本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及光學(xué)鄰近校正(OPC)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)般增長。IC材料和設(shè)計的技術(shù)進一步產(chǎn)生了多代IC，每一代都具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。在IC演進的過程中，功能密度(即，每芯片面積互連器件的數(shù)量)通常增加而幾何尺寸(即，可使用制造工藝創(chuàng)建的最小部件(或線))增加。這種比例縮小工藝通常通過增加生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供優(yōu)勢。這種縮小還增加了IC處理和制造的復(fù)雜度。

對于將要實現(xiàn)的這些進步來說，需要IC處理和制造的類似開發(fā)。例如，為了在設(shè)計圖案被轉(zhuǎn)印到晶圓時增強成像效果，使用光學(xué)鄰近校正(OPC)。調(diào)整設(shè)計圖案來在晶圓上生成具有改進的分辨率的圖像。然而，傳統(tǒng)的OPC工藝沒有充分考慮布局圖案的周圍環(huán)境。如此，傳統(tǒng)的OPC工藝不能充分考慮相鄰布局圖案之間的潛在交互作用。這會導(dǎo)致劣化的性能和可能的器件故障。

因此，雖然傳統(tǒng)的OPC工藝通常足以滿足它們預(yù)期的目的，但它們不能在所有方面都令人滿意。需要將相鄰布局圖案之間的交互考慮進去的OPC工藝。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，包括：接收集成電路(IC)設(shè)計布局，所述設(shè)計布局包含多個IC布局圖案；將所述多個IC布局圖案中的兩個或多個成組；對成組的IC布局圖案進行劃分或設(shè)置目標點；以及

此后基于所述成組的IC布局圖案執(zhí)行OPC工藝。

優(yōu)選地，所述成組包括：識別相互鄰近的IC布局圖案；以及至少將所識別的IC布局圖案中的子集分組到一起。

優(yōu)選地，所述成組還包括：識別相互鄰近的IC布局圖案之間的交互區(qū)域。

優(yōu)選地，在所述交互區(qū)域內(nèi)執(zhí)行所述劃分或設(shè)置所述目標點。

優(yōu)選地，所述劃分或設(shè)置所述目標點包括移動劃分位置或目標點。

優(yōu)選地，所述劃分或設(shè)置所述目標點包括在所述交互區(qū)域內(nèi)添加一個或多個輔助目標點。

優(yōu)選地，所述分組包括：將相互鄰近或者具有顯著不同加載的IC布局圖案分組。

優(yōu)選地，所述劃分或設(shè)置所述目標點包括：對所述成組的IC布局圖案中的每個IC布局圖案不對稱地進行所述劃分或設(shè)置所述目標點。

優(yōu)選地，所述多個IC布局圖案是不能通過雙重圖案化來分辨的圖案。

優(yōu)選地，該方法還包括：基于所述OPC工藝生成修改的IC設(shè)計布局。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，包括：接收集成電路(IC)設(shè)計布局，所述設(shè)計布局包括多個IC部件；識別被定位為相互之間在預(yù)定距離內(nèi)的IC部件或者具有顯著不同加載的IC部件的子集；將所述IC部件的所述子集成組；限定成組的所述IC部件的劃分位置或目標點；以及生成所述IC部件的成組的所述子集的模擬輪廓。

優(yōu)選地，所述多個IC部件不能夠通過雙重圖案化來分辨，并且所述成組還包括：識別所述IC部件的成組的所述子集的交互區(qū)域。

優(yōu)選地，所述限定包括：在所述交互區(qū)域內(nèi)限定所述劃分位置或所述目標點。

優(yōu)選地，所述限定包括：在所述交互區(qū)域內(nèi)添加輔助目標點。

優(yōu)選地，執(zhí)行所述限定，使得在所述子集中的每個IC部件內(nèi)不對稱地設(shè)置所述劃分位置或所述目標點。

優(yōu)選地，該方法還包括：基于生成的所述模擬輪廓修正所述劃分位置或所述目標點。

優(yōu)選地，該方法還包括：基于所述識別、所述分組、所述限定和生成所述模擬輪廓來生成修改的IC設(shè)計布局；以及將所述修改的IC設(shè)計布局發(fā)送至光掩模制造工廠。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，包括：接收集成電路(IC)的設(shè)計布局，所述設(shè)計布局包括不能通過雙重圖案化來分辨的多個多邊形；確定至少所述多個多邊形的子集的交互區(qū)域，其中，所述確定包括識別物理鄰近的多邊形或者具有顯著不同幾何尺寸的多邊形；對所述多個多邊形的所述子集進行邊緣劃分或設(shè)置目標點的位置，其中，所述交互區(qū)域內(nèi)的所述邊緣劃分或所述目標點的位置的設(shè)置不同于所述交互區(qū)域外的所述邊緣劃分或所述目標點的位置的設(shè)置；以及此后執(zhí)行OPC模擬。

