彩膜基板及顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種彩膜基板及顯示器件。對(duì)于以橫向電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)的顯示器件，當(dāng)彩膜基板的黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分時(shí)，設(shè)置黑矩陣包括待連接部，并通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)黑矩陣與像素電極的壓差，或黑矩陣與公共電極的壓差較小，不足以驅(qū)動(dòng)液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而克服了暗態(tài)顯示時(shí)的發(fā)綠不良現(xiàn)象，提升了產(chǎn)品的良率和顯示品質(zhì)。
【專利說明】彩膜基板及顯示器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種彩膜基板及顯示器件。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。液晶面板是液晶顯示器的重要部件，結(jié)合圖1和圖2所示，其包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板I和陣列基板2，并通過封框膠4 '在彩膜基板I和陣列基板2之間形成密封空間，用于填充液晶。其中，彩膜基板上形成有黑矩陣3，用于在顯示區(qū)域100限定多個(gè)子像素區(qū)，在子像素區(qū)形成有透射特定顏色光線的濾光層(如:紅色濾光層31、綠色濾光層32、藍(lán)色濾光層33、白色濾光層34)，用于實(shí)現(xiàn)彩色顯示。在黑矩陣3和濾光層上覆蓋有平坦層20。黑矩陣3的設(shè)置能夠防止漏光和相鄰子像素區(qū)發(fā)生顏色串?dāng)_。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，黑矩陣的分布包括齊邊設(shè)計(jì)和非齊邊設(shè)計(jì)兩種。對(duì)于非齊邊設(shè)計(jì)，黑矩陣距離彩膜基板的邊緣為0.2?0.4um，這種設(shè)計(jì)存在暗態(tài)周邊漏光不良的問題，尤其是在靠近邊緣位置有大量平行金屬走線的密集區(qū)域，這種問題更加嚴(yán)重。而對(duì)于齊邊設(shè)計(jì)，黑矩陣與彩膜基板的邊緣齊平，不存在暗態(tài)周邊漏光的不良問題。
[0004]對(duì)于以橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)的TFT-LCD，公共電極和像素電極均制作在陣列基板上。傳統(tǒng)黑矩陣材料的電阻值約為16?107Ω，并非完全絕緣體，平坦層材料的電阻一般大的多，約為115?116Q0大尺寸TFT-1XD的公共電壓以及像素電壓一般較高，由于電容器效應(yīng)，在黑矩陣上會(huì)感應(yīng)產(chǎn)生一定的電荷，即存在一定的感應(yīng)電壓。經(jīng)測(cè)試黑矩陣有+5?+7V的感應(yīng)電壓，與暗態(tài)像素電壓或公共電極電壓(Vcom約+8V)接近。但是，對(duì)于齊邊設(shè)計(jì)的黑矩陣，其容易接地或接觸到其他低電壓時(shí)，電荷導(dǎo)出，感應(yīng)電壓下降，其與暗態(tài)像素電壓或公共電極電壓差增大，造成液晶偏轉(zhuǎn)，像素發(fā)亮，由于綠色像素發(fā)亮明顯，因此會(huì)出現(xiàn)暗態(tài)發(fā)綠現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的品質(zhì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種彩膜基板，用以解決黑矩陣為非完全絕緣體，當(dāng)黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分時(shí)，會(huì)出現(xiàn)暗態(tài)發(fā)綠不良的問題。
[0006]本發(fā)明還提供一種顯示器件，采用上述的彩膜基板，用以提高產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種彩膜基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述彩膜基板包括:
[0008]黑矩陣，用于在顯示區(qū)域限定多個(gè)子像素區(qū)；
[0009]透射特定顏色光線的濾光層，位于所述子像素區(qū)內(nèi)；
[0010]覆蓋所述黑矩陣和濾光層的平坦層，其中，所述黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分;
[0011]所述黑矩陣包括待連接部，通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
[0012]如上所述的彩膜基板，優(yōu)選的是，所述黑矩陣覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域。
[0013]如上所述的彩膜基板，優(yōu)選的是，所述黑矩陣的外緣對(duì)應(yīng)預(yù)設(shè)位置的區(qū)域被去除。
