曝光顯影方法和系統(tǒng)、曝光控制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種曝光顯影方法和系統(tǒng)，該方法用于在基板大于掩膜板時(shí)對(duì)基板的曝光顯影，包括：利用所述掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。采用本發(fā)明提供的曝光顯影方法，能夠使得低世代生產(chǎn)線生產(chǎn)較大尺寸的彩膜基板，從而提高產(chǎn)線利用率，降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】曝光顯影方法和系統(tǒng)、曝光控制系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種曝光顯影方法和系統(tǒng)、曝光控制系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]彩膜基板的生產(chǎn)工藝一般涉及到兩次曝光，一次曝光用于形成黑矩陣，二次曝光用于形成各個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的濾光層以及隔墊物?，F(xiàn)有技術(shù)一般采用與基板的尺寸一致(或大于基板尺寸)的掩膜板采用雙標(biāo)記對(duì)位的方式對(duì)基板進(jìn)行曝光，而一個(gè)基板的生產(chǎn)線一旦確定，掩膜板的尺寸一般也是固定的，為了生產(chǎn)更大尺寸的彩膜基板只能更換生產(chǎn)線，生產(chǎn)成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種能夠在基板尺寸大于掩膜板尺寸時(shí)對(duì)基板進(jìn)行曝光顯影的方法和系統(tǒng)。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種曝光顯影方法，該方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸時(shí)對(duì)基板的曝光顯影，所述方法包括:
[0005]利用所述掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。
[0006]進(jìn)一步的，所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域均與所述基板的邊緣相鄰，且在與該區(qū)域相鄰的基板的邊緣制作有對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記，所述的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記相適應(yīng)；
[0007]所述利用所述掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影包括:
[0008]步驟S11，根據(jù)至少兩個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記確定所述基板相對(duì)于所述掩膜板傾斜的角度，并調(diào)整所述基板或者所述掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度；
[0009]步驟S12，針對(duì)所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0010]進(jìn)一步的，所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域均與基板的第一側(cè)邊緣或者第二側(cè)邊緣相鄰，且在所述基板的第一側(cè)邊緣或者第二側(cè)邊緣制作有對(duì)應(yīng)與各個(gè)區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記；所述掩膜板的第一側(cè)邊緣和第二側(cè)邊緣制作有對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記；其中，所述基板的第一側(cè)和所述掩膜板的第一側(cè)對(duì)應(yīng)，所述基板的第二側(cè)和所述掩膜板的第二側(cè)對(duì)應(yīng)，第一側(cè)和第二側(cè)為相對(duì)的兩側(cè)；
[0011]所述步驟S12包括:
[0012]對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第一側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板將該區(qū)域?qū)?yīng)的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板第一側(cè)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；對(duì)于與基板的第二側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板將該區(qū)域?qū)?yīng)的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板第二側(cè)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0013]進(jìn)一步的,步驟S12中將基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)包括:
[0014]將基板對(duì)位標(biāo)記的中心和掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0015]進(jìn)一步的，所述基板為制作有黑矩陣的基板，所述黑矩陣限定了形成子像素的開口部圖形；
[0016]所述步驟S12之后，所述步驟SI還包括:
[0017]步驟S13，對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第一側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，識(shí)別所述掩膜板第二側(cè)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將位于所述掩膜板第二側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)；對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第二側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，識(shí)別位于所述掩膜板第一側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將位于所述掩膜板第一側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0018]進(jìn)一步的，所述步驟S13中識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，包括:
[0019]根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心所落入的開口部圖形。
[0020]進(jìn)一步的，所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記包括一子圖形，所述子圖形為“田”字形，該“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)為掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心，且所述“田”字形子圖形大小與開口部圖形的大小一致；
[0021]所述步驟S13中識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，包括:
[0022]識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形；
[0023]所述步驟S13中將掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)包括:
[0024]將掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)。
[0025]本發(fā)明還提供了一種曝光控制系統(tǒng)，包括:
[0026]控制模塊，用于在需要曝光顯影的基板尺寸大于掩膜板尺寸時(shí)，調(diào)整掩膜板和基板的相對(duì)位置，使掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。
[0027]進(jìn)一步的，所述控制模塊具體包括:
[0028]圖像識(shí)別子模塊，用于獲取包含有基板標(biāo)記和掩膜板標(biāo)記的圖像，并根據(jù)獲取到的圖像識(shí)別所述基板上的基板對(duì)位標(biāo)記和所述掩膜板上的掩膜板對(duì)位標(biāo)記；
[0029]第一調(diào)整子模塊，用于根據(jù)基板上的至少兩個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記確定所述基板相對(duì)于所述掩膜板傾斜的角度，并調(diào)整所述基板或者所述掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度；
[0030]第二調(diào)整子模塊，用于針對(duì)所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0031]進(jìn)一步的，所述圖像識(shí)別子模塊，還用于在所述基板為制作有黑矩陣的基板時(shí)，識(shí)別位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形；所述開口部圖形為所述黑矩陣限定的用以形成子像素的圖形；
[0032]所述控制模塊還包括:
[0033]第三調(diào)整子模塊，用于調(diào)整位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0034]進(jìn)一步的，所述圖像識(shí)別子模塊，具體用于根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心所在的開口部圖形。
[0035]進(jìn)一步的，所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記包括一子圖形，所述子圖形為“田”字形，該“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)為掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心，且所述“田”字形子圖形大小與開口部圖形的大小一致；
[0036]所述第三調(diào)整子模塊具體用于識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將“田”字形子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)。
[0037]本發(fā)明還提供了一種曝光顯影系統(tǒng)，包括上述任一項(xiàng)所述的曝光控制系統(tǒng)。
[0038]本發(fā)明提供的曝光顯影方法中，利用掩膜板對(duì)基板的多個(gè)區(qū)域分別進(jìn)行曝光，多個(gè)區(qū)域共同拼接為全部需要曝光的區(qū)域，這樣就能夠使用較小的掩膜板對(duì)相對(duì)較大的基板進(jìn)行曝光顯影。采用本發(fā)明提供的曝光顯影方法，能夠使得低世代生產(chǎn)線生產(chǎn)較大尺寸的彩膜基板，從而提高產(chǎn)線利用率，降低生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]圖1a-圖1e為采用本發(fā)明實(shí)施例一提供的曝光顯影方法對(duì)基板曝光的過程中在不同階段掩膜板與基板的位置關(guān)系的示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的曝光顯影方法的流程示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的曝光顯影方法中進(jìn)行第二步曝光時(shí)基板與掩膜板的位置關(guān)系示意圖；
[0042]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三中提供的曝光顯影方法的流程示意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明實(shí)施例四提供的曝光顯影方法的流程示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種可選的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的不意圖；
[0045]圖7為圖5中的步驟507或者步驟510之后掩膜板對(duì)位標(biāo)記與開口部的位置示意圖；
[0046]圖8為本發(fā)明實(shí)施例五提供的曝光顯影方法的流程示意圖；
[0047]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；。

【具體實(shí)施方式】
