Tft-lcd陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法,包括:柵線和數(shù)據(jù)線,柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管,像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極,第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線。通過上述方式,本發(fā)明能夠使得存儲電容的兩個電極之間的距離減小,從而增大了單位面積儲存電容值。
【專利說明】TFT-LCD陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,特別是涉及一種TFT-1XD陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖像顯示面板采用MXN點(diǎn)排列的逐行掃描矩陣顯示,其包括用于控制發(fā)光源的陣列基板。以薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,簡稱TFT-1XD)為例,陣列基板的驅(qū)動器主要包括柵極驅(qū)動器,即掃描驅(qū)動器,和數(shù)據(jù)驅(qū)動器,其中,柵極驅(qū)動器將輸入的時鐘信號通過移位寄存器轉(zhuǎn)換后加在液晶顯示面板的柵線上。
[0003]目前已有很多種現(xiàn)有技術(shù)用于優(yōu)化減少TFT的個數(shù),而電容作為移位寄存器的必須基本單元,必不可少,而且電容至少需要一個,大小至少需要幾個皮法(PF)到幾十個皮法,即通常所占面積由100ym2到1000000 μ m2。通常在做TFT-LCD的柵極驅(qū)動器的移位寄存器時,會把電容的一個電極作為TFT柵極層,另一電極使用TFT源漏層制造。
[0004]TFT-1XD陣列基板上的像素單元結(jié)構(gòu),其中包括:一個TFT開關(guān)、一個存儲電容和一個液晶電容,通常存儲電容由第一層?xùn)沤饘傩纬傻腃om電極與像素電極ITO之間的重疊區(qū)域構(gòu)成,由于Com電極由金屬材料構(gòu)成,不透光,因此存儲電容區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū),使得像素區(qū)開口率與存儲電容構(gòu)成一對矛盾體。圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,其中由玻璃基板101上的Com金屬層102與ITO層105間的重疊區(qū)形成的存儲電容,介電物質(zhì)為G-SiNx層和P-SiNx層104兩層絕緣層,距離較大,使得現(xiàn)有技術(shù)TFT-LCD陣列基板中單位面積存儲電容較小。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是,提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法,能夠減少存儲電容極板間距離,以增大單位面積儲存電容值。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種TFT-1XD陣列基板,包括柵線和數(shù)據(jù)線,柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管,像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極,第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線。
[0007]其中,柵線上設(shè)置第一絕緣層,第一過孔穿過第一絕緣層,露出柵線。
[0008]其中,第一連接電極通過第一過孔設(shè)置在柵線上。
[0009]其中,第一連接電極上設(shè)置第二絕緣層,第二絕緣層厚度小于第一絕緣層厚度。
[0010]其中,第二絕緣層上設(shè)置像素電極,像素電極和柵線的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中第二絕緣層形成存儲電容的介質(zhì)層,存儲電容的電容值為:C = ε 4/4 311?!;其中S是重疊區(qū)域的面積,d是第二絕緣層的厚度,ε是第二絕緣層的介電常量,k是靜電力恒量。
[0011]其中,第二絕緣層的厚度為1000?2500A。
[0012]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提供了一種TFT-1XD陣列基板的制造方法,包括:在玻璃基板上依次形成柵線和包括第一過孔的第一絕緣層;設(shè)置第一連接電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線,其中第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線;依次設(shè)置第二絕緣層和像素電極。
[0013]其中,第一過孔形成在柵線上,并穿過第一絕緣層以露出柵線。
[0014]其中,第二絕緣層厚度小于第一絕緣層厚度。
[0015]其中,像素電極和柵線的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中第二絕緣層形成存儲電容的介質(zhì)層。
[0016]通過上述方案,本發(fā)明的有益效果是:通過TFT-1XD陣列基板包括柵線和數(shù)據(jù)線,柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管,像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極,第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線,使得存儲電容的兩個電極之間的距離減小,從而增大了單位面積儲存電容值。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖3是圖2中Al-Al向的剖面示意圖;
[0020]圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板的制造方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]請參閱圖2,圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT-LCD陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示,TFT-1XD陣列基板20包括柵線201和數(shù)據(jù)線202。柵線201和數(shù)據(jù)線202限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極203和薄膜晶體管204。像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極205,第一連接電極205通過第一過孔206與柵線201連接,同時還連接數(shù)據(jù)線202,即第一連接電極為源漏線。薄膜晶體管204包括源極207、漏極208以及柵極209,第一連接電極205與數(shù)據(jù)線202以及源極207、漏極208是在同一次構(gòu)圖工藝中形成的。
