一種顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種顯示裝置及其制作方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠有效減小顯示裝置的COG?mura。該顯示裝置包括背光模組、下偏光片、陣列基板、液晶分子層、彩膜基板和集成電路，陣列基板和彩膜基板相對(duì)設(shè)置于液晶分子層兩側(cè)，陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，下偏光片位于陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板一側(cè)，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域；集成電路位于綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上；背光模組位于綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上。
【專利說明】一種顯示裝置及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種顯示裝置及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，液晶顯示裝置包括依次設(shè)置的背光模組I’、下偏光片2’、陣列基板3’、液晶分子層4’、彩膜基板5’、上偏光片6’以及集成電路7’等結(jié)構(gòu)。其中，陣列基板3’包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，對(duì)盒區(qū)域用于和彩膜基板5’對(duì)盒，綁定區(qū)域用于綁定集成電路V。
[0003]具體地，下偏光片2’、上偏光片6’的貼附，集成電路V的綁定以及背光模組I’的組裝過程如下:在陣列基板3’和彩膜基板5’對(duì)盒后，在陣列基板3’的對(duì)盒區(qū)域遠(yuǎn)離彩膜基板5’的一面上貼附下偏光片2’，在彩膜基板5’遠(yuǎn)離陣列基板3’的一面上貼附上偏光片6’，然后，在綁定區(qū)域靠近彩膜基板5’的一面上綁定集成電路7’;最后，在遠(yuǎn)離彩膜基板5’的一面上組裝背光模組I’。其中，組裝背光模組I’的過程如下:首先，在背光模組I’的遮光帶11’上貼附臺(tái)階膠12’ (臺(tái)階膠12’用于彌補(bǔ)綁定區(qū)域與貼附了下偏光片2’的對(duì)盒區(qū)域之間的高度差)，然后，使臺(tái)階膠12’與綁定區(qū)域粘合，遮光帶11’與下偏光片2’的邊緣粘合，從而實(shí)現(xiàn)背光模組的I’組裝。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在綁定區(qū)域上綁定集成電路7’時(shí)，會(huì)造成綁定區(qū)域的變形，當(dāng)液晶顯示裝置的顯示模式為ADS、IPS和FFS等顯示模式時(shí)，綁定區(qū)域的變形會(huì)導(dǎo)致液晶顯示裝置出現(xiàn)COG mura(由于集成電路的綁定而造成顯示顏色和亮度變化的現(xiàn)象稱為C0G(chip onglass,集成電路綁定在基板上)mura),顯不裝置出現(xiàn)COG mura的比例為I?3%。在后續(xù)在綁定區(qū)域上組裝背光模組I’的過程中，產(chǎn)生的應(yīng)力通過遮光帶11’和臺(tái)階膠12’集中于綁定區(qū)域上，進(jìn)而使得綁定區(qū)域的變形量大幅增加，大大加重了 COG mura，導(dǎo)致顯示裝置出現(xiàn)COG mura的比例為10?15%，進(jìn)而導(dǎo)致液晶顯示裝置的良品率下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種顯示裝置及其制作方法，能夠有效減小顯示裝置的COG mura。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種顯示裝置包括背光模組、下偏光片、陣列基板、液晶分子層、彩膜基板和集成電路，所述陣列基板和所述彩膜基板相對(duì)設(shè)置于所述液晶分子層兩側(cè)，所述陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，所述下偏光片位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板一側(cè)，所述下偏光片覆蓋所述對(duì)盒區(qū)域和所述綁定區(qū)域；
[0008]所述集成電路位于所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上；
[0009]所述背光模組位于所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上。
[0010]所述下偏光片的平坦度小于或者等于0.03mm。
[0011]所述背光模組上粘貼有遮光帶，所述遮光帶未與所述背光模組粘貼的一面與所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面粘合。
[0012]所述集成電路包括驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板。
[0013]所述綁定區(qū)域的寬度為3.5?4mm。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括背光模組、下偏光片、陣列基板、液晶分子層、彩膜基板和集成電路，其中，陣列基板和彩膜基板相對(duì)設(shè)置于液晶分子層兩側(cè)，陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，下偏光片位于陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板一側(cè)，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域；集成電路位于綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上；背光模組位于綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上。由于下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，因此，組裝背光模組時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力分散至整個(gè)下偏光片上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯示裝置的COGmura,提聞顯不裝直的良品率。