[0014]如上所述的彩膜基板，優(yōu)選的是，所述黑矩陣的待連接部所在區(qū)域的平坦層被去除。
[0015]如上所述的彩膜基板，優(yōu)選的是，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域；
[0016]所述黑矩陣的待連接部位于所述密封區(qū)域。
[0017]如上所述的彩膜基板，優(yōu)選的是，所述平坦層僅位于顯示區(qū)域。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示器件，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板包括公共電極和像素電極，所述彩膜基板采用如上所述的彩膜基板；
[0019]所述陣列基板通過黑矩陣的待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
[0020]如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述預(yù)設(shè)的電壓為暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓或所述公共電極上施加的電壓。
[0021]如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述彩膜基板和陣列基板包括位置對(duì)應(yīng)的密封區(qū)域，所述密封區(qū)域設(shè)置有封框膠，用于在彩膜基板和陣列基板之間形成密封空間；
[0022]所述黑矩陣的待連接部位于所述密封區(qū)域，位于所述黑矩陣的待連接部所在區(qū)域的平坦層被去除，所述封框膠與所述待連接部接觸設(shè)置；
[0023]所述封框膠包括導(dǎo)電金球，所述陣列基板通過所述封框膠和所述黑矩陣的待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
[0024]如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板；
[0025]所述陣列基板包括多個(gè)導(dǎo)電層，以及位于導(dǎo)電層之間的絕緣層；
[0026]所述導(dǎo)電層包括柵金屬層、源漏金屬層和第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層位于陣列基板的最外層；
[0027]所述陣列基板還包括信號(hào)線，用于傳輸所述預(yù)設(shè)的電壓，所述封框膠與所述信號(hào)線電性連接；
[0028]所述信號(hào)線包括柵金屬層或源漏金屬層中的至少一個(gè)。
[0029]如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述封框膠通過位于絕緣層中的過孔和填充在所述絕緣層過孔中的第一透明導(dǎo)電層與所述信號(hào)線電性連接。
[0030]如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述黑矩陣覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域；
[0031]所述顯示器件還包括防靜電結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括不與所述彩膜基板正對(duì)的周邊區(qū)域；
[0032]所述防靜電結(jié)構(gòu)包括:
[0033]設(shè)置在與所述黑矩陣相對(duì)的所述彩膜基板表面的第二透明導(dǎo)電層；
[0034]設(shè)置在所述陣列基板的周邊區(qū)域的連接結(jié)構(gòu)；
[0035]所述連接結(jié)構(gòu)與所述第二透明導(dǎo)電層連接，用于導(dǎo)出所述第二透明導(dǎo)電層上累積的靜電；
[0036]所述黑矩陣的外緣對(duì)應(yīng)預(yù)設(shè)位置的區(qū)域被去除具體為:
[0037]所述黑矩陣的外緣與所述連接結(jié)構(gòu)位置對(duì)應(yīng)的區(qū)域被去除。
[0038]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0039]上述技術(shù)方案中，對(duì)于以橫向電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)的顯示器件，當(dāng)彩膜基板的黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分時(shí)，設(shè)置黑矩陣包括待連接部，并通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)黑矩陣與像素電極的壓差，或黑矩陣與公共電極的壓差較小，不足以驅(qū)動(dòng)液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而克服了暗態(tài)顯示時(shí)的發(fā)綠不良現(xiàn)象，提升了廣品的良率和顯不品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0041]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中液晶面板的俯視圖；
