光學(xué)模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光學(xué)模塊(10)。該光學(xué)模塊包括TOSA(13)、ROSA(14)、I形金屬配件(12)和EMI吸收膩?zhàn)?11a-11d)。TOSA(13)保持發(fā)送模塊側(cè)光纖。ROSA(14)保持接收模塊側(cè)光纖。I形金屬配件(12)放置在TOSA(13)與ROSA(14)之間，以便與TOSA(13)和ROSA(14)的各自側(cè)面平行。EMI吸收膩?zhàn)?11a)放置在TOSA(13)和ROSA(14)的各自上表面的一部分上，并且EMI吸收膩?zhàn)?11b)放置TOSA(13)與ROSA(14)之間的空間的一部分上。EMI吸收膩?zhàn)?11c,11d)分別放置在TOSA(13)的上下側(cè)表面的一部分上。
【專利說明】光學(xué)模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文討論的實(shí)施方式涉及光學(xué)模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)地，伴隨著光通信技術(shù)的開發(fā)，已經(jīng)提供了能夠發(fā)送和接收1Gbps或更快的光信號(hào)的光學(xué)模塊。這種光學(xué)模塊遵照諸如多源協(xié)議(MSA)等的標(biāo)準(zhǔn)，并且裝配有光發(fā)射次模塊(TOSA)和光接收次模塊(ROSA)。通常地，TOSA除了端子部分之外還具有金屬殼體，并且從裝置產(chǎn)生的熱通過散熱片被殼體散發(fā)。另一方面，ROSA含有光電二極管(PD)和跨阻抗放大器(TIA)，并且H)和TIA通過使用兩個(gè)GND連接焊線連接到接地面(接地圖案)。而且，作為對(duì)來自TOSA的電磁干擾(EMI)或TOSA與ROSA之間的串?dāng)_的應(yīng)對(duì)，增加了屏蔽構(gòu)件和金屬配件。
[0003][專利文獻(xiàn)I]日本特開第2009-049333號(hào)公報(bào)
[0004][專利文獻(xiàn)2]日本特開第2007-199137號(hào)公報(bào)
[0005][專利文獻(xiàn)3]日本特開第2001-268190號(hào)公報(bào)
[0006]然而，近年來，為了實(shí)現(xiàn)成本降低，廉價(jià)TOSA和廉價(jià)ROSA可以用于制造光學(xué)模塊。通常地，廉價(jià)TOSA的殼體與端子部分形成為一體，并且由陶瓷材料等組成。與金屬相比，陶瓷對(duì)于諸如EMI等的電磁輻射噪聲具有高透過性；因此，使用陶瓷殼體的光學(xué)模塊使得從TOSA到ROSA的噪聲的影響增大。而且，在廉價(jià)ROSA中，GND連接焊線通常從兩條減少到一條；因此，接地較弱，并且在接收弱信號(hào)的ROSA的情況下，擔(dān)心因來自TOSA的放射光的涌入所造成的串?dāng)_而導(dǎo)致的劣化。上述電磁輻射噪聲(例如，EMI)或串?dāng)_的出現(xiàn)變?yōu)楦蓴_光信號(hào)的正常發(fā)送/接收的因素。
[0007]因此，本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)方面的目的是提供一種能夠在抑制制造成本的同時(shí)減小噪聲和串?dāng)_的光學(xué)模塊。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方面，光學(xué)模塊包括:第一連接器，該第一連接器保持發(fā)送模塊側(cè)光纖；第二連接器，該第二連接器保持接收模塊側(cè)光纖；板狀金屬構(gòu)件，該板狀金屬構(gòu)件放置在所述第一連接器與所述第二連接器之間，以便與所述第一和第二連接器的各自側(cè)面平行；以及粘性構(gòu)件，這些粘性構(gòu)件放置在所述第一和第二連接器的各自上表面的部分上、所述第一和第二連接器之間的空間的一部分上以及所述第一連接器的上下表面的部分上。所述金屬構(gòu)件的所述部分電連接到所述第一或第二連接器的、接地到所述光學(xué)模塊的殼體的一部分。
[0009]根據(jù)本申請中討論的光學(xué)模塊的一個(gè)方面，可以在抑制制造成本的同時(shí)減小噪聲和串?dāng)_。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的外部立體圖；
[0011]圖2A是例示具有金屬殼體的TOSA和具有陶瓷殼體的TOSA的各自EMI特性的圖；
[0012]圖2B是例示改善根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的EMI特性的效果的圖；
[0013]圖3是例示改善根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的串?dāng)_特性的效果的圖；