優(yōu)選地，該方法還包括：基于所述OPC模擬，通過修改所述邊緣劃分或所述目標點的位置，重復(fù)所述邊緣劃分或所述目標點的設(shè)置。

優(yōu)選地，該方法還包括：基于所述OPC模擬生成輸出文件；以及基于所述輸出文件制造光掩模。

附圖說明

當閱讀附圖時，根據(jù)以下詳細的描述來更好地理解本發(fā)明的各個方面。注意，根據(jù)工業(yè)的標準實踐，各個部件沒有按比例繪制。實際上，為了討論的清楚，可以任意地增加或減小各個部件的尺寸。

圖1至圖4、圖5A和圖5B、圖6A和圖6B以及圖7是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的幫助示出OPC工藝的各種示例性IC布局圖案的示意性頂視圖。

圖8和圖9是根據(jù)本公開一些實施例的執(zhí)行OPC的方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開提供了許多不同的用于實施本發(fā)明主題的不同特征的實施例或?qū)嵗?。以下描述部件或配置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例而不用于限制。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成為直接接觸的實施例，并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成附件部件使得第一部件和第二部分沒有直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可以在各個實例中重復(fù)參考標號和/或字母。這些重復(fù)是為了簡化和清楚，其本身并不表示所討論的各個實施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

此外，為了易于描述，可以使用空間相對術(shù)語(諸如“在…下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等)以描述圖中所示一個元件或部件與另一個元件或部件的關(guān)系。除圖中所示的定向之外，空間相對術(shù)語還包括使用或操作中設(shè)備的不同定向。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)，本文所使用的空間相對描述可因此進行類似的解釋。

在半導(dǎo)體制造中，工廠可從設(shè)計室接收IC布局設(shè)計文件(例如，以圖像數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)(GDS)格式)。IC布局設(shè)計包含多種IC布局圖案，其可以包括圓形、矩形或其他多邊形。工廠執(zhí)行光刻工藝來將布局圖案的圖像從光掩模轉(zhuǎn)印至晶圓。然而，由于衍射或半導(dǎo)體處理所引起的各種效應(yīng)，可能發(fā)生圖像錯誤。結(jié)果，實際制造的IC布局圖案不能充分類似于它們的原始設(shè)計。為了糾正該問題，光學(xué)鄰近校正(OPC)用于補償這些圖像錯誤。例如，OPC可以移動光掩模上的IC布局圖案的邊緣或者再成形IC布局圖案(例如，通過添加附加部件)。OPC使得實際制造的IC布局圖案更接近于它們的預(yù)期設(shè)計。

然而，在一些情況下，即使積極的OPC建模也是不夠的。例如，通過使用間距曝光(pitch splitting)來在先進的技術(shù)節(jié)點中實施雙重圖案化。目標布局可以被分裂為多層以放寬掃描器圖案的保證度預(yù)算并且還放寬OPC的規(guī)則。對于一些特殊的目標布局(諸如非常小或者非常接近相鄰部件的部件)，即使三次或四次間距曝光仍然不能解決這些問題。換句話說，即使在利用積極的OPC建模之后，圖案部件仍然會合并到一起。本發(fā)明的目的在于解決在執(zhí)行特定次數(shù)的間距曝光之后但仍然在工藝規(guī)定之外的這種類型的部件。

在一些OPC工藝中，IC布局圖案的邊緣被劃分為多個部分，并且目標點被分配給這些部分來通過。進行模擬以檢查制造的IC布局圖案看起來如何。基于模擬結(jié)果，可以調(diào)整劃分和目標點，此后可以再次重復(fù)模擬。然而，傳統(tǒng)的OPC工藝不能充分考慮彼此相鄰的IC布局圖案(例如，即使通過雙重圖案化技術(shù)(包括三次或四次間距曝光)也不能分辨的IC布局圖案)之間的交互。換句話說，傳統(tǒng)的OPC工藝不能完全知道這些特殊類型的IC布局圖案的周圍環(huán)境，即使在使用雙重圖案化時也難以分辨這些圖案。

隨著生成的半導(dǎo)體變得越來越小、臨界尺寸和/或間距也變得更小并由此相鄰IC布局圖案之間的潛在交互變得更加顯著，加劇了該問題。由于傳統(tǒng)的OPC工藝沒有充分考慮這種交互，所以O(shè)PC結(jié)果可能不令人滿意。例如，實際制造的IC布局圖案(沒有任何附近的IC局部圖案)看起來與同一IC布局圖案定位為與一個或多個其他IC布局圖案相接近具有非常大的差異。換句話說，IC布局圖案所在的環(huán)境(即，其周圍)會對其制造外觀具有非常大的影響，并且這種影響沒有被傳統(tǒng)的OPC工藝充分考慮。

為了克服傳統(tǒng)OPC工藝的缺陷，本發(fā)明的目的在于考慮IC布局圖案的周圍或環(huán)境的OPC工藝，如以下參照圖1至圖4、圖5A和圖5B、圖6A和圖6B以及圖7至圖9所討論的。

