像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板、數(shù)據(jù)線、遮光線、第一掃描線、濾光層與像素電極?；宥x一對兩相鄰的子像素區(qū)。二對數(shù)據(jù)線分別置于二子像素區(qū)，并分別延伸經(jīng)過二子像素區(qū)。遮光線設(shè)置在子像素區(qū)的邊界。像素電極分別置于子像素區(qū)中且分別置于濾光層上。每一像素電極包含第一主干電極、二屏蔽電極、第一分支電極與第二分支電極。屏蔽電極分別置于第一主干電極與遮光線之間，且分別置于數(shù)據(jù)線上方。第一分支電極分別置于第一主干電極與屏蔽電極之間。兩相鄰的第一分支電極形成第一狹縫。第二分支電極分別置于屏蔽電極與遮光線之間。兩相鄰的第二分支電極形成第二狹縫。第一狹縫與第二狹縫皆互相分離。上述的像素結(jié)構(gòu)可抑制數(shù)據(jù)線的電場自像素電極竄出。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]一般的液晶面板的像素結(jié)構(gòu)是由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯定義出像素單元。像素電極置于像素單元中，通過施加電場而控制位于其上方的液晶分子的轉(zhuǎn)向。然而隨著液晶面板的發(fā)展，為了追求更高的開口率、更好的顯示品質(zhì)、更廣的觀看視角等等，各式各樣的像素結(jié)構(gòu)被設(shè)計出來。在一些像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，像素電極會與數(shù)據(jù)線互相重疊，若像素電極具有開口，數(shù)據(jù)線的電場便可能會從開口竄出，進(jìn)而擾亂液晶分子的轉(zhuǎn)向，使得液晶面板產(chǎn)生漏光的問題。因此如何設(shè)計像素結(jié)構(gòu)以改善上述問題為目前業(yè)界努力解決的目標(biāo)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一方面提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板、至少二對數(shù)據(jù)線、多條遮光線、第一掃描線、二濾光層與二像素電極。基板定義有一相鄰的二子像素區(qū)。二對數(shù)據(jù)線分別置于二子像素區(qū)，并分別延伸經(jīng)過二子像素區(qū)。遮光線設(shè)置在二子像素區(qū)的邊界。第一掃描線設(shè)置于基板。第一掃描線與二對數(shù)據(jù)線以及遮光線部分重疊。濾光層分別置于二子像素區(qū)中且置于二對數(shù)據(jù)線上。像素電極分別置于二子像素區(qū)中且分別置于二濾光層上。每一像素電極包含第一主干電極、二屏蔽電極、多條第一分支電極與多條第二分支電極。屏蔽電極分別置于第一主干電極與遮光線之間，且屏蔽電極分別置于數(shù)據(jù)線上方。第一分支電極分別置于第一主干電極與屏蔽電極之間。兩相鄰的第一分支電極形成第一狹縫。第二分支電極分別置于屏蔽電極與遮光線之間。兩相鄰的第二分支電極形成第二狹縫。第一狹縫與第二狹縫皆互相分離。
[0004]在一或多個實施方式中，每一屏蔽電極還具有多個第三狹縫。每一第三狹縫與相鄰的第一狹縫及第二狹縫相連通，且第三狹縫的寬度小于第一狹縫或第二狹縫的寬度。
[0005]在一或多個實施方式中，第三狹縫的延伸方向平行于第一狹縫或第二狹縫的延伸方向。
[0006]在一或多個實施方式中，第三狹縫的延伸方向與第一狹縫或第二狹縫的延伸方向相交。
[0007]在一或多個實施方式中，像素電極的垂直投影與遮光線部分重疊。
[0008]在一或多個實施方式中，屏蔽電極與數(shù)據(jù)線實質(zhì)平行。
[0009]在一或多個實施方式中，每一像素電極還包含外框電極。第一主干電極、屏蔽電極、第一分支電極與第二分支電極皆置于外框電極內(nèi)，且每一屏蔽電極的相對兩端部分別與外框電極的相對兩側(cè)相接。
[0010]在一或多個實施方式中，每一像素電極還包含第二主干電極，與第一主干電極交錯，以形成四個配向區(qū)。于同一配向區(qū)中的第一分支電極與第二分支電極實質(zhì)朝同一方向延伸。[0011 ] 在一或多個實施方式中，第一狹縫與第二狹縫實質(zhì)具有相同寬度。
[0012]在一或多個實施方式中，每一數(shù)據(jù)線具有第一寬度，且每一屏蔽電極具有第二寬度，第一寬度大于第二寬度。
[0013]在一或多個實施方式中，第二寬度約為第一寬度的一半。
[0014]在一或多個實施方式中，第一寬度小于第二寬度。
[0015]在一或多個實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含介電層，置于基板與濾光層之間。數(shù)據(jù)線置于介電層與濾光層之間。每一遮光線包含第一線段，置于基板與介電層之間。第一線段與第一掃描線互相分離。
[0016]在一或多個實施方式中，每一遮光線還包含第二線段，置于介電層與濾光層之間。第二線段與數(shù)據(jù)線互相分離，且第二線段的垂直投影與第一線段部分重疊。
[0017]在一或多個實施方式中，遮光線的材質(zhì)為金屬。
[0018]在一或多個實施方式中，對應(yīng)二子像素區(qū)的濾光層為不同顏色。
[0019]在一或多個實施方式中，子像素區(qū)分為至少一第一主像素區(qū)與至少一第一次像素區(qū)。第一主像素區(qū)與第一次像素區(qū)沿數(shù)據(jù)線延伸方向交替排列。每對數(shù)據(jù)線皆包含第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線，且第一掃描線的數(shù)量為多個。像素結(jié)構(gòu)還包含第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管電性連接一個第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線與第一主像素區(qū)的像素電極。第二晶體管電性連接另一個第一掃描線、第二數(shù)據(jù)線與第一次像素區(qū)的像素電極。