[0014]圖4A是例示在折疊子印刷電路板之前，根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的殼體的內(nèi)部的俯視圖；
[0015]圖4B是例示根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的殼體的內(nèi)部的分解立體圖；
[0016]圖5A是例示根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的印刷電路板和I形金屬配件的立體圖；
[0017]圖5B是例示在折疊子印刷電路板之后，根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的殼體的內(nèi)部的俯視圖；
[0018]圖6是根據(jù)變型例I的光學(xué)模塊的外部立體圖；
[0019]圖7是根據(jù)變型例2的光學(xué)模塊的局部剖視圖；
[0020]圖8是根據(jù)變型例3的光學(xué)模塊的剖視圖；
[0021]圖9A是I形金屬配件的外部立體圖；
[0022]圖9B是根據(jù)變型例4的包括I形金屬配件的光學(xué)模塊的剖視圖；
[0023]圖1OA是L形金屬配件的外部立體圖；
[0024]圖1OB是根據(jù)變型例4的包括L形金屬配件的光學(xué)模塊的剖視圖；
[0025]圖11是例示根據(jù)變型例4的光學(xué)模塊的TOSA的溫度上升的圖；
[0026]圖12A是根據(jù)變型例5的光學(xué)模塊的局部放大圖；
[0027]圖12B是在印刷電路板的正面上形成的ROSA接地面的俯視圖；
[0028]圖12C是在印刷電路板的背面上形成的ROSA信號(hào)面的俯視圖；
[0029]圖13A是在采用非廉價(jià)柔性部時(shí)的印刷電路板和子印刷電路板的俯視展開圖；以及
[0030]圖13B是在采用根據(jù)變型例6的廉價(jià)柔性部時(shí)的印刷電路板和子印刷電路板的俯視展開圖。
[0031]附體標(biāo)記說明
[0032]10:光學(xué)模塊
[0033]I la、I lb、I lc、lld:EMI (電磁干擾)
[0034]lie、Ilf、llg、IlhUli:EMI 吸收散熱膩?zhàn)?br> [0035]12:1形金屬配件
[0036]12a:定位爪部
[0037]13 =TOSA (光發(fā)射次模塊)
[0038]14 =ROSA (光接收次模塊)
[0039]14a:PD (光電二極管)主干
[0040]15:散熱片
[0041]16:印刷電路板
[0042]16a、16b:螺釘
[0043]16c:R0SA 接地面
[0044]16d:R0SA 信號(hào)面
[0045]17:T0SA/R0SA 一體化集成電路(IC)
[0046]18:插座保持器
[0047]19:子印刷電路板
[0048]20:框架
[0049]21:柔性部
[0050]21a:非廉價(jià)柔性部
[0051]21b:廉價(jià)柔性部
[0052]22:散熱片
[0053]23:電路板
[0054]23a:噪聲源 IC
[0055]24:蓋
[0056]25:L形金屬配件
[0057]25a、25b:用于定位的凸片
[0058]dl:具有金屬殼體的TOSA的EMI特性
[0059]d2:具有陶瓷殼體的TOSA的EMI特性
[0060]d3至d5:未省去I形金屬配件的EMI特性
[0061]d6:省去I形金屬配件的EMI特性
[0062]Ml、M2:差額
[0063]si =EMI等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)值
[0064]tl:GND 端子
[0065]t2:0UTP 端子
[0066]t3:Vcc 端子
[0067]t4:RSSI 端子
[0068]t5:OUTN 端子
[0069]ul:GND 圖案
[0070]u2:0UTP 圖案
[0071]u3::Vcc 圖案
[0072]u4:RSSI 圖案
[0073]u5:0UTN 圖案
[0074]u6:GND 圖案
[0075]u7:GND 圖案
[0076]u8:RSSI 圖案

【具體實(shí)施方式】
[0077]將參照【專利附圖】

【附圖說明】優(yōu)選實(shí)施方式。附帶地，本文討論的光學(xué)模塊不限于以下實(shí)施方式。
