本發(fā)明涉及液晶顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有陣列基板在制造過程中會(huì)用到光刻、顯影等工藝進(jìn)行圖案化形成需要的圖案。其中光刻工藝通過光掩模進(jìn)行光照實(shí)現(xiàn)在膜層上或者在形成圖案，但是由于當(dāng)光穿過小孔和輪廓分明的邊緣時(shí)，光偏離了直線傳播方向繞到障礙物的陰影區(qū)，沿邊緣產(chǎn)生了干涉圖形，結(jié)果得到了一個(gè)模糊的圖象，這種現(xiàn)象被稱為衍射。光的衍射和光刻密切相關(guān)，因?yàn)楣庋谀Ｉ嫌行〉那逦鷪D形并且間距很窄，衍射圖樣會(huì)帶走曝光能量，并使光發(fā)散，導(dǎo)致膜層上不需要曝光的區(qū)域被曝光，影響膜層圖案的形成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案：

所述陣列基板制造方法，包括在基礎(chǔ)膜層表面依次形成第一光阻層及第二光阻層；

在所述第二光阻層上方形成第一光罩并曝光以對(duì)第二光阻層圖案化形成圖案化的第二光阻層；其中，所述圖案化的第二光阻層中每一圖案的輪廓大于預(yù)設(shè)圖案的輪廓，

對(duì)圖案化的第二光阻層進(jìn)行顯影，并通過顯影過程調(diào)整所述圖案化的第二光阻層上每一圖案的輪廓，以使圖案的尺寸與預(yù)設(shè)的相同；

在所述第一光阻層上方形成第二光罩并曝光以圖案化的第一光阻層，去除未被所述圖案化的第二光阻層遮擋的部分并露出部分基礎(chǔ)膜層；

通過蝕刻工藝蝕刻未被所述圖案化的第一光阻層遮擋的基礎(chǔ)膜層，以圖案化基礎(chǔ)摸層；

去除圖案化的第一光阻層及圖案化的第二光阻層。

其中，所述第二光阻層厚度小于第一光阻層厚度。

其中，所述第一光阻層厚度為0.75-1.4微米。

其中，所述第二光阻層厚度為1.5-2微米。

其中，所述基礎(chǔ)膜層圖案化后為柵極、源漏極、數(shù)據(jù)線、公共電極中之一。

其中，所述第一光罩包括透光區(qū)及遮蔽區(qū)，圖案化的第二光阻層中，與透光區(qū)相對(duì)應(yīng)圖案的輪廓大于所述透光區(qū)。

其中，通過設(shè)置顯影的時(shí)間及濃度以調(diào)整所述圖案的輪廓。

其中，所述第一光阻層與第二光阻層的材料為光刻膠。

其中，所述第二光罩包括透光區(qū)及遮蔽區(qū)，所述第二光罩的透光區(qū)在基礎(chǔ)膜層的正投影與第一光罩的透光區(qū)在基礎(chǔ)膜層的正投影完全重合。

本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本申請(qǐng)所述的陣列基板制造方法采用兩個(gè)光阻層，先對(duì)第一光阻層進(jìn)行曝光圖案工藝最后將圖案復(fù)制到第二光阻層，通過對(duì)第二光阻層曝光對(duì)基礎(chǔ)膜層進(jìn)行加工形成需要的圖案，一次形成需要的圖層，可以避免光衍射造成的圖案輪廓不清楚偏大等問題，避免造成分辨力下降。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明陣列基板制造方法的流程圖；

圖2-7是所示陣列基板制造方法的步驟示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明所述的陣列基板制造方法用于陣列基板的制造，包括如下步驟：

一并參閱圖2，S1，在基礎(chǔ)膜層10表面依次形成第一光阻層12及第二光阻層14。本實(shí)施例中，所述第一光阻層12與第二光阻層14的材料為光刻膠。所述基礎(chǔ)膜層10的有益基板1支撐，其中，基板為透明玻璃板，基礎(chǔ)膜層10可以直接設(shè)于基板表面，也可以間接的有基板1支撐，如在基礎(chǔ)膜層10與基板1之間設(shè)置其他層結(jié)構(gòu)。