[0020]在一或多個實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含第二掃描線、第三晶體管與電容。第二掃描線與第一掃描線交替排列。第三晶體管與第二掃描線電性連接。電容置于一個子像素區(qū)中，且與第三晶體管電性連接。
[0021]本發(fā)明的另一方面提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條遮光線、至少一數(shù)據(jù)線、濾光層與像素電極。第一掃描線置于基板上。第二掃描線置于基板上且與第一掃描線交替設(shè)置。遮光線置于基板上。相鄰的第一掃描線、第二掃描線與相鄰兩條遮光線交錯以于基板上定義一子像素區(qū)。數(shù)據(jù)線置于基板上方且貫穿子像素區(qū)。濾光層置于子像素區(qū)中且置于數(shù)據(jù)線上。像素電極置于子像素區(qū)中且置于濾光層上。像素電極包含第一主干電極、屏蔽電極、多條第一分支電極與多條第二分支電極。屏蔽電極置于第一主干電極與遮光線之間，且屏蔽電極置于數(shù)據(jù)線上方。第一分支電極分別置于第一主干電極與屏蔽電極之間，兩相鄰的第一分支電極形成第一狹縫。第二分支電極分別置于屏蔽電極與遮光線之間。兩相鄰的第二分支電極形成第二狹縫。第一狹縫與第二狹縫皆互相分離。
[0022]在一或多個實施方式中，每一屏蔽電極還具有多個第三狹縫。每一第三狹縫與相鄰的第一狹縫及第二狹縫相連通，且第三狹縫的寬度小于第一狹縫或第二狹縫的寬度。
[0023]在一或多個實施方式中，第三狹縫的延伸方向平行于第一狹縫或第二狹縫的延伸方向。
[0024]在一或多個實施方式中，第三狹縫的延伸方向與第一狹縫或第二狹縫的延伸方向相交。
[0025]在一或多個實施方式中，像素電極的垂直投影與遮光線部分重疊。
[0026]在一或多個實施方式中，屏蔽電極與數(shù)據(jù)線實質(zhì)平行。
[0027]在一或多個實施方式中，像素電極還包含外框電極。第一主干電極、屏蔽電極、第一分支電極與第二分支電極皆置于外框電極內(nèi)，且屏蔽電極的相對兩端部分別與外框電極的相對兩側(cè)相接。
[0028]在一或多個實施方式中，像素電極還包含第二主干電極，與第一主干電極交錯，以形成四個配向區(qū)。于同一配向區(qū)中的第一分支電極與第二分支電極實質(zhì)朝同一方向延伸。
[0029]在一或多個實施方式中，第一狹縫與第二狹縫實質(zhì)具有相同寬度。
[0030]在一或多個實施方式中，數(shù)據(jù)線具有第一寬度，且屏蔽電極具有第二寬度。第一寬度大于第二寬度。
[0031]在一或多個實施方式中，第二寬度約為第一寬度的一半。
[0032]在一或多個實施方式中，第一寬度小于第二寬度。
[0033]在一或多個實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含介電層，置于基板與濾光層之間。數(shù)據(jù)線位于介電層與濾光層之間。每一遮光線包含第一線段，置于介電層與濾光層之間。第一線段與第一掃描線互相分離。
[0034]在一或多個實施方式中，每一遮光線還包含第二線段，置于介電層與濾光層之間。第二線段與數(shù)據(jù)線互相分離，且第二線段的垂直投影與第一線段部分重疊。
[0035]在一或多個實施方式中，子像素區(qū)與濾光層的數(shù)量皆為多個。對應(yīng)兩相鄰的子像素區(qū)的濾光層為不同顏色。
[0036]在一或多個實施方式中，數(shù)據(jù)線與屏蔽電極的數(shù)量皆為多個，二個數(shù)據(jù)線貫穿同一子像素區(qū)，且二個屏蔽電極分別位于數(shù)據(jù)線上方。
[0037]在一或多個實施方式中，子像素區(qū)的數(shù)量為多個，且分為至少一第一主像素區(qū)與至少一第一次像素區(qū)。第一主像素區(qū)與第一次像素區(qū)沿數(shù)據(jù)線延伸方向交替排列。數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線，且第一掃描線的數(shù)量為多個。像素結(jié)構(gòu)還包含第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管電性連接一個第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線與第一主像素區(qū)的像素電極。第二晶體管電性連接另一個第一掃描線、第二數(shù)據(jù)線與第一次像素區(qū)的像素電極。
[0038]在一或多個實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含第三晶體管與電容。第三晶體管與第二掃描線電性連接。電容置于子像素區(qū)中，且與第三晶體管電性連接。
[0039]在一或多個實施方式中，遮光線的材質(zhì)為金屬。
[0040]上述的像素結(jié)構(gòu)，其屏蔽電極置于數(shù)據(jù)線上方，因此數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的電場不致于竄出像素電極。而應(yīng)用此像素結(jié)構(gòu)的液晶面板，其位于數(shù)據(jù)線上方的液晶分子的轉(zhuǎn)向不致于被擾亂，有助于改善液晶面板漏光、液晶分子效率不佳與液晶分子錯位(disclinat1n)的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1為本發(fā)明一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖；
[0042]圖2為沿圖1的線段2-2的剖面圖；
[0043]圖3為本發(fā)明另一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部剖面圖；