[0015]為了進(jìn)一步解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置制造方法，采用如下技術(shù)方案:
[0016]一種顯示裝置制造方法包括:
[0017]制作陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域；
[0018]在所述陣列基板的所述對(duì)盒區(qū)域或者所述彩膜基板上滴注液晶，使所述陣列基板的所述對(duì)盒區(qū)域和所述彩膜基板對(duì)盒；
[0019]在所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一面上貼附下偏光片，所述下偏光片覆蓋所述對(duì)盒區(qū)域和所述綁定區(qū)域；
[0020]在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定集成電路；
[0021]在所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上組裝背光模組。
[0022]所述下偏光片的平坦度小于或者等于0.03_。
[0023]所述在所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上組裝背光模組，包括:
[0024]在所述背光模組上粘貼遮光帶；
[0025]將所述遮光帶未與所述背光模組粘貼的一面與所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面粘合。
[0026]所述在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定集成電路，包括:
[0027]在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定驅(qū)動(dòng)集成電路；
[0028]在綁定了所述驅(qū)動(dòng)集成電路的所述綁定區(qū)域上綁定柔性電路板。
[0029]所述綁定區(qū)域的寬度為3.5?4mm。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置制造方法，采用上述方法制作顯示裝置的過程中，先在陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板的一面上貼附下偏光片，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，然后在綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上綁定驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板，再在綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上組裝背光模組，由于下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，因此，組裝背光模組時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力分散至整個(gè)下偏光片上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯示裝置的COG mura,提聞顯不裝直的良品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示裝置的示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置的示意圖；
[0034]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示模式為ADS的顯示裝置的陣列基板示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置制造方法流程圖。
[0036]附圖標(biāo)記說明:
[0037]I一背光模組；11一遮光帶；2—下偏光片；
[0038]3—陣列基板；30—第一襯底基板；31—柵極；
[0039]32一公共電極；33—柵極絕緣層；34—有源層；
[0040]35一源極；36—漏極；37—純化層；
[0041]38一像素電極；4一液晶分子層； 5—彩膜基板；
[0042]6一集成電路；7—上偏光片。

【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]實(shí)施例一
[0045]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，能夠有效減小顯示裝置的COG mura。顯示裝置的顯示模式可以為ADS、IPS或者FFS。如圖2所示，該顯示裝置包括:背光模組1、下偏光片2、陣列基板3、液晶分子層4、彩膜基板5和集成電路6。
[0046]下面對(duì)顯示裝置包括的各個(gè)結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置關(guān)系和具體細(xì)節(jié)進(jìn)行描述:
[0047]陣列基板I和彩膜基板2相對(duì)設(shè)置于液晶分子層4兩側(cè)，陣列基板3包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域。其中，綁定區(qū)域的寬度為3.5?4mm。
[0048]進(jìn)一步地，陣列基板3包括第一襯底基板以及設(shè)置于第一襯底基板上的縱橫交錯(cuò)的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線圍成像素單元，設(shè)置于像素單元內(nèi)的薄膜晶體管、公共電極和像素電極等結(jié)構(gòu)。彩膜基板5上設(shè)置有黑矩陣、彩色濾色層、透明保護(hù)層和隔墊物等結(jié)構(gòu)。
[0049]當(dāng)顯示裝置的顯示模式為ADS時(shí)，陣列基板3上的公共電極和像素電極不同層設(shè)置，公共電極或者像素電極上具有狹縫。當(dāng)顯示裝置的顯示模式為IPS時(shí)，陣列基板3上的公共電極和像素電極同層間隔設(shè)置。當(dāng)顯示裝置的顯示模式為FFS時(shí)，陣列基板3上的公共電極和像素電極不同層設(shè)置，公共電極和像素電極上均具有狹縫，公共電極上的狹縫對(duì)應(yīng)于像素電極所在位置，像素電極上的狹縫對(duì)應(yīng)于公共電極所在位置。
