本發(fā)明關(guān)于一種顯示面板及其陣列基板制作方法，特別關(guān)于一種具有可視角度可調(diào)的顯示面板及其陣列基板制作方法。

背景技術(shù)：

一般而言，顯示器為了使畫面能提供給多個觀看者，通常具有廣視角的顯示效果，但例如在閱讀機密資訊或輸入密碼時等特殊場合下，廣視角的顯示效果卻易使機密資訊被旁人所窺視而造成機密資訊外泄。因此，為了滿足提供給多個觀看者以及在公眾場合處理機密資訊的兩種不同需求，具有廣視角顯示模式與窄視角顯示模式的可調(diào)整視角的顯示器逐漸成為顯示器市場的主流商品之一。

現(xiàn)有顯示器的防窺機制大致上可分為下列數(shù)種：

一、將防窺片加裝至顯示器：

一般防窺片是藉由抑制大視角的亮度，使側(cè)視的觀看者無法清楚的讀取所顯示的資訊，達到隱私保護的效果。但因為顯示器額外被加上防窺片，會影響原本正視時顯示器的光學特性及顯示品質(zhì)，而且也需要手動切換防窺與否，造成使用者在使用上較不方便。

二、背光源控制：

利用原本出射光具有高度準直性的背光源，搭配一可電壓控制的擴散片，當擴散片將準直光擴散時，造成在側(cè)視時有光源出射，以提供廣視角顯示模式；當擴散片不會對原本的準直光造成擴散的作用時，以達成窄視角的顯示模式。此方法主要是藉由控制背光的出射角度，來調(diào)整側(cè)視的亮度，使側(cè)視的觀看者無法讀取顯示資訊。在理想上雖可以完美的避免其他人員窺視資訊，但實際應(yīng)用上因為光路控制不易，因此在防窺表現(xiàn)上無法得到令人滿意的效果。

三、加上視角控制模塊單元：

在原本的顯示模塊上，再外加視角控制模塊，藉由電壓控制視角控制模塊的開關(guān)來切換廣視角顯示模式與窄視角顯示模式。此方法在廣視角顯示模式時，不會對原本的影像顯示造成任何干擾或破壞，能保有原本影像的品質(zhì)。而在窄視角顯示模式下，側(cè)視的亮度會被明顯的抑制，而使得側(cè)視的人不易判讀影像所顯示的信息。但視角控制模塊會造成整體重量及厚度上增加的缺點。

由上述可知，現(xiàn)有顯示器的防窺技術(shù)在達到防窺效果的同時往往需要犧牲原有的部分特性，如顯示品質(zhì)、光學特性、厚度以及重量等，因此現(xiàn)有防窺技術(shù)仍具有改善的空間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有視角范圍可切換的顯示面板與其陣列基板的制作方法。

依據(jù)本發(fā)明一實施例的陣列基板的制作方法，包含：形成共通電極于基底上。并形成圖案化遮光層于共通電極上，其中共通電極位于基底以及圖案化遮光層之間。

依據(jù)本發(fā)明另一實施例的陣列基板制作方法，更包含以圖案化遮光層為遮罩，對共通電極進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，使得該通電極具有第一材質(zhì)部以及第二材質(zhì)部，其中第一材質(zhì)部的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部的導(dǎo)電率。

依據(jù)本發(fā)明另一實施例的陣列基板制作方法，更包含：形成多個濾光元件于共通電極上。以及以濾光元件為遮罩，對共通電極進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，使得共通電極具有第一材質(zhì)部以及第二材質(zhì)部，其中第一材質(zhì)部的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部的導(dǎo)電率。

依據(jù)本發(fā)明另一實施例的陣列基板制作方法，更包含：形成圖案化保護層于共通電極上；以及以圖案化保護層為遮罩，對共通電極進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，使得共通電極具有第一材質(zhì)部以及第二材質(zhì)部，其中第一材質(zhì)部的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部的導(dǎo)電率。

依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板，包含：主動元件基板與陣列基板。陣列基板相對于主動元件基板設(shè)置，且陣列基板包含：基底、共通電極與圖案化遮光層。其中共通電極位于基底上。圖案化遮光層位于共通電極上，且共通電極位于基底以及圖案化遮光層之間。