[0078]首先，說明根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊的構(gòu)造。圖1是根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的外部立體圖。如圖1所示，光學(xué)模塊10包括EMI吸收膩?zhàn)?putty) Ila至I Id、I形金屬配件12、TOSA13和R0SA14。EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild是電絕緣體。EMI吸收膩?zhàn)覫la形成為棒形，并且被放置為填充在T0SA13和R0SA14的各自插座部的頂部上的空間。同樣地，EMI吸收膩?zhàn)覫lb形成為棒形，并且被放置為填充在T0SA13的插座部和R0SA14的插座部之間的空間。而且，板狀EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild分別放置在T0SA13的上下側(cè)上。附帶地，EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild壓縮之前的厚度是大約1_。I形金屬配件12的厚度是大約
0.15mm。
[0079]而且，如圖1所示，光學(xué)模塊10采用I形金屬配件12被保持在T0SA13與R0SA14之間的結(jié)構(gòu)。I形金屬配件12經(jīng)由定位爪部12a電連接到T0SA13的至少一部分。附帶地，I形金屬配件12可以電連接到R0SA14的至少一部分。
[0080]S卩，在光學(xué)模塊10中，殼體與具有由陶瓷形成的封裝并且導(dǎo)致高EMI的廉價(jià)T0SA13的插座部之間的空間以及殼體與接地較弱并且因串?dāng)_而遭受高劣化程度的廉價(jià)ROSA14的插座部之間的空間填充有EMI吸收膩?zhàn)?1a。而且，T0SA13的插座部在R0SA14側(cè)的側(cè)面與R0SA14之間的空間填充有EMI吸收膩?zhàn)觢ib。TOSA13的除了插座部之外的上下側(cè)與殼體之間的空間填充有板狀EMI吸收膩?zhàn)覫lc和lid。
[0081]附帶地，除了 EMI吸收膩?zhàn)覫lb之外，T0SA13的插座部在R0SA14的相對(duì)側(cè)(位于殼體側(cè))的側(cè)面與殼體(蓋)之間的空間可以填充有EMI吸收膩?zhàn)印?br> [0082]I形金屬配件12插入在T0SA13與R0SA14之間，以便與T0SA13的側(cè)面和插座部接觸。T0SA13包括諸如激光二極管(LD)等的發(fā)光元件，并且R0SA14包括諸如雪崩光電二極管(APD)等的光接收元件。
[0083]圖2A是例示具有金屬殼體的TOSA和具有陶瓷殼體的TOSA的各自EMI特性的圖。在圖2A中，EMI等級(jí)(單位:dB)繪制在水平軸上，并且變?yōu)镋MI電平的概率(單位:％ )繪制在垂直軸上。圖2A指示在TOSA既不包括EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild也不包括I形金屬配件12的狀態(tài)(初始狀態(tài))下TOSA的EMI特性。如圖2A所示，具有金屬殼體的TOSA的EMI特性dl (由虛線指示)相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值Si具有大差額Ml，因此在減小EMI的影響方面作用大。另一方面，具有陶瓷殼體的TOSA的EMI特性d2(由實(shí)線指示)使得能夠進(jìn)行低成本制造，因此相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值Si具有小差額，并且造成EMI的增大。
[0084]因此，在光學(xué)模塊10中，為了改善EMI特性，EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild布置在具有陶瓷殼體的T0SA13周圍。圖2B是例示改善根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的EMI特性的效果的圖。在圖2B中，EMI等級(jí)(單位:dB)繪制在水平軸上，并且變?yōu)镋MI等級(jí)的概率(單位:％)繪制在垂直軸上。在圖2B中，實(shí)線d2指示上述初始狀態(tài)下的EMI特性。而且，雙點(diǎn)劃線d3指示除了 I形金屬配件12之外只包括EMI吸收膩?zhàn)覫la的光學(xué)模塊10的EMI特性。而且，點(diǎn)劃線d4指示包括EMI吸收膩?zhàn)覫la和Ilb的光學(xué)模塊10的EMI特性，并且實(shí)線d5指示包括EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild的光學(xué)模塊10的EMI特性。而且，點(diǎn)線d6指示省去I形金屬配件12的光學(xué)模塊10的EMI特性。
[0085]如圖2B所示，EMI吸收膩?zhàn)拥某涮盍渴菂?shù)，并且EMI特性改善效果隨著充填量的增加而增大。換言之，隨著EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild的添加，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值si的差額增大(例如，在實(shí)線d5中是大約1dB)，并且EMI減小。而且，隨著EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild的添加，傾角變大，并且抑制了 EMI特性的變動(dòng)。