[0050]示例性地，當(dāng)顯示裝置的顯示模式為ADS時(shí)，如圖3所示，陣列基板3包括依次設(shè)置于第一襯底基板30上的同層設(shè)置的柵線(圖中未示出)、柵極31和公共電極32、柵極絕緣層33、有源層34、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(圖中未示出)、源極35和漏極36、鈍化層37和具有狹縫的像素電極38，其中鈍化層37上有過孔，像素電極38通過過孔與漏極36連接。
[0051]下偏光片2位于陣列基板3遠(yuǎn)離彩膜基板5 —側(cè)，下偏光片2覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域。
[0052]現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，背光模組I’上貼附有遮光帶11’，遮光帶11’上貼附臺(tái)階膠12’，臺(tái)階膠12’與綁定區(qū)域粘合，遮光帶11’與下偏光片2’的邊緣粘合。此時(shí)，組裝背光模組I’導(dǎo)致綁定區(qū)域的變形量增加的原因包括兩方面:一方面，組裝背光模組I’時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力通過遮光帶11’和臺(tái)階膠12’集中于綁定區(qū)域上，增加了綁定區(qū)域的變形量；另一方面，由于現(xiàn)有工藝的限制，遮光帶11’和臺(tái)階膠12’的平坦度較差，一般在0.2?0.3mm之間，通過遮光帶11’和臺(tái)階膠12’將背光模組I’組裝在綁定區(qū)域上時(shí)，進(jìn)一步加劇了綁定區(qū)域上的應(yīng)力集中，進(jìn)一步增加了綁定區(qū)域的變形量，使得顯示裝置的COG mura加重，顯示裝置的良品率下降。由以上所述可知，與綁定區(qū)域接觸的結(jié)構(gòu)的平坦度對(duì)綁定區(qū)域的變形量有很大影響，在本發(fā)明實(shí)施例中與綁定區(qū)域接觸的結(jié)構(gòu)為下偏光片2覆蓋整個(gè)陣列基板3，因此，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選下偏光片2的平坦度小于或者等于0.03_。
[0053]集成電路6位于綁定區(qū)域未被下偏光片2覆蓋的一面上。示例性地，集成電路6包括驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板。
[0054]背光模組I位于綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片2的一面上。
[0055]具體地，背光模組I上粘貼有遮光帶11，遮光帶11未與背光模組I粘貼的一面與綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片2的一面粘合。此時(shí)，背光模組I通過遮光帶11與下偏光片2接觸，進(jìn)而通過遮光帶11將組裝背光模組I時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力分散至整個(gè)下偏光片2上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組I的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯不裝直的COG mura,提聞顯不裝直的良品率。
[0056]此外，顯示裝置還包括位于陣列基板3靠近彩膜基板5 —面的第一取向膜(圖中未不出)，位于彩膜基板5靠近陣列基板3 —面的第二取向膜(圖中未不出)，以及位于彩膜基板5遠(yuǎn)離陣列基板3 —面上的上偏光片7,其中,第一取向膜和第二取向膜使得液晶分子層4內(nèi)的液晶分子沿長(zhǎng)軸平行于下偏光片2的透光軸方向的方向排列，上偏光片7的透光軸方向與下偏光片2的透光軸方向相互垂直。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括背光模組、下偏光片、陣列基板、液晶分子層、彩膜基板和集成電路，其中，陣列基板和彩膜基板相對(duì)設(shè)置，陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，下偏光片位于陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板一側(cè)，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域；集成電路位于綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上；背光模組位于綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上。由于下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，因此，組裝背光模組時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力分散至整個(gè)下偏光片上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯示裝置的COG mura，提高顯示裝置的良品率。
[0058]實(shí)施例二
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置制造方法，能夠有效減小顯示裝置的COGmura。此顯示裝置制造方法可以用于制作顯示模式為ADS、IPS或者FFS的顯示裝置。
[0060]如圖4所示，該顯示裝置制造方法包括:
[0061]步驟S401、制作陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域。
[0062]具體地，制作陣列基板3包括在第一襯底基板上形成縱橫交錯(cuò)的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線圍成像素單元；形成薄膜晶體管，薄膜晶體管位于像素單元內(nèi)；形成公共電極；形成像素電極等，以形成陣列基板3。形成的陣列基板3包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，其中，綁定區(qū)域的寬度為3.5?4mm。
[0063]需要說明的是，以上并未對(duì)形成陣列基板上的各個(gè)結(jié)構(gòu)的順序進(jìn)行限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的陣列基板3的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的順序，也可以同時(shí)形成多個(gè)結(jié)構(gòu)。
[0064]當(dāng)制作的陣列基板3用于顯示模式為ADS的顯示裝置中時(shí)，形成的公共電極和像素電極不同層設(shè)置，公共電極或者像素電極上具有狹縫。當(dāng)制作的陣列基板3用于顯示模式為IPS的顯示裝置中時(shí)，形成的公共電極和像素電極同層間隔設(shè)置。當(dāng)制作的陣列基板3用于顯示模式為FFS的顯示裝置中時(shí)，形成的公共電極和像素電極不同層設(shè)置，公共電極和像素電極上均具有狹縫，公共電極上的狹縫對(duì)應(yīng)于像素電極所在位置，像素電極上的狹縫對(duì)應(yīng)于公共電極所在位置。
[0065]示例性地，當(dāng)制作的陣列基板3用于顯示模式為ADS的顯示裝置中時(shí)，陣列基板3的制作過程具體包括:
[0066]在第一襯底基板30上形成柵極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵極31的圖形。
[0067]在形成了包括柵線和柵極31的圖形的第一襯底基板30上，形成公共電極層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括板狀的公共電極32的圖形，板狀的公共電極32與柵線和柵極31同層設(shè)置。
[0068]在形成了包括公共電極32的圖形的第一襯底基板30上，形成柵極絕緣層33。
[0069]在形成了柵極絕緣層33的第一襯底基板30上，形成半導(dǎo)體層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層34的圖形。
[0070]在形成了包括有源層34的圖形的第一襯底基板30上，形成源漏極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源極35和漏極36的圖形。
[0071]在形成了包括數(shù)據(jù)線、源極35和漏極36的圖形的第一襯底基板30上，形成鈍化層37，經(jīng)過構(gòu)圖工藝使鈍化層37上形成對(duì)應(yīng)于漏極36的過孔。
[0072]在形成了鈍化層37的第一襯底基板30上，形成像素電極層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括具有狹縫的像素電極38的圖形，像素電極38通過過孔與漏極36連接。
[0073]具體地，彩膜基板5的制作過程包括在第二襯底基板上形成黑矩陣，形成彩色濾色層，形成透明保護(hù)層，形成隔墊物等。
[0074]步驟S402、在陣列基板的對(duì)盒區(qū)域或者彩膜基板上滴注液晶，將陣列基板的對(duì)盒區(qū)域和彩膜基板對(duì)盒。
[0075]步驟S403、在陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板的一面上貼附下偏光片，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域。
[0076]現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，背光模組I’上貼附有遮光帶11’，遮光帶11’上貼附臺(tái)階膠12’，臺(tái)階膠12’與綁定區(qū)域粘合，遮光帶11’與下偏光片2’的邊緣粘合。此時(shí)，組裝背光模組I’導(dǎo)致綁定區(qū)域的變形量增加的原因包括兩方面:一方面，組裝背光模組I’時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力通過遮光帶11’和臺(tái)階膠12’集中于綁定區(qū)域上，增加了綁定區(qū)域的變形量；另一方面，由于現(xiàn)有工藝的限制，遮光帶11’和臺(tái)階膠12’的平坦度較差，一般在0.2?0.3mm之間，通過遮光帶11’和臺(tái)階膠12’將背光模組I’組裝在綁定區(qū)域上時(shí)，進(jìn)一步加劇了綁定區(qū)域上的應(yīng)力集中，進(jìn)一步增加了綁定區(qū)域的變形量，使得顯示裝置的COG mura加重，顯示裝置的良品率下降。由以上所述可知，與綁定區(qū)域接觸的結(jié)構(gòu)的平坦度對(duì)綁定區(qū)域的變形量有很大影響，在本發(fā)明實(shí)施例中與綁定區(qū)域接觸的結(jié)構(gòu)為下偏光片2，因此，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選下偏光片2的平坦度小于或者等于0.03_。
[0077]步驟S404、在綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上綁定集成電路。
[0078]示例性地，當(dāng)需要綁定的集成電路6包括驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板時(shí)，在綁定區(qū)域未被下偏光片2覆蓋的一面上綁定集成電路6包括:首先，在綁定區(qū)域未被下偏光片2覆蓋的一面上綁定驅(qū)動(dòng)集成電路；然后，在綁定了驅(qū)動(dòng)集成電路的綁定區(qū)域上綁定柔性電路板，也就數(shù)說首先將驅(qū)動(dòng)集成電路設(shè)置在陣列基板3的綁定區(qū)域上，然后再將柔性電路板綁定在陣列基板3上，以使陣列基板3上的各種信號(hào)線的引線端(包括數(shù)據(jù)線引線端或者其他需要輸入或輸出信號(hào)端)通過柔性電路板與驅(qū)動(dòng)集成電路相連。
[0079]步驟S405、在綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上組裝背光模組。
