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液晶顯示器及其陣列基板的制作方法

文檔序號(hào):2717164閱讀:169來源:國知局
液晶顯示器及其陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液晶顯示器及其陣列基板。該陣列基板包括:第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,沿第一方向延伸且沿垂直于第一方向的第二方向間隔設(shè)置;第一像素電極和第二像素電極,設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間,且沿第二方向間隔設(shè)置,第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,第二像素電極與第二數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,第一數(shù)據(jù)線為第二像素電極提供灰階電壓,第二數(shù)據(jù)線為第一像素電極提供灰階電壓。通過上述方式,本發(fā)明能夠確保液晶顯示器的顯示品質(zhì),并提高像素開口率。
【專利說明】液晶顯示器及其陣列基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,具體而言涉及一種液晶顯示器及其陣列基板。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,數(shù)據(jù)線通過薄膜晶體管與其相鄰的像素電極電連接,并為其提供灰階電壓。由于薄膜晶體管沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向上所占的元件排布空間較大,為保證像素開口率,位于相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素開口區(qū)無法沿掃描線的延伸方向平行設(shè)置。然而這種設(shè)置會(huì)降低RGB掩膜板的共用性,增加像素電極的制造成本,并且像素開口區(qū)容易與液晶顯示器的光學(xué)膜片發(fā)生光學(xué)干涉,降低液晶顯示器的顯示品質(zhì)。如果保持兩個(gè)像素開口區(qū)沿掃描線的延伸方向平行設(shè)置,必須縮小開口區(qū)的面積,則會(huì)降低像素開口率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示器及其陣列基板,能夠確保液晶顯示器的顯示品質(zhì),并提尚像素開口率。
[0004]本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板,包括:第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸且沿垂直于第一方向的第二方向間隔設(shè)置;第一像素電極和第二像素電極,第一像素電極和第二像素電極設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間,且沿第二方向間隔設(shè)置,第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,第二像素電極與第二數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,第一數(shù)據(jù)線為第二像素電極提供灰階電壓,第二數(shù)據(jù)線為第一像素電極提供灰階電壓。
[0005]其中,陣列基板包括設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,第一數(shù)據(jù)線與第一薄膜晶體管的源極和漏極中的一者電連接,第二像素電極與第一薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接,第二數(shù)據(jù)線與第二薄膜晶體管的源極和漏極中的一者電連接,第一像素電極與第二薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接。
[0006]其中,第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管沿第一方向間隔設(shè)置于第一像素電極和第二像素電極的相對兩側(cè)。
[0007]其中,第一像素電極和第二像素電極沿第二方向平齊設(shè)置。
[0008]其中,第一像素電極和第二像素電極上分別設(shè)置第一開口區(qū)和第二開口區(qū),第一開口區(qū)和第二開口區(qū)沿第二方向平齊設(shè)置。
[0009]其中,陣列基板進(jìn)一步包括第一掃描線和第二掃描線,第一掃描線和第二掃描線沿第二方向延伸且第一方向間隔設(shè)置,第一像素電極、第二像素電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管進(jìn)一步位于第一掃描線和第二掃描線之間,第一掃描線與第一薄膜晶體管相鄰設(shè)置,且與第一薄膜晶體管的柵極電連接,第二掃描線與第二薄膜晶體管相鄰設(shè)置,且與第二薄膜晶體管的柵極電連接。
[0010]其中,陣列基板上進(jìn)一步設(shè)置第一過孔和第二過孔,第二像素電極經(jīng)第一過孔與第一薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接,第一像素電極經(jīng)第二過孔與第二薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接。
[0011]其中,第一過孔和第一薄膜晶體管沿第二方向間隔設(shè)置,第二過孔和第二薄膜晶體管沿第二方向間隔設(shè)置。
[0012]其中,第一過孔和第一薄膜晶體管沿第二方向設(shè)置于同一直線上,第二過孔和第二薄膜晶體管沿第二方向設(shè)置于同一直線上。
[0013]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示器,包括上述陣列面板。