圖1是多個示例性IC布局圖案100至102的示意性頂視圖。在一些實施例中，IC布局圖案100至102是使用上述雙重圖案化或間距曝光技術(shù)難以分辨的圖案。IC布局圖案100至102在這里被成形為矩形，但是應(yīng)該理解，它們在不同的實施例中可以采用其他形狀。作為OPC工藝的一部分，每個IC布局圖案100至102的長邊被劃分為多個部分(在其他實施例中短邊也可進行劃分)。還沿著IC布局圖案100至102的邊緣放置目標點。然后，IC布局圖案可進行OPC修正。理想地，OPC修正結(jié)果將示出IC布局圖案100至102的劃分部分或邊緣將通過(或符合)它們的對應(yīng)目標點。如果通過的話，則認為OPC修正是令人滿意的。

如圖1所示，IC布局圖案102足夠遠離IC布局圖案100至101，因此IC布局圖案102的OPC不太可能受IC布局圖案100至101的存在的影響。然而，IC布局圖案100和101之間的鄰近(例如，小于約100納米)會引起問題。例如，它們的接近會導(dǎo)致光學(xué)成像問題，使得IC布局圖案100至101的模擬邊緣或劃分部分會丟失它們對應(yīng)的目標點。尤其對于IC布局圖案100的右上角和IC布局圖案101的左下角更是如此，這是因為這兩個區(qū)域被定位為最接近其他IC布局圖案，因此最可能被其他鄰近的IC布局圖案所影響。

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明各個方面的圖1所示的相同的IC布局圖案100至102的示意性頂視圖，但是它們的劃分和目標點被調(diào)整。如圖2所示，IC布局圖案100至101之間的鄰近形成了交互區(qū)域或交互帶110。該帶110內(nèi)的劃分位置和目標點可能被移動或調(diào)整以考慮附近IC布局圖案所施加的影響。

例如，IC布局圖案100的劃分位置120和IC布局圖案101的劃分位置121均落入交互帶110中。此外，IC布局圖案100的目標點130至131以及IC布局圖案101的目標點132至133也落入交互帶110中。與圖1相比，劃分位置120至121以及目標點130至133更近地移向交互區(qū)域110的中心。換種說法，IC布局圖案100的劃分位置120和目標點130至131更近地移向IC布局圖案101，而IC布局圖案101的劃分位置121和目標點132至133更近地移向IC布局圖案100。

注意，在圖1中的每個IC布局圖案100至102內(nèi)對稱地分布劃分位置和目標點，但在圖2的情況下不再如此。圖2所示的劃分位置和目標點的調(diào)整使得它們“吸引”至交互帶110。因此，可以說本文的OPC工藝涉及在受影響的IC布局圖案內(nèi)不對稱地移動劃分位置和目標點。

交互區(qū)域110內(nèi)劃分位置120至121和目標點130至133的調(diào)整幫助更好地限定IC布局圖案100至101的輪廓邊緣，尤其是交互區(qū)域110內(nèi)的輪廓邊緣。由于IC布局圖案100和101之間的接近，它們相對于彼此施加“拉動”。如果劃分位置和目標點不移動，與圖1所示的情況相同，IC布局圖案100可以在IC布局圖案101上“拉動”，并且IC布局圖案101可以在IC布局圖案100上“拉動”。當出現(xiàn)這種情況時，盡管IC布局圖案100至101的所得輪廓邊緣可仍然通過被分配的目標點，但輪廓形狀不期望地拉伸，因此橋接風險(IC布局圖案100至101實際上相互物理觸碰)更大。

為了防止這些問題，IC布局圖案100至101分為一組，這意味著在實施一個IC布局圖案的OPC劃分位置和目標點的同時考慮附近的其他IC布局圖案。具體地，通過移動交互區(qū)域110內(nèi)的劃分位置和目標點，所得到的輪廓邊緣具有更仔細限定的位置。這補償了由附近IC布局圖案100至101所施加的影響。從而，降低了橋接風險。

同時，由于IC布局圖案102被定位為與剩余的IC布局圖案100至101充分遠離，所以IC布局圖案102和IC布局圖案100至101之間施加的影響很小而不會引起問題。因此，不需要對IC布局圖案102的劃分位置和目標點進行調(diào)整。

圖3和圖4以及以下討論提供又一實例，其示出了本公開的OPC概念。更詳細地，圖3示出了具有傳統(tǒng)OPC的兩個相鄰IC布局圖案200和201的頂視圖，以及圖4示出了具有本公開改進的OPC的相同兩個IC布局圖案200至201的頂視圖。在一些實施例中，IC布局圖案200至201是使用上述雙重圖案化或間距曝光技術(shù)難以分辨的圖案。

