電極191和第二共電極280封閉。第二共電極280沿行方向延伸，形成在微腔305上并形成在第二區(qū)域V2中。第二共電極280設置為覆蓋微腔305的上表面和側表面。微腔305的尺寸可根據(jù)顯示裝置的尺寸和分辨率變化。

第二共電極280可由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物制成?？上虻诙搽姌O280施加第二共電壓。第二共電壓可為預定電壓?？稍诘谝还搽姌O270和第二共電極280之間產(chǎn)生電場。

取向層設置在像素電極191上并位于第二共電極280的下方。取向層包括第一取向層11和第二取向層21。第一取向層11和第二取向層21可為水平取向層并可由諸如聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亞胺的取向材料形成。第一取向層11和第二取向層21可在微腔305的邊緣的側壁處連接。

第一取向層11設置在像素電極191上。第一取向層11可直接設置在未被像素電極191覆蓋的第二絕緣層250上。此外，第一取向層11還可設置在第一區(qū)域V1中。第二取向層21設置在第二共電極280的下面以與第一取向層11面對。

由液晶分子310制成的液晶層形成在微腔305中，微腔305形成在像素電極191和第二共電極280之間。液晶分子310可具有正介電各向異性或負介電各向異性。液晶分子310可布置成使得在缺少電場時液晶分子310的長軸方向與基底110平行。即，可實現(xiàn)水平排列。

通過開關元件SW被施加數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與被施加第一共電壓的第一共電極270一起產(chǎn)生相應的電場以確定液晶層的液晶分子310的排列方向。具體地，像素電極191的分支電極193與第一共電極270一起對液晶層形成邊緣電場，從而確定液晶分子310的排列方向。如此，透過液晶層的光的亮度根據(jù)液晶分子310的被確定的排列方向而改變，從而顯示圖像。

在像素電極191被施加表示最低灰度級(即，黑色)的數(shù)據(jù)電壓時，第二共電極280被施加第二共電壓。在這種情況下，在被施加第一共電壓的第一共電極270和被施加第二共電壓的第二共電極280之間產(chǎn)生豎直電場。因此，豎直電場形成在液晶層上，液晶層形成在第一共電極270和第二共電極280之間，并且液晶層中的液晶分子310沿與基底110垂直的方向排列。如果液晶分子310沿與基底110垂直的方向排列，則可以無漏光地表現(xiàn)最低灰度級。

在表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓被施加到像素電極191時，可不向第二共電極280施加電壓。在這種情況下，在像素電極191和第一共電極270之間形成水平電場。因此，水平電場形成在液晶層上，從而液晶層中的液晶分子310沿與基底110平行的方向排列。液晶分子310沿與基底110平行的方向排列，從而沿液晶分子310的方向表現(xiàn)預定的灰度級。

在前面的描述中，第二共電極280僅在表示最低灰度級時被施加預定電壓以在液晶層上形成豎直電場，在表示除最低灰度級之外的灰度級時，沒有電壓施加到第二共電極280。然而，本公開不限于此。

在表示除最低灰度級之外的灰度級時，也可在像素的初始化驅動期間向第二共電極280施加預定電壓。例如，可在將表示除最低灰度級之外的灰度級的數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191之前直接向第二共電極280施加第二共電壓。在這種情況下，豎直電場形成在第一共電極270和第二共電極280之間。因此，豎直電場形成在液晶層上，液晶層中的液晶分子310沿與基底110垂直的方向排列。在表示除最低灰度級之外的灰度級時，液晶分子最初沿與基底110垂直的方向排列，之后沿與基底110平行的方向排列以表現(xiàn)預定的灰度級，因此提高了響應速度。在液晶分子處于豎直排列而不是水平排列的狀態(tài)下，液晶分子沿與基底110平行的方向排列的響應速度，更有利于在液晶分子水平排列的狀態(tài)下表現(xiàn)預定灰度級。

第三絕緣層350還可形成在第二共電極280上。第三絕緣層350可由諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成，并可在一些實施例中省略。

頂層360形成在第三絕緣層350上。頂層360可由有機材料形成。頂層360沿行方向形成并設置在微腔305上和第二區(qū)域V2處。頂層360形成為覆蓋微腔305的上表面和部分側表面。可通過硬化工藝使頂層360硬化以保持微腔305的形狀。即，頂層360形成為與像素電極191分隔開以使微腔305置于其間。

第二共電極280和頂層360形成為不覆蓋位于微腔305的邊緣處的一部分側表面，微腔305的沒有被共電極280和頂層360覆蓋的部分被稱為注入孔。注入孔包括暴露微腔305的第一邊緣處的側表面的第一注入孔307a和暴露微腔305的第二邊緣處的側表面的第二注入孔307b。第一邊緣與第二邊緣面對，例如在平面圖中第一邊緣可為微腔305的上邊緣，第二邊緣可為微腔305的下邊緣。在顯示裝置的制造工藝中，微腔305可被注入孔307a和307b暴露使得取向劑或液晶材料可通過注入孔307a和307b注入到微腔305中。

第四絕緣層370還可形成在頂層360上。第四絕緣層370可由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的無機絕緣材料制成。第四絕緣層370可形成為覆蓋頂層360的上表面和/或側表面。第四絕緣層370保護由有機材料制成的頂層360，在一些實施例中可省略第四絕緣層370。

包封層390形成在第四絕緣層370上。包封層390形成為覆蓋將微腔305的一部分暴露至外部的注入孔307a和307b。即，包封層390可密封微腔305以防止形成在微腔305內(nèi)部的液晶分子310泄漏到外部。包封層390接觸液晶分子310，包封層390由不與液晶分子310起反應的材料制成。例如，包封層390可由聚對二甲苯或類似物制成。