[0042]圖2表示圖1沿B-B的剖視圖；
[0043]圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中液晶面板的俯視圖；
[0044]圖4表示圖3沿A-A的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0045]對(duì)于以橫向電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)的液晶顯示器件(為液晶面板或顯示裝置)，像素電極和公共電極均位于陣列基板上，其中，像素電極或公共電極為位于陣列基板最外層的狹縫電極。由于彩膜基板的黑矩陣為非完全絕緣體，在電容器效應(yīng)作用下，黑矩陣能夠感應(yīng)所述狹縫電極上的電壓，積累一定的電荷。具體的，當(dāng)像素電極位于陣列基板的最外層時(shí)，黑矩陣能夠感應(yīng)像素電極上的電壓；當(dāng)公共電極位于陣列基板的最外層時(shí)，黑矩陣能夠感應(yīng)公共電極上的電壓。
[0046]當(dāng)黑矩陣的部分位于非顯示區(qū)域時(shí)，容易接地或接觸到其他低電壓，電荷導(dǎo)出，使其感應(yīng)電壓下降，導(dǎo)致在暗態(tài)顯示時(shí)，黑矩陣與所述狹縫電極的壓差增大，形成干擾電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)，造成暗態(tài)發(fā)綠不良現(xiàn)象。
[0047]針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種彩膜基板，所述彩膜基板的黑矩陣包括待連接部，并通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)黑矩陣與像素電極的壓差，或黑矩陣與公共電極的壓差較小，不足以驅(qū)動(dòng)液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而克服了暗態(tài)顯示時(shí)的發(fā)綠不良問題。
[0048]當(dāng)液晶顯示器件采用本發(fā)明的彩膜基板時(shí)，能夠提高產(chǎn)品的良率和顯示品質(zhì)。
[0049]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0050]結(jié)合圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種彩膜基板I，包括顯示區(qū)域100和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域。
[0051]彩膜基板I包括黑矩陣3，用于在顯示區(qū)域100限定多個(gè)子像素區(qū)。在子像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有透射特定顏色光線的濾光層，用于實(shí)現(xiàn)彩色顯示，所述濾光層包括紅色濾光層31、綠色濾光層32和藍(lán)色濾光層33，還可以包括白色濾光層34，能夠增加顯示亮度，提高光線利用率，降低功耗。當(dāng)然，所述濾光層也可以為其他能夠?qū)崿F(xiàn)彩色顯示的顏色組合，在此并不做限定。
[0052]在黑矩陣3和濾光層表面覆蓋有平坦層20，通常選擇亞克力材料。為了保證液晶分子排列規(guī)則，在平坦層20上還設(shè)置有取向膜(圖中未示出)。而用于維持液晶面板盒厚的隔墊物(圖中未示出)，可以位于彩膜基板上，也可以位于陣列基板上。其中，液晶面板由彩膜基板和陣列基板對(duì)盒形成，并通過設(shè)置在密封區(qū)域的封框膠4進(jìn)行密封，形成填充液晶分子的密封空間。所述密封區(qū)域位于彩膜基板和陣列基板的非顯示區(qū)域。
[0053]對(duì)于以橫向電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)的液晶顯示器件，像素電極和公共電極均位于陣列基板2上，其中，像素電極或公共電極為位于陣列基板2最外層的狹縫電極。由于彩膜基板I的黑矩陣3為非完全絕緣體，能夠感應(yīng)所述狹縫電極的電壓。當(dāng)黑矩陣3具有位于非顯示區(qū)域的部分時(shí)，容易接地或接觸到其他低電壓，感應(yīng)電壓下降，增加了黑矩陣3與所述狹縫電極的壓差，形成干擾電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)，由于綠色發(fā)亮明顯，因此會(huì)出現(xiàn)暗態(tài)發(fā)綠的不良現(xiàn)象。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例中，設(shè)置黑矩陣3包括待連接部，通過所述待連接部向黑矩陣3施加預(yù)設(shè)的電壓，能夠保證黑矩陣3上的電壓維持穩(wěn)定。所述預(yù)設(shè)的電壓具體為暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓或所述公共電極上施加的電壓，從而在暗態(tài)顯示時(shí)，黑矩陣3與像素電極的壓差，或黑矩陣3與公共電極的壓差較小，不足以驅(qū)動(dòng)液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，克服了暗態(tài)顯不時(shí)的發(fā)綠不良現(xiàn)象，提尚了廣品的良率和顯不品質(zhì)。
