像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：薄膜晶體管基板（20）、彩色濾光片基板（30）及液晶層（40），所述薄膜晶體管基板（20）包括第一透明基板（22）及像素電極（24），所述彩色濾光片基板（30）包括第二透明基板（32）及公共電極（34），所述像素電極（24）包括第一子像素電極（26）和第二子像素電極（28），所述公共電極（34）包括第一子公共電極（36）和第二子公共電極（38），所述第一子像素電極（26）與第一子公共電極（36）具有第一電壓差，所述第二子像素電極（28）與第二子公共電極（38）具有第二電壓差，所述第一電壓差大于或小于第二電壓差。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。由于液晶顯示面板本身不發(fā)光，需要借由背光模組提供的光源來正常顯示影像，因此，背光模組成為液晶顯示器的關(guān)鍵組件之一。背光模組依照光源入射位置的不同分成側(cè)入式背光模組與直下式背光模組兩種。直下式背光模組是將發(fā)光光源例如CCFL(ColdCathode Fluorescent Lamp,陰極螢光燈管)或 LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)設(shè)置在液晶顯示面板后方，直接形成面光源提供給液晶顯示面板。而側(cè)入式背光模組是將背光源LED燈條(Lightbar)設(shè)于液晶顯示面板側(cè)后方的背板邊緣，LED燈條發(fā)出的光線從導(dǎo)光板(LGP, Light Guide Plate) 一側(cè)的入光面進入導(dǎo)光板,經(jīng)反射和擴散后從導(dǎo)光板出光面射出，在經(jīng)由光學(xué)膜片組，以形成面光源提供給液晶顯示面板。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示面板特別是大尺寸的液晶顯示面板在大視角觀看會出現(xiàn)色偏的情況，而且觀看角度越大，色偏越嚴重。為了提高視角降低色偏，大尺寸的液晶顯示面板通常會做低色偏(Low color shift)的設(shè)計,通常是增加像素的疇(domain), —個像素一般可以分成4個疇。如果將一個像素分為兩個像素區(qū)，即主像素區(qū)和子像素區(qū)，就可以增加到8個疇，可以提高視角，改善大視角色偏情況。
[0004]主像素區(qū)和子像素區(qū)通過兩個或更多不同的薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)來供電。請參閱圖1及圖2，其為一種常見的帶有低色偏設(shè)計的像素結(jié)構(gòu)示意圖及其等效電路圖，將一個像素102分為主像素區(qū)104和子像素區(qū)106，在第Gn條柵極線打開時，通過第一薄膜晶體管(Main TFT) 202和第二薄膜晶體管(Sub TFT) 204將電荷分別送至像素102的主像素區(qū)104的第一存儲電容Cstl和子像素區(qū)106的第二存儲電容Cst2O當?shù)贕n條柵極線關(guān)閉、第Gn+1柵極線打開時,第三薄膜晶體管(Charge sharing TFT,Tcs) 206打開，將子像素區(qū)106的第二存儲電容Cst2中的部分電荷釋放到充電公共(Chargesharing)電容Cb中，這樣主像素區(qū)104和子像素區(qū)106就會呈現(xiàn)出電位差，達到降低色偏的目的。
[0005]上述的這種像素結(jié)構(gòu)雖然可以實現(xiàn)低色偏，但，由于一個像素中就需要有3個薄膜晶體管及2條柵極線來控制像素的充電，這會對像素開口率造成非常大的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，采用給彩色濾光基板中的第一、第二子公共電極提供不同電位的電壓，使得第一子像素電極與第一子公共電極具有的第一電壓差大于或小于第二子像素電極與第二子公共電極具有的第二電壓差，從而在不降低開口率的情況下，改善了大尺寸面板大視角色偏問題。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:薄膜晶體管基板、與薄膜晶體管基板相對設(shè)置的彩色濾光片基板、及設(shè)于薄膜晶體管基板與彩色濾光片基板之間的液晶層，所述薄膜晶體管基板包括第一透明基板及設(shè)于第一透明基板朝向彩色濾光片基板一側(cè)上的像素電極，所述彩色濾光片基板包括第二透明基板及設(shè)于第二透明基板朝向薄膜晶體管基板一側(cè)上的公共電極，所述第二子像素電極處形成該像素結(jié)構(gòu)的第二子像素區(qū)，所述公共電極包括第一子公共電極和第二子公共電極，所述第一子像素電極與第一子公共電極具有第一電壓差，所述第二子像素電極與第二子公共電極具有第二電壓差，所述第一電壓差大于或小于第二電壓差。
[0008]所述薄膜晶體管基板還包括配置于所述第一透明基板上的數(shù)據(jù)線與柵極線，所述數(shù)據(jù)線與柵極線限定一像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括第一及第二子像素區(qū)，所述第一子像素電極位于第一子像素區(qū)，所述第二子像素電極位于第二子像素區(qū)；所述像素結(jié)構(gòu)還包括:形成于所述第一透明基板與第二透明基板之間且充電后給第一子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第一存儲電容、以及形成于所述第一透明基板與第二透明基板之間且充電后給第二子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第二存儲電容；所述第一子像素電極與所述第一子公共電極構(gòu)成第一子像素區(qū)的第一液晶電容，所述第二子像素電極與所述第二子公共電極構(gòu)成第二子像素區(qū)的第二液晶電容。
[0009]所述薄膜晶體管基板還包括形成于所述第一透明基板上的第一薄膜晶體管及第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管具有第一柵極、第一源極及第一漏極，所述第二薄膜晶體管具有第二柵極、第二源極及第二漏極，所述第一柵極與柵極線電性連接，所述第一源極與數(shù)據(jù)線電性連接，所述第一漏極分別與第一子像素電極、第一存儲電容電性連接，所述第二柵極與柵極線電性連接，所述第二源極與數(shù)據(jù)線電性連接，所述第二漏極與第二子像素電極、第二存儲電容電性連接。
[0010]所述第一、第二子公共電極均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成，所述第一、第二子像素電極均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成。
[0011]所述第一子公共電極呈梳狀，所述第一子公共電極包括:第一梳柄、及一端與第一梳柄連接的數(shù)個第一梳齒；所述第二子公共電極呈梳狀，所述第二子公共電極包括:第二梳柄、及一端與第二梳柄連接的數(shù)個第二梳齒，所述第一梳齒與第二梳齒交替設(shè)置。
[0012]施加于所述第一子像素電極與第一子公共電極上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電，施加于所述第二子像素電極與第二子公共電極上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電。
[0013]施加驅(qū)動電壓于第一、第二子公共電極上時，所述第一子公共電極上與第二子公共電極上具有不同的電位，以實現(xiàn)第一電壓差大于或小于第二電壓差。
[0014]所述像素結(jié)構(gòu)采用8疇設(shè)計，所述第一子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的4疇，所述第二子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的另外4疇。
[0015]所述第一透明基板為玻璃基板或塑料基板，所述第二透明基板為玻璃基板或塑料基板。
[0016]所述薄膜晶體管基板還包括形成于所述第一透明基板上的第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管具有第三柵極、第三源極及第三漏極，所述第三柵極與柵極線電性連接，所述第三源極與數(shù)據(jù)線電性連接，所述第三漏極分別與第一子像素電極、第二子像素電極、第一存儲電容、第二存儲電容電性連接。
[0017]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，通過給彩色濾光基板中的第一、第二子公共電極提供不同電位的電壓，使得第一子像素電極與第一子公共電極具有的第一電壓差大于或小于第二子像素電極與第二子公共電極具有的第二電壓差，避免現(xiàn)有技術(shù)中需要增設(shè)一柵極線及在像素電極側(cè)設(shè)置充電公共電容，同時可以減少一個或兩個薄膜晶體管，避免開口率的損失，從而在不降低開口率的情況下，改善了大尺寸面板大視角色偏問題。
[0018]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0020]附圖中，
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中帶有低色偏設(shè)計的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1所示像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0023]圖3為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)一實施例的俯視圖；
[0025]圖5為圖4所示像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0026]圖6為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中第一子公共電極與第二子公共電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中施加于第一子像素電極與第一子公共電極上的電壓的波形圖；
[0028]圖8為為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中施加于第二子像素電極與第二子公共電極上的電壓的波形圖；
[0029]圖9為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)另一實施例的俯視圖；
[0030]圖10為圖9所示像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
【具體實施方式】
[0031]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0032]請參閱圖3至圖8，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)10，包括:薄膜晶體管基板20、與薄膜晶體管基板20相對設(shè)置的彩色濾光片基板30、及設(shè)于薄膜晶體管基板20與彩色濾光片基板30之間的液晶層40。
[0033]所述薄膜晶體管基板20包括第一透明基板22及設(shè)于第一透明基板22朝向彩色濾光片基板30 —側(cè)上的像素電極24，所述彩色濾光片基板30包括第二透明基板32及設(shè)于第二透明基板32朝向薄膜晶體管基板20 —側(cè)上的公共電極34 ;所述像素電極24包括第一子像素電極26和第二子像素電極28，所述公共電極34包括第一子公共電極36和第二子公共電極38。所述第一子像素電極26與第一子公共電極36具有第一電壓差Ul，所述第二子像素電極28與第二子公共電極38具有第二電壓差U2，所述第一電壓差Ul大于或小于第二電壓差U2，借該結(jié)構(gòu)避免現(xiàn)有技術(shù)中需要增設(shè)一柵極線及在像素電極側(cè)設(shè)置充電公共電容，同時可以減少一個或兩個薄膜晶體管，避免開口率的損失，從而在不降低開口率的情況下，改善了大尺寸面板大視角色偏問題。
[0034]具體的，所述薄膜晶體管基板20還包括配置于所述第一透明基板22上的數(shù)據(jù)線23與柵極線25，以提供掃描信號和數(shù)據(jù)信號。所述數(shù)據(jù)線23與柵極線25限定一像素區(qū)域(未標示)，所述像素區(qū)域包括第一及第二子像素區(qū)，所述第一子像素電極26位于第一子像素區(qū)，所述第二子像素電極28位于第二子像素區(qū)。所述像素結(jié)構(gòu)10還包括:形成于所述第一透明基板22與第二透明基板32之間且充電后給第一子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第一存儲電容Cl、以及形成于所述第一透明基板22與第二透明基板32之間且充電后給第二子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第二存儲電容C2。所述第一子像素電極26與第一子公共電極36構(gòu)成第一子像素區(qū)的第一液晶電容C3，所述第二子像素電極28與第二子公共電極38構(gòu)成第二子像素區(qū)的第二液晶電容C4。
[0035]請結(jié)合參閱圖5，在本較佳實施例中，所述薄膜晶體管基板20還包括形成于所述第一透明基板22上的第一薄膜晶體管27及第二薄膜晶體管29，所述第一薄膜晶體管27具有第一柵極gl、第一源極Si及第一漏極dl，所述第二薄膜晶體管29具有第二柵極g2、第二源極s2及第二漏極d2，所述第一柵極gl與柵極線25電性連接，所述第一源極Si與數(shù)據(jù)線23電性連接，所述第一漏極dl分別與第一子像素電極26、第一存儲電容Cl電性連接，所述第二柵極g2與柵極線25電性連接，所述第二源極s2與數(shù)據(jù)線23電性連接，所述第二漏極d2與第二子像素電極28、第二存儲電容C2電性連接。借第一、第二存儲電容C1、C2充電后形成的驅(qū)動電壓來維持該幀內(nèi)第一、第二子像素區(qū)的畫面。在本實施例中僅采用了兩個薄膜晶體管27、29、一條柵極線25、一條數(shù)據(jù)線23，有利于保持開口率，即在不降低開口率的情況下，實現(xiàn)大視角低色偏。
[0036]所述第一、第二子公共電極36、38均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成，優(yōu)選采用氧化銦錫制作而成；所述第一、第二子像素電極26、28均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成，優(yōu)選采用氧化銦錫制作而成。
[0037]請參閱圖6，所述第一子公共電極36呈梳狀，所述第一子公共電極36包括:第一梳柄42、及一端與第一梳柄42連接的數(shù)個第一梳齒44 ;所述第二子公共電極38呈梳狀，所述第二子公共電極38包括:第二梳柄46、及一端與第二梳柄46連接的數(shù)個第二梳齒48，所述第一梳齒44與第二梳齒48交替設(shè)置。
[0038]請參閱圖7及圖8，施加于所述第一子像素電極26與第一子公共電極36上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電53、54，施加于所述第二子像素電極28與第二子公共電極38上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電56、58。本發(fā)明通過導(dǎo)電金球分別施加驅(qū)動電壓于第一、第二子公共電極36、38上時，所述第一子公共電極36上與第二子公共電極38上具有不同的電位，所述第一、第二子像素電極26、28上電位相同，以實現(xiàn)第一電壓差大于或小于第二電壓差，以改善大尺寸液晶顯示面板大視角色偏問題。
[0039]所述像素結(jié)構(gòu)10采用8疇設(shè)計，即一個像素結(jié)構(gòu)10中共有8個液晶取向，以此來實現(xiàn)大視角。所述第一子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的4疇，所述第二子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的另外4疇，如圖4所不。[0040]所述第一透明基板22為玻璃基板或塑料基板，所述第二透明基板32為玻璃基板或塑料基板。
[0041]請參閱圖9及圖10，作為可供選擇的另一較佳實施例，所述薄膜晶體管基板20’中僅設(shè)有一個薄膜晶體管，即圖9與圖10中所示的第三薄膜晶體管52，利用第三薄膜晶體管52同時驅(qū)動第一子像素電極26’與第二子像素電極28’，結(jié)構(gòu)較為簡單，有利于提升開口率。所述第三薄膜晶體管52具有第三柵極g3、第三源極s3及第三漏極d3，所述第三柵極g3與柵極線25’電性連接，所述第三源極s3與數(shù)據(jù)線25’電性連接，所述第三漏極d3分別與第一子像素電極26’、第二子像素電極28’、第一存儲電容Cl、第二存儲電容C2電性連接，在該實施例中的其它結(jié)構(gòu)與上述實施例相同。
[0042]綜上所述，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，通過給彩色濾光基板中的第一、第二子公共電極提供不同電位的電壓，使得第一子像素電極與第一子公共電極具有的第一電壓差大于或小于第二子像素電極與第二子公共電極具有的第二電壓差，避免現(xiàn)有技術(shù)中需要增設(shè)一柵極線及在像素電極側(cè)設(shè)置充電公共電容，同時可以減少一個或兩個薄膜晶體管，避免開口率的損失，從而在不降低開口率的情況下，改善了大尺寸面板大視角色偏問題。
[0043]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:薄膜晶體管基板(20)、與薄膜晶體管基板(20)相對設(shè)置的彩色濾光片基板(30)、及設(shè)于薄膜晶體管基板(20)與彩色濾光片基板(30)之間的液晶層(40)，所述薄膜晶體管基板(20)包括第一透明基板(22)及設(shè)于第一透明基板(22)朝向彩色濾光片基板(30)—側(cè)上的像素電極(24)，所述彩色濾光片基板(30)包括第二透明基板(32)及設(shè)于第二透明基板(32)朝向薄膜晶體管基板(20) —側(cè)上的公共電極(34)，所述像素電極(24)包括第一子像素電極(26)和第二子像素電極(28)，所述公共電極(34)包括第一子公共電極(36)和第二子公共電極(38)，所述第一子像素電極(26)與第一子公共電極(36)具有第一電壓差，所述第二子像素電極(28)與第二子公共電極(38)具有第二電壓差，所述第一電壓差大于或小于第二電壓差。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管基板(20)還包括配置于所述第一透明基板(22)上的數(shù)據(jù)線(23)與柵極線(25)，所述數(shù)據(jù)線(23)與柵極線(25)限定一像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括第一及第二子像素區(qū)，所述第一子像素電極(26)位于第一子像素區(qū)，所述第二子像素電極(28)位于第二子像素區(qū)；所述像素結(jié)構(gòu)(10)還包括:形成于所述第一透明基板(22)與第二透明基板(32)之間且充電后給第一子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第一存儲電容(Cl)、以及形成于所述第一透明基板(22)與第二透明基板(32)之間且充電后給第二子像素區(qū)提供恒定驅(qū)動電壓的第二存儲電容(C2);所述第一子像素電極(26)與所述第一子公共電極(36)構(gòu)成第一子像素區(qū)的第一液晶電容(C3)，所述第二子像素電極(28)與所述第二子公共電極(38)構(gòu)成第二子像素區(qū)的第二液晶電容(C4)。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管基板(20)還包括形成于所述第一透明基板(22)上的第一薄膜晶體管(27)及第二薄膜晶體管(29)，所述第一薄膜晶體(27)管具有第一柵極(gl)、第一源極(Si)及第一漏極(dl)，所述第二薄膜晶體管(29)具有第二柵極(g2)、第二源極(s2)及第二漏極(d2)，所述第一柵極(gl)與柵極線(25)電性連接，所述第一源極(Si)與數(shù)據(jù)線(23)電性連接，所述第一漏極(dl)分別與第一子像素電極(26)、第一存儲電容(Cl)電性連接，所述第二柵極(g2)與柵極線(25)電性連接，所述第二源極(s2)與數(shù)據(jù)線(23)電性`連接，所述第二漏極(d2)與第二子像素電極(28)、第二存儲電容(C2)電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一、第二子公共電極(36、38)均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成，所述第一、第二子像素電極(26、28)均由成膜工藝、涂光阻工藝、曝光工藝、顯影工藝及蝕刻工藝形成。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一子公共電極(36)呈梳狀，所述第一子公共電極(36)包括:第一梳柄(42)、及一端與第一梳柄(42)連接的數(shù)個第一梳齒(44);所述第二子公共電極(38)呈梳狀，所述第二子公共電極(38)包括:第二梳柄(46)、及一端與第二梳柄(46 )連接的數(shù)個第二梳齒(48 )，所述第一梳齒(44)與第二梳齒(48 )交替設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，施加于所述第一子像素電極(26)與第一子公共電極(36)上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電(53、54)，施加于所述第二子像素電極(28)與第二子公共電極(38)上的驅(qū)動電壓為矩形波交流電(56、58)。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，施加驅(qū)動電壓于第一、第二子公共電極(36,38)上時，所述第一子公共電極(36)上與第二子公共電極(38)上具有不同的電位，以實現(xiàn)第一電壓差大于或小于第二電壓差。
8.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)采用8疇設(shè)計，所述第一子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的4疇，所述第二子像素區(qū)實現(xiàn)該8疇中的另外4疇。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一透明基(22)板為玻璃基板或塑料基板，所述第二透明基板(32 )為玻璃基板或塑料基板。
10.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管基板(20’)還包括形成于所述第一透明基板(22)上的第三薄膜晶體管(52)，所述第三薄膜晶體管(52)具有第三柵極(g3)、第三源極(s3)及第三漏極(d3)，所述第三柵極(g3)與柵極線(25’)電性連接，所述第三源極(s3)與數(shù)據(jù)線(23’)電性連接，所述第三漏極(d3)分別與第一子像素電極(26’)、第二子像素電極(2`8’)、第一存儲電容(Cl)、第二存儲電容(C2)電性連接。
【文檔編號】G02F1/1368GK103676389SQ201310733624
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】羅時勛, 郭晉波, 黃世帥 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司