[0048]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0049]本發(fā)明提供了一種對(duì)位曝光方法，該方法中，利用具有較小尺寸的掩膜板依次對(duì)具有較大尺寸的基板上的多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，從而使用較小尺寸的掩膜板完成對(duì)較大尺寸的基板的曝光顯影。采用本發(fā)明提供的對(duì)位曝光方法能夠使得低世代生產(chǎn)線生產(chǎn)大于該世代線設(shè)計(jì)尺寸的彩膜基板，從而提高產(chǎn)線利用率，降低生產(chǎn)成本。當(dāng)然，本發(fā)明提供的對(duì)位曝光方法也可以用于生產(chǎn)其他具有重復(fù)結(jié)構(gòu)的基板，相應(yīng)的，也能夠達(dá)到同樣的技術(shù)效果。以下僅結(jié)合對(duì)彩膜基板制作過程中的二次曝光進(jìn)行說明。
[0050]實(shí)施例一
[0051]如圖1a所示，假設(shè)本發(fā)明的實(shí)施例一中，需要曝光的基板(圖中表示為10)的豎向尺寸與掩膜板(圖中表不為20)的豎向尺寸相當(dāng)，該基板的橫向尺寸為掩膜板的橫向尺寸的兩倍，在基板的左右兩側(cè)邊緣均制作有基板對(duì)位標(biāo)記“XX”，在掩膜板的左右兩側(cè)邊緣均制作有掩膜板對(duì)位標(biāo)記“?”(圖中僅示出了標(biāo)記和需要曝光的區(qū)域，以及掩膜板的圖形區(qū)域，未示出邊緣部分)。在該基板放入到承載臺(tái)后，位于左側(cè)邊緣的基板對(duì)位標(biāo)記落入到曝光顯影系統(tǒng)的左攝像機(jī)的視野范圍，對(duì)該基板進(jìn)行曝光顯影方法可以如圖2所示，具體包括:
[0052]步驟201,識(shí)別基板的左側(cè)邊緣處的基板對(duì)位標(biāo)記，并記錄該左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記的坐標(biāo)。
[0053]一般的，曝光系統(tǒng)的左右攝像機(jī)分別對(duì)準(zhǔn)掩膜板的左右掩膜板對(duì)位標(biāo)記，此時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中，假設(shè)左則掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心的坐標(biāo)為(0，O)，則右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心的坐標(biāo)為(L，0)，其中L為掩膜板的寬度。此時(shí)，可以以左則掩膜板對(duì)位標(biāo)記為參照獲取左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記中心的坐標(biāo)為(xl，yl)。
[0054]步驟202，控制承載臺(tái)將所述基板向左移動(dòng)預(yù)設(shè)距離，使右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記落入右側(cè)攝像機(jī)的視野范圍。
[0055]具體的，可以將基板向左移動(dòng)L的距離，此時(shí)，右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記會(huì)落入右側(cè)攝像機(jī)的視野范圍。經(jīng)步驟202之后，掩膜板與基板的位置關(guān)系可以如圖1b所示。
[0056]步驟203，識(shí)別基板的右側(cè)邊緣處的基板對(duì)位標(biāo)記，并記錄該右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記的坐標(biāo)。
[0057]具體的，可以根據(jù)右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記與右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置確定右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記的坐標(biāo)，假設(shè)右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記中心的坐標(biāo)為(x2，y2)。
[0058]步驟204，根據(jù)左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記和右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記確定基板相對(duì)于掩膜板傾斜的角度。
[0059]具體的,這里的傾斜角度α的計(jì)算方式可以為a = arc tan(y2_yl)/(x2_xl)。
[0060]步驟205，根據(jù)步驟204確定的角度旋轉(zhuǎn)掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度。
[0061]當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，也可以旋轉(zhuǎn)承載臺(tái)以補(bǔ)正傾斜的角度。經(jīng)步驟205之后，掩膜板與基板的位置關(guān)系可以如圖1c所示。在本發(fā)明中補(bǔ)正傾斜的角度意指例如通過旋轉(zhuǎn)等方式使基板和掩膜板之間傾斜的角度接近于零，注意，傾斜的角度是指基板和掩膜板所在平面平行的情況下兩者各自對(duì)應(yīng)對(duì)位標(biāo)記連線之間的夾角。
[0062]步驟206，移動(dòng)承載臺(tái)使基板的右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板的右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，之后轉(zhuǎn)向步驟207。
[0063]在具體實(shí)施時(shí)，可以使承載臺(tái)在X軸方向移動(dòng)，之后在y軸方向移動(dòng)，或者，使承載臺(tái)在I軸方向移動(dòng)，之后在X軸方向移動(dòng)，當(dāng)然移動(dòng)過程不應(yīng)使基板相對(duì)于掩膜板發(fā)生旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明實(shí)施例中所指的使基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，可以是指使基板對(duì)位標(biāo)記的幾何中心與掩膜板對(duì)位標(biāo)記的幾何中心對(duì)準(zhǔn)。當(dāng)然在實(shí)際的應(yīng)用中，在選擇的對(duì)位標(biāo)記的形狀不同時(shí)，也可以選擇其他的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)使基板對(duì)位標(biāo)記和掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0064]經(jīng)步驟206之后，掩膜板與基板的位置關(guān)系可以如圖1d所示。