藉由上述的陣列基板的共通電極的圖案化，液晶層的電場分布可以依據(jù)共通電極的電壓大小與否來調(diào)整，進而調(diào)整顯示面板的可視角度大小。

以上的關(guān)于本揭露內(nèi)容的說明及以下的實施方式的說明是用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的專利申請范圍更進一步的解釋。

附圖說明

圖1是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。

圖2A至圖2N是對應(yīng)于圖1的制作流程圖。

圖2P是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。

圖2Q是對應(yīng)于圖2P的陣列基板部分剖面示意圖。

圖3是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。

圖4A至圖4N是對應(yīng)于圖3的制作流程圖。

圖5是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。

圖6是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。

圖7A至圖7L是對應(yīng)于圖6的制作流程圖。

圖8A與圖8B是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板作動示意圖。

其中，附圖標記：

1000、1000’、1000”、1000a 陣列基板

1100 基底

1200、1200’ 共通電極

1210、1210’ 第一材質(zhì)部

1220、1220’ 第二材質(zhì)部

1300A 遮光層

1300 固化部

1310 非固化部

1400 保護層

1400’ 圖案化保護層

2000 主動元件基板

R 紅色濾光元件

G 綠色濾光元件

B 藍色濾光元件

RL 紅色濾光材料層

GL 綠色濾光材料層

BL 藍色濾光材料層

LC 液晶層

EF1～EF3 電力線

M1 第一光罩

M2 第二光罩

W 白色子像素

M 對位標記

具體實施方式

以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟習相關(guān)技藝者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、申請專利范圍及圖式，任何熟習相關(guān)技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點。以下的實施例進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。

請參照圖1與圖2A至圖2N，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖2A至圖2N是對應(yīng)于圖1的制作流程圖，其對應(yīng)于圖1中的剖面線AA’。如圖1與圖2N所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000具有基底1100、共通電極1200與圖案化遮光層。其中共通電極1200位于基底1100之上，而圖案化遮光層位于共通電極1200之上。舉例來說，共通電極1200位于基底1100與圖案化遮光層之間。于一實施例中，共通電極1200具有第一材質(zhì)部1210以及第二材質(zhì)部1220，而第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率。舉例來說，于一實施例中第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率為約10²西門子/米(S/m)至10⁴S/m且第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率為約10^-2S/m至10S/m。其中共通電極1200的材質(zhì)選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、二六族化合物半導(dǎo)體與三五族化合物半導(dǎo)體所組成的群組其中至少之一。于本實施例中，第二材質(zhì)部1220的位置對應(yīng)并重疊于圖案化遮光層，第一材質(zhì)部1210舉例實質(zhì)上不與圖案化遮光層重疊。

本實施例的制作流程首先請參照圖2A，于基底1100上形成共通電極1200。于此步驟中，共通電極1200被全面地形成于基底1100上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖2B所示，于共通電極1200上全面性形成遮光層1300A。接著如圖2C所示，設(shè)置第一光罩M1于遮光層1300A上方，以第一光罩M1為遮罩對遮光層1300A進行顯影，從而得到如圖2D所示的固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部131舉例為交錯設(shè)置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖2E所示的圖案化遮光層(未標示)，圖案化遮光層舉例僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。因為圖案化遮光層后于共通電極1200形成，故因地形產(chǎn)生的窄視角顯示模式時暗態(tài)漏光現(xiàn)象可被減輕或避免。接著如圖2F所示，以圖案化遮光層作為遮罩，對共通電極1200進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，而得到第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220，第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220舉例為交錯排列或陣列排列。舉例來說，原先的共通電極1200僅具有第二材質(zhì)，由于以圖案化遮光層作為光罩，因此未被圖案化遮光層遮蔽的部分被材質(zhì)轉(zhuǎn)換為第一材質(zhì)，在本實施例中，因并非利用蝕刻等移除膜層一部分的方式來形成用以調(diào)整顯示面板的可視角度的共通電極，而是對共通電極1200進行處理以形成同時具有第一材質(zhì)部1210以及第二材質(zhì)部1220的單一膜層，因此無制程對位控制上的問題。于一實施例中，材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質(zhì)若是氧化銦鎵鋅，其導(dǎo)電率介于0.01S/m至10S/m之間，經(jīng)由電漿處理后得到的第一材質(zhì)的導(dǎo)電率介于100S/m至10⁴S/m之間。于圖2F的步驟之后，則如圖2G至圖2L所示，依序形成紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B，然而其順序可以任意替換，本發(fā)明不加以限制。在圖2G中，形成紅色濾光材料層RL于圖案化遮光層以及共通電極1200上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化制程以形成紅色濾光元件R，例如是設(shè)置光罩(未標示)于紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖2H所示，紅色濾光元件R對應(yīng)第一材質(zhì)部1210設(shè)置，而紅色濾光元件R的邊緣可與遮光層1300重疊。接下來請參照圖2I，形成綠色濾光材料層GL于紅色濾光元件R、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對綠色濾光材料層GL進行圖案化制程以形成綠色濾光元件G，例如是設(shè)置光罩(未標示)于綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖2J所示，綠色濾光元件G對應(yīng)另外的第一材質(zhì)部1210設(shè)置，而綠色濾光元件G的邊緣可與遮光層1300重疊。之后，形成藍色濾光材料層BL于紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化制程以形成藍色濾光元件B，例如是設(shè)置光罩(未標示)于藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖2L所示，藍色濾光元件B對應(yīng)其他的第一材質(zhì)部1210設(shè)置，而藍色濾光元件B的邊緣可與遮光層1300重疊。之后如圖2M所示，于上述濾光元件上形成保護層1400。此時，與主動元件基板相對的陣列基板1000已大致完成，如圖2N所示，陣列基板1000包含基底1100、共通電極1200、圖案化遮光層、紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、藍色濾光元件B以及保護層1400。共通電極1200包含第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220，第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率，舉例來說，第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率為約10²S/m至10⁴S/m且第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率為約10^-2S/m至10S/m。