[0014]通過上述技術(shù)方案,本發(fā)明實(shí)施例產(chǎn)生的有益效果是:本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板,設(shè)計(jì)第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸且沿垂直于第一方向的第二方向間隔設(shè)置,第一像素電極和第二像素電極設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間且沿第二方向間隔設(shè)置,第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,第二像素電極與第二數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,通過第一數(shù)據(jù)線為第二像素電極提供灰階電壓,第二數(shù)據(jù)線為第一像素電極提供灰階電壓,增加沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向上的元件排布空間,使得與像素電極連接的元件沿掃描線的延伸方向能夠水平設(shè)置,并且使得位于相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素開口區(qū)可以沿掃描線的延伸方向平行設(shè)置,從而能夠確保液晶顯示器的顯示品質(zhì),并提高像素開口率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖2是圖1所示液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的局部示意圖;
[0017]圖3是本發(fā)明具有圖2所示像素結(jié)構(gòu)的陣列基板的局部示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,本發(fā)明以下所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是圖1所示液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖。請結(jié)合圖1和圖2所示,液晶顯示面板10包括第一基板11、第二基板12和液晶層13,第一基板11和第二基板12相對間隔設(shè)置,其中第二基板12可以為CF(Color Filter,彩色濾光片)彩膜基板,對應(yīng)地,第一基板11可以為TFT (Thin FilmTransistor,薄膜晶體管)陣列基板。
[0020]其中,第一基板11包括透明基體以及設(shè)置于該透明基體上的各種配線和像素電極等。具體地,第一基板11包括多條數(shù)據(jù)線Sn_i,Sn, Sn+1, Sn+2、沿垂直于數(shù)據(jù)線Sn_i,Sn, sn+1, sn+2設(shè)置的多條掃描線Glri, Gn, Gn+1, Gn+2以及由掃描線和數(shù)據(jù)線定義的多個(gè)像素單元P n_1; Pn,…,Pxo多條掃描線Gn+ Gn, Gn+1, Gn+2連接于柵極驅(qū)動(dòng)器,多條數(shù)據(jù)線Sn+ Sn, Sn+1, Sn+2連接于源極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器通過對應(yīng)連接的掃描線為多個(gè)像素單元Plri, Pn,…,Px提供掃描電壓,源極驅(qū)動(dòng)器通過對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線為多個(gè)像素單元Plri, Pn,…,匕提供灰階電壓。
[0021]參閱圖2所示,任意相鄰兩條數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的相鄰兩條掃描線定義結(jié)構(gòu)相同的兩個(gè)像素開口區(qū),每一像素開口區(qū)包括一個(gè)像素電極,本發(fā)明實(shí)施例下文以第一數(shù)據(jù)線Sm、第二數(shù)據(jù)線Sn、第一掃描線Glri和第二掃描線Gn定義的兩個(gè)像素開口區(qū)為例進(jìn)行描述。
[0022]第一數(shù)據(jù)線Slri和第二數(shù)據(jù)線Sn沿第一方向D1延伸且沿第二方向D 2間隔設(shè)置,第一掃描線Glri和第二掃描線Gn沿第二方向D 2延伸且第一方向D工間隔設(shè)置,第一方向D工與第二方向02相垂直。
[0023]第一像素電極Plri和第二像素電極P n設(shè)置于第一數(shù)據(jù)線S n_i和第二數(shù)據(jù)線S ?之間,并且兩者沿第二方向仏間隔設(shè)置,其中第一像素電極Plri與第一數(shù)據(jù)線Slri相鄰設(shè)置,第二像素電極Pn與第二數(shù)據(jù)線S ?相鄰設(shè)置,第一數(shù)據(jù)線S n_i為第二像素電極P n提供灰階電壓,第二數(shù)據(jù)線SnS第一像素電極Plri提供灰階電壓。
[0024]第一數(shù)據(jù)線Slri和第二數(shù)據(jù)線sn2間還設(shè)置有第一薄膜晶體管T jp第二薄膜晶體管T2,第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T 2沿第一方向D i間隔設(shè)置于第一像素電極P n_i和第二像素電極Pn的相對兩側(cè)。第一像素電極P M和第二像素電極P n沿第二方向D 2平齊設(shè)置。
[0025]并且,第一像素電極Plr1、第二像素電極Pn、第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管丁2進(jìn)一步位于第一掃描線Glri和第二掃描線Gn之間,第一掃描線Glri與第一薄膜晶體管T !相鄰設(shè)置,且與第一薄膜晶體管T1的柵極g i電連接,第二掃描線Gn與第二薄膜晶體管T 2相鄰設(shè)置,且與第二薄膜晶體管T2的柵極82電連接。
[0026]另外,第一數(shù)據(jù)線Slri與第一薄膜晶體管T i的源極s i電連接,第二像素電極P1^第一薄膜晶體管T1的漏極d i電連接,第二數(shù)據(jù)線Sn與第二薄膜晶體管T 2的源極S 2電連接,第一像素電極Plri與第二薄膜晶體管T 2的漏極d 2電連接。
[0027]圖3是本發(fā)明具有圖2所示像素結(jié)構(gòu)的陣列基板的局部示意圖。結(jié)合圖3所示,第一像素電極Plri和第二像素電極P ?上分別設(shè)置第一開口區(qū)31和第二開口區(qū)32,第一開口區(qū)31和第二開口區(qū)32沿第二方向D2平齊設(shè)置。陣列基板11上進(jìn)一步設(shè)置第一過孔33和第二過孔34,第一過孔33和第一薄膜晶體管T1沿第二方向D 2間隔設(shè)置,第二過孔34和第二薄膜晶體管T2沿第二方向D 2間隔設(shè)置,第二像素電極P n經(jīng)第一過孔33與第一薄膜晶體管T1的漏極d i電連接,第一像素電極Plri經(jīng)第二過孔34與第二薄膜晶體管T 2的漏極d 2電連接。
