本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩模版、晶圓定位板及制作方法、晶圓制作方法。

背景技術(shù)：

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在晶圓上可以加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

現(xiàn)有的加工晶圓(例如：發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)晶圓)的設(shè)備的規(guī)格與所要加工的晶圓的尺寸相同，使得在這樣的設(shè)備上加工晶圓時(shí)，只能以單片方式進(jìn)行加工，使得加工效率較低，進(jìn)而晶圓的流通產(chǎn)能和流通效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種掩模版、晶圓定位板及制作方法、晶圓制作方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的加工效率低，進(jìn)而流通產(chǎn)能和流通效率較低的問(wèn)題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩模版，包括掩膜圖形區(qū)域和除所述掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域，所述掩膜圖形區(qū)域包括至少兩個(gè)晶圓定位區(qū) 域，所述晶圓定位區(qū)域的形狀與所述待定位晶圓的形狀相同；其中，所述掩膜圖形區(qū)域還包括曝光校平區(qū)域，所述曝光校平區(qū)域的中心與每個(gè)所述晶圓定位區(qū)域的中心的距離相等。

進(jìn)一步地，所述掩膜圖形區(qū)域和除所述掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域分別為透光區(qū)域和不透光區(qū)域，或者分別為不透光區(qū)域和透光區(qū)域。

第二方面，本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓定位板，包括硅片，所述硅片上設(shè)置有至少兩個(gè)晶圓黏貼槽，所述晶圓黏貼槽用于黏貼待定位晶圓；所述硅片上還設(shè)置有曝光校平槽，所述曝光校平槽用于黏貼曝光校平平面，所述曝光校平槽的中心與每個(gè)所述晶圓黏貼槽的中心的距離相等。

進(jìn)一步地，所述晶圓黏貼槽的形狀與所述待定位晶圓的形狀相同，所述曝光校平槽的深度與所述晶圓黏貼槽的深度相同，所述曝光校平平面的厚度與所述待定位晶圓的厚度相同。

進(jìn)一步地，所述硅片的尺寸為5英寸，所述待定位晶圓的尺寸為2英寸，所述晶圓黏貼槽的個(gè)數(shù)為3個(gè)，所述晶圓黏貼槽圍繞所述曝光校平槽為中心，等間隔排列。

進(jìn)一步地，所述曝光校平槽為邊長(zhǎng)為3.8毫米至4.2毫米的正方形。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓定位板的制作方法，包括：

提供硅片；

在所述硅片的一面上涂抹光刻膠；

使用第一方面任一所述的掩模版對(duì)所述硅片上涂抹有光刻膠的一面進(jìn)行曝光、顯影；

在所述硅片的另一面涂抹光刻膠；

對(duì)所述硅片進(jìn)行腐蝕；

去除所述硅片一面上剩余的光刻膠和所述硅片另一面上的光刻膠。

進(jìn)一步地，當(dāng)使用的掩膜板的掩膜圖形區(qū)域和除所述掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域分別為透光區(qū)域和不透光區(qū)域時(shí)，在所述硅片的一面上涂抹的光刻膠為正膠；當(dāng)使用的掩膜板的掩膜圖形區(qū)域和除所述掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域分別為不透光區(qū)域和透光區(qū)域時(shí)，在所述硅片的一面上涂抹的光刻膠為負(fù)膠。

進(jìn)一步地，在所述硅片的另一面涂抹的光刻膠為正膠或負(fù)膠。

進(jìn)一步地，對(duì)所述硅片進(jìn)行腐蝕用到的工藝為濕法腐蝕，所述濕法腐蝕用到的腐蝕溶液為硝酸、氫氟酸和冰乙酸的混合溶液。

進(jìn)一步地，所述硝酸、所述氫氟酸和所述冰乙酸的體積百分比分別為70％、49％和99％；所述硝酸、所述氫氟酸和所述冰乙酸混合的體積比為3:2:1。

進(jìn)一步地，提供硅片之后，在所述硅片的一面上涂抹光刻膠之前，還包括：

對(duì)所述硅片進(jìn)行光刻前處理，

在所述硅片的一面上涂抹光刻膠之后，使用第一方面任一所述的掩模版對(duì)所述硅片上涂抹有光刻膠的一面進(jìn)行曝光、顯影之前，還包括：

對(duì)一面上涂抹了光刻膠的硅片進(jìn)行前烘處理，

使用第一方面任一所述的掩模版對(duì)所述硅片上涂抹有光刻膠的一面進(jìn)行曝光、顯影之后，在所述硅片的另一面涂抹光刻膠之前，還包括：

對(duì)顯影后的硅片進(jìn)行后烘處理。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓的制作方法，包括：