在本實施例中，紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B分別對應(yīng)重疊于第一材質(zhì)部1210。這些第一材質(zhì)部1210構(gòu)成多個視角控制(viewing angle control；VAC)電極，藉由這些視角控制電極與主動元件基板中的像素電極與共用電極間的電壓控制上的搭配，而完成廣視角模式和窄視角模式的呈現(xiàn)與切換，其作動原理詳細說明如后。

于本發(fā)明另一實施例中，在前述圖2A步驟，于基底1100上形成共通電極1200的步驟以前，選擇性地于基底上形成對位標記。舉例來說，基底1100為一母板。此一母板為了便于未來切割為顯示面板的尺寸，通常會有切割用的對位標記。于一實施方式中，在切割用的至少一個對位位置上，于形成共通電極1200前先形成對位標記。如此便可依據(jù)對位標記而進行光罩對位或其他儀器的對位作業(yè)，從而對共通電極1200以光罩進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理、膜層沉積處理或膜層圖案化處理等等，例如進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理以形成第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220。而后于材質(zhì)轉(zhuǎn)換過的共通電極上形成圖案化遮光層，再進行如圖2G至圖2M的步驟流程。因此如本實施例中所形成的顯示面板的陣列基板，其共通電極1200的第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220并不必然與圖案化遮光層1300有對應(yīng)關(guān)系。此外，于一實施例中，前述的對位標記與圖案化遮光層的材料相同。因此得到的顯示面板的陣列基板的俯視圖與剖面圖如圖2P與圖2Q所示，圖2P是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖2Q是對應(yīng)于圖2P的陣列基板沿剖面線AA”的部分剖面示意圖。如圖2Q所示，對位標記M形成于基底1100上。此實施例中的陣列基板1000a的對位標記M與圖案化遮光層的材質(zhì)可相同。在本實施例中，共通電極1200’的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)、二六族化合物半導(dǎo)體與三五族化合物半導(dǎo)體所組成的群組其中至少之一，共通電極1200’具有第一材質(zhì)部1210’與第二材質(zhì)部1220’，第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率為約10²西門子/米(S/m)至10⁴S/m且第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率為約10^-2S/m至10S/m。然而，在另一變化例中，共通電極的材料例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)，若使用氧化銦錫作為共同電極的材料，就可省略材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理的步驟，亦不會形成第一材質(zhì)部以及第二材質(zhì)部，共通電極為單一材質(zhì)的膜層，在此變化例中，共通電極的導(dǎo)電率為約10²西門子/米(S/m)至10⁴S/m。

