本發(fā)明屬于機(jī)械中光刻膠去除技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法。
背景技術(shù)：
光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。LED 生產(chǎn)成本高，且良率低，采用的是正膠RZJ304，之前直接在硅片表面光刻，曝光7秒，顯影60秒，圖形非常好。然后在表面生長SiO2層的硅片上光刻，顯影后，每次圖形區(qū)域總是有光刻膠殘留。尤其當(dāng)芯片進(jìn)行光刻時(shí)，殘留的光刻膠往往無法徹底清洗干凈，成為提高LED 芯片良率的瓶頸之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：
一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法，其特征在于，具體包括如下工藝步驟：
（1）表面預(yù)處理：用含有重量比為2：5由高錳酸鈉和CR90研磨劑組成的研磨液對(duì)含銻半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行化學(xué)研磨；
（2）配備脫膠液：取氰亞鐵酸鈉和雙氧水按照重量比3：5 的比例混合，放置到機(jī)械清洗釜中，并向混合溶液中添加0.6-0.8%的吸附劑，然后進(jìn)行系統(tǒng)密封并使用真空泵排出系統(tǒng)內(nèi)空氣；
（3）CO2高壓處理：來自于CO2氣瓶的CO2通過凈化器凈化，通過CO2泵加壓，使脫膠液內(nèi)壓力升至40MPa、換熱器Ⅱ控溫到達(dá)并聯(lián)的脫溶劑釜和調(diào)節(jié)釜中；
（4）清洗溶膠：將研磨后的半導(dǎo)體晶片放入經(jīng)CO2高壓處理且含脫膠液的脫膠釜中，控制脫膠液的溫度為65-75℃，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行清洗2-3h；
（5）烘干：清洗完畢后，依次關(guān)閉脫膠液釜的進(jìn)出口閥門，打開排空閥排出釜內(nèi)CO2，將清洗完的半導(dǎo)體晶片放入烘干機(jī)內(nèi)烘干。
進(jìn)一步的，所述步驟（2）中吸附劑為含有濃度為0. 8%草酸的碳纖維。
進(jìn)一步的，所述步驟（3）中脫膠液釜的操作參數(shù)為：5℃~6℃，15kg/h~18kg/h。
進(jìn)一步的，所述步驟（5）中脫除溶膠后的CO2排出分離脫膠液釜，經(jīng)流量計(jì)計(jì)量和凈化器凈化后循環(huán)利用。
本發(fā)明的有益效果為：
本發(fā)明采用特殊配比的研磨液對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行表面預(yù)處理，有利于半導(dǎo)體晶片表面光刻膠的部分溶解，有利于后期高效的清除效果；氰亞鐵酸鈉、雙氧水組成的脫膠液有利于光刻膠的溶解，可有效的去除殘留于半導(dǎo)體晶片表面的含銻的鹽類以及研磨劑顆粒等污染物殘留，減少或消除了由于殘留帶來的光刻工藝中套刻量測(cè)的誤差以及殘留物對(duì)金屬銻的腐蝕，提高了器件的可靠性及穩(wěn)定性。
本發(fā)明中采用CO2高壓處理，高壓CO2在脫膠液釜內(nèi)萃取光刻膠的殘留膠，減壓進(jìn)入分離釜，在分離釜內(nèi)實(shí)現(xiàn)與殘留溶劑的減壓分離，殘留溶劑同時(shí)被吸附劑吸附，極大縮短了殘留光刻膠脫除的時(shí)間，提高了脫除效率，降低了能源浪費(fèi)。
控制脫膠液釜的操作參數(shù)，能夠快速的保持脫膠液的溶解環(huán)境，使雙氧水能夠保持最大的功效，保證了脫膠液的純度，從而使殘留光刻膠去除的更為徹底，保證了半導(dǎo)體晶片的良率。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法，其特征在于，具體包括如下工藝步驟：
（1）表面預(yù)處理：用含有重量比為2：5由高錳酸鈉和CR90研磨劑組成的研磨液對(duì)含銻半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行化學(xué)研磨；
（2）配備脫膠液：取氰亞鐵酸鈉和雙氧水按照重量比3：5 的比例混合，放置到機(jī)械清洗釜中，并向混合溶液中添加0.6%的吸附劑，所述吸附劑為含有濃度為0. 8%草酸的碳纖維，然后進(jìn)行系統(tǒng)密封并使用真空泵排出系統(tǒng)內(nèi)空氣；