[0086]圖3是例示改善根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的串?dāng)_特性的效果的圖。在圖3中，Vnwd(單位:V)繪制在水平軸上，并且劣化程度(單位:dB)繪制在垂直軸上。如圖3所示，與初始狀態(tài)相比，通過添加EMI吸收膩?zhàn)覫la至lld，改善了由串?dāng)_造成的劣化；此外，通過安裝I形金屬配件12，獲得了進(jìn)一步的改善效果。例如，在Vnrod = 2.5V附近，包括EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild和I形金屬配件12的光學(xué)模塊10的由串?dāng)_造成的劣化從初始狀態(tài)減小0.7dB或更多。而且，即使I形金屬配件12相對(duì)于TOSA13的位置有些變化，也可以獲得穩(wěn)定的改善效果。
[0087]如上所述，即使光學(xué)模塊10使用具有陶瓷殼體的廉價(jià)T0SA13和具有一條GND連接焊線的廉價(jià)R0SA14，光學(xué)模塊10也可以展示出優(yōu)秀的EMI特性和良好的串?dāng)_特性。
[0088]圖4A是例示在折疊子印刷電路板19之前，根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的殼體的內(nèi)部的俯視圖。如圖4A所示，EMI吸收膩?zhàn)覫ld被放置為敷設(shè)在T0SA13的下側(cè)上。而且，厚度為大約0.5mm的散熱片22放置在位于光學(xué)模塊10的后方(在T0SA13和R0SA14的相對(duì)側(cè)上)的子印刷電路板19的頂部上。圖4B是例示根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的殼體的內(nèi)部的分解立體圖。如圖4B所示，EMI吸收膩?zhàn)覫ld被放置為敷設(shè)在T0SA13的下側(cè)上。而且，印刷電路板16和子印刷電路板19經(jīng)由螺釘16a和16b裝配在框架20上。
[0089]圖5A是例不根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的印刷電路板16和I形金屬配件12的立體圖。如圖5A所示，在印刷電路板16上，I形金屬配件12放置在T0SA/R0SA —體化集成電路(IC) 17與插座保持器18之間。I形金屬配件12覆蓋T0SA13和R0SA14，并且抑制在T0SA13與R0SA14之間的串?dāng)_的出現(xiàn)。圖5B是例示在折疊子印刷電路板19之后，根據(jù)本實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的殼體的內(nèi)部的俯視圖。如圖5B所示，EMI吸收膩?zhàn)覫la放置在T0SA13和R0SA140的各自插座部的頂部上，并且EMI吸收膩?zhàn)覫lc被放置為覆蓋T0SA13的頂部。而且，厚度為大約0.5mm的散熱片15放置在位于光學(xué)模塊10的后方(在T0SA13和R0SA14的相對(duì)側(cè)上)的印刷電路板16的頂部上。子印刷電路板19由柔性部件21 (參見圖5A)折疊，并且與印刷電路板16 —起形成兩層結(jié)構(gòu)。
[0090]如上所述，光學(xué)模塊10包括T0SA13、R0SA14、I形金屬配件12和EMI吸收膩?zhàn)覫la至lid。T0SA13保持發(fā)送模塊側(cè)光纖。R0SA14保持接收模塊側(cè)光纖。I形金屬配件12放置在T0SA13與R0SA14之間，以便與T0SA13和R0SA14的各自側(cè)面平行。EMI吸收膩?zhàn)覫la放置在T0SA13和R0SA14的各自上表面的一部分上，并且EMI吸收膩?zhàn)覫lb被放置為填充TOSA13與R0SA14之間的空間的一部分。EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild分別放置在T0SA13的上下側(cè)表面的一部分上。I形金屬配件12的一部分電連接到T0SA13或R0SA14的、接地到光學(xué)模塊10的殼體的一部分。因此，光學(xué)模塊10可以在抑制制造成本的同時(shí)減小噪聲(諸如EMI)和串?dāng)_。
[0091]下面參照圖6至圖13B說明上述實(shí)施方式的變型例。
[0092]變型例I
