1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括：
在襯底上方形成第一光致抗蝕劑層；
在所述第一光致抗蝕劑層上方沉積保護層材料以形成保護層；
在所述保護層上方形成第二光致抗蝕劑層；
通過第一掩模執(zhí)行第一光刻曝光過程，以曝光所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層并且形成所述第一光致抗蝕劑層中的底部潛在圖案；
通過第二掩模執(zhí)行第二光刻曝光過程，以曝光所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層并且形成所述第二光致抗蝕劑層中的頂部潛在圖案，其中所述頂部潛在圖案與所述底部潛在圖案至少部分地重疊；以及
顯影所述第一光致抗蝕劑層、所述保護層及所述第二光致抗蝕劑層，以形成來自所述底部潛在圖案的第一主要特征、來自所述頂部潛在圖案的第二主要特征及所述保護層中的與所述第二主要特征垂直對準(zhǔn)的開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括：
于在所述第一光致抗蝕劑層上方沉積所述保護層材料之前，根據(jù)所述第一光致抗蝕劑層的極性及所述第二光致抗蝕劑層的極性來調(diào)整所述保護層材料的極性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述保護層材料包含重量百分比大于一或多種極性官能團的約20％的聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述保護層材料包含具有一或多種極性官能團的溶劑，并且其中所述保護層材料的所述聚合物與所述保護層的所述溶劑之間的相對能量差RED小于1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括：
在所述執(zhí)行所述第一光刻曝光過程及所述執(zhí)行所述第二光刻曝光過程之前，執(zhí)行預(yù)曝光處理過程以使所述保護層交聯(lián)，其中所述交聯(lián)的保護層包含比非交聯(lián)的保護層大的分子聚合物。
6.一種方法，其包括：
在襯底上方形成具有第一組離子性添加劑的第一光致抗蝕劑層；
在第一光致抗蝕劑層上方形成具有第二組離子性添加劑的第二光致抗蝕劑層；
根據(jù)所述第一光致抗蝕劑層中的所述第一組離子性添加劑的濃度及所述第二光致抗蝕劑層中的所述第二組離子性添加劑的濃度來選擇保護層材料中的螯合劑的濃度；
在形成所述第一光致抗蝕劑層之后并且于形成所述第二光致抗蝕劑層之前，在所述第一光致抗蝕劑層上方沉積具有所述選定螯合劑濃度的所述保護層材料，以形成安置于所述第一光致抗蝕劑層與所述第二光致抗蝕劑層之間的保護層；
使用第一光掩模對所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層執(zhí)行第一光刻曝光過程，以形成所述第一光致抗蝕劑層中的第一潛在圖案；
使用第二光掩模對所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層執(zhí)行第二光刻曝光過程，以形成所述第二光致抗蝕劑層中的第二潛在圖案；以及
通過使用顯影劑來顯影所述第一光致抗蝕劑層、所述保護層及所述第二光致抗蝕劑層，以形成來自所述第一潛在圖案的第一主要特征、來自所述第二潛在圖案的第二主要特征及所述保護層中的開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進一步包括：
于所述在所述第一光致抗蝕劑層上方沉積所述保護層材料之前，根據(jù)所述第一光致抗蝕劑層中的所述第一組離子性添加劑的所述濃度及所述第二光致抗蝕劑層中的所述第二組離子性添加劑的所述濃度來挑選所述保護層材料的所述螯合劑的分子量。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第二光刻曝光過程是在所述執(zhí)行所述第一光刻曝光過程之前執(zhí)行，并且其中所述第二光致抗蝕劑層中的所述第二潛在圖案是在所述形成所述第一光致抗蝕劑層中的所述第一潛在圖案之前形成。
9.一種方法，其包括：
在襯底上方形成具第一曝光閾值的第一材料的第一光致抗蝕劑層；
在所述第一光致抗蝕劑層上方沉積包含聚合物、溶劑及螯合劑的保護層；
在所述保護層上方形成具第二曝光閾值的第二材料的第二光致抗蝕劑層；
通過第一掩模執(zhí)行第一光刻曝光過程，以曝光所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層并且形成所述第一光致抗蝕劑層中的底部潛在圖案；以及
通過第二掩模執(zhí)行第二光刻曝光過程，以曝光所述第一光致抗蝕劑層及所述第二光致抗蝕劑層并且形成所述第二光致抗蝕劑層中的頂部潛在圖案，其中所述第一光致抗蝕劑層中的除所述第一潛在圖案之外的區(qū)域接收小于所述第一曝光閾值的曝光劑量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一材料的所述第一曝光閾值大于所述第二材料的所述第二曝光閾值，或者所述第一曝光閾值與所述第二曝光閾值實質(zhì)上相同。