技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供用以使用二次曝光界定多個層圖案的方法，包含在襯底上方形成第一光致抗蝕劑層，保護(hù)層材料沉積于第一光致抗蝕劑層上方以形成保護(hù)層。在保護(hù)層上方形成第二光致抗蝕劑層。通過第一掩模執(zhí)行第一光刻曝光過程，以曝光第一光致抗蝕劑層及第二光致抗蝕劑層并且形成底部潛在圖案。通過第二掩模執(zhí)行第二光刻曝光過程，以曝光第一光致抗蝕劑層及第二光致抗蝕劑層并且形成頂部潛在圖案，其中頂部潛在圖案與底部潛在圖案至少部分地重疊。顯影第一光致抗蝕劑層及第二光致抗蝕劑層以及保護(hù)層，以形成分別來自底部潛在圖案及頂部潛在圖案的第一主要特征及第二主要特征及保護(hù)層中的與第二主要特征垂直對準(zhǔn)的開口。

技術(shù)研發(fā)人員：翁明暉;張慶裕;陳俊光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510859496
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.01