于另一實施例中，請參照圖3與圖4A至圖4N，其中圖3是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖4A至圖4N是對應(yīng)于圖3的制作流程圖，其對應(yīng)于圖3中的剖面線BB’。如圖3與圖4N所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000’具有基底1100、共通電極1200、圖案化遮光層與濾光元件R、G、B。其中共通電極1200位于基底1100之上，而圖案化遮光層位于共通電極1200之上。舉例來說，共通電極1200位于基底1100與圖案化遮光層之間。于一實施例中，共通電極1200具有第一材質(zhì)部1210以及第二材質(zhì)部1220，而第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率。舉例來說，于一實施例中第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率為約10²(S/m)至10⁴S/m且第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率為約10^-2S/m至10S/m。其中共通電極1200的材質(zhì)選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、二六族化合物半導(dǎo)體與三五族化合物半導(dǎo)體所組成的群組其中至少之一。于本實施例中，第二材質(zhì)部1220的位置對應(yīng)于濾光元件R、G、B，而第一材質(zhì)部1210對應(yīng)于不具有濾光元件的部分。換句話說，當顯示面板的主動元件基板具有多個白色子像素W時，其中第一材質(zhì)部1210的位置更分別對應(yīng)前述多個白色子像素W。于圖3的實施例中，白色子像素為陣列式的排列。此外，于本發(fā)明另一實施例中，顯示面板的白色子像素(未覆蓋有濾光元件的子像素)并非如圖3所示的陣列式地排列，而是如圖5所示，以列排列。于另一實施例中，白色子像素亦可以行排列，本發(fā)明不加以限制。

關(guān)于圖3的實施例的制作流程首先請參照圖4A，于基底1100上形成共通電極1200。于此一步驟中，共通電極1200被全面地形成于基底1100上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖4B所示，于共通電極1200上形成遮光層1300A。接著如圖4C所示，設(shè)置第一光罩M1于遮光層1300A上方，以第一光罩M1為遮罩對遮光層1300A進行顯影，從而得到如圖4D所示的固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部1310舉例為交錯設(shè)置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖4D所示的圖案化遮光層，圖案化遮光層舉例僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。于圖4E的步驟之后，則如圖4F至圖4K所示依序形成紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B，然而其順序可以任意替換，本發(fā)明不加以限制。如圖4E所示，形成紅色濾光材料層RL于圖案化遮光層以及共通電極1200上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化制程以形成紅色濾光元件R，例如是設(shè)置光罩(未標示)于紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖2H所示。接下來請參照圖4G，形成綠色濾光材料層GL于紅色濾光元件R、圖案化遮光層以及共通電極1200上。圖4H所示，對綠色濾光材料層GL進行圖案化制程以形成綠色濾光元件G，例如是設(shè)置光罩(未標示)于綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖4I所示。之后，如圖4J所是，形成藍色濾光材料層BL于紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化制程以形成藍色濾光元件B，例如是設(shè)置光罩(未標示)于藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖4K所示。于形成完濾光元件R、G、B后保留對應(yīng)于白色子像素W的未形成濾光元件的區(qū)域。接著如圖4L所示，以濾光元件R、G、B作為遮罩，對共通電極1200進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，而得到第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220。舉例來說，原來形成的共通電極1200都是第二材質(zhì)，由于以濾光元件R、G、B作為遮罩，因此僅有未被濾光元件R、G、B遮蔽的部分被材質(zhì)轉(zhuǎn)換為第一材質(zhì)，也就是對應(yīng)于白色子像素W的區(qū)域的部分的共通電極被轉(zhuǎn)換為第一材質(zhì)。于一實施例中，材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質(zhì)若是氧化銦鎵鋅，其導(dǎo)電率介于0.01S/m至10S/m之間，經(jīng)由電漿處理后得到的第一材質(zhì)的導(dǎo)電率介于100S/m至10⁴S/m之間。之后如圖4M，于上述濾光元件R、G、B上形成保護層1400從而得到如圖3與圖4N的陣列基板。