[0080]具體地，首先，在背光模組I上粘貼遮光帶11，然后，將遮光帶11未與背光模組I粘貼的一面與綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片2的一面粘合。此時(shí)，背光模組I通過遮光帶11與下偏光片2接觸，進(jìn)而使得組裝背光模組I時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力通過遮光帶11分散至整個(gè)下偏光片2上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組I的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯示裝置的COG mura，提高顯示裝置的良品率。
[0081]需要說明的是，采用上述顯示裝置制造方法制作顯示裝置時(shí)，可以采用現(xiàn)有的工藝參數(shù)和設(shè)備，無需增加成本。
[0082]此外，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置制造方法還包括在彩膜基板5遠(yuǎn)離陣列基板3的一面貼附上偏光片7,在陣列基板3靠近彩膜基板5的一面上形成第一取向膜,在彩膜基板5靠近陣列基板3的一面上形成第二取向膜等步驟，本發(fā)明實(shí)施例不再贅述。
[0083]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置制造方法，采用上述方法制作顯示裝置的過程中，先在陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板的一面上貼附下偏光片，下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，然后在綁定區(qū)域未被下偏光片覆蓋的一面上綁定驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板，再在綁定區(qū)域覆蓋了下偏光片的一面上組裝背光模組，由于下偏光片覆蓋對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，因此，組裝背光模組時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力分散至整個(gè)下偏光片上，避免了綁定區(qū)域的應(yīng)力集中，使得組裝背光模組的過程中綁定區(qū)域的變形量無變化，進(jìn)而可以有效減小顯示裝置的COG mura,提聞顯不裝直的良品率。
[0084]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括背光模組、下偏光片、陣列基板、液晶分子層、彩膜基板和集成電路，所述陣列基板和所述彩膜基板相對(duì)設(shè)置于所述液晶分子層兩側(cè)，所述陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域，其特征在于， 所述下偏光片位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板一側(cè)，所述下偏光片覆蓋所述對(duì)盒區(qū)域和所述綁定區(qū)域； 所述集成電路位于所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上； 所述背光模組位于所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述下偏光片的平坦度小于或者等于 0.03mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，所述背光模組上粘貼有遮光帶，所述遮光帶未與所述背光模組粘貼的一面與所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面粘口 O
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，所述集成電路包括驅(qū)動(dòng)集成電路和柔性電路板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述綁定區(qū)域的寬度為3.5?4_。
6.一種顯示裝置制造方法，其特征在于，包括: 制作陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括對(duì)盒區(qū)域和綁定區(qū)域； 在所述陣列基板的所述對(duì)盒區(qū)域或者所述彩膜基板上滴注液晶，使所述陣列基板的所述對(duì)盒區(qū)域和所述彩膜基板對(duì)盒； 在所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一面上貼附下偏光片，所述下偏光片覆蓋所述對(duì)盒區(qū)域和所述綁定區(qū)域； 在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定集成電路； 在所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上組裝背光模組。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置制造方法，其特征在于，所述下偏光片的平坦度小于或者等于0.03mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置制造方法，其特征在于，所述在所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面上組裝背光模組，包括: 在所述背光模組上粘貼遮光帶； 將所述遮光帶未與所述背光模組粘貼的一面與所述綁定區(qū)域覆蓋了所述下偏光片的一面粘合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置制造方法，其特征在于，所述在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定集成電路，包括: 在所述綁定區(qū)域未被所述下偏光片覆蓋的一面上綁定驅(qū)動(dòng)集成電路； 在綁定了所述驅(qū)動(dòng)集成電路的所述綁定區(qū)域上綁定柔性電路板。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置制造方法，其特征在于，所述綁定區(qū)域的寬度為.3.5 ?4mm。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK104199210SQ201410380460
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月4日
【發(fā)明者】龍君, 李 瑞, 張宏坤, 楊剛 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司