[0093]圖6是根據(jù)變型例I的光學(xué)模塊10的外部立體圖。如圖6所示，在SFP+(小型可插拔+)型光通信裝置中，光學(xué)模塊10用于例如2X4多籠(mult1-cage)，并且10-GHz EMI噪聲源IC23a可以安裝在裝置的電路板23上。在這種情況下，從裝置內(nèi)部的后方放射EMI ；然而，通過采用根據(jù)上述實(shí)施方式的光學(xué)模塊10的構(gòu)造，即使在70%的離散(dispers1n)時(shí)，也可以確保大約9dB的差額。然而，通過將EMI吸收膩?zhàn)臃胖迷赥0SA13和R0SA14的相對(duì)側(cè)上(卡邊緣側(cè)上)，光通信裝置可以進(jìn)一步抑制光學(xué)模塊10安裝在裝置中時(shí)在裝置后方產(chǎn)生的EMI噪聲。具體地，在安裝有光學(xué)模塊10的光通信裝置中，附加片狀EMI吸收膩?zhàn)颖环胖脼楦采w子印刷電路板19(參見圖5B)的表面。因此，光通信裝置可以更可靠地降低從裝置內(nèi)部的后方(例如，噪聲源IC23a)放射的EMI對(duì)R0SA14和TOSA13的影響。因此，光通信裝置可以確保更高的EMI特性。
[0094]變型例2
[0095]圖7是根據(jù)變型例2的光學(xué)模塊10的局部剖視圖。在根據(jù)變型例2的光學(xué)模塊10中，印刷電路板16是信號(hào)地線(SG);然而，I形金屬配件12和T0SA13如圖7所示接地到殼體(框架20和蓋24)。附帶地，雖然附圖中未例示，但是R0SA14如T0SA13 —樣可以接地到殼體(連接到框架地線(FG))。光學(xué)模塊10采用該構(gòu)造，從而將I形金屬配件12、T0SA13和R0SA14與電路地線分離。因此，光學(xué)模塊10抑制了靜電放電(ESD)的影響。附帶地，在對(duì)插入光纖的T0SA13和R0SA14的各自插座部的靜電放電測試中，確認(rèn)ESD充分降低。
[0096]變型例3
[0097]圖8是根據(jù)變型例3的光學(xué)模塊10的剖視圖。如圖8所示，確定T0SA13與殼體(框架20、蓋24)之間的上下間隙量，使得T0SA13的上下側(cè)表面的一部分上所放置的EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的各個(gè)壓縮率在光學(xué)模塊10裝配有殼體時(shí)變?yōu)橄嗟?例如，大約50% )。EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的形狀是片狀形狀；然而，EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild具有材料局限性，該材料局限性在于不可能將EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild加工為在壓縮前具有小于1.0_的厚度。因此，EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的厚度都是大約1.0mm。光學(xué)模塊10將T0SA13下側(cè)上的間隙量和T0SA13頂部上的間隙量設(shè)置為大約相同量，使得在光學(xué)模塊10裝配有殼體時(shí)，大約相同的壓縮載荷(例如，大約6kg/cm2)可以施加于EMI吸收膩?zhàn)覫lc和lid。因此，在T0SA13上下側(cè)上的填充的EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild之間均等地分配應(yīng)力。因此，EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的各自的壓縮率變?yōu)榇蠹s相同值。
[0098]S卩，光學(xué)模塊10將T0SA13的下側(cè)表面與框架20之間的間隙設(shè)置為大約0.50mm,并且將T0SA13的頂面與蓋24之間的間隙設(shè)置為大約0.55mm。因此，下部間隙中填充的EMI吸收膩?zhàn)覫ld的厚度從大約1.0mm被壓縮到大約0.50mm，所以壓縮率是大約50%。另一方面，上部間隙中填充的EMI吸收膩?zhàn)覫lc的厚度從大約1.0mm壓縮到大約0.55mm，所以壓縮率是大約45%。這樣，光學(xué)模塊10將T0SA13與殼體之間的上下間隙量設(shè)置為適當(dāng)值，從而調(diào)節(jié)EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild上的各自的壓縮載荷量。
[0099]EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的片厚度越薄，熱電阻越小并且EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild具有的散熱效果越大。因此，光學(xué)模塊10將EMI吸收膩?zhàn)覫ld(該EMI吸收膩?zhàn)覫ld具有的面積和散熱效果比EMI吸收膩?zhàn)覫lc的面積和散熱效果小)的壓縮率(大約50% )設(shè)置為比EMI吸收膩?zhàn)覫lc的壓縮率(大約45% )大大約5%。因此，提高了 EMI吸收膩?zhàn)覫ld的散熱效果，并且EