一種顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置及其制備方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠在降低生產(chǎn)成本的前提下，解決顯示屏切割工藝中，封框膠引起的大量毛刺的問(wèn)題。所述顯示裝置，包括陣列基板、彩膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板之間的封框膠，兩個(gè)相鄰封框膠之間設(shè)置有預(yù)切割位置。此夕卜，所述顯示裝置還包括位于陣列基板與彩膜基板之間，對(duì)應(yīng)上述預(yù)切割位置處的阻隔層其中，構(gòu)成阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠材料的斷裂延伸率。
【專利說(shuō)明】一種顯示裝置及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種顯示裝置及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯 示器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無(wú)輻射以及制作成本相對(duì)較低等 特點(diǎn)，而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003] TFT-IXD如圖la所示，由陣列基板10和彩膜基板11構(gòu)成，其制作過(guò)程為：首先， 在一大張陣列基板10的表面形成呈矩陣形式排列的封框膠12。然后在封框膠12內(nèi)滴注液 晶13,最后將上述一大張陣列基板10與一大張彩膜基板11進(jìn)行對(duì)盒，使得封框膠12能夠 對(duì)滴注在陣列基板10和彩膜基板11之間的液晶12進(jìn)行密封。通過(guò)上述工藝形成了一大 張顯示屏，因此還需要將大張的顯示屏切割成預(yù)設(shè)尺寸的小顯示屏。
[0004] 現(xiàn)有的切割工藝，如圖lb所示，會(huì)在兩個(gè)相鄰的封框膠12之間留有一定的縫隙 130,以在上述縫隙130處進(jìn)行切割。這樣可以避免切割工藝對(duì)液晶盒的損傷。然而，由于 上述縫隙130的存在會(huì)導(dǎo)致切割形成的顯示屏的邊框較大，從而無(wú)法滿足顯示領(lǐng)域中窄邊 框的發(fā)展趨勢(shì)。
[0005] 為了解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)中如圖lc所示，將兩個(gè)相鄰的封框膠12之間的縫隙 130去除，采用帶膠切割工藝，通過(guò)激光切割技術(shù)，將預(yù)設(shè)切割位置（0-0'）處的封框膠12 進(jìn)行切割。雖然激光切割工藝具有能量密度高、切割速度快，切割精度高等優(yōu)勢(shì)。但是會(huì)大 大增加生產(chǎn)成本。封框膠12-般采用丙烯酸和環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成，由于環(huán)氧樹(shù)脂在高溫下的膠 黏性或斷裂延伸率較大。因此如果為了降低生產(chǎn)成本，在帶膠切割工藝中不采用激光技術(shù)， 切割時(shí)產(chǎn)生的高溫會(huì)增加封框膠12的斷裂延伸率，由于普通切割技術(shù)相對(duì)激光切割的速 度較慢，因此在切割過(guò)程中，封框膠12容易粘附于顯示屏的透明基板上，從而產(chǎn)生大量的 毛刺。這樣會(huì)對(duì)后續(xù)的顯示屏的驅(qū)動(dòng)綁定工藝以及背光組裝工藝產(chǎn)生不利的影響。從而降 低了產(chǎn)品的良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示裝置及其制備方法，能夠在降低生產(chǎn)成本的前提 下，解決顯示屏切割工藝中，封框膠引起的大量毛刺的問(wèn)題。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0008] 本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種顯示裝置，包括陣列基板、彩膜基板以及位于所 述陣列基板和所述彩膜基板之間的封框膠，兩個(gè)相鄰所述封框膠之間設(shè)置有預(yù)切割位置， 還包括位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間，對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處的阻隔層；
[0009] 其中，構(gòu)成所述阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成所述封框膠材料的斷裂延伸 率。
[0010] 本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置的制備方法，包括： toon] 分別制作陣列基板和彩膜基板；在所述陣列基板或所述彩膜基板上設(shè)置預(yù)切割位 置；
[0012] 在所述陣列基板或所述彩膜基板上，對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處形成阻隔層；
[0013] 在所述陣列基板的表面形成封框膠；兩個(gè)相鄰所述封框膠之間具有所述阻隔層；
[0014] 將所述彩膜基板與所述陣列基板對(duì)盒成型；