[0055]具體的，當(dāng)陣列基板2上的像素電極位于最外層時(shí)，所述預(yù)設(shè)的電壓為暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)，黑矩陣3與像素電極的壓差較小。當(dāng)陣列基板2上的公共電極位于最外層時(shí)，所述預(yù)設(shè)的電壓為公共電極上施加的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)，黑矩陣3與公共電極的壓差較小。
[0056]優(yōu)選地，設(shè)置彩膜基板I的黑矩陣3覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域，保證暗態(tài)顯示時(shí)，不存在周邊漏光的冋題。
[0057]在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，黑矩陣3的待連接部所在區(qū)域的平坦層20被去除，使得所述待連接部暴露在外面，方便連接。具體可以設(shè)置所述待連接部位于非顯示區(qū)域，不會(huì)影響顯示區(qū)域的正常顯示。
[0058]為了實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)，可以設(shè)置平坦層20僅位于顯示區(qū)域100，露出黑矩陣3位于非顯示區(qū)域的部分，包括所述待連接部。當(dāng)然，也可以在平坦層20中形成過孔，露出黑矩陣3的待連接部。
[0059]為了通過黑矩陣3的待連接部向黑矩陣3施加預(yù)設(shè)的電壓，可以設(shè)置相應(yīng)地連接部件，使其一端與所述待連接部連接，另一端與提供所述預(yù)設(shè)電壓的電路或電壓源連接，來傳輸所述預(yù)設(shè)電壓。
[0060]優(yōu)選地，設(shè)置黑矩陣3的待連接部位于非顯示區(qū)域的密封區(qū)域，由于所述待連接部所在區(qū)域的平坦層20被去除，暴露在外面，因此，在彩膜基板和陣列基板對(duì)盒形成液晶面板時(shí)，位于密封區(qū)域的封框膠4與所述待連接部接觸設(shè)置。通過在封框膠4中添加導(dǎo)電金球41，陣列基板能夠依次通過封框膠4和黑矩陣3的待連接部向黑矩陣3施加預(yù)設(shè)的電壓，即封框膠4兼具有密封和導(dǎo)電兩個(gè)功能，從而僅利用現(xiàn)有的部件就可實(shí)現(xiàn)向黑矩陣3施加預(yù)設(shè)的電壓，不需要單獨(dú)的工藝來制作所需的連接部件來傳輸所述預(yù)設(shè)電壓，制作工藝簡(jiǎn)單。
[0061]其中，導(dǎo)電金球41的尺寸由液晶面板的盒厚等參數(shù)決定。
[0062]下面以薄膜晶體管陣列基板為例，來具體說明:陣列基板如何通過黑矩陣3的待連接部向黑矩陣3施加預(yù)設(shè)的電壓。
[0063]其中，黑矩陣3的待連接部位于密封區(qū)域，暴露在外面。用于密封陣列基板和彩膜基板的封框膠4中添加有導(dǎo)電金球41，并與所述待連接部接觸設(shè)置。
[0064]對(duì)于薄膜晶體管陣列基板，在其非顯示區(qū)域設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片通過信號(hào)線向顯示區(qū)域提供顯示所需的信號(hào)。所述信號(hào)線包括第一信號(hào)線6，用于傳輸暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓或公共電極上施加的電壓(為施加到黑矩陣3上的預(yù)設(shè)電壓)。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例中通過電性連接封框膠4和第一信號(hào)線6，來獲取暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓信號(hào)或公共電極上施加的電壓信號(hào)，并傳輸至黑矩陣3的待連接部。
[0066]由于薄膜晶體管陣列基板包括多個(gè)導(dǎo)電層，以及位于導(dǎo)電層之間的絕緣層形成。所述導(dǎo)電層包括柵金屬層40、源漏金屬層60和第一透明導(dǎo)電層80，第一透明導(dǎo)電層80位于陣列基板的最外層，用于形成像素電極或公共電極。則用于傳輸施加到黑矩陣3上的預(yù)設(shè)電壓的第一信號(hào)線6可以包括柵金屬層40或源漏金屬層60中的至少一個(gè)。
[0067]具體的，封框膠4可以通過位于絕緣層中的過孔和填充在所述絕緣層過孔中的第一透明導(dǎo)電層80與第一信號(hào)線6電性連接。
[0068]對(duì)于底柵型薄膜晶體管陣列基板，柵金屬層40、源漏金屬層60和第一透明導(dǎo)電層80順序設(shè)置在襯底基板30上，陣列基板上的絕緣層包括位于柵金屬層40和源漏金屬層60的柵絕緣層50，和，位于源漏金屬層60和第一透明導(dǎo)電層80之間的層間絕緣層70。當(dāng)用于傳輸所述預(yù)設(shè)電壓的第一信號(hào)線6僅包括柵金屬層40時(shí)，封框膠4通過貫穿柵絕緣層50和層間絕緣層70的過孔和填充在所述過孔中的第一透明導(dǎo)電層80與第一信號(hào)線6電性連接。
[0069]當(dāng)然，第一信號(hào)線6也可以僅包括源漏金屬層60，或包括柵金屬層40和源漏金屬層60。