[0065]步驟207，進(jìn)行第一步曝光。
[0066]步驟208，移動(dòng)承載臺(tái)使基板的左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板的左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，之后轉(zhuǎn)向步驟209。
[0067]經(jīng)步驟208之后，掩膜板與基板的位置關(guān)系可以如圖1e所示。
[0068]步驟209，進(jìn)行第二步曝光。
[0069]至此，完成了對(duì)整個(gè)基板的曝光。
[0070]在具體應(yīng)用中，步驟206-步驟207和步驟208-步驟209的順序可以對(duì)調(diào)，并且在實(shí)際應(yīng)用中，在步驟204之后，在曝光顯影之前，也可以先執(zhí)行步驟206或步驟208，之后進(jìn)行斜率調(diào)整，相應(yīng)的技術(shù)方案能夠達(dá)到相同的效果，也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例一中，使用較小尺寸的掩膜板依次對(duì)較大尺寸的基板上不同的區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，從而完成了對(duì)整個(gè)基板(需要曝光區(qū)域)的曝光顯影。另外，本發(fā)明實(shí)施例中，還計(jì)算基板相對(duì)于掩膜板傾斜的角度，根據(jù)計(jì)算得到的角度調(diào)整基板與掩膜板準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，達(dá)到準(zhǔn)確曝光的目的。
[0072]實(shí)施例二
[0073]如圖3所示，與實(shí)施例一所要制作的基板不同的是，本發(fā)明實(shí)施例二所要曝光的基板的橫向尺寸大于掩膜板的橫向尺寸但小于掩膜板的橫向尺寸的兩倍。此時(shí)，在第二步曝光時(shí)，如圖3所示，可以對(duì)第一步曝光的區(qū)域進(jìn)行遮蓋，避免對(duì)同一區(qū)域的多次曝光。
[0074]另外，需要指出的是，本發(fā)明實(shí)施例一或二中，雖然記載的是在基板的左側(cè)和右側(cè)邊緣設(shè)置對(duì)位標(biāo)記的情形，但是在實(shí)際應(yīng)用中，基板對(duì)位標(biāo)記也可以制作在基板的上側(cè)邊緣和下側(cè)邊緣，此時(shí)可以在掩膜板的上側(cè)邊緣和下側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)的制作掩膜板對(duì)位標(biāo)記，并完成相應(yīng)的對(duì)位曝光。其對(duì)應(yīng)的技術(shù)方案同樣應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0075]實(shí)施例三
[0076]如圖4所示，與實(shí)施例一所要制作的基板不同的是，本發(fā)明實(shí)施例三所要制作的基板的豎向尺寸為掩膜板的豎向尺寸的三倍。此時(shí)，可以按照?qǐng)D中箭頭所示方向需要分六步完成對(duì)基板的曝光。并且在進(jìn)行曝光之前，需要在基板的兩側(cè)邊緣處制作六個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記，每一個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記對(duì)應(yīng)于一步曝光的區(qū)域。制作基板對(duì)位標(biāo)記的過程可以在制作黑矩陣時(shí)完成。
[0077]實(shí)施例四
[0078]本發(fā)明實(shí)施例四提供的曝光顯影方法與實(shí)施例提供的曝光顯影方法不同的是，利用一個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的開口部圖形作為第二個(gè)對(duì)位標(biāo)記使掩膜板和基板更精確的對(duì)位，該方法的具體流程可以如圖5所示，包括:
[0079]步驟501-步驟506對(duì)應(yīng)于步驟201-步驟206 ；
[0080]步驟507，根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的子像素的圖形識(shí)別左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將所述左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0081]實(shí)際應(yīng)用中，在執(zhí)行步驟507的過程中，應(yīng)保持右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記與右側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，通過對(duì)基板或者掩膜板進(jìn)行適度的旋轉(zhuǎn)使左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。這里的開口部圖形是指由黑矩陣所限定的用以形成子像素的圖形。
[0082]在實(shí)際應(yīng)用中，可以預(yù)先繪制開口部圖形并存儲(chǔ)，在識(shí)別時(shí)，首先根據(jù)左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的圖形計(jì)算出左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心坐標(biāo)，之后根據(jù)存儲(chǔ)的開口部圖形在拍攝到的圖形中自左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記中心處識(shí)別出一個(gè)位于基板上的開口部圖形，左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記中心落入識(shí)別出的開口部圖形中。之后計(jì)算識(shí)別出的開口部圖形的中心，并移動(dòng)承載臺(tái)或者掩膜板使左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記中心與識(shí)別出的開口部圖形的中心相對(duì)應(yīng)。這樣的方案適于在掩膜板對(duì)位標(biāo)記的圖案較為簡(jiǎn)單時(shí)實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的對(duì)位過程。