將至少兩個(gè)晶圓和曝光校平平面黏貼于第二方面任一所述的晶圓定位板上；

將所述晶圓定位板放置于硅片生產(chǎn)線上，通過(guò)所述硅片生產(chǎn)線對(duì)所述晶圓 進(jìn)行加工處理。

本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版通過(guò)在掩膜圖形區(qū)域設(shè)置晶圓定位區(qū)域和曝光校平區(qū)域，使得通過(guò)該掩模版制作的晶圓定位板上具有晶圓黏貼槽和曝光校平槽；本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板通過(guò)設(shè)置有晶圓黏貼槽和曝光校平槽，不僅能夠固定晶圓，還能夠黏貼曝光校平平面；本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的制作方法能夠利用上述掩模版制作上述晶圓定位板；本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓制作方法通過(guò)將晶圓黏貼在晶圓定位板上，利用硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理，能夠提高晶圓的加工效率，進(jìn)而提高晶圓的流通產(chǎn)能和流通效率，在晶圓后續(xù)制作過(guò)程的曝光工序中，通過(guò)晶圓定位板的曝光校平槽中黏貼的曝光校平平面對(duì)其進(jìn)行曝光校平，為后續(xù)制作過(guò)程中的曝光校平提供了便利，進(jìn)而提高了制作的晶圓的質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

為了更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明示例性實(shí)施例的技術(shù)方案，下面對(duì)描述實(shí)施例中所需要用到的附圖做一簡(jiǎn)單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實(shí)施例的附圖，而不是全部的附圖，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版的俯視圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的俯視圖。

圖3是圖2沿E-E的剖面圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的制作方法的流程圖。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓的制作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，通過(guò)具體實(shí)施方式，完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下獲得的所有其他實(shí)施例，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版的俯視圖。如圖1所示，該掩模版包括掩膜圖形區(qū)域11和除掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域12，掩膜圖形區(qū)域11包括至少兩個(gè)(圖1僅示出三個(gè))晶圓定位區(qū)域13；其中，掩膜圖形區(qū)域11還包括曝光校平區(qū)域14，曝光校平區(qū)域14的中心與每個(gè)晶圓定位區(qū)域13的中心的距離相等。

該掩模版是利用光刻工藝制作晶圓定位板時(shí)所需的光刻掩模版，該掩模版上的晶圓定位區(qū)域?qū)?yīng)于通過(guò)該掩模版制備的晶圓定位板上的晶圓黏貼槽，因此，該掩模版上的晶圓定位區(qū)域的形狀優(yōu)選為與待定位晶圓的形狀相同，這樣制備完的晶圓定位板上的晶圓黏貼槽能夠較好地與待定位晶圓相吻合。由于晶圓加工前會(huì)切割掉圓形晶圓的一部分，以規(guī)定晶圓的晶向，因此，對(duì)應(yīng)于此，該掩膜板上的晶圓定位區(qū)域的形狀表現(xiàn)為弧線與直線組合的狀態(tài)，如圖1所示。晶圓定位區(qū)域的數(shù)量和尺寸可以根據(jù)待定位晶圓的數(shù)量和尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)。

該掩模版上的曝光校平區(qū)域與通過(guò)該掩膜板制備的晶圓定位板的曝光校平槽相對(duì)應(yīng)。該曝光校平區(qū)域的中心與每個(gè)晶圓定位區(qū)域的中心的距離相等，即圖中示出的三條虛線的長(zhǎng)度相等，以保證通過(guò)該掩模版制備的晶圓定位板的曝光校平槽的中心與每個(gè)晶圓定位槽的中心的距離相等。曝光校平區(qū)域的形狀和 尺寸可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。