參照圖3，根據(jù)原始IC布局圖案(例如，來自設(shè)計公司的GDS文件)，IC布局圖案200具有相互形成直角的多個直邊210，并且IC布局圖案201也具有相互形成直角的多個直邊220。理想地，制造的IC圖案將保持該形狀。然而，由于光學(xué)限制和其他工藝相關(guān)問題，這在實際制造中幾乎是不可能的。因此，工廠的工程師試圖通過OPC技術(shù)使實際制造的圖案接近于原始設(shè)計限定的多邊形形狀。

例如，多個目標點230被放置在IC布局圖案200的邊緣210上，并且多個目標點240被放置在IC布局圖案201的邊緣220上。目標點230和240可定位在它們對應(yīng)的劃分部分上，但是為了簡化這里沒有具體示出劃分位置。注意，為了簡化，圖3中不是所有目標點都明確用參考標號來表示。

執(zhí)行OPC修正以分別生成IC布局圖案200和201的預(yù)測輪廓250和260。如圖3所示，輪廓250和260具有曲率且沒有精確對應(yīng)于由原始設(shè)計限定的多邊形形狀(由直線邊緣210和220表示)。對于大多數(shù)區(qū)域，IC布局圖案250和260與原始多邊形設(shè)計足夠符合，使得它們不存在問題。

然而IC布局圖案200和201的接近產(chǎn)生了交互區(qū)域270。即使模擬的輪廓250和260經(jīng)過所有限定的目標點，但區(qū)域270內(nèi)的輪廓250的部分280仍然被拉向IC布局圖案201，并且區(qū)域內(nèi)的輪廓260的部分281被拉向IC布局圖案200。分別由于輪廓250和260的“拉出”部分280和281，在IC布局圖案200至210之間存在橋接的可能性較大，這形成了不期望的電短路連接。換句話說，即使OPC修正正式通過測試，但仍然存在實際的問題，因為在沒有考慮IC布局圖案200或201的周圍環(huán)境的情況下執(zhí)行圖3中的OPC修正。

圖4示出了本公開的OPC工藝如何克服上述圖3所示的問題。由于交互區(qū)域270是敏感區(qū)域，所以將輔助目標點290和291分別添加至IC布局圖案200和201，以更好地限定輪廓250和260的形狀和/或位置。這是因為執(zhí)行OPC修正以確保輪廓250將通過輔助目標點290以及輪廓260將通過輔助目標點291。

由于輔助目標點290和291被放置在IC布局圖案200和201的期望位置處(例如，接近邊角)，所以現(xiàn)在輪廓250和260在IC布局圖案200和201的邊角區(qū)域附近處顯示出良好的圓化曲線而不是如圖3所示被“拉向”彼此。以這種方式，輔助目標點290和291有效地幫助鎖定輪廓位置的至少一部分，這又緩解了由IC布局圖案200至201的鄰近而引起的圖3所示的“失控”輪廓行為。因此，降低了橋接風險。

應(yīng)該理解，傳統(tǒng)的OPC規(guī)則不允許任何獨立的部件合并到一起(例如，橋接)。然而，本公開不受此限制。換句話說，當一組相鄰部件滿足分組和設(shè)定的目標點的要求/標準時，本公開允許一些部件相互橋接。圖案/部件的橋接實際上可在顯影后檢查(ADI)期間觀察到，但是在其他工藝之后，最終的輪廓將不具有任何圖案橋接問題。

還應(yīng)該理解，雖然圖4的實施例使用附加的輔助目標點來幫助限定輪廓形狀，但如上所述，還可以參照圖3通過調(diào)整原始目標點和劃分位置而不添加輔助目標點來完成。例如，一些目標點230可以被移至更接近IC布局圖案200的邊角的區(qū)域(例如，接近可放置輔助目標點290的位置)，而一些目標點240可以被移至更接近IC布局圖案201的邊角的區(qū)域(例如，接近可放置輔助目標點291的位置)，并且也可以相應(yīng)地調(diào)整劃分位置。這樣做可以實現(xiàn)與添加輔助目標點290至291相同的目標，即生成更精確地類似于多邊形(即，圖案200至201的原始設(shè)計)的更好輪廓250和260。

圖5A和圖5B以及以下討論提供了又一實例以示出本公開的概念。更具體地，圖5A和圖5B均示出了相互接近的兩個通孔300和301(作為示例性IC布局圖案)的頂視圖。然而，圖5A還示出了根據(jù)傳統(tǒng)OPC工藝的通孔300至301的模擬輪廓310，而圖5B示出了根據(jù)本公開的OPC工藝的實施例的相同通孔300至301的模擬輪廓311。在一些實施例中，使用上述雙重圖案化或間距曝光技術(shù)難以分辨通孔300至301。