[0083]在另一種可選的方案中，如圖6所示，可以在掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心繪制一子圖形，該子圖形為“田”字形，該“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)為所述子圖形的中心，且所述子圖形大小與開口部圖形的大小一致；
[0084]此時(shí)，識(shí)別左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，可以具體為識(shí)別左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形；將左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)可以具體為:將左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)。這樣，在識(shí)別子像素圖形時(shí)，識(shí)別“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形即可，在進(jìn)行對(duì)位時(shí)，將左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)即可，這樣的對(duì)位無需繁雜的計(jì)算過程，降低了相應(yīng)的控制系統(tǒng)的制作難度，且對(duì)位更為精準(zhǔn)。
[0085]不難理解的，上述預(yù)先繪制的開口部圖形以及掩膜板對(duì)位標(biāo)記中的“田”字形子圖形的大小與CCD相機(jī)拍攝得到的圖像中開口部圖形的大小完全一致。在將預(yù)先繪制的開口部圖形以及制作在掩膜板對(duì)位標(biāo)記中的“田”字形子圖形的中心與實(shí)際拍攝得到的一個(gè)開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)后，預(yù)先繪制的開口部圖形以及制作在掩膜板對(duì)位標(biāo)記中的“田”字形子圖形不應(yīng)整體落在實(shí)際拍攝得到的一個(gè)開口部圖形內(nèi)部，也不應(yīng)超出實(shí)際拍攝得到的一個(gè)開口部圖形的邊界。
[0086]步驟508，進(jìn)行第一步曝光。
[0087]步驟509，移動(dòng)承載臺(tái)使基板的左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板的左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0088]步驟510，根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將所述右側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0089]相應(yīng)的，在執(zhí)行步驟510的過程中，也應(yīng)保持左側(cè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記與左側(cè)基板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0090]步驟511，進(jìn)行第二步曝光。
[0091]步驟507或者步驟510之后，掩膜板對(duì)位標(biāo)記“ ?”與開口部“口”的位置示意圖可以如圖7所示。
[0092]在具體實(shí)施時(shí)，為了保證顯示效果，不會(huì)在基板的顯示區(qū)域(需要曝光的區(qū)域)制作對(duì)位標(biāo)記，掩膜板與基板只能通過一組對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明實(shí)施例一中，通過斜率調(diào)整雖然能夠基本保證掩膜板與基板進(jìn)本對(duì)準(zhǔn)，但仍可能存在較小的誤差。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例四提供的曝光顯影方法，利用一個(gè)子像素作為第二個(gè)對(duì)位標(biāo)記，能夠?qū)崿F(xiàn)掩膜板與基板更準(zhǔn)確的對(duì)位。
[0093]實(shí)施例五
[0094]與實(shí)施例一、二、三或四不同的是，如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例五所要制作的基板的豎向尺寸是掩膜板的豎向尺寸的兩倍，基板的橫向尺寸與掩膜板的橫向尺寸一致。此時(shí)，如圖8所示，可以在基板的上側(cè)邊緣和下側(cè)邊緣各制作一個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記，相應(yīng)的，在掩膜板的上側(cè)邊緣和下側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)的制作掩膜板對(duì)位標(biāo)記。并按照與實(shí)施例一相一致的方式，實(shí)現(xiàn)掩膜板與基板的對(duì)準(zhǔn)。
[0095]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一、二、三或四提供的方案，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，只要所要曝光顯影的基板的橫向尺寸或者豎向尺寸中有一個(gè)尺寸不大于掩膜板對(duì)應(yīng)尺寸的兩倍，都能夠使得需要曝光的各個(gè)區(qū)域均與基板的邊緣相鄰，此時(shí)，都可以通過設(shè)置在基板邊緣的基板對(duì)位標(biāo)記實(shí)現(xiàn)對(duì)掩膜板與基板相應(yīng)區(qū)域的對(duì)位。相應(yīng)的，當(dāng)基板的尺寸不為掩膜板的尺寸整數(shù)倍時(shí)，可以對(duì)已完成曝光顯影的區(qū)域進(jìn)行遮蓋，避免重復(fù)曝光。
[0096]作為一種可選的方式，可以在每一步曝光時(shí)對(duì)本步曝光時(shí)不需要曝光的區(qū)域進(jìn)行遮蓋，避免因衍射作用導(dǎo)致相鄰區(qū)域被曝光。
[0097]需要指出的是，本發(fā)明實(shí)施例一至五中，雖然僅描述了通過調(diào)整基板相對(duì)于掩膜板的斜率并使一個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記與一個(gè)掩膜板對(duì)位標(biāo)記相對(duì)準(zhǔn)以實(shí)現(xiàn)基板與掩膜板對(duì)準(zhǔn)，但是在實(shí)際應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)基板與掩膜板對(duì)位的方式并不局限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)施本發(fā)明的過程中也可以根據(jù)需要采用其他的對(duì)位方式對(duì)掩膜板進(jìn)行對(duì)位，其對(duì)應(yīng)的技術(shù)方案也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0098]本發(fā)明還提供了一種曝光控制系統(tǒng)，可用于實(shí)現(xiàn)上述的曝光顯影方法，該系統(tǒng)包括:
[0099]控制模塊，用于在需要曝光顯影的基板大于掩膜板時(shí)，調(diào)整掩膜板和基板的相對(duì)位置，使掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。
[0100]本發(fā)明提供的曝光顯影系統(tǒng)，在需要曝光顯影的基板大于掩膜板時(shí)，調(diào)整掩膜板和基板的相對(duì)位置，利用掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。采用本發(fā)明提供的曝光顯影方法，能夠使得低世代生產(chǎn)線生產(chǎn)較大尺寸的彩膜基板，從而提高產(chǎn)線利用率，降低生產(chǎn)成本。
[0101]進(jìn)一步的，如圖9所示，所述控制模塊具體包括:
[0102]圖像識(shí)別子模塊901，用于獲取包含有基板和掩膜板的圖像，并根據(jù)獲取到的圖像識(shí)別所述基板上的基板對(duì)位標(biāo)記和所述掩膜板上的掩膜板對(duì)位標(biāo)記；
[0103]第一調(diào)整子模塊902，用于根據(jù)基板上的至少兩個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記確定所述基板相對(duì)于所述掩膜板傾斜的角度，并調(diào)整所述基板或者所述掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度；
[0104]第二調(diào)整子模塊903，用于針對(duì)所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0105]進(jìn)一步的，圖像識(shí)別子模塊901，還用于在所述基板為制作有黑矩陣的基板時(shí)，識(shí)別位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形；
[0106]所述控制模塊還包括:
[0107]第三調(diào)整子模塊904，用于調(diào)整位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
[0108]進(jìn)一步的，圖像識(shí)別子模塊901，具體用于根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心所在的開口部圖形。
[0109]本發(fā)明還提供了一種曝光顯影系統(tǒng)，包括上述任一項(xiàng)所述的曝光控制系統(tǒng)。
[0110]當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，所述的曝光顯影系統(tǒng)還可能包括驅(qū)動(dòng)掩膜板或者基板運(yùn)動(dòng)的馬達(dá)，制作有掩膜圖案的掩膜板，承載掩膜板的承載臺(tái)，用于采集圖像的攝像機(jī)等，在此不再詳細(xì)說明。
[0111]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種曝光顯影方法，其特征在于，該方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸時(shí)對(duì)基板的曝光顯影，所述方法包括: 利用所述掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域均與所述基板的邊緣相鄰，且在與該區(qū)域相鄰的基板的邊緣制作有對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記，所述的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記相適應(yīng)； 所述利用所述掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影包括: 步驟S11，根據(jù)至少兩個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記確定所述基板相對(duì)于所述掩膜板傾斜的角度，并調(diào)整所述基板或者所述掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度； 步驟S12，針對(duì)所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域均與基板的第一側(cè)邊緣或者第二側(cè)邊緣相鄰，且在所述基板的第一側(cè)邊緣或者第二側(cè)邊緣制作有對(duì)應(yīng)與各個(gè)區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記；所述掩膜板的第一側(cè)邊緣和第二側(cè)邊緣制作有對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記；其中，所述基板的第一側(cè)和所述掩膜板的第一側(cè)對(duì)應(yīng)，所述基板的第二側(cè)和所述掩膜板的第二側(cè)對(duì)應(yīng)，第一側(cè)和第二側(cè)為相對(duì)的兩側(cè)； 所述步驟S12包括: 對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第一側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板將該區(qū)域?qū)?yīng)的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板第一側(cè)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；對(duì)于與基板的第二側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板將該區(qū)域?qū)?yīng)的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板第二側(cè)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 步驟S12中將基板對(duì)位標(biāo)記與掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)包括: 