[0015] 其中，構(gòu)成所述阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成所述封框膠材料的斷裂延伸 率。
[0016] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置及其制備方法。所述顯示裝置，包括陣列基板、彩 膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板之間的封框膠，兩個(gè)相鄰封框膠之間設(shè)置有預(yù)切割位 置。此外，所述顯示裝置還包括位于陣列基板與彩膜基板之間，對(duì)應(yīng)上述預(yù)切割位置處的阻 隔層其中，構(gòu)成阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠材料的斷裂延伸率。由于封框膠 能夠?qū)Φ巫⒃陉嚵谢搴筒誓せ逯g的液晶進(jìn)行密封。因此一般采用具有一定膠黏性的 材料構(gòu)成封框膠。膠黏性較大的材料，其斷裂延伸率較大。因此，在切割的過(guò)程中不容易發(fā) 生斷裂，當(dāng)切割速度較慢時(shí)，切口處的一部分封框膠會(huì)被拉起并粘附于顯示屏的透明基板 上，從而產(chǎn)生大量的毛刺。而本發(fā)明中，可以采用普通切割工藝沿所述預(yù)切割位置對(duì)阻隔層 進(jìn)行切割，以實(shí)現(xiàn)切割顯示面板的目的。雖然普通切割速度較慢，但由于阻隔層相對(duì)于封 框膠而言，斷裂延伸率較小，易斷裂，因此能夠防止切縫處的材料粘附于顯示屏的透明基板 上，避免了大量毛刺的產(chǎn)生。同時(shí)，本發(fā)明適用于普通切割工藝，因此能夠降低生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖la為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖lb為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種顯示面板的進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖lc為現(xiàn)有技術(shù)提供的另一種顯示面板的進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示面板進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示面板進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種顯示面板進(jìn)行切割工藝前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖6a_圖6d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種阻隔層的制作過(guò)程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖6e_圖6h為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種阻隔層的制作過(guò)程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的制作流程圖；
[0029] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種阻隔層的制作流程圖；
[0030] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種阻隔層的制作流程圖；
[0031] 圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種阻隔層的制作流程圖。
[0032] 附圖標(biāo)記：
[0033] 0卜顯不面板的有效顯不區(qū)；ΙΟ-陣列基板；100-第二襯底基板；10卜柵極； 102-柵極絕緣層；103-有源層；104-源漏金屬層；105-像素電極；106-鈍化層；107-公 共電極；11-彩膜基板；110-第一襯底基板；111-黑矩陣；112-彩色濾光層；113-保護(hù)層； 114-隔墊物；12-封框膠；20-阻隔層；201-第一子阻隔層；202-第二子阻隔層；203-互鎖 結(jié)構(gòu)；210-樹(shù)脂層；211-光刻膠;A-光刻膠保留區(qū)域；B-光刻膠去除區(qū)域；C-光刻膠完全 保留區(qū)域；D-光刻膠部分保留區(qū)域；E-光刻膠完全去除區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，如圖2a所示，可以包括陣列基板10、彩膜基板 11以及位于陣列基板10和彩膜基板11之間的封框膠12,兩個(gè)相鄰封框膠12之間設(shè)置有 預(yù)切割位置（〇_〇'）。該顯示裝置還可以包括位于陣列基板10與彩膜基板11之間，對(duì)應(yīng)預(yù) 切割位置（〇_〇'）處的阻隔層20。
[0036] 其中，構(gòu)成上述阻隔層20材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠12材料的斷裂延伸 率。
[0037] 需要說(shuō)明的是，斷裂延伸率是指材料受到拉伸時(shí)的最大延伸長(zhǎng)度與原長(zhǎng)度的百 分率。材料的斷裂延伸率越小，在切割過(guò)程中越容易發(fā)生斷裂；反之越不容易斷裂。如圖 2b(圖2a中沿A- A'得到的剖視圖）所示，每個(gè)顯示面板的有效顯示區(qū)域01的四周都設(shè) 置有對(duì)位標(biāo)記02。根據(jù)上述對(duì)比標(biāo)記02可以設(shè)置出上述預(yù)切割位置（0-0'）。本發(fā)明提供 的阻隔層20位于預(yù)切割位置（0-0'）處。這樣一來(lái)，在切割過(guò)程中不會(huì)損傷到封框膠12， 而直接對(duì)易斷裂的阻隔層20進(jìn)行切割。
[0038] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括陣列基板、彩膜基板以及位于陣列基板和 彩膜基板之間的封框膠，兩個(gè)相鄰封框膠之間設(shè)置有預(yù)切割位置。此外，所述顯示裝置還包 括位于陣列基板與彩膜基板之間，對(duì)應(yīng)上述預(yù)切割位置處的阻隔層其中，構(gòu)成阻隔層材料 的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠材料的斷裂延伸率。由于封框膠能夠?qū)Φ巫⒃陉嚵谢搴筒?膜基板之間的液晶進(jìn)行密封。因此一般采用具有一定膠黏性的材料構(gòu)成封框膠。膠黏性較 大的材料，其斷裂延伸率較大。因此，在切割的過(guò)程中不容易發(fā)生斷裂，當(dāng)切割速度較慢時(shí)， 切口處的一部分封框膠會(huì)被拉起并粘附于顯示屏的透明基板上，從而產(chǎn)生大量的毛刺。而 本發(fā)明中，可以采用普通切割工藝沿所述預(yù)切割位置對(duì)阻隔層進(jìn)行切割，以實(shí)現(xiàn)切割顯示 面板的目的。雖然普通切割速度較慢，但由于阻隔層相對(duì)于封框膠而言，斷裂延伸率較小， 易斷裂，因此能夠防止切縫處的材料粘附于顯示屏的透明基板上，避免了大量毛刺的產(chǎn)生。 同時(shí)，本發(fā)明適用于普通切割工藝，因此能夠降低生產(chǎn)成本。
[0039] 需要說(shuō)明的是，可以將上述阻隔層20設(shè)置于陣列基板10上，也可以將阻隔層20 設(shè)置于彩膜基板11上。還可以如圖3所示，在彩膜基板11上設(shè)置第一子阻隔層201，在陣 列基板10上設(shè)置第二子阻隔層202。其中，所述第一子阻隔層201和所述第二子阻隔層202 構(gòu)成上述阻隔層20。
[0040] 為了實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)，阻隔層20(或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)的 寬度一般可以設(shè)置為〇· 1?200um。因?yàn)?，?dāng)寬度小于0· lum時(shí)，在切割過(guò)程中可能會(huì)損傷 到封框膠12。當(dāng)寬度大于200um時(shí)，則不能滿足窄邊框的設(shè)計(jì)要求。
[0041] 此外，在保證構(gòu)成上述阻隔層20材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠12材料的斷 裂延伸率的前提下，為了更進(jìn)一步的提高液晶盒的密封性能，可以選用一些具有一定彈性 的材料，例如樹(shù)脂材料構(gòu)成所述阻隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)。并 且，阻隔層20的高度范圍，或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202的高度之和的范圍為 所述顯示裝置盒厚度的1?1. 2倍。這樣一來(lái)，在陣列基板10和彩膜基板11對(duì)盒之后，阻 隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)受到壓縮，使得阻隔層20的上、下表面 (或第一子阻隔層201的上表面、第二子阻隔層202的下表面）分別于彩膜基板11和陣列 基板10緊密接觸，從而提高了液晶盒的密封性。
[0042] 進(jìn)一步地，如圖4所示，還可以在第一子阻隔層201和第二子阻隔層202之間設(shè)置 互鎖結(jié)構(gòu)203。該互鎖結(jié)構(gòu)203可以包括分別設(shè)置于第一子阻隔層201與第二子阻隔層202 相對(duì)的兩個(gè)表面上的凹槽和與所述凹槽的大小和形狀相匹配的凸起。本發(fā)明對(duì)凹槽和凸起 的形狀不做限制。通過(guò)上述互鎖結(jié)構(gòu)203能夠提高第一子阻隔層201與第二子阻隔層202 接觸面的密封性。
[0043] 以下通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)阻隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202) 的具體設(shè)置過(guò)程進(jìn)行舉例說(shuō)明。
[0044] 實(shí)施例一
[0045] 可以將阻隔層20或第一子阻隔層201設(shè)置于彩膜基板11上。
[0046] 具體的，以如圖5所示的顯示裝置為例，彩膜基板11可以包括第一襯底基板110 以及依次位于第一襯底基板110靠近所述陣列基板10 -側(cè)表面的黑矩陣111、彩色濾光層 112、保護(hù)層113以及隔墊物114。
[0047] 黑矩陣111、彩色濾光層112、保護(hù)層113以及隔墊物114均可以采用樹(shù)脂材料構(gòu) 成。并且上述層級(jí)結(jié)構(gòu)無(wú)需具有封框膠12所具有的密封效果。因此，構(gòu)成彩膜基板11上 各個(gè)層級(jí)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂材料相對(duì)于構(gòu)成封框膠12的材料而言，其斷裂延伸率較小，在切割工 藝下易斷裂。所以在制作彩膜基板11的過(guò)程中，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成黑矩陣111、 彩色濾光層112、保護(hù)層113或隔墊物114的同時(shí)形成阻隔層20,以簡(jiǎn)化制作工藝。
[0048] 需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及 刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包 括成膜、曝光、顯影等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本 發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。其中，本發(fā)明實(shí)施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通 過(guò)一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對(duì)不同的曝光區(qū)域進(jìn)行多次刻蝕、灰化等 去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進(jìn)行的說(shuō)明。
[0049] 優(yōu)選的，將隔墊物20與彩膜基板11上遠(yuǎn)離第一襯底基板110 -側(cè)表面的薄膜層 (例如隔墊物114或保護(hù)層113)同層同材料設(shè)置。這樣一來(lái)，能夠避免阻隔層20對(duì)彩膜基 板11上的薄膜層產(chǎn)生不利的影響。此外，有益于對(duì)阻隔層20的高度進(jìn)行控制。例如，阻隔 層20的高度如上所述為顯示裝置盒厚度的1?1. 2倍。其中，盒厚度可以為彩膜基板11 和陣列基板10之間充入的液晶層的厚度。當(dāng)阻隔層20采用與彩色濾光層112同層同材料 設(shè)置，之后形成于彩色濾光層112表面的保護(hù)層113會(huì)覆蓋于阻隔層20的表面，從而增大 阻隔層20的高度，導(dǎo)致彩膜基板11與陣列基板無(wú)法對(duì)盒。所以在制作阻隔層20時(shí)還需要 減去之后形成的薄膜層的厚度。這樣會(huì)增加制作工藝的復(fù)雜程度，不利于生產(chǎn)效率的提高。
[0050] 實(shí)施例二
[0051] 以下，對(duì)阻隔層20與隔墊物114同層同材料設(shè)置為例對(duì)將阻隔層20設(shè)置于彩膜 基板11上的制作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0052] 首先，如圖6a所示，在第一襯底基板110的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝，依次形成黑矩陣 111、彩色濾光層112以及保護(hù)層113 ;然后，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面涂覆樹(shù)脂層210， 厚度與隔墊物114的預(yù)設(shè)厚度相同；接下來(lái)，如圖6b所示，在所述樹(shù)脂層210的表面涂覆光 刻膠211，通過(guò)掩膜曝光工藝，形成對(duì)應(yīng)隔墊物114和阻隔層20位置處的光刻膠保留區(qū)域 A，和對(duì)應(yīng)樹(shù)脂層210表面其它區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域B;最后，對(duì)光刻膠去除區(qū)域B的樹(shù)脂 層210進(jìn)行刻蝕，如圖6c所示，再將光刻膠保留區(qū)域的光刻膠剝離，最終形成如圖6d所示 的隔墊物114和阻隔層20。
[0053] 實(shí)施例三
[0054] 以下，對(duì)第一子阻隔層201與隔墊物114同層同材料設(shè)置為例對(duì)將第一子阻隔層 201設(shè)置于彩膜基板11上的制作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。由于第一子阻隔層201與第二子阻 隔層202的高度之和為液晶盒盒厚的1到1. 2倍，因此第一子阻隔層201的高度小于隔墊 物114的高度，因此需要采用雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行掩膜曝光工藝，以形成具有高度差薄膜層。
[0055] 首先，如圖6a所示，在第一襯底基板110的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝，依次形成黑矩陣 111、彩色濾光層112以及保護(hù)層113 ;然后，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面涂覆樹(shù)脂層210， 厚度為隔墊物114的預(yù)設(shè)厚度；接下來(lái)，如圖6e所示，在所述樹(shù)脂層210的表面涂覆光刻膠 211，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行掩膜曝光工藝，形成對(duì)應(yīng)隔墊物114位置處的光刻膠完全保留 區(qū)域C、對(duì)應(yīng)第一子阻隔層201位置處的光刻膠部分保留區(qū)域D以及對(duì)應(yīng)樹(shù)脂層210表面其 它區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域E。接下來(lái)，如圖6f所示，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域E的樹(shù)脂層 210進(jìn)行部分刻蝕。如圖6g所示，再通過(guò)灰化工藝將光刻膠部分保留區(qū)域D的光刻膠進(jìn)行 灰化，并對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域D的樹(shù)脂層210進(jìn)行刻蝕，同時(shí)刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域 E的樹(shù)脂層210,以形成第一子阻隔層201的圖案。最后，如圖6h所示，將光刻膠完全保留 區(qū)域C的光刻膠剝離，以形成隔墊物114。
[0056] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，雙色調(diào)掩膜版為一種半透式掩膜版，可以在樹(shù)脂 層210表面形成兩種不同厚度的光刻膠（光刻膠完全保留區(qū)域C的光刻膠、光刻膠部分保 留區(qū)域D的光刻膠）。該雙色調(diào)掩膜版可以包括：灰色調(diào)掩膜版（Gray-tone mask)和半色 調(diào)掩膜版（Half-tone mask)。
[0057] 實(shí)施例四
[0058] 可以將阻隔層20或第二子阻隔層202設(shè)置于陣列基板10上。
[0059] 具體的，以如圖5所示的顯示裝置為例，陣列基板10包括依次位于第二襯底基板 100表面的TFT柵極101、柵極絕緣層102、有源層103、源漏金屬層104、像素電極105、鈍化 層106以及公共電極107。
[0060] 上述具有絕緣作用的柵極絕緣層102以及鈍化層106其斷裂延伸率均小于封框膠 12。因此可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在形成柵極絕緣層102或鈍化層106同時(shí)形成阻隔層20 (或第 二子阻隔層202)，以簡(jiǎn)化制作工藝。然而柵極絕緣層102 -般采用二氧化硅構(gòu)成其成膜工 藝相對(duì)與由樹(shù)脂材料構(gòu)成的鈍化層106而言，較為復(fù)雜，且成本高。并且阻隔層20 (或第 二子阻隔層202)與柵極絕緣層102同層同材料設(shè)置會(huì)對(duì)后續(xù)制作工藝制成的源漏金屬層 104、像素電極105、公共電極107產(chǎn)生影響。例如容易導(dǎo)致公共電極107具有層級(jí)差，易發(fā) 生斷路。
[0061] 因此，優(yōu)選的，可以將阻隔層20或與第二子阻隔層202與鈍化層106同層同材料 設(shè)置。具體的制作方法可以參考上述實(shí)施例三。
[0062] 需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例均是以如圖5所示的，IPS(In Plane Switch,橫向電 場(chǎng)效應(yīng)）型顯示裝置為例進(jìn)行的說(shuō)明，本發(fā)明對(duì)TFT-LCD的類型不作限制，例如可以采用將 公共電極設(shè)置于彩膜基板11上的TN(Twist Nematic，扭曲向列）型的顯示裝置。還可以 采用公共電極和像素電極異層設(shè)置與陣列基板10上的ADS (Advanced-Super Dimensional Switching簡(jiǎn)稱高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)）型的顯示裝置。其中，位于上層的像素電極為狹縫狀，位 于下層的公共電極為平面狀。
[0063] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置的制備方法，如圖7所示，可以包括：
[0064] S101、如圖2a所示，分別制作陣列基板10和彩膜基板11。在陣列基板10或彩膜 基板11上設(shè)置預(yù)切割位置（〇_〇'）。
[0065] S102、在陣列基板10或彩膜基板11上，對(duì)應(yīng)預(yù)切割位置（0_0'）處形成阻隔層20。
[0066] S103、在陣列基板10的表面形成封框膠12。兩個(gè)相鄰封框膠12之間具有阻隔層 20 〇
[0067] S104、將彩膜基板11與陣列基板10對(duì)盒成型。
[0068] 其中，構(gòu)成上述阻隔層20材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠12材料的斷裂延伸 率。
[0069] 需要說(shuō)明的是，材料的斷裂延伸率越小，在切割過(guò)程中越容易發(fā)生斷裂；反之越不 容易斷裂。如圖2b (圖2a中沿A-A'得到的剖視圖）所示，每個(gè)顯示面板的有效顯示區(qū)01 的四周都設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記02。根據(jù)上述對(duì)比標(biāo)記02可以設(shè)置出預(yù)切割位置（0-0'）。本發(fā) 明提供的阻隔層20位于預(yù)切割位置（0-0'）處。這樣一來(lái)，在切割過(guò)程中不會(huì)損傷到封框 膠12,而直接對(duì)易斷裂的阻隔層20進(jìn)行切割。
[0070] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置的制備方法，包括首先分別制作陣列基板和彩膜 基板并在陣列基板或彩膜基板上設(shè)置預(yù)切割位置；然后，在陣列基板或彩膜基板上，對(duì)應(yīng)預(yù) 切割位置處形成阻隔層；接下來(lái)，在陣列基板的表面形成封框膠，兩個(gè)相鄰封框膠之間具有 阻隔層；最后，將彩膜基板與陣列基板對(duì)盒成型。其中，構(gòu)成阻隔層材料的斷裂延伸率小于 構(gòu)成封框膠材料的斷裂延伸率。由于封框膠能夠?qū)Φ巫⒃陉嚵谢搴筒誓せ逯g的液晶 進(jìn)行密封。因此一般采用具有一定膠黏性的材料構(gòu)成封框膠。膠黏性較大的材料，其斷裂 延伸率較大。因此，在切割的過(guò)程中不容易發(fā)生斷裂，當(dāng)切割速度較慢時(shí)，切口處的一部分 封框膠會(huì)被拉起并粘附于顯示屏的透明基板上，從而產(chǎn)生大量的毛刺。而本發(fā)明中，可以采 用普通切割工藝沿所述預(yù)切割位置對(duì)阻隔層進(jìn)行切割，以實(shí)現(xiàn)切割顯示面板的目的。雖然 普通切割速度較慢，但由于阻隔層相對(duì)于封框膠而言，斷裂延伸率較小，易斷裂，因此能夠 防止切縫處的材料粘附于顯示屏的透明基板上，避免了大量毛刺的產(chǎn)生。同時(shí)，本發(fā)明適用 于普通切割工藝，因此能夠降低生產(chǎn)成本。
[0071] 需要說(shuō)明的是，上述步驟S102可以，如圖8所示，包括：
[0072] S201、在彩膜基板12上對(duì)應(yīng)預(yù)切割位置（0_0'）處形成第一子阻隔層201。
[0073] S202、在陣列基板11上對(duì)應(yīng)預(yù)切割位置（0_0'）處形成第二子阻隔層202。
[0074] 當(dāng)彩膜基板12與陣列基板11對(duì)盒后，上述第一子阻隔層201和第二子阻隔層202 構(gòu)成所述阻隔層20。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明對(duì)步驟S201和步驟S202的順序不作限制。
[0075] 為了實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)，阻隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)的 寬度一般可以設(shè)置為〇· 1?200um。因?yàn)?，?dāng)寬度小于0· lum時(shí)，在切割過(guò)程中可能會(huì)損傷 到封框膠12。當(dāng)寬度大于200um時(shí)，則不能滿足窄邊框的設(shè)計(jì)要求。
[0076] 此外，在保證構(gòu)成上述阻隔層20材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成封框膠12材料的斷 裂延伸率的前提下，為了更進(jìn)一步的提高液晶盒的密封性能，可以選用一些具有一定彈性 的材料，例如樹(shù)脂材料構(gòu)成所述阻隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)。并 且，阻隔層20的高度范圍，或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202的高度之和的范圍為 所述顯示裝置盒厚度的1?1. 2倍。這樣一來(lái)，在陣列基板10和彩膜基板11對(duì)盒之后，阻 隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202)受到壓縮，使得阻隔層20的上、下表面 (或第一子阻隔層201的上表面、第二子阻隔層202的下表面）分別于彩膜基板11和陣列 基板10緊密接觸，從而提高了液晶盒的密封性。
[0077] 以下通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)阻隔層20 (或第一子阻隔層201和第二子阻隔層202) 的具體制作過(guò)程進(jìn)行舉例說(shuō)明。
[0078] 實(shí)施例五
[0079] 可以將阻隔層20或第一子阻隔層201設(shè)置于彩膜基板11上。
[0080] 具體的，以如圖5所示的顯示裝置為例，彩膜基板11可以包括第一襯底基板110 以及依次位于第一襯底基板110靠近所述陣列基板10 -側(cè)表面的黑矩陣111、彩色濾光層 112、保護(hù)層113以及隔墊物114。
[0081] 黑矩陣111、彩色濾光層112、保護(hù)層113以及隔墊物114均可以采用樹(shù)脂材料構(gòu) 成。并且上述層級(jí)結(jié)構(gòu)無(wú)需具有封框膠12所具有的密封效果。因此，構(gòu)成彩膜基板11上 各個(gè)層級(jí)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂材料相對(duì)于構(gòu)成封框膠12的材料而言，其斷裂延伸率較小，在切割工 藝下易斷裂。所以在制作彩膜基板11的過(guò)程中，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在形成黑矩陣111、彩色 濾光層112、保護(hù)層113或隔墊物114的同時(shí)形成阻隔層20,以簡(jiǎn)化制作工藝。
[0082] 優(yōu)選的，通過(guò)構(gòu)圖工藝，可以形成彩膜基板11上遠(yuǎn)離第一襯底基板110 -側(cè)表面 的薄膜層（例如隔墊物114或保護(hù)層113)同層同材料的阻隔層20或第一子阻隔層201。 這樣一來(lái)，能夠避免阻隔層20對(duì)彩膜基板11上的薄膜層產(chǎn)生不利的影響。此外，有益于對(duì) 阻隔層20的高度進(jìn)行控制。例如，阻隔層20的高度如上所述為顯示裝置盒厚度的1?1. 2 倍。當(dāng)阻隔層20采用與彩色濾光層112同層同材料設(shè)置，之后形成于彩色濾光層112表面 的保護(hù)層113會(huì)覆蓋于阻隔層20的表面，從而增大阻隔層20的高度，導(dǎo)致彩膜基板11與 陣列基板無(wú)法對(duì)盒。所以在制作阻隔層20時(shí)還需要減去之后形成的薄膜層的厚度。這樣 會(huì)增加制作工藝的復(fù)雜程度，不利于生產(chǎn)效率的提高。
[0083] 實(shí)施例六
[0084] 以下，對(duì)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與隔墊物114同層同材料的阻隔層20的制作過(guò) 程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，具體步驟如圖9所示。
[0085] S301、如圖6a所示，在第一襯底基板110的表面通過(guò)構(gòu)圖工藝，依次形成黑矩陣 111、彩色濾光層112以及保護(hù)層113 ;
[0086] S302、在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面涂覆樹(shù)脂層210,厚度與隔墊物114的預(yù)設(shè)厚 度相問(wèn)。
[0087] S303、如圖6b所示，在所述樹(shù)脂層210的表面涂覆光刻膠211，通過(guò)掩膜曝光工藝， 形成對(duì)應(yīng)隔墊物114和阻隔層20位置處的光刻膠保留區(qū)域A，和對(duì)應(yīng)樹(shù)脂層210表面其它 區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域B。
[0088] S304、對(duì)光刻膠去除區(qū)域B的樹(shù)脂層210進(jìn)行刻蝕，如圖6c所示，再將光刻膠保留 區(qū)域的光刻膠剝離，最終形成如圖6d所示的隔墊物114和阻隔層20。
[0089] 實(shí)施例七
[0090] 以下，對(duì)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與隔墊物114同層同材料的第一子阻隔層201的 制作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，具體步驟如圖10所示。由于第一子阻隔層201的高度小于隔墊 物114的高度，因此需要采用雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行掩膜曝光工藝。
[0091] 該方法再完成上述步驟S301、S302之后，還包括：
[0092] S401、如圖6e所示，在所述樹(shù)脂層210的表面涂覆光刻膠211，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版 進(jìn)行掩膜曝光工藝，形成對(duì)應(yīng)隔墊物114位置處的光刻膠完全保留區(qū)域C、對(duì)應(yīng)第一子阻隔 層201位置處的光刻膠部分保留區(qū)域D以及對(duì)應(yīng)樹(shù)脂層210表面其它區(qū)域的光刻膠完全去 除區(qū)域E。
[0093] S402、如圖6f所示，對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域E的樹(shù)脂層210進(jìn)行部分刻蝕。
[0094] S403、如圖6g所示，再通過(guò)灰化工藝將光刻膠部分保留區(qū)域D的光刻膠進(jìn)行灰化， 并對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域D的樹(shù)脂層210進(jìn)行刻蝕，同時(shí)刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域E的 樹(shù)脂層210,以形成第一子阻隔層201的圖案。
[0095] S404、如圖6h所示，將光刻膠完全保留區(qū)域C的光刻膠剝離，以形成隔墊物114。
[0096] 實(shí)施例八
[0097] 可以將阻隔層20或第二子阻隔層202設(shè)置于陣列基板10上。
[0098] 具體的，以如圖5所示的顯示裝置為例，陣列基板10包括依次位于第二襯底基板 100表面的TFT柵極101、柵極絕緣層102、有源層103、源漏金屬層104、像素電極105、鈍化 層106以及公共電極107。
[0099] 上述具有絕緣作用的柵極絕緣層102以及鈍化層106其斷裂延伸率均小于封框膠 12。因此可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在形成柵極絕緣層102或鈍化層106同時(shí)形成阻隔層20 (或第 二子阻隔層202)，以簡(jiǎn)化制作工藝。然而柵極絕緣層102 -般采用二氧化硅構(gòu)成其成膜工 藝相對(duì)與由樹(shù)脂材料構(gòu)成的鈍化層106而言，較為復(fù)雜，且成本高。并且阻隔層20 (或第 二子阻隔層202)與柵極絕緣層102同層同材料設(shè)置會(huì)對(duì)后續(xù)制作工藝制成的源漏金屬層 104、像素電極105、公共電極107產(chǎn)生影響。例如容易導(dǎo)致公共電極107具有層級(jí)差，易發(fā) 生斷路。
[0100] 因此，優(yōu)選的，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與鈍化層106同層同材料的阻隔層20 或第二子阻隔層202。具體的制作方法可以參考上述實(shí)施例五。
[0101] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示裝置，包括陣列基板、彩膜基板以及位于所述陣列基板和所述彩膜基板之 間的封框膠，兩個(gè)相鄰所述封框膠之間設(shè)置有預(yù)切割位置，其特征在于，還包括位于所述陣 列基板與所述彩膜基板之間，對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處的阻隔層； 其中，構(gòu)成所述阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成所述封框膠材料的斷裂延伸率。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述阻隔層包括分別設(shè)置于所述彩 膜基板、所述陣列基板上的第一子阻隔層、第二子阻隔層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，在所述彩膜基板設(shè)置有隔墊物的情 況下，所述阻隔層或所述第一子阻隔層與所述隔墊物同層同材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，在所述彩膜基板設(shè)置有保護(hù)層的情 況下，所述阻隔層或所述第一子阻隔層與所述保護(hù)層同層同材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，在所述陣列基板包括鈍化層的情況 下，所述阻隔層或與第二子阻隔層與所述鈍化層同層同材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，所述阻隔層的寬度范圍為0. 1? 200um〇
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，所述阻隔層的高度范圍為所述顯 示裝置盒厚度的1?1. 2倍。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一子阻隔層和所述第二子阻 隔層之間設(shè)置有互鎖結(jié)構(gòu)。
9. 一種顯示裝置的制備方法，其特征在于，包括： 分別制作陣列基板和彩膜基板；在所述陣列基板或所述彩膜基板上設(shè)置預(yù)切割位置； 在所述陣列基板或所述彩膜基板上，對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處形成阻隔層； 在所述陣列基板的表面形成封框膠；兩個(gè)相鄰所述封框膠之間具有所述阻隔層； 將所述彩膜基板與所述陣列基板對(duì)盒成型； 其中，構(gòu)成所述阻隔層材料的斷裂延伸率小于構(gòu)成所述封框膠材料的斷裂延伸率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述在所述陣列基板或 所述彩膜基板上，對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處形成阻隔層的方法包括： 在所述彩膜基板上對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處形成第一子阻隔層； 在所述陣列基板上對(duì)應(yīng)所述預(yù)切割位置處形成第二子阻隔層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，在所述彩膜基板設(shè)置 有隔墊物的情況下，所述方法包括： 在所述彩膜基板上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與所述隔墊物同層同材料的所述阻隔層 或所述第一子阻隔層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，在所述彩膜基板設(shè)置 有保護(hù)層的情況下，所述方法包括： 在所述彩膜基板上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與所述保護(hù)層同層同材料的所述阻隔層 或所述第一子阻隔層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括 鈍化層的情況下，所述方法包括： 在陣列基板上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成與所述鈍化層同層同材料的所述阻隔層或所 述第二子阻隔層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述阻隔層的寬度 范圍為〇· 1?200um。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述阻隔層的高度 范圍為所述顯示裝置盒厚度的1?1. 2倍。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK104216158SQ201410412413
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月20日
【發(fā)明者】范宇光, 王振偉, 孟維欣, 李建, 李京鵬, 宋省勛 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司