如圖5A所示，實施多個目標點330(這里沒有具體示出所有目標點)以幫助成形輪廓310。理想地，輪廓310可以具有兩個獨立的部分，每一個部分都對應(yīng)于對應(yīng)的通孔300/301。然而，由于通孔300和301的接近(例如，在10nm技術(shù)節(jié)點中，通孔300的中心距通孔301的中心小于90nm)，它們向彼此“拉動”，并且所得到的輪廓310實際上將兩個通孔300至301連接到一起。換句話說，理想情況下不應(yīng)該存在輪廓的部分310A，但是由于相鄰?fù)?00至301之前的鄰近而形成。由于該部分310A是不期望的(其引起通孔300至301之間的橋接)，所以其在稍后的制造工藝中將被去除，例如通過蝕刻工藝。換句話說，諸如蝕刻的隨后制造工藝應(yīng)該在部分310A處“打破”輪廓310以避免橋接。因此，本公開不受不允許將各個部件合并到一起的傳統(tǒng)OPC規(guī)則的限制。

然而，如果輪廓的部分310A的最窄部分處的橫向尺寸340仍然太厚，則隨后的制造工藝仍然不能夠打破輪廓310。因此，期望確保輪廓310的部分310A足夠薄以使其被隨后的制造工藝打破，從而防止通孔300與301的橋接。不幸的是，盡管使用許多目標點來限定輪廓310的形狀，但圖5A中的傳統(tǒng)OPC工藝沒有充分考慮輪廓310的部分310A的形狀或尺寸，如此尺寸340會足夠?qū)挾饦蚪訂栴}。

現(xiàn)在參照圖5B，本公開通過使用目標點360限定輪廓311的部分311A的形狀和尺寸來解決該問題。由于通孔300至301之間的鄰近，它們之間的區(qū)域(即，部分310A所位于的區(qū)域)可以看作是交互區(qū)域，類似于上面參照圖3和圖4所討論的交互區(qū)域270。如此，通孔300至301分到一組，并且相應(yīng)地考慮它們相互之間的交互影響。

在所示實施例中，目標點360被定位在該交互區(qū)域內(nèi)以降低對所得到的輪廓311的負面影響。具體地，各目標點360被定位為彼此充分接近以限定輪廓311的部分311A的橫向尺寸341。這是因為現(xiàn)在輪廓311將必須通過目標點360，這幫助將輪廓311再成形為具有較窄部分311A。尺寸341小于尺寸340(圖5A)。在一些實施例中，尺寸341被設(shè)置為足夠小以允許通過諸如蝕刻的后續(xù)工藝將輪廓311“打破”成兩個獨立的部分。

應(yīng)該理解，在各個實施例中，目標點360的位置不需要是精確的。它們可以在交互區(qū)域內(nèi)向上/下/左/右移動，只要所得到的輪廓311的部分311A足夠窄而在后續(xù)工藝中被打破即可。此外，可以在其他實施例中使用多于兩個的目標點360，例如在輪廓311的形狀需要更具體限定的實施例中。

如圖5B所示，一些先前的目標點(諸如六個目標點330A)還可以根據(jù)本公開來去除?？捎捎诙喾N原因來去除目標點330A。一個原因是它們不再需要，這是因為輪廓311的相關(guān)部分的形狀現(xiàn)在通過新添加的目標點360來限定。另一個原因是目標點330A(如果留下不被去除的話)實際上會不利地影響輪廓311的形狀。在任何情況下，去除目標點330A可幫助加速OPC修正，這是有利的。此外，雖然其可能不容易被裸眼注意到，但剩余目標點330的位置也可以從如圖5A稍微移至如圖5B以生成更期望的輪廓311。

雖然圖5A和圖5B示出了兩個相鄰定位的通孔300至301的交互影響以及后續(xù)的分組和OPC修正，但本公開的概念不僅限于兩個相鄰的通孔(或者任何兩個相鄰的圖案/多邊形)。例如，如圖6A和圖6B所示，示出了多個(多于兩個)圖案之間的交互影響。在圖6A中，示出了三個通孔400、401和402的頂視圖。然而，通孔400至402中的每一個被定位為足夠遠離剩余的通孔400至402。因此，這些通孔400至402不需要分組，并且不需要附加的OPC修正(即，原始OPC是精細的)。

圖6B示出了五個通孔410至414的頂視圖。在一些實施例中，通孔410至414難以使用上面討論的雙層圖案化或間距曝光技術(shù)來分辨。這里，通孔410至411被定位為足夠接近(例如，在10nm技術(shù)節(jié)點中，它們對應(yīng)的中心之間的距離在90nm內(nèi))，它們會影響彼此最終的輪廓，并且對于通孔411至412、通孔412至413以及通孔413至414也同樣如此。結(jié)果，通孔410至414根據(jù)OPC修正產(chǎn)生了單個輪廓430而不是五個獨立的輪廓。再次，該輪廓430可以在隨后的制造工藝中被打破，只要相鄰?fù)字g的部分430A不要太厚或太寬。