[0022]圖3為圖2中Al-Al向的剖面示意圖。如圖3所示,柵線201上設(shè)置第一絕緣層210,第一過孔206穿過第一絕緣層210,露出柵線201。第一連接電極205通過第一過孔206設(shè)置在柵線201上。其中柵線201設(shè)置在玻璃基板200上。第一連接電極205上設(shè)置第二絕緣層211。第二絕緣層211上設(shè)置像素電極203,像素電極203和柵線201的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中第二絕緣層211形成存儲電容的介質(zhì)層。存儲電容的電容值為:C =ε ?S^Jikd ;其中S是像素電極203和柵線201的重疊區(qū)域的面積,d是第二絕緣層211的厚度,ε是所述第二絕緣層211的介電常量,k是靜電力恒量。而在本實(shí)施例中,第一絕緣層210優(yōu)選為G-SiNx層,其厚度優(yōu)選為4000?5000A,第二絕緣層211優(yōu)選為P-SiNx層,
其厚度優(yōu)選為1000?2500 A。可見,第二絕緣層211厚度小于第一絕緣層210厚度。本實(shí)施例使存儲電容的兩個電極之間的距離減小為第二絕緣層211的厚度,距離較小,增大了單位面積儲存電容值。本實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板適用于TN型,VA型與IPS型液晶顯示模式。
[0023]請參閱圖4,圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT-LCD陣列基板的制造方法的流程示意圖。如圖4所示,TFT-1XD陣列基板的制造方法包括:
[0024]步驟SlO:在玻璃基板上依次形成柵線和包括第一過孔的第一絕緣層。
[0025]其中第一過孔形成在柵線上,并穿過第一絕緣層以露出柵線。
[0026]步驟Sll:設(shè)置第一連接電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線,其中第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線。
[0027]其中,第一連接電極為S/D線。
[0028]步驟S12:依次設(shè)置第二絕緣層和像素電極。
[0029]其中像素電極覆蓋在第二絕緣層上,第一絕緣層優(yōu)選為G-SiNx層,其厚度優(yōu)選為4000?5000 A,第二絕緣層優(yōu)選為P-SiNx層,其厚度優(yōu)選為1000?2500 A。可見,第二絕緣層厚度小于第一絕緣層厚度。像素電極和柵線的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中第二絕緣層形成存儲電容的介質(zhì)層。存儲電容的電容值為:C= ε.S/4 Jikd ;其中S是像素電極和柵線的重疊區(qū)域的面積,d是第二絕緣層的厚度,ε是所述第二絕緣層的介電常量,k是靜電力恒量。如此使得存儲電容的兩個電極之間的距離減小為第二絕緣層的厚度,從而增大了單位面積儲存電容值。
[0030]綜上所述,本發(fā)明的TFT-LCD陣列基板包括柵線和數(shù)據(jù)線,柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管,像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極,第一連接電極通過第一過孔與柵線連接,同時還連接數(shù)據(jù)線,使得存儲電容的兩個電極之間的距離減小,從而增大了單位面積儲存電容值。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT-LCD陣列基板,其特征在于,包括柵線和數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管,所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有第一連接電極,所述第一連接電極通過第一過孔與所述柵線連接,同時還連接所述數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述柵線上設(shè)置第一絕緣層,所述第一過孔穿過所述第一絕緣層,露出所述柵線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第一連接電極通過所述第一過孔設(shè)置在所述柵線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第一連接電極上設(shè)置所述第二絕緣層,所述第二絕緣層厚度小于所述第一絕緣層厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二絕緣層上設(shè)置所述像素電極,所述像素電極和所述柵線的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中所述第二絕緣層形成所述存儲電容的介質(zhì)層,所述存儲電容的電容值為:C = ε.S/4 Jikd ; 其中S是所述重疊區(qū)域的面積,d是所述第二絕緣層的厚度,ε是所述第二絕緣層的介電常量,k是靜電力恒量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二絕緣層的厚度為100-2500AO
7.—種TFT-1XD陣列基板的制造方法,其特征在于,包括: 在玻璃基板上依次形成柵線和包括第一過孔的第一絕緣層; 設(shè)置第一連接電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線,其中所述第一連接電極通過所述第一過孔與所述柵線連接,同時還連接所述數(shù)據(jù)線; 依次設(shè)置第二絕緣層和像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述第一過孔形成在所述柵線上,并穿過所述第一絕緣層以露出所述柵線。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述第二絕緣層厚度小于所述第一絕緣層厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述像素電極和所述柵線的重疊區(qū)域形成存儲電容,其中所述第二絕緣層形成所述存儲電容的介質(zhì)層。
【文檔編號】G02F1/1362GK104183604SQ201410380467
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月4日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司