[0028]在其它實(shí)施例中,第一數(shù)據(jù)線Slri可以與第一薄膜晶體管T1的漏極Cl1電連接,第二像素電極Pn與第一薄膜晶體管T i的源極S i電連接,第二數(shù)據(jù)線S n與第二薄膜晶體管T 2的漏極d2電連接,第一像素電極P n_i與第二薄膜晶體管T 2的源極s 2電連接。此時(shí),第二像素電極Pn經(jīng)第一過孔33與第一薄膜晶體管T i的源極s i電連接,第一像素電極P n_i經(jīng)第二過孔34與第二薄膜晶體管T2的源極s 2電連接。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例能夠增加沿?cái)?shù)據(jù)線的延伸方向上的元件排布空間,例如第一數(shù)據(jù)線Slri與第二像素電極Pn之間沿第二方向D2上的元件排布空間,使得第一過孔33和第一薄膜晶體管T1沿第二方向D 2設(shè)置于同一直線上,第二過孔34和第二薄膜晶體管T 2沿第二方向D2設(shè)置于同一直線上,并且第一開口區(qū)31和第二開口區(qū)32位于同一直線上,在確保液晶顯不面板10的顯不品質(zhì)的同時(shí),可提尚像素開口率。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯不器,包括權(quán)利要求圖1所述實(shí)施例的液晶顯不面板10,當(dāng)然也包括具有圖2和圖3所述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板11,因此具有與其相同的技術(shù)效果。
[0031]再次說明,以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,例如各實(shí)施例之間技術(shù)特征的相互結(jié)合,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括: 第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸且沿垂直于所述第一方向的第二方向間隔設(shè)置; 第一像素電極和第二像素電極,所述第一像素電極和第二像素電極設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間,且沿所述第二方向間隔設(shè)置,其中所述第一像素電極與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,所述第二像素電極與所述第二數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,所述第一數(shù)據(jù)線為所述第二像素電極提供灰階電壓,所述第二數(shù)據(jù)線為所述第一像素電極提供灰階電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括設(shè)置于所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,其中所述第一數(shù)據(jù)線與所述第一薄膜晶體管的源極和漏極中的一者電連接,所述第二像素電極與所述第一薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接,所述第二數(shù)據(jù)線與所述第二薄膜晶體管的源極和漏極中的一者電連接,所述第一像素電極與所述第二薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管沿所述第一方向間隔設(shè)置于所述第一像素電極和所述第二像素電極的相對兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素電極和所述第二像素電極沿所述第二方向平齊設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一像素電極和所述第二像素電極上分別設(shè)置第一開口區(qū)和第二開口區(qū),所述第一開口區(qū)和所述第二開口區(qū)沿所述第二方向平齊設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板進(jìn)一步包括第一掃描線和第二掃描線,所述第一掃描線和所述第二掃描線沿所述第二方向延伸且所述第一方向間隔設(shè)置,其中所述第一像素電極、所述第二像素電極、所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管進(jìn)一步位于所述第一掃描線和所述第二掃描線之間,其中所述第一掃描線與所述第一薄膜晶體管相鄰設(shè)置,且與所述第一薄膜晶體管的柵極電連接,其中所述第二掃描線與所述第二薄膜晶體管相鄰設(shè)置,且與所述第二薄膜晶體管的柵極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-6任意一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板上進(jìn)一步設(shè)置第一過孔和第二過孔,所述第二像素電極經(jīng)所述第一過孔與所述第一薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接,所述第一像素電極經(jīng)所述第二過孔與所述第二薄膜晶體管的源極和漏極中的另一者電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述第一過孔和所述第一薄膜晶體管沿所述第二方向間隔設(shè)置,所述第二過孔和所述第二薄膜晶體管沿所述第二方向間隔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一過孔和所述第一薄膜晶體管沿所述第二方向設(shè)置于同一直線上,所述第二過孔和所述第二薄膜晶體管沿所述第二方向設(shè)置于同一直線上。
10.一種液晶顯示器,其特征在于,所述液晶顯示器包括權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104460153SQ201410768709
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】王勐 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
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