根據(jù)本公開的實施例，通孔410至414分為一組以適當?shù)乜紤]每個通孔410至414可對剩余通孔的影響。具體地，以與上面參照圖5B討論的類似方式，目標點被放置在相鄰?fù)字g的部分430A內(nèi)以控制輪廓430的形狀。因此，即使對于一組通孔，所得到的輪廓430仍然可以在部分430A中成形得足夠窄，使得諸如蝕刻的后續(xù)制造工藝可以打破其來避免任何通孔410至414之間的橋接。

應(yīng)該理解，本公開的概念不限于特定數(shù)量的IC布局圖案或者限于特定配置的IC布局圖案。例如，被分為一組的IC布局圖案可以多于如圖4B和圖5B所示的兩個或者圖6B所示的五個，并且它們不需全部都是通孔(一些可以是一種類型的IC部件，而另一些可以是另一種類型的IC部件)，并且可以相對于彼此可具有任何適當?shù)亩ㄏ蚧蚪嵌取?/p>

上面參照圖1至圖6的討論針對由于物理接近而分組到一起的IC布局圖案。根據(jù)本公開的一些方面，IC布局圖案也可以由于圖案密度差異(即，加載)而分組到一起。這在圖7中示出，其示出了IC布局圖案500至505的示意性頂視圖。IC布局圖案500至505這里具有矩形形狀，并且可對應(yīng)于柵極線、金屬線、接觸焊盤或其他適當?shù)腎C部件。

IC布局圖案500至505相互基本等距離(在圖7所示的垂直方向上)，并且IC布局圖案500至505可具有基本類似的尺寸。然而，IC布局圖案500的尺寸遠遠大于IC布局圖案501至505。在一些實施例中，IC布局圖案500的尺寸至少為每個IC布局圖案501至505的尺寸的五倍。在其他實施例中，IC布局圖案500的尺寸至少為每個IC布局圖案501至505的尺寸的十倍。

由于較大的尺寸(即，更重的加載)，所以IC布局圖案500對其最近的IC布局圖案501施加非常大的影響，即使分離它們的距離不是必須如此小。換句話說，如果IC布局圖案500的尺寸相較于IC布局圖案501的尺寸是可比的，那么IC布局圖案500就不會對IC布局圖案501具有這種顯影的影響從而保證傳統(tǒng)OPC設(shè)置/方案的調(diào)整。由IC布局圖案500施加的影響隨著其向下垂直傳播而弱化，這意味著其輕微地影響IC布局圖案502，但是其對IC布局圖案503至505的影響可以忽略。

如此，傳統(tǒng)或“常規(guī)”的OPC設(shè)置/方案可用于IC布局圖案503至505，因為它們不是很受“大”IC布局圖案500的影響，并且它們不相互太靠近來影響彼此的輪廓生成。對于IC布局圖案502來說，由于其距“大”IC布局圖案500較近，所以其OPC設(shè)置可以調(diào)整一點或者可以不調(diào)整來解決影響，這可以取決于多種其他因素(諸如，圖案502的臨界性或者將其與相鄰圖案分離的精確距離等)。對于“大”圖案500來說，由于其大很多的尺寸而需要實施特殊的OPC設(shè)置或方案。

圖案500至501需要分組到一起來補償“大”圖案500對相對較小圖案501的影響。在各個實施例中，需要調(diào)整IC布局圖案501以及“大”布局圖案500的附近部分的劃分位置和目標點。例如，IC布局圖案501的頂部邊緣可以被劃分為較小的部分，并且可將附加目標點放置于其上以更好地限定所得到的圖案501的輪廓。否則，IC布局圖案500與501之間的尺寸或加載差異會將IC布局圖案501的輪廓扭曲到不再滿足設(shè)計規(guī)則，或者在IC布局圖案500與501之間會發(fā)生橋接。為了簡化而在這里沒有具體示出劃分位置和目標點。

圖8是示出根據(jù)本公開實施例的OPC工藝流程的方法600的流程圖。方法600開始于步驟610，接收來自設(shè)計者的IC設(shè)計布局(或IC設(shè)計圖案)作為輸入。在一個實例中，設(shè)計者可以是設(shè)計公司。在另一實例中，設(shè)計者是與被指定根據(jù)IC設(shè)計布局來制造IC產(chǎn)品的半導(dǎo)體制造者相分離的設(shè)計團隊。在各個實施例中，半導(dǎo)體制造者能夠制造光掩模、半導(dǎo)體晶圓或二者。IC設(shè)計布局包括被設(shè)計用于IC產(chǎn)品或基于IC產(chǎn)品規(guī)格的各種幾何圖案。