請參照圖6與圖7A至圖7L，其中圖6是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖7A至圖7L是對應(yīng)于圖6的制作流程圖，其對應(yīng)于圖6中的剖面線CC’。如圖6與圖7L所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000”具有基底1100、多個濾光元件R、G、B、共通電極1200、圖案化遮光層與圖案化保護層1400’。其中各個濾光元件R、G、B位于基底1100之上，共通電極1200位于各個濾光元件R、G、B之上，圖案化遮光層位于共通電極1200之上，而圖案化保護層1400’位于圖案化遮光層之上。于一實施例中，共通電極1200具有第一材質(zhì)部1210以及第二材質(zhì)部1220，而第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率不同于第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率。更具體來說，于一實施例中第一材質(zhì)部1210的導(dǎo)電率為約10²西門子/米(S/m)至10⁴S/m且第二材質(zhì)部1220的導(dǎo)電率為約10^-2S/m至10S/m。其中共通電極1200的材質(zhì)選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、二六族化合物半導(dǎo)體與三五族化合物半導(dǎo)體所組成的群組其中至少之一。于本實施例中，第二材質(zhì)部1220的位置對應(yīng)于圖案化保護層1400’，第一材質(zhì)部1210的位置對應(yīng)于圖案化保護層1400’的多個開口。

本實施例的制作流程首先請參照圖7A至圖7F，于基底1100上依序形成濾光元件R、G、B。于此本發(fā)明并不限定其順序。請參照圖7A，形成紅色濾光材料層RL于基底1100上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化制程以形成紅色濾光元件R，例如是設(shè)置光罩(未標示)于紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖7B所示。接下來請參照圖7C，形成綠色濾光材料層GL于紅色濾光元件R以及基底1100上，對綠色濾光材料層GL進行圖案化制程以形成綠色濾光元件G，例如是設(shè)置光罩(未標示)于綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖7D所示。之后，形成藍色濾光材料層BL于紅色濾光元件R、綠色濾光元件G以及基底1100上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化制程以形成藍色濾光元件B，例如是設(shè)置光罩(未標示)于藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖7F所示。而后如圖7G所示，共通電極1200被全面地形成于濾光元件R、G、B上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖7H所示，于共通電極1200上形成遮光層(未標示)，設(shè)置第一光罩M1于遮光層上方，并以第一光罩M1為遮罩對遮光層進行顯影，從而得到固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部131舉例為交錯設(shè)置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖7I所示的圖案化遮光層，圖案化遮光層僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。接著如圖7J所示，于圖案化遮光層上形成保護層1400，設(shè)置第二光罩M于保護層1400上方，以第二光罩M2為遮罩對保護層1400顯影，從而得到如圖7K所示的圖案化保護層1400’。而后如圖7L所示，以圖案化保護層1400’并同圖案化遮光層作為遮罩，對共通電極1200進行材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理，而得到第一材質(zhì)部1210與第二材質(zhì)部1220。舉例來說，原來形成的共通電極1200都是第二材質(zhì)，由于以圖案化保護層1400’并同圖案化遮光層作為遮罩，因此共通電極1200僅有未被遮蔽的部分被材質(zhì)轉(zhuǎn)換為第一材質(zhì)。于一實施例中，材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質(zhì)若是氧化銦鎵鋅，其導(dǎo)電率介于0.01S/m至10S/m之間，經(jīng)由電漿處理后得到的第一材質(zhì)的導(dǎo)電率介于100S/m至10⁴S/m之間。

請參照圖8A與圖8B，其是依據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板作動示意圖。如圖8A所示，顯示面板具有陣列基板1000、液晶層LC與主動元件基板2000。其中陣列基板1000由前述任一實施例所制作，因此具有經(jīng)圖案化的共通電極1100。當陣列基板1000的共通電極1200未施加任何電壓時，液晶層LC中的電力線如EF1與EF2所示，因此液晶層LC中的液晶分子的長軸均大致平行于陣列基板1000的表面。當陣列基板1000的共通電極1200被施加了定電壓時，請參照圖8B，液晶層LC中多了電力線EF3，從而靠近陣列基板1000的部分液晶分子的長軸不再平行于陣列基板1000的表面。從而圖8B的作動狀態(tài)下的顯示面板可視角度小于圖8A的顯示面板可視角度。

綜上所述，依據(jù)本發(fā)明一實施例所實現(xiàn)的顯示面板，于陣列基板中具有陣列式的共通電極。從而得以藉由選擇性地于陣列基板的共通電極施加電壓，調(diào)整顯示面板的可視角度。而用以調(diào)整顯示面板的可視角度的共通電極位于顯示面板內(nèi)，故可達成減少重量及厚度的優(yōu)點。共通電極藉由材質(zhì)轉(zhuǎn)換處理而形成視角控制電極，不需要額外的光罩對共通電極進行圖案化，故避免了制程成本增加的問題。

雖然本發(fā)明以前述的實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所為的更動與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保護范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護范圍請參考所附的申請專利范圍。