該掩模版可以是正膠掩模版，也可以是負(fù)膠掩模版。當(dāng)該掩模版是正膠掩模版時(shí)，掩膜圖形區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，除掩膜圖形之外的剩余區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域；當(dāng)該掩模版是負(fù)膠掩模版時(shí)，掩膜圖形區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，除掩膜圖形區(qū)域之外的剩余區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域。掩模版包括玻璃基板，在不透光區(qū)域涂覆有不透光材料，如：鉻。

本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模版能夠作為制備晶圓定位板的光刻掩模版，通過(guò)該掩模版并利用光刻工藝，能夠制備晶圓定位板。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的俯視圖。如圖2所示，該晶圓定位板包括硅片21，硅片21上設(shè)置有至少兩個(gè)(圖中僅示出三個(gè))晶圓黏貼槽22；硅片21上還設(shè)置有曝光校平槽23，曝光校平槽23的中心與每個(gè)晶圓黏貼槽22的中心的距離相等。

晶圓黏貼槽用于黏貼待定位晶圓，使得至少兩個(gè)待定位晶圓黏貼在晶圓定位板上，進(jìn)而后期能夠?qū)⒕A定位板放置于硅片生產(chǎn)線上，利用硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理，能夠提高生產(chǎn)效率。曝光校平槽用于黏貼曝光校平平面，曝光校平槽的中心與每個(gè)晶圓黏貼槽的中心的距離相等，使得黏貼的曝光校平平面的中心與每個(gè)晶圓的中心的距離相等，從而能夠保證后期對(duì)晶圓進(jìn)行曝光時(shí)，光照聚焦在該曝光校平平面的中心位置時(shí)，每個(gè)晶圓所處的光照環(huán)境相同，從而使得制備的每個(gè)晶圓相同。曝光校平槽中黏貼的曝光校平平面的上表面優(yōu)選為與晶圓的上表面平齊，使得后期對(duì)晶圓進(jìn)行曝光時(shí)，將光照聚焦在該曝光校平平面上時(shí)，每個(gè)晶圓上表面所處的光照與校平平面上表面所述的光照在同一平面上，更利于晶圓的曝光，為了達(dá)到此目的，可以將曝光校平槽的深度設(shè) 計(jì)為與晶圓黏貼槽的深度相同，曝光校平平面的厚度與待定位晶圓的厚度相同，此種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)不僅能夠達(dá)到上述目的，還由于曝光校平平面的厚度與待定位晶圓的厚度相同，在后期制作曝光校平平面時(shí)較簡(jiǎn)單。

以硅片的尺寸為5英寸(半徑為12.7厘米)、待定位晶圓的尺寸為2英寸(半徑為2.54厘米)為例進(jìn)行說(shuō)明，其中，發(fā)光二極管晶圓的尺寸即為2英寸。如圖3所示，晶圓黏貼槽22的個(gè)數(shù)為3個(gè)，晶圓黏貼槽22圍繞曝光校平槽23為中心，等間隔排列。晶圓黏貼槽22的尺寸優(yōu)選為稍大于待定位晶圓的尺寸，晶圓黏貼槽22的半徑A可以為25.8厘米至26.2厘米；晶圓黏貼槽22的形狀優(yōu)選為與待定位晶圓的形狀相同，晶圓黏貼槽22的橫截面表現(xiàn)為圓弧和直線的組合的原因與上面所述的掩模版的晶圓定位區(qū)域表現(xiàn)為圓弧和直線的組合的原因相同，其中，直線部分的長(zhǎng)度B可以為16.1厘米至16.5厘米。曝光校平槽23的尺寸越大對(duì)于后期校平的效果越好，但是考慮到空間的設(shè)計(jì)問(wèn)題，可以將曝光校平槽23設(shè)計(jì)為邊長(zhǎng)C為3.8厘米至4.2厘米的正方形。由于晶圓黏貼槽22圍繞曝光校平槽23為中心等間隔排列，因此，每個(gè)晶圓黏貼槽22的圓心在同一個(gè)圓上，如圖中虛線圓所示，其半徑D可以為32.3厘米至32.7厘米。

圖3是圖2沿E-E的剖面圖。如圖3所示，晶圓黏貼槽22延伸入硅片21中。其中，晶圓黏貼槽22延伸入硅片21的深度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。其深度可以設(shè)計(jì)為90微米至110微米。

本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板，通過(guò)設(shè)置晶圓黏貼槽和與每個(gè)晶圓定位槽的中心距離相等的曝光校平槽，不僅能夠在晶圓黏貼槽中黏貼待定位晶圓，將至少兩個(gè)晶圓定位在晶圓定位板上，便于后期將晶圓定位板放置在硅片生產(chǎn)線上，通過(guò)硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理，提高生產(chǎn)效率；而且能夠在曝光校平槽中黏貼曝光校平平面，通過(guò)曝光校平平面對(duì)晶圓后期曝光時(shí)進(jìn)行光照校 平，使得每個(gè)晶圓所處的光照環(huán)境相同，從而使得制備的每個(gè)晶圓相同。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的制作方法的流程圖。如圖4所示，該方法包括以下步驟：

S41、提供硅片。

該硅片作為晶圓定位板的基板。

S42、在硅片的一面上涂抹光刻膠。

當(dāng)后期使用的掩模版是正膠掩模版時(shí)，此處涂抹的光刻膠為正膠；當(dāng)后期使用的掩模版是負(fù)膠掩模版時(shí)，此處涂抹的光刻膠為負(fù)膠。為了保證制備的晶圓定位板的質(zhì)量，此步驟之前還可以包括：對(duì)硅片進(jìn)行光刻前處理，使得硅片表面保持干燥和干凈。為了去除光刻膠內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與硅片的粘附力及光刻膠層的機(jī)械擦傷能力，此步驟之后還可以包括：對(duì)一面上涂抹了光刻膠的硅片進(jìn)行前烘處理(即堅(jiān)膜)，進(jìn)而使得后期曝光、顯影后得到的圖形質(zhì)量較好。

S43、使用上述提供的掩模版對(duì)硅片上涂抹有光刻膠的一面進(jìn)行曝光、顯影。

經(jīng)曝光、顯影之后，能夠?qū)⒀谀０嫔系膱D形轉(zhuǎn)移到硅片上。因?yàn)榻?jīng)顯影以后的光刻膠發(fā)生了軟化、膨脹，光刻膠與硅片表面的粘附力下降，為了保證后期腐蝕工藝中光刻膠能夠?qū)杵M(jìn)行保護(hù)，該步驟之后還可以包括：對(duì)顯影后的硅片進(jìn)行后烘處理(即堅(jiān)膜)，進(jìn)而使得光刻膠和硅片表面能夠更好地粘結(jié)。

S44、在硅片的另一面涂抹光刻膠。

此處涂抹的光刻膠能夠在后期腐蝕的過(guò)程中對(duì)硅片的另一面進(jìn)行保護(hù)，使得硅片的另一面不被腐蝕。該光刻膠可以是正膠，也可以是負(fù)膠。

S45、對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕。

此時(shí)用到的腐蝕工藝可以是濕法腐蝕，即：將硅片浸入腐蝕溶液中進(jìn)行腐蝕，形成晶圓黏貼槽和曝光校平槽。腐蝕溶液可以是硝酸、氫氟酸和冰乙酸的混合溶液，三者的濃度(體積百分比)可以分別是70％、49％和99％，三者混合的體積比可以為3:2:1。

S46、去除硅片一面上剩余的光刻膠和硅片另一面上的光刻膠。

去除多余的光刻膠，形成晶圓定位板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓定位板的制作方法，能夠利用上述提供的掩模版來(lái)制作晶圓定位板。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓的制作方法的流程圖。如圖5所示，該方法包括以下步驟：

S51、將至少兩個(gè)晶圓和曝光校平平面黏貼于上述提供的晶圓定位板上。

利用黏貼膠將晶圓黏貼于晶圓定位板的晶圓黏貼槽中，將曝光校平平面黏貼于晶圓定位板的曝光校平槽中。

S52、將晶圓定位板放置于硅片生產(chǎn)線上，通過(guò)硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理。

通過(guò)硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理，提高了晶圓的生產(chǎn)效率。

本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓的制作方法，通過(guò)將晶圓黏貼于晶圓定位板上，將晶圓定位板放置于硅片生產(chǎn)線上，通過(guò)硅片生產(chǎn)線對(duì)晶圓進(jìn)行加工處理，提高了晶圓的生產(chǎn)效率，進(jìn)而提高了晶圓的流通產(chǎn)能和流通效率。

上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用的技術(shù)原理。本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行的各種明顯變化、重新調(diào)整 及替代均不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍決定。