在具有幾何圖案的信息的一個或多個數(shù)據(jù)文件中呈現(xiàn)IC設(shè)計布局。在一個實例中，IC設(shè)計布局以本領(lǐng)域已知的“GDS”格式來表示?；趯⒈恢圃斓漠a(chǎn)品的規(guī)格，設(shè)計者實施適當?shù)脑O(shè)計過程來執(zhí)行IC設(shè)計布局。設(shè)計過程可以包括邏輯設(shè)計、物理設(shè)計和/或布局和布線。作為實例，IC設(shè)計布局的一部分包括各種IC部件(也稱為主部件)，諸如將形成在半導(dǎo)體襯底(諸如硅晶圓)以及設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的各種材料層中的有源區(qū)域、柵電極、源極和漏極、層間互連的金屬線或通孔以及用于接合焊盤的開口。IC設(shè)計布局可包括特定的輔助部件，諸如用于成像效果、處理增強和/或掩蔽識別信息的那些部件。

方法600前進到步驟620，IC圖案/部件的至少一個子集分組到一起。可基于待分組的候選部件之間的物理鄰近或者可以基于諸如加載或圖案密度差異的其他因素來執(zhí)行分組。對于分組到一起的IC圖案或部件，由它們中的一個部件對其他圖案/部件所起的環(huán)境影響需要考慮，反之亦然。

方法600前進到步驟630，調(diào)整分組的IC圖案/部件的劃分和/或目標點。在一些實施例中，可以限定分組的IC圖案/部件的交互區(qū)域，并且可以在區(qū)域內(nèi)改變劃分位置或目標點以成形模擬輪廓。在一些實施例中，可以添加附加輔助目標點以生成更好的限定的輪廓。

方法600前進到步驟640以針對分組的IC圖案/部件運行OPC工藝或者前進至步驟650以針對單個IC圖案/部件運行OPC工藝。執(zhí)行OPC工藝以通過修改IC設(shè)計布局來校正圖像錯誤。在一些實施例中，OPC工藝包括基于模型的OPC修正。在執(zhí)行每個OPC修正之后，方法600可以重復(fù)劃分和重新定位步驟630，此后再次執(zhí)行OPC修正。這種迭代處理可以繼續(xù)直到修改的IC設(shè)計布局能夠產(chǎn)生由對應(yīng)光掩模至晶圓的可接受的圖像。

方法600繼續(xù)步驟660以允許后OPC檢查。在該步驟中，IC設(shè)計布局通過一個或多個掩模規(guī)則來檢查并且相應(yīng)地進行修改。在一個實施例中，從掩模制造中提取各種掩模規(guī)則。從掩模制造中收集各種掩模制造數(shù)據(jù)并且將其提取為IC設(shè)計布局(作為將被成像到掩模的圖案)應(yīng)該遵循的規(guī)則集合。

方法600繼續(xù)到步驟670以生成輸出。在一些實施例中，輸出包括其格式為可被掩模制造工具(諸如電子束掩模制造機)訪問的修改IC設(shè)計布局文件。在一個實施例中，修改的IC設(shè)計布局文件以GDS格式來表示。修改的IC設(shè)計布局包括來自上述步驟的各種OPC修改。在一些實施例中，輸出可以包括基于修改的IC設(shè)計布局的掩模或掩模組的制造。在一個實施例中，電子束或多電子束的機制用于基于IC設(shè)計布局在掩模(光掩?；蛑虚g掩模)上形成圖案?？梢栽诟鞣N適當?shù)募夹g(shù)中形成掩模。在一個實施例中，使用二元技術(shù)來形成掩模。在這種情況下，掩模圖案包括不透明區(qū)域和透明區(qū)域。輻射束(例如，紫外或UV束)用于曝光涂覆在晶圓上的圖像敏感材料層(諸如光刻膠)，其被不透明區(qū)域阻擋但穿過透明區(qū)域。在一個實例中，二元掩模包括透明襯底(例如，熔凝石英)和涂覆在掩模的不透明區(qū)域中的不透明材料(例如，鉻)。在另一實施例中，使用相移技術(shù)來形成掩模。在相移掩模(PSM)中，形成在掩模上的圖案中的各個部件被配置為具有適當?shù)南辔徊钜栽鰪姺直媛屎统上褓|(zhì)量。在各個實例中，PSM可以是本領(lǐng)域已知的衰減PSM或交替PSM。

可以在形成掩模之后跟隨其他處理步驟。作為實例，使用通過上述方法形成的掩?；蜓谀＝M來制造半導(dǎo)體晶圓。半導(dǎo)體晶圓包括硅襯底或其他適當?shù)囊r底以及形成于其上的材料層。其他適當?shù)囊r底可以可選地由一些適當?shù)脑匕雽?dǎo)體(諸如金剛石或鍺)、適當?shù)幕衔锇雽?dǎo)體(諸如碳化硅、砷化銦或磷化銦)或適當?shù)暮辖鸢雽?dǎo)體(諸如碳化硅鍺、磷化鎵砷或磷化鎵銦)制成。