[0070]對(duì)于半導(dǎo)體器件，一般都會(huì)設(shè)置防靜電結(jié)構(gòu)，用于導(dǎo)出靜電，保護(hù)產(chǎn)品不受靜電干擾，正常工作。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例中，顯示器件的防靜電結(jié)構(gòu)包括:
[0072]設(shè)置在與黑矩陣3相對(duì)的彩膜基板I表面的第二透明導(dǎo)電層90 ;
[0073]設(shè)置在陣列基板2的周邊區(qū)域的連接結(jié)構(gòu)5，陣列基板2的周邊區(qū)域不與彩膜基板I正對(duì)。
[0074]連接結(jié)構(gòu)5與第二透明導(dǎo)電層90連接，用于導(dǎo)出第二透明導(dǎo)電層90上累積的靜電。具體的，連接結(jié)構(gòu)5的另一端連接至地信號(hào)而導(dǎo)走靜電。
[0075]其中，連接結(jié)構(gòu)5可以為銀膠點(diǎn)或?qū)щ娔z帶。
[0076]進(jìn)一步地，當(dāng)彩膜基板上的黑矩陣3覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域時(shí)，為了防止黑矩陣3與連接結(jié)構(gòu)5連接，設(shè)置黑矩陣3的邊緣與所述連接結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)的區(qū)域200被去除。黑矩陣3上的區(qū)域200具體為長(zhǎng)4?8mm、寬0.2?0.5mm的矩形，其中，該區(qū)域200的長(zhǎng)大致平行于黑矩陣3的側(cè)邊。
[0077]結(jié)合圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例中的彩膜基板I具體包括:
[0078]第一襯底基板10，為透明的玻璃、石英、有機(jī)樹脂基板；
[0079]設(shè)置在第一襯底基板10上的黑矩陣3，用于在顯示區(qū)域100限定多個(gè)子像素區(qū)，并覆蓋顯示區(qū)域100外圍的非顯示區(qū)域，黑矩陣3包括位于密封區(qū)域的待連接部；
[0080]位于子像素區(qū)內(nèi)的紅色濾光層31、綠色濾光層32、藍(lán)色濾光層33和白色濾光層34 ；
[0081]覆蓋黑矩陣3和濾光層的平坦層20，僅位于顯示區(qū)域100 ；
[0082]設(shè)置在平坦層20上的取向膜(圖中未示出);
[0083]設(shè)置在與黑矩陣3相對(duì)的第一襯底基板10表面的第二透明導(dǎo)電層90，用于導(dǎo)出顯示器件的靜電。
[0084]結(jié)合圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示器件具體包括:
[0085]上述的彩膜基板I ;
[0086]陣列基板2，包括不與彩膜基板I正對(duì)的周邊區(qū)域；
[0087]設(shè)置在彩膜基板I和陣列基板2的密封區(qū)域的封框膠4，封框膠4中添加有導(dǎo)電金球41 ；
[0088]陣列基板2包括:
[0089]第二襯底基板30，為透明的玻璃、石英、有機(jī)樹脂基板；
[0090]設(shè)置在第二襯底基板30上的薄膜晶體管和第一信號(hào)線6，第一信號(hào)線6用于傳輸公共電極上施加的電壓，其中，薄膜晶體管的柵電極由柵金屬層40形成，薄膜晶體管的源電極和漏電極由源漏金屬層60形成，第一信號(hào)線6由柵金屬層40形成。公共電極由第一透明導(dǎo)電層80形成，像素電極由第三透明導(dǎo)電層(圖中未示出)形成。其中，柵金屬層40、柵絕緣層50、源漏金屬層60、鈍化層、第三透明導(dǎo)電層(圖中未示出)、層間絕緣層70和第一透明導(dǎo)電層80順序設(shè)置在第二襯底基板30上，像素電極通過鈍化層中的過孔與漏電極電性連接。
[0091]第一透明導(dǎo)電層80填充貫穿柵絕緣層50和層間絕緣層70的過孔，封框膠4的一端與黑矩陣3的待連接部接觸設(shè)置，另一端通過所述過孔和填充所述過孔的第一透明導(dǎo)電層80與第一信號(hào)線6電性接觸。第一信號(hào)線6上傳輸?shù)碾妷盒盘?hào)傳輸至公共電極，同時(shí)通過所述過孔、填充所述過孔的第一透明導(dǎo)電層80、封框膠4傳輸至黑矩陣3，使得暗態(tài)顯示時(shí)，黑矩陣3與公共電極上的壓差較小。
[0092]本發(fā)明的技術(shù)方案中，對(duì)于以橫向電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)的顯示器件，當(dāng)彩膜基板的黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分時(shí)，設(shè)置黑矩陣包括待連接部，并通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓，保證暗態(tài)顯示時(shí)黑矩陣與像素電極的壓差，或黑矩陣與公共電極的壓差較小，不足以驅(qū)動(dòng)液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而克服了暗態(tài)顯示時(shí)的發(fā)綠不良現(xiàn)象，提升了廣品的良率和顯不品質(zhì)。