將基板對(duì)位標(biāo)記的中心和掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心對(duì)準(zhǔn)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板為制作有黑矩陣的基板，所述黑矩陣限定了形成子像素的開口部圖形； 所述步驟S12之后，所述方法還包括: 步驟S13，對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第一側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，識(shí)別位于所述掩膜板第二側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將位于所述掩膜板第二側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)；對(duì)于所述多個(gè)不同區(qū)域中與基板的第二側(cè)邊緣相鄰的區(qū)域，識(shí)別位于所述掩膜板第一側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將位于所述掩膜板第一側(cè)邊緣的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S13中識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，包括: 根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心所對(duì)應(yīng)的開口部圖形。
7.如權(quán)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記包括一子圖形，所述子圖形為“田”字形，該“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)為掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心，且所述“田”字形子圖形大小與開口部圖形的大小一致； 所述步驟S13中識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，包括: 識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形； 所述步驟S13中將掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)包括: 將掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)。
8.—種曝光控制系統(tǒng),其特征在于,包括: 控制模塊，用于在需要曝光顯影的基板尺寸大于掩膜板尺寸時(shí)，調(diào)整掩膜板和基板的相對(duì)位置，使掩膜板分別對(duì)基板多個(gè)不同區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，所述多個(gè)不同區(qū)域拼接為全部需要曝光顯影的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊具體包括: 圖像識(shí)別子模塊，用于獲取包含有基板標(biāo)記和掩膜板標(biāo)記的圖像，并根據(jù)獲取到的圖像識(shí)別所述基板上的基板對(duì)位標(biāo)記和所述掩膜板上的掩膜板對(duì)位標(biāo)記； 第一調(diào)整子模塊，用于根據(jù)基板上的至少兩個(gè)基板對(duì)位標(biāo)記確定所述基板相對(duì)于所述掩膜板傾斜的角度，并調(diào)整所述基板或者所述掩膜板以補(bǔ)正傾斜的角度； 第二調(diào)整子模塊，用于針對(duì)所述多個(gè)不同區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域，調(diào)整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上對(duì)應(yīng)于該區(qū)域的基板對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜板上對(duì)應(yīng)的掩膜板對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像識(shí)別子模塊，還用于在所述基板為制作有黑矩陣的基板時(shí)，識(shí)別位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的開口部圖形；所述開口部圖形為所述黑矩陣限定的用以形成子像素的圖形； 所述控制模塊還包括: 第三調(diào)整子模塊，用于調(diào)整位于曝光區(qū)域的掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形的中心對(duì)準(zhǔn)。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像識(shí)別子模塊，具體用于根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的開口部圖形識(shí)別所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心所在的開口部圖形。
12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述掩膜板對(duì)位標(biāo)記包括一子圖形，所述子圖形為“田”字形，該“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)為掩膜板對(duì)位標(biāo)記的中心，且所述“田”字形子圖形大小與開口部圖形的大小一致； 所述第三調(diào)整子模塊具體用于識(shí)別掩膜板對(duì)位標(biāo)記的“田”字形子圖形中十字的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的開口部圖形，并將“田”字形子圖形與所對(duì)應(yīng)的開口部圖形對(duì)準(zhǔn)。
13.一種曝光顯影系統(tǒng)，包括如權(quán)利要求8-12任一項(xiàng)所述的曝光控制系統(tǒng)。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104391431SQ201410766896
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】余學(xué)權(quán), 徐先華, 劉志, 王志強(qiáng), 張偉, 成學(xué)佩 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司