半導(dǎo)體晶圓可進一步包括各種摻雜區(qū)域、介電部件和多層互連件(或者在后續(xù)制造步驟中形成)。在一個實例中，在離子注入工藝中使用掩模來在半導(dǎo)體晶圓中形成各種摻雜區(qū)域。在另一實例中，在蝕刻工藝中使用掩模來在半導(dǎo)體晶圓中形成各種蝕刻區(qū)域。在另一實例中，在沉積工藝(諸如，化學(xué)汽相沉積(CVD)或物理汽相沉積(PVD))中使用掩模來在半導(dǎo)體晶圓的各個區(qū)域上形成薄膜。根據(jù)先前處理的半導(dǎo)體晶圓、處理工具和度量工具，可以從包括CVD、PVD、蝕刻、離子注入和光刻工藝的各個制造工藝中收集各種制造數(shù)據(jù)。

圖9是示出執(zhí)行OPC工藝的方法800的流程圖。方法包括步驟910，接收集成電路(IC)設(shè)計布局。設(shè)計布局包含多個IC布局圖案。IC布局圖案可以將它們顯示為多邊形。

方法包括步驟920，將多個IC布局圖案中的兩個或多個分組。在一些實施例中，相互鄰近的IC布局圖案被分組到一起，或者具有顯著不同加載的IC布局圖案被分組到一起。

方法包括步驟930，對分組的IC布局圖案進行劃分或設(shè)置目標點。在一些實施例中，劃分或設(shè)置目標點包括對分組的IC布局圖案中的每個IC布局圖案不對稱地進行劃分或設(shè)置目標點。

方法包括步驟940，基于分組的IC布局圖案來執(zhí)行OPC工藝。在一些實施例中，OPC工藝包括執(zhí)行OPC修正。

方法包括步驟950，基于OPC工藝生成修改的IC設(shè)計布局。

在一些實施例中，識別相互鄰近的IC布局圖案。這些IC布局圖案被分組到一起。在一些實施例中，在相互鄰近的圖案之間識別交互區(qū)域?？梢栽诮换^(qū)域內(nèi)執(zhí)行劃分或設(shè)置目標點。在一些實施例中，在交互區(qū)域內(nèi)移動劃分位置或目標點。在一些實施例中，在交互區(qū)域內(nèi)添加一個或多個輔助目標點。

應(yīng)該理解，可以在步驟910至950之前、期間或之后執(zhí)行附加處理。例如，方法900可以包括在執(zhí)行OPC修正之后運行后OPC檢查的步驟。這里為了簡化沒有具體討論其他處理。

基于上面的討論，可以看出本公開提供了相對于傳統(tǒng)OPC處理的各種優(yōu)勢。然而，應(yīng)該理解，這里沒有必要討論所有優(yōu)勢，其他實施例可以提供不同的優(yōu)勢，并且對于所有實施例不要求特定的優(yōu)勢。本公開的OPC工藝的一個優(yōu)勢在于考慮IC布局圖案的周圍環(huán)境。這是因為IC布局圖案的輪廓受到諸如相鄰圖案/部件的物理鄰近或加載(例如，周圍是否具有足夠大的IC圖案)的因素的影響。通過可能相互影響輪廓生成的圖案來限定交互區(qū)域。這些圖案被分組到一起，并且在交互區(qū)域內(nèi)或附近調(diào)整劃分位置和/或目標點，以使對生成的輪廓的不期望的交互影響最小。從而，實際制造的圖案不太可能受到諸如橋接的問題，并且可以更好地類似于它們的原始設(shè)計。另一個優(yōu)勢在于，本文討論的OPC工藝與現(xiàn)有的工藝流程兼容，這使得它們易于實施。

本公開提供了一種執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法。接收集成電路(IC)設(shè)計布局。設(shè)計布局包含多個IC布局圖案。多個IC布局圖案中的兩個或多個分組到一起。分組的IC布局圖案被劃分，或者對分組的IC布局圖案設(shè)置目標點。此后，基于分組的IC布局圖案執(zhí)行OPC工藝。

本公開提供了一種執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法。接收集成電路(IC)設(shè)計布局。設(shè)計布局包含多個IC部件。識別IC部件的子集。IC部件的子集被定位為相互之間在預(yù)定距離內(nèi)，或者它們具有顯著不同的加載。IC部件的子集被分組。限定分組的IC布局圖案的劃分位置或目標點。生成IC部件的分組子集的模擬輪廓。

本公開提供了用于執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法。接收集成電路(IC)設(shè)計布局。設(shè)計布局包含多個多邊形。至少針對多邊形的子集確定交互區(qū)域。這種確定包括識別物理鄰近的多邊形或者具有顯著不同的幾何尺寸的多邊形。對于多邊形的子集，劃分它們的邊緣或者設(shè)置目標點位置。交互區(qū)域內(nèi)的劃分或目標點位置的設(shè)置不同于交互區(qū)域外的劃分或目的點位置的設(shè)置。此后，執(zhí)行OPC修正。

上面論述了多個實施例的部件使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地以本公開為基礎(chǔ)設(shè)計或修改用于執(zhí)行與本文所述實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種變化、替換和改變。