包封層390可包括諸如雙層和三層的多層。包括兩層的雙層可由不同材料制成。三層包括三個層，相鄰層的材料彼此不同。例如，包封層390可包括由有機絕緣材料制成的第一層和由無機絕緣材料制成的第二層。

雖然未示出，但是偏振片還可形成在顯示裝置的上表面和下表面上。偏振片可包括第一偏振片和第二偏振片。第一偏振片可附著在基底110的下表面上，第二偏振片可附著在包封層390上。

其次，將參照圖5至圖8描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的初始狀態(tài)和被驅動時的液晶分子的排列方向。

圖5是示出在初始狀態(tài)下液晶分子的排列方向的圖，圖6是示出在初始狀態(tài)下彎曲基底時液晶分子的排列方向的圖。圖7是示出在被驅動以表示最低灰度級時液晶分子的排列方向的圖，圖8是示出在被驅動以表示除最低灰度級之外的灰度級時液晶分子的排列方向的圖。圖5至圖8是示意性的示出顯示裝置的部分組成元件的剖視圖。圖5至圖8僅示出像素電極、第二絕緣層、第一共電極、液晶分子和第二共電極，說明中省略了其他組成元件。

如圖5所示，在初始狀態(tài)下，液晶分子310沿水平方向排列。取向層由水平取向層制成，在初始狀態(tài)下沒有電壓施加到像素電極191、第一共電極270和第二共電極280。

如圖6所示，在將處于初始狀態(tài)下的顯示裝置彎曲以形成彎曲的顯示裝置時，液晶層中的液晶分子310的排列狀態(tài)被打亂。具體地，排列狀態(tài)的張力大部分產(chǎn)生于微腔的邊緣部分上。由于液晶分子310的排列狀態(tài)的變形會產(chǎn)生漏光。此外，在微腔中的邊緣部分上會發(fā)生取向層的聚集現(xiàn)象，因此產(chǎn)生漏光。

如圖7所示，在驅動顯示裝置以表示最低灰度級時，在第一共電極270和第二共電極280之間形成豎直電場以使液晶層中的液晶分子310沿豎直方向排列。通過施加到第一共電極270的第一共電壓和施加到第二共電極280的第二共電壓在豎直方向上形成電場。第一共電壓和第二共電壓之間的差必須大于將排列在水平方向的液晶分子310移動至豎直方向的最小電壓。通過在表達最低灰度級時使液晶分子310沿豎直方向排列，可防止在微腔的邊緣部分漏光。

如圖8所示，在驅動顯示裝置以表達除最低灰度級之外的灰度級時，沒有電壓施加到第二共電極280。在像素電極191和第一共電極270之間形成水平電場。液晶分子310沿水平方向排列，從而沿液晶分子310的方向表現(xiàn)預定的灰度級。

在下文中，將參照圖9至圖12描述在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的最低灰度級下的亮度。較之于在根據(jù)參照示例的顯示裝置的最低灰度級下的亮度來描述示例性實施例。

圖9是示出了在根據(jù)參照示例的顯示裝置表示最低灰度級時排列狀態(tài)的模擬結果，圖10是示出了在根據(jù)參照示例的顯示裝置表示最低灰度級時依賴于位置的亮度的曲線圖。圖11是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置表示最低灰度時排列狀態(tài)的模擬結果，圖12是示出了在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置表示最低灰度級時依賴于位置的亮度的曲線圖。圖10和圖12是示出了依賴于距微腔的中心的相對距離的相對亮度的曲線圖。

在根據(jù)參照示例的顯示裝置的情況下，與根據(jù)示例性實施例的顯示裝置不同，不存在第二共電極。因此，僅由像素電極和第一共電極形成水平電場，不形成豎直電場。

如圖9所示，在根據(jù)參照示例的顯示裝置的情況下，在顯示最低灰度級時，液晶分子沿水平方向排列。在這種情況下，如果將顯示裝置彎曲以形成彎曲的顯示裝置，則排列狀態(tài)會在微腔的邊緣處的區(qū)域A中改變。這種形變會產(chǎn)生漏光。

如圖10所示，大約0.025的亮度出現(xiàn)在微腔的中心上，亮度隨著靠近微腔的邊緣而增加。在區(qū)域A中，亮度增至大約0.045。

如圖11所示，在根據(jù)本示例性實施例的顯示裝置中，在顯示最低灰度級時，液晶分子沿豎直方向排列。在這種情況下，雖然顯示裝置被彎曲以形成彎曲的顯示裝置，但是由于液晶分子在微腔的邊緣處的區(qū)域A中沿豎直方向排列，所以幾乎沒有出現(xiàn)漏光。

如圖12所示，與位置無關地出現(xiàn)小于大約0.005的亮度。因此，A區(qū)域中沒有出現(xiàn)漏光。此外，在區(qū)域A中乃至整個區(qū)域中，出現(xiàn)比參照示例更低的亮度。即，通過在第一共電極和第二共電極之間形成豎直電場來表現(xiàn)最低灰度級以防止漏光，能顯示亮度極低的黑色。

雖然已結合目前被視為實際示例性實施例的內(nèi)容描述了本公開，但是應理解的是，本公開不限于公開的實施例，而是相反，意在覆蓋包括在所附權利要求的精神和范圍內(nèi)的各種變形和等同布置。

<附圖標記的說明>

110：基底 121：柵極線

171：數(shù)據(jù)線 191：像素電極

191：分支電極 270：第一共電極

280：第二共電極 305：微腔

307a，307b：注入孔 310：液晶分子

360：頂層 390：包封層