[0044]圖4為沿圖1的線段4-4的剖面圖；
[0045]圖5為本發(fā)明另一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖；
[0046]圖6為本發(fā)明再一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖；
[0047]圖7為圖6的區(qū)域N的局部放大圖；
[0048]圖8為本發(fā)明又一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖；
[0049]圖9為本發(fā)明又一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0050]圖10為圖9的區(qū)域M的放大圖；
[0051]圖1IA至圖1lC分別為應(yīng)用圖5的像素結(jié)構(gòu)的液晶面板與對照組液晶面板的實施例于不同觀看視角的串?dāng)_率(crosstalk rat1)。

【具體實施方式】
[0052]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。
[0053]圖1為本發(fā)明一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖，而圖2為沿圖1的線段2-2的剖面圖。如圖所示，像素結(jié)構(gòu)包含基板110、至少二對數(shù)據(jù)線Dla、Dlb及D2a、D2b、多條遮光線122、124、126、第一掃描線G1、二濾光層142、144與二像素電極150。其中為了清楚起見，濾光層142、144僅繪示于剖面圖，而未繪示于上視圖中。基板110定義一對兩相鄰的子像素區(qū)112、114。數(shù)據(jù)線Dla、Dlb置于子像素區(qū)112，并延伸經(jīng)過(或稱貫穿)子像素區(qū)112。數(shù)據(jù)線D2a、D2b置于子像素區(qū)114，并延伸經(jīng)過(或稱貫穿)子像素區(qū)114。遮光線122、124、126設(shè)置在子像素區(qū)112、114的邊界。第一掃描線Gl設(shè)置于基板110。第一掃描線Gl與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b以及遮光線122、124、126部分重疊。濾光層142置于子像素區(qū)112中且置于數(shù)據(jù)線Dla、Dlb上。另外，濾光層144置于子像素區(qū)114中且置于數(shù)據(jù)線D2a、D2b上。像素電極150分別置于子像素區(qū)112、114中且分別置于濾光層142、144上。
[0054]更詳細(xì)地說，像素結(jié)構(gòu)還包含第二掃描線G2，置于基板110上且與第一掃描線Gl交替排列。第一掃描線G1、第二掃描線G2與兩相鄰的遮光線122、124于基板110上共同定義出子像素區(qū)112。另外，第一掃描線G1、第二掃描線G2與兩相鄰的遮光線124、126于基板110上共同定義出子像素區(qū)114。
[0055]以置于子像素區(qū)112的像素電極150來看，像素電極150包含第一主干電極152、二屏蔽電極154a、154b、多條第一分支電極156與多條第二分支電極158,而因置于子像素區(qū)114的像素電極150具有相同的結(jié)構(gòu)，因此便不再贅述。屏蔽電極154a置于第一主干電極152與遮光線122之間，且置于數(shù)據(jù)線Dla上方。屏蔽電極154b置于第一主干電極152與遮光線124之間，且置于數(shù)據(jù)線Dlb上方。第一分支電極156分別置于第一主干電極152與屏蔽電極154a、154b之間。兩相鄰的第一分支電極156形成第一狹縫157。第二分支電極158分別置于屏蔽電極154a與遮光線122以及屏蔽電極154b與遮光線124之間。兩相鄰的第二分支電極158形成第二狹縫159。第一狹縫157與第二狹縫159皆互相分離。換言之，第一狹縫157與第二狹縫159并不連通，而屏蔽電極154a與154b皆呈長條狀。
[0056]簡言之，本實施方式的像素結(jié)構(gòu)因具有屏蔽電極154a、154b，其置于數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b上方，因此能夠遮蔽由數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b產(chǎn)生的電場。如此一來，數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b產(chǎn)生的電場不致于竄出像素電極150。因此應(yīng)用此像素結(jié)構(gòu)的液晶面板，其位于數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b上方的液晶分子的轉(zhuǎn)向不致于被擾亂，有助于改善液晶面板漏光、液晶分子效率不佳與液晶分子錯位(disclinat1n)的問題。
[0057]在本實施方式中,第一掃描線G1、第二掃描線G2皆沿第一方向X延伸，且沿第二方向Y交替排列，其中第一方向X與第二方向Y交錯(更進(jìn)一步而言，第一方向X與第二方向Y實質(zhì)垂直)。另外，遮光線122、124與126、數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b、第一主干電極152與屏蔽電極154a、154b皆沿第二方向Y延伸。而第一分支電極156與第二分支電極158皆不與第一方向X及第二方向Y垂直或平行。另外，子像素區(qū)112與114沿著第一方向X排列。
[0058]在子像素區(qū)112中，屏蔽電極154a、154b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb皆沿第二方向Y延伸，亦即屏蔽電極154a、154b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb實質(zhì)平行，也就是屏蔽電極154a、154b的形狀是配合數(shù)據(jù)線Dla、Dlb的形狀，例如屏蔽電極154a、154b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb皆呈線狀，以較有效率地屏蔽數(shù)據(jù)線Dla、Dlb產(chǎn)生的電場。
[0059]在本實施方式中，像素電極150還包含外框電極153。第一主干電極152、屏蔽電極154a、154b、第一分支電極156與第二分支電極158皆置于外框電極153內(nèi)。屏蔽電極154a的相對兩端部155a分別與外框電極153的相對兩側(cè)相接。屏蔽電極154b的相對兩端部155b亦分別與外框電極153的相對兩側(cè)相接。也就是說，屏蔽電極154a、154b皆貫穿子像素區(qū)112，屏蔽電極154a、154b并不具有任何狹縫或開口。
[0060]在本實施方式中，像素電極150(更進(jìn)一步而言，此處是指像素電極150的外框電極153)的垂直投影與遮光線122、124、126部分重疊。換句話說，像素電極150覆蓋部分的遮光線122、124、126。如此的設(shè)置能夠增加應(yīng)用此像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的開口率。
[0061]在本實施方式中，像素電極150還包含第二主干電極162，與第一主干電極152交錯，以形成四個配向區(qū)A。舉例而言，第二主干電極162沿著第一方向X延伸。于同一配向區(qū)A中的第一分支電極156與第二分支電極158實質(zhì)朝同一方向延伸。更進(jìn)一步地，不同配向區(qū)A之間的第一分支電極156與第二分支電極158實質(zhì)朝不同方向延伸。舉例而言，第一分支電極156可分別由第一主干電極152與第二主干電極162的交界處向外延伸。更詳細(xì)地說，位于第一主干電極152的相對兩側(cè)的第一分支電極156互相對稱,位于第二主干電極162的相對兩側(cè)的第一分支電極156亦互相對稱,而第二分支電極158則實質(zhì)與第一分支電極156平行。如此一來，即可達(dá)成廣視角的需求。另外，第一狹縫157與第二狹縫159可實質(zhì)具有相同寬度，使得對應(yīng)至同一配向區(qū)A的液晶分子能夠有均勻的顯示效果。
[0062]接著請參照圖2。每一數(shù)據(jù)線(在圖2以數(shù)據(jù)線Dlb與D2a為例)具有第一寬度W1，每一屏蔽電極154a、154b具有第二寬度W2。在本實施方式中，第一寬度Wl大于第二寬度W2。也就是部分的數(shù)據(jù)線Dlb與D2a會被第一狹縫157與第二狹縫159所暴露。在一些實施方式中，第一寬度Wl可為約6微米，而第二寬度W2小于6微米，例如約3微米，亦即約第一寬度Wl的一半，可具有良好的屏蔽效應(yīng)。
[0063]接著請參照圖3，其為本發(fā)明另一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部剖面圖，其剖面位置與圖2相同。在本實施方式中，第一寬度Wl可小于第二寬度W2,亦即屏蔽電極154a、154b完全覆蓋數(shù)據(jù)線(例如圖3以數(shù)據(jù)線Dlb、D2a為例)。屏蔽電極154a、154b亦能達(dá)到屏蔽數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b所產(chǎn)生的電場的效果。然而圖2與圖3的第一寬度Wl與第二寬度W2僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】者，可視實際情況，彈性調(diào)整第二寬度W2的值。
[0064]接著請回到圖2。在本實施方式中，對應(yīng)子像素區(qū)112與114的濾光層142與144是不同顏色，也就是子像素區(qū)112與114為不同顏色的子像素區(qū)，例如濾光層142為紅色濾光層，而濾光層144則為綠色濾光層，然而本發(fā)明不以此為限。如此一來，應(yīng)用圖1的像素結(jié)構(gòu)的液晶面板即可提供彩色影像。
[0065]接著請一并參照圖1與圖4，其中圖4為沿圖1的線段4-4的剖面圖。在本實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含介電層170,置于基板110與濾光層142 (亦置于基板110與濾光層144)之間。第一掃描線Gl與第二掃描線G2皆置于基板110與介電層170之間，而數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b則置于介電層170與濾光層142、144之間。
[0066]遮光線122(124,126)包含第一線段 122a (124a、126a)與第二線段 122b (124b,126b)。舉遮光線124為例，如圖4所示，遮光線124的第一線段124a置于基板110與介電層170之間，且與第一掃描線Gl以及第二掃描線G2互相分離，以分別提供不同的電位至第一線段124a、第一掃描線Gl與第二掃描線G2。而因第一線段124a、第一掃描線Gl與第二掃描線G2皆位于基板110與介電層170之間，因此第一線段124a、第一掃描線Gl與第二掃描線G2可以同一道制程完成，亦即第一線段124a的材質(zhì)可為金屬，例如銅。另外，第一線段124a可呈長條狀，置于子像素區(qū)112與114的邊界，以防光線從子像素區(qū)112與114之間漏出。
[0067]另外，第二線段124b置于介電層170與濾光層142、144之間。第二線段124b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b互相分離，且第二線段124b的垂直投影與第一線段124a部分重疊。第二線段124b主要浮置于第一線段124a與第一掃描線Gl以及第二掃描線G2之間的空隙上方，以遮蔽從此空隙漏出的光，且第二線段124b的垂直投影與第一線段124a部分重疊亦可確保遮光效果。因在本實施方式中，第二線段124b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b皆位于介電層170與濾光層142、144之間，因此第二線段124b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b可以同一道制程完成，亦即第二線段124b的材質(zhì)可為金屬，例如為鋁。
[0068]雖然上述內(nèi)容皆以遮光線124作敘述，然而遮光線122、126亦具有相同結(jié)構(gòu)，因此細(xì)節(jié)便不再贅述。另外，上述的像素結(jié)構(gòu)是針對底柵極(bottom gate)晶體管結(jié)構(gòu)所作的布線，然而在其他實施方式中，像素結(jié)構(gòu)亦可使用頂柵極(topgate)晶體管結(jié)構(gòu)。如此一來，第二線段122b、124b、126b與數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b可改置于基板110與介電層170之間，而第一線段122a、124a、126a、第一掃描線Gl與第二掃描線G2則置于介電層170與濾光層142、144之間。
[0069]接著請回到圖1，在本實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含多個晶體管182、184。其中晶體管182電性連接第一掃描線G1、數(shù)據(jù)線Dla與子像素區(qū)112的像素電極150，例如晶體管182的漏極182d可延伸至像素電極150下方，且經(jīng)由貫穿結(jié)構(gòu)(via) V而連接至像素電極150。因此可通過施加電位至第一掃描線Gl與數(shù)據(jù)線Dla，借此開啟晶體管182以提供子像素區(qū)112的像素電極150的電位。另外，晶體管184則電性連接第一掃描線G1、數(shù)據(jù)線D2a與子像素區(qū)114的像素電極150，借此提供子像素區(qū)114的像素電極150的電位。如上所述，圖1的像素結(jié)構(gòu)是針對底柵極晶體管結(jié)構(gòu)所作的布線，因此晶體管182、184皆為底柵極晶體管。然而在其他的實施方式中，晶體管182、184亦可為頂柵極晶體管。
[0070]在本實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含電容192、194，分別置于子像素區(qū)112與114中。以電容192為例，其包含下電極192b與上電極192t，下電極192b與上電極192t之間則相隔圖2的介電層170。下電極192b通過連接線196而與遮光線122、124的第一線段122a、124a相連，因此第一線段122a、124a、連接線196與下電極192b可一并具有一共通(common)電位，其中連接線196置于像素電極150的第二主干電極162的下方。另外，上電極192t與晶體管182的漏極182d相接，因此上電極192t可具有一像素電位。因電容194的結(jié)構(gòu)與電容192相同，因此便不再贅述。
[0071]接著請參照圖5，其為本發(fā)明另一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖。在本實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含多個遮光矩陣(Black Matrix, BM) 105，浮置于第一掃描線Gl與第二掃描線G2(如圖1所繪示)的上方。遮光矩陣105用以覆蓋第一掃描線G1、第二掃描線G2與其上的結(jié)構(gòu)(例如晶體管182、184)，以防止第一掃描線Gl與第二掃描線G2的邊緣漏光。在一些實施方式中，遮光矩陣105可為黑色色阻，然而本發(fā)明不以此為限。而在其他的實施方式中，若要增加液晶面板的開口率，遮光矩陣105的設(shè)置亦可省略，僅以第一掃描線Gl與第二掃描線G2的金屬線的特性以達(dá)到遮光的作用。至于本實施方式的其他細(xì)節(jié)因與圖1相同，因此便不再贅述。
[0072]在一些實施方式中，屏蔽電極154a、154b的結(jié)構(gòu)并不以圖1為限。接著請一并參照圖6與圖7，其中圖6為本發(fā)明再一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖，圖7為圖6的區(qū)域N的局部放大圖。在本實施方式中，每一屏蔽電極154a、154b還具有多個第三狹縫165。每一第三狹縫165與相鄰的第一狹縫157及第二狹縫159相連通，且第三狹縫165的寬度d3小于第一狹縫157的寬度dl或第二狹縫159的寬度d2。若以數(shù)學(xué)式表達(dá)則為0〈d3〈dl及0〈d3〈d2。因?qū)挾萪3小于寬度dl與d2，因此數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b的電場較不易竄出像素電極150，且因第三狹縫165的存在，像素電極150亦能維持一定的穿透率。
[0073]接著請一并參照圖7與圖8，其中圖8為本發(fā)明又一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖，其位置與圖7相同。在一些實施方式中，如圖7所示，第三狹縫165的延伸方向E3平行于第一狹縫157的延伸方向El或第二狹縫159的延伸方向E2。而在其他的實施方式中，如圖8所示，第三狹縫165的延伸方向E3’與第一狹縫157的延伸方向El或第二狹縫159的延伸方向E2相交，換句話說，延伸方向E3’與延伸方向El以及E2不平行。然而不論是圖4或圖5的實施方式皆能達(dá)到屏蔽數(shù)據(jù)線Dla、Dlb、D2a、D2b (如圖6所繪示)的電場的效果。基本上，只要第三狹縫165與相鄰的第一狹縫157及第二狹縫159相連通且第三狹縫165的寬度d3小于第一狹縫157的寬度dl或第二狹縫159的寬度d2皆在本發(fā)明的范疇中。至于本二實施方式的其他細(xì)節(jié)因與圖1相同，因此便不再贅述。
[0074]接著請一并參照圖9與圖10，其中圖9為本發(fā)明又一實施方式的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，圖10為圖9的區(qū)域M的放大圖。因本實施方式的像素結(jié)構(gòu)與圖1的像素結(jié)構(gòu)相似，因此僅就不同處加以說明。在本實施方式中，基板110定義有相鄰的第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214。第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214沿著第一方向X排列，而第一子像素區(qū)212包含一第一主像素區(qū)212a及第一次像素區(qū)212b沿第二方向Y (也就是數(shù)據(jù)線Da、Db的延伸方向)排列，第二子像素區(qū)214包含一第二主像素區(qū)214a及第二次像素區(qū)214b沿第二方向Y(也就是數(shù)據(jù)線Da、Db的延伸方向)排列。第一掃描線Gl位于第一主像素區(qū)212a與第一次像素區(qū)212b之間，亦位于第二主像素區(qū)214a與第二次像素區(qū)214b之間。第二掃描線G2則位于第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214的外側(cè)。另外，同一對數(shù)據(jù)線Da、Db則一并貫穿位于同一排(即第二方向Y)的第一子像素區(qū)212或同一排的第二子像素區(qū)214。此種(2-數(shù)據(jù)線-1-第一掃描線，2D1G)結(jié)構(gòu)即為分區(qū)獨立信號控制的像素技術(shù)，其可應(yīng)用于曲面顯示面板。上述的單一第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214用以將光線過濾為單色光，例如紅、綠或藍(lán)光，例如第一子像素區(qū)212為紅色子像素,而第二子像素區(qū)214為綠色子像素。另外，若本像素結(jié)構(gòu)欲提供藍(lán)色子像素，亦可增加第三子像素區(qū)216。也就是說，第一子像素區(qū)212的第一主像素區(qū)212a及第一次像素區(qū)212b包含同一種顏色濾光層，且第二子像素區(qū)214的第二主像素區(qū)214a及第二次像素區(qū)214b包含另一種顏色濾光層。
[0075]請參照圖9。在本實施方式中，像素結(jié)構(gòu)還包含第一晶體管282與第二晶體管283。第一晶體管282電性連接奇數(shù)條的第一掃描線Gl (亦即第一掃描線Gla)、數(shù)據(jù)線Da與子像素區(qū)(第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214)中相鄰的主像素區(qū)(第一主像素區(qū)212a或第二主像素區(qū)214a)與次像素區(qū)(第一次像素區(qū)212b或第二次像素區(qū)214b)的像素電極250。另外，第二晶體管283電性連接偶數(shù)條的第一掃描線Gl (亦即第一掃描線Gib)、數(shù)據(jù)線Db與子像素區(qū)(第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214)中相鄰的主像素區(qū)(第一主像素區(qū)212a或第二主像素區(qū)214a)與次像素區(qū)(第一次像素區(qū)212b或第二次像素區(qū)214b)的像素電極250。
[0076]在圖10中，第一主像素區(qū)212a與第二主像素區(qū)214a的結(jié)構(gòu)皆與圖1的子像素區(qū)112相同，而第一次像素區(qū)212b與第二次像素區(qū)214b的結(jié)構(gòu)則與圖1的子像素區(qū)112相似。詳細(xì)而言，像素結(jié)構(gòu)還包含第三晶體管288與電容296，其中電容296置于次像素區(qū)(在圖10意指第一次像素區(qū)212b與第二次像素區(qū)214b)中。以下以位于第一次像素區(qū)212b的電容292作說明。第一次像素區(qū)212b的電容292的上電極292t更延伸至第二掃描線G2，作為第三晶體管288的源極。電容292的下電極292b延伸至電容296的下電極296b。第三晶體管288的漏極則與電容296的上電極296t相連。電容296可作為第一主像素區(qū)212a與第一次像素區(qū)212b之間的時序控制。
[0077]另外，因每一主像素區(qū)(在圖10意指第一主像素區(qū)212a與第二主像素區(qū)214a)與每一次像素區(qū)(在圖10意指第一次像素區(qū)212b與第二次像素區(qū)214b)皆提供四個配向區(qū)，因此每一第一子像素區(qū)212與第二子像素區(qū)214皆提供八個配向區(qū)，以達(dá)成廣視角的功效。其中關(guān)于配向區(qū)的敘述因與圖1的實施方式相同，因此便不再贅述。
[0078]接著請一并參照圖1lA至圖11C，其分別為應(yīng)用圖9的像素結(jié)構(gòu)的液晶面板與對照組液晶面板的實施例于不同觀看視角的串?dāng)_率(crosstalk rat1),其中對照組液晶面板即為未加屏蔽電極的液晶面板，而圖1lA至圖1lC分別為在不同灰階(12階、25階與48階)下所測得的串?dāng)_率。在圖1lA至圖1lC的實施例中，數(shù)據(jù)線的寬度為約6微米，屏蔽電極的寬度為約3微米，圖1lA至圖1lC的液晶面板的尺寸皆為50吋。串?dāng)_率的定義則為
[0079]串?dāng)_率=I ((未驅(qū)動串?dāng)_圖案時的亮度)_(驅(qū)動串?dāng)_圖案時的亮度))/(驅(qū)動串?dāng)_圖案時的亮度)I。由圖1lA至圖1lC可知，不論液晶面板的灰階為12階、25階或48階，在加入屏蔽電極后，于視角分別為O度、30度、45度時量測串?dāng)_率皆有下降的驅(qū)勢，亦即在加入屏蔽電極后，液晶分子較不受數(shù)據(jù)線的電場影響，有助于改善液晶面板漏光與液晶分子錯位。
[0080]雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基板，定義有相鄰的二子像素區(qū)； 至少二對數(shù)據(jù)線，分別置于該二子像素區(qū)，并分別延伸經(jīng)過該二子像素區(qū)； 多條遮光線，設(shè)置在該二子像素區(qū)的邊界； 一第一掃描線，設(shè)置于該基板，該第一掃描線與該二對數(shù)據(jù)線以及所述遮光線部分重置; 二濾光層，分別置于該二子像素區(qū)中且置于該二對數(shù)據(jù)線上；以及二像素電極，分別置于該二子像素區(qū)中且分別置于該二濾光層上，其中每一所述像素電極包含:一第一主干電極；二屏蔽電極，分別置于該第一主干電極與所述遮光線之間，且所述屏蔽電極分別置于該對數(shù)據(jù)線上方；多條第一分支電極，分別置于該第一主干電極與所述屏蔽電極之間，兩相鄰的所述第一分支電極形成一第一狹縫；以及多條第二分支電極，分別置于所述屏蔽電極與所述遮光線之間，兩相鄰的所述第二分支電極形成一第二狹縫，其中所述第一狹縫與所述第二狹縫皆互相分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一該屏蔽電極還具有多個第三狹縫，每一該第三狹縫與相鄰的該第一狹縫及該第二狹縫相連通，且該第三狹縫的寬度小于該第一狹縫或該第二狹縫的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三狹縫的延伸方向平行于該第一狹縫或該第二狹縫的延伸方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三狹縫的延伸方向與該第一狹縫或該第二狹縫的延伸方向相交。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的垂直投影與所述遮光線部分重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述像素電極還包含: 一外框電極，其中該第一主干電極、所述屏蔽電極、所述第一分支電極與所述第二分支電極皆置于該外框電極內(nèi)，且每一所述屏蔽電極的相對兩端部分別與該外框電極的相對兩側(cè)相接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述像素電極還包含: 一第二主干電極，與該第一主干電極交錯，以形成四個配向區(qū)，于同一該配向區(qū)中的所述第一分支電極與所述第二分支電極朝同一方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一狹縫與所述第二狹縫具有相問覽度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述數(shù)據(jù)線具有一第一寬度，且每一所述屏蔽電極具有一第二寬度，該第一寬度大于該第二寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二寬度為該第一寬度的一半。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述數(shù)據(jù)線具有一第一寬度，且每一所述屏蔽電極具有一第二寬度，該第一寬度小于該第二寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 一介電層，置于該基板與所述濾光層之間，所述數(shù)據(jù)線置于該介電層與所述濾光層之 間； 其中每一所述遮光線包含: 一第一線段，置于該基板與該介電層之間，其中該第一線段與該第一掃描線互相分離。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述遮光線還包含: 一第二線段，置于該介電層與所述濾光層之間，其中該第二線段與所述數(shù)據(jù)線互相分離，且該第二線段的垂直投影與該第一線段部分重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮光線的材質(zhì)為金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，對應(yīng)該二子像素區(qū)的所述濾光層為不同顏色。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素區(qū)分為至少一第一主像素區(qū)與至少一第一次像素區(qū)，該第一主像素區(qū)與該第一次像素區(qū)沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向交替排列，每對所述數(shù)據(jù)線皆包含一第一數(shù)據(jù)線與一第二數(shù)據(jù)線，且該第一掃描線的數(shù)量為多個，該像素結(jié)構(gòu)還包含: 一第一晶體管，電性連接一個該第一掃描線、該第一數(shù)據(jù)線與該第一主像素區(qū)的該像素電極；以及 一第二晶體管，電性連接另一個該第一掃描線、該第二數(shù)據(jù)線與該第一次像素區(qū)的該像素電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 一第二掃描線，與該第一掃描線交替排列； 一第三晶體管，與該第二掃描線電性連接；以及 一電容，置于一個所述子像素區(qū)中，且與該第三晶體管電性連接。
19.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一基板； 多條第一掃描線，置于該基板上； 多條第二掃描線，置于該基板上且與所述第一掃描線交替設(shè)置； 多條遮光線，置于該基板上，相鄰的該第一掃描線、該第二掃描線與相鄰兩條所述遮光線交錯以于該基板上定義一子像素區(qū)； 至少一數(shù)據(jù)線，置于該基板上方且貫穿該子像素區(qū)； 一濾光層，置于該子像素區(qū)中且置于該數(shù)據(jù)線上；以及 一像素電極，置于該子像素區(qū)中且置于該濾光層上，該像素電極包含:一第一主干電極；一屏蔽電極，置于該第一主干電極與該遮光線之間，且該屏蔽電極置于該數(shù)據(jù)線上方；多條第一分支電極，分別置于該第一主干電極與該屏蔽電極之間，兩相鄰的所述第一分支電極形成一第一狹縫；以及多條第二分支電極，分別置于該屏蔽電極與該遮光線之間，兩相鄰的所述第二分支電極形成一第二狹縫，其中所述第一狹縫與所述第二狹縫皆互相分離。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該屏蔽電極還具有多個第三狹縫，每一該第三狹縫與相鄰的該第一狹縫及該第二狹縫相連通，且該第三狹縫的寬度小于該第一狹縫或該第二狹縫的寬度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三狹縫的延伸方向平行于該第一狹縫或該第二狹縫的延伸方向。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三狹縫的延伸方向與該第一狹縫或該第二狹縫的延伸方向相交。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極的垂直投影與所述遮光線部分重疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該屏蔽電極與該數(shù)據(jù)線平行。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極還包含: 一外框電極，其中該第一主干電極、該屏蔽電極、所述第一分支電極與所述第二分支電極皆置于該外框電極內(nèi)，且該屏蔽電極的相對兩端部分別與該外框電極的相對兩側(cè)相接。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極還包含: 一第二主干電極，與該第一主干電極交錯，以形成四個配向區(qū)，于同一該配向區(qū)中的所述第一分支電極與所述第二分支電極朝同一方向延伸。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一狹縫與所述第二狹縫具有相同寬度。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該數(shù)據(jù)線具有一第一寬度，且該屏蔽電極具有一第二寬度，該第一寬度大于該第二寬度。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二寬度為該第一寬度的一半。
30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該數(shù)據(jù)線具有一第一寬度，且該屏蔽電極具有一第二寬度，該第一寬度小于該第二寬度。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 一介電層，置于該基板與該濾光層之間，該數(shù)據(jù)線位于該介電層與該濾光層之間； 其中每一所述遮光線包含: 一第一線段，置于該介電層與該濾光層之間，其中該第一線段與該第一掃描線互相分離。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述遮光線還包含: 一第二線段，置于該介電層與該濾光層之間，其中該第二線段與該數(shù)據(jù)線互相分離，且該第二線段的垂直投影與該第一線段部分重疊。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該子像素區(qū)與該濾光層的數(shù)量皆為多個，對應(yīng)兩相鄰的所述子像素區(qū)的所述濾光層為不同顏色。
34.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該數(shù)據(jù)線與該屏蔽電極的數(shù)量皆為多個，二個所述數(shù)據(jù)線貫穿同一該子像素區(qū)，且二個所述屏蔽電極分別位于所述數(shù)據(jù)線上方。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該子像素區(qū)的數(shù)量為多個，且分為至少一第一主像素區(qū)與至少一第一次像素區(qū)，該第一主像素區(qū)與該第一次像素區(qū)沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向交替排列，所述數(shù)據(jù)線包含一第一數(shù)據(jù)線與一第二數(shù)據(jù)線，且該第一掃描線的數(shù)量為多個，該像素結(jié)構(gòu)還包含: 一第一晶體管，電性連接一個該第一掃描線、該第一數(shù)據(jù)線與該第一主像素區(qū)的該像素電極；以及 一第二晶體管，電性連接另一個該第一掃描線、該第二數(shù)據(jù)線與該第一次像素區(qū)的該像素電極。
36.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含:一第三晶體管，與該第二掃描線電性連接；以及一電容，置于該子像素區(qū)中，且與該第三晶體管電性連接。
37.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述遮光線的材質(zhì)為金屬。
【文檔編號】G02F1/1362GK104375340SQ201410649858
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】黃偉倫, 廖達(dá)文 申請人:友達(dá)光電股份有限公司