一并參閱圖3，S2，在所述第二光阻層14上方形成第一光罩15并曝光以對(duì)第二光阻層14圖案化形成圖案化的第二光阻層141；其中，所述圖案化的第二光阻層141中每一圖案142的輪廓大于預(yù)設(shè)圖案的輪廓。所述第一光罩15包括透光區(qū)151及遮蔽區(qū)152，圖案化的第二光阻層141中，與透光區(qū)151相對(duì)應(yīng)圖案142的輪廓大于所述透光區(qū)151，即圖案142邊緣大于透光區(qū)151邊緣。提供一光阻涂布設(shè)備(圖未示)，所述光阻涂布設(shè)備用于涂布光阻層。當(dāng)光照射所述光罩15時(shí)，光線從透光區(qū)151穿過照到第二光阻層14上，被光線照射到的第二光阻層14部分不溶解，沒有被光線照射到的第二光阻層14溶解。因此，所述光罩15放置于所述第二光阻層14的上方時(shí)，位于所述光罩15的透光部151下方的第二光阻層14不溶解；位于所述光罩15的遮光區(qū)152下方的第二光阻層14溶解。經(jīng)過所述光罩15后，所述第二光阻層14被圖案化成如圖4所示的圖案化的第二光阻層141的圖案。需要說明的是所述預(yù)設(shè)圖案的輪廓是指要在所述基礎(chǔ)膜層10上形成的圖案的輪廓。對(duì)第一次光罩進(jìn)行曝光對(duì)第一光阻層不產(chǎn)生影響。

S3，對(duì)圖案化的第二光阻層141進(jìn)行顯影，并通過顯影過程調(diào)整所述圖案化的第二光阻層141上每一圖案142的輪廓，以使圖案142的尺寸與預(yù)設(shè)的相同。本實(shí)施例中通過設(shè)置顯影的時(shí)間及濃度以調(diào)整所述圖案142的輪廓，去除圖案142的部分邊緣，使其與預(yù)設(shè)圖案尺寸相同。

一并參閱圖5，S4，在所述第一光阻層12上方形成第二光罩13并曝光以形成圖案化的第一光阻層121，去除未被圖案化的第二光阻層141遮擋的部分并露出部分基礎(chǔ)膜層10。曝光過程與上一步過程相同，再次不做贅述。本實(shí)施例中，所述第二光罩13包括透光區(qū)131及遮蔽區(qū)132，所述第二光罩13的透光區(qū)131在基礎(chǔ)膜層10的正投影與第一光罩15的透光區(qū)151在基礎(chǔ)膜層10的正投影完全重合。在曝光以形成圖案化的第一光阻層121時(shí)，保證在圖案化的第一光阻層12上形成的圖案與顯影后的圖案化的第二光阻層141的圖案尺寸相同。

一并參閱圖6，S5，根據(jù)圖案化的第一光阻層圖案化所述基礎(chǔ)摸層。通過蝕刻工藝蝕刻未被所述圖案化的第一光阻層121遮擋的基礎(chǔ)膜層10，以形成圖案化的基礎(chǔ)摸層11。所述基礎(chǔ)膜層10圖案化后為柵極、源漏極、數(shù)據(jù)線、公共電極中之一。本實(shí)施例中，圖案化的基礎(chǔ)摸層11為柵極，其直接形成于基板1上。

一并參閱圖7，S6，去除圖案化的第一光阻層121及圖案化的第二光阻層141。

本實(shí)施例中，所述第二光阻層14厚度小于第一光阻層12厚度，只要在第一次曝光后形成圖案即可，也可以節(jié)省加工時(shí)間。具體的，所述第一光阻層厚度為0.75-1.4微米。所述第二光阻層厚度為1.5-2微米。

本申請(qǐng)所述的陣列基板制造方法采用兩個(gè)光阻層，先對(duì)第一光阻層進(jìn)行曝光圖案工藝最后將圖案復(fù)制到第二光阻層，通過對(duì)第二光阻層曝光對(duì)基礎(chǔ)膜層進(jìn)行加工形成需要的圖案，一次形成需要的圖層，可以避免光衍射造成的圖案輪廓不清楚偏大等問題，避免造成分辨力下降。

以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。