（3）CO2高壓處理：來自于CO2氣瓶的CO2通過凈化器凈化，通過CO2泵加壓，使脫膠液內(nèi)壓力升至40MPa，脫膠液釜的操作參數(shù)為：5℃，18kg/h，換熱器Ⅱ控溫到達(dá)并聯(lián)的脫溶劑釜和調(diào)節(jié)釜中；
（4）清洗溶膠：將研磨后的半導(dǎo)體晶片放入經(jīng)CO2高壓處理且含脫膠液的脫膠釜中，控制脫膠液的溫度為65℃，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行清洗3h；
（5）烘干：清洗完畢后，依次關(guān)閉脫膠液釜的進(jìn)出口閥門，打開排空閥排出釜內(nèi)CO2，將清洗完的半導(dǎo)體晶片放入烘干機(jī)內(nèi)烘干。
脫除溶膠后的CO2排出分離脫膠液釜，經(jīng)流量計(jì)計(jì)量和凈化器凈化后循環(huán)利用。光刻膠的脫出率為89%。
實(shí)施例2
一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法，其特征在于，具體包括如下工藝步驟：
（1）表面預(yù)處理：用含有重量比為2：5由高錳酸鈉和CR90研磨劑組成的研磨液對(duì)含銻半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行化學(xué)研磨；
（2）配備脫膠液：取氰亞鐵酸鈉和雙氧水按照重量比3：5 的比例混合，放置到機(jī)械清洗釜中，并向混合溶液中添加0.6-0.8%的吸附劑，所述吸附劑為含有濃度為0. 8%草酸的碳纖維，然后進(jìn)行系統(tǒng)密封并使用真空泵排出系統(tǒng)內(nèi)空氣；
（3）CO2高壓處理：來自于CO2氣瓶的CO2通過凈化器凈化，通過CO2泵加壓，使脫膠液內(nèi)壓力升至40MPa，脫膠液釜的操作參數(shù)為： 6℃，16kg/h，換熱器Ⅱ控溫到達(dá)并聯(lián)的脫溶劑釜和調(diào)節(jié)釜中；
（4）清洗溶膠：將研磨后的半導(dǎo)體晶片放入經(jīng)CO2高壓處理且含脫膠液的脫膠釜中，控制脫膠液的溫度為70℃，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行清洗2-3h；
（5）烘干：清洗完畢后，依次關(guān)閉脫膠液釜的進(jìn)出口閥門，打開排空閥排出釜內(nèi)CO2，將清洗完的半導(dǎo)體晶片放入烘干機(jī)內(nèi)烘干。
脫除溶膠后的CO2排出分離脫膠液釜，經(jīng)流量計(jì)計(jì)量和凈化器凈化后循環(huán)利用。光刻膠的脫出率為90%。
實(shí)施例3
一種高壓去除晶體表面殘留光刻膠的方法，其特征在于，具體包括如下工藝步驟：
（1）表面預(yù)處理：用含有重量比為2：5由高錳酸鈉和CR90研磨劑組成的研磨液對(duì)含銻半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行化學(xué)研磨；
（2）配備脫膠液：取氰亞鐵酸鈉和雙氧水按照重量比3：5 的比例混合，放置到機(jī)械清洗釜中，并向混合溶液中添加0.8%的吸附劑，所述吸附劑為含有濃度為0. 8%草酸的碳纖維，然后進(jìn)行系統(tǒng)密封并使用真空泵排出系統(tǒng)內(nèi)空氣；
（3）CO2高壓處理：來自于CO2氣瓶的CO2通過凈化器凈化，通過CO2泵加壓，使脫膠液內(nèi)壓力升至40MPa，脫膠液釜的操作參數(shù)為： 6℃，15kg/h，換熱器Ⅱ控溫到達(dá)并聯(lián)的脫溶劑釜和調(diào)節(jié)釜中；
（4）清洗溶膠：將研磨后的半導(dǎo)體晶片放入經(jīng)CO2高壓處理且含脫膠液的脫膠釜中，控制脫膠液的溫度為75℃，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行清洗2-3h；
（5）烘干：清洗完畢后，依次關(guān)閉脫膠液釜的進(jìn)出口閥門，打開排空閥排出釜內(nèi)CO2，將清洗完的半導(dǎo)體晶片放入烘干機(jī)內(nèi)烘干。
脫除溶膠后的CO2排出分離脫膠液釜，經(jīng)流量計(jì)計(jì)量和凈化器凈化后循環(huán)利用。光刻膠的脫出率為85%。