[0093]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種彩膜基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述彩膜基板包括: 黑矩陣，用于在顯示區(qū)域限定多個(gè)子像素區(qū)； 透射特定顏色光線的濾光層，位于所述子像素區(qū)內(nèi)； 覆蓋所述黑矩陣和濾光層的平坦層，其特征在于，所述黑矩陣具有位于非顯示區(qū)域的部分； 所述黑矩陣包括待連接部，通過所述待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩陣覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩陣的外緣對(duì)應(yīng)預(yù)設(shè)位置的區(qū)域被去除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩陣的待連接部所在區(qū)域的平坦層被去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域； 所述黑矩陣的待連接部位于所述密封區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述平坦層僅位于顯示區(qū)域。
7.—種顯示器件，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板包括公共電極和像素電極，其特征在于，所述彩膜基板采用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的彩膜基板； 所述陣列基板通過黑矩陣的待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器件，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的電壓為暗態(tài)顯示時(shí)像素電極上施加的電壓或所述公共電極上施加的電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器件，其特征在于，所述彩膜基板和陣列基板包括位置對(duì)應(yīng)的密封區(qū)域，所述密封區(qū)域設(shè)置有封框膠，用于在彩膜基板和陣列基板之間形成密封空間； 所述黑矩陣的待連接部位于所述密封區(qū)域，位于所述黑矩陣的待連接部所在區(qū)域的平坦層被去除，所述封框膠與所述待連接部接觸設(shè)置； 所述封框膠包括導(dǎo)電金球，所述陣列基板通過所述封框膠和所述黑矩陣的待連接部向所述黑矩陣施加預(yù)設(shè)的電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其特征在于，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板； 所述陣列基板包括多個(gè)導(dǎo)電層，以及位于導(dǎo)電層之間的絕緣層； 所述導(dǎo)電層包括柵金屬層、源漏金屬層和第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層位于陣列基板的最外層； 所述陣列基板還包括信號(hào)線，用于傳輸所述預(yù)設(shè)的電壓，所述封框膠與所述信號(hào)線電性連接； 所述信號(hào)線包括柵金屬層或源漏金屬層中的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器件，其特征在于，所述封框膠通過位于絕緣層中的過孔和填充在所述絕緣層過孔中的第一透明導(dǎo)電層與所述信號(hào)線電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，其特征在于，所述黑矩陣覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域； 所述顯示器件還包括防靜電結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括不與所述彩膜基板正對(duì)的周邊區(qū)域； 所述防靜電結(jié)構(gòu)包括: 設(shè)置在與所述黑矩陣相對(duì)的所述彩膜基板表面的第二透明導(dǎo)電層； 設(shè)置在所述陣列基板的周邊區(qū)域的連接結(jié)構(gòu)； 所述連接結(jié)構(gòu)與所述第二透明導(dǎo)電層連接，用于導(dǎo)出所述第二透明導(dǎo)電層上累積的靜電； 所述黑矩陣的外緣對(duì)應(yīng)預(yù)設(shè)位置的區(qū)域被去除具體為: 所述黑矩陣的外緣與所述連接結(jié)構(gòu)位置對(duì)應(yīng)的區(qū)域被去除。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK104503131SQ201510009253
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2015年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2015年1月8日
【發(fā)明者】馮偉, 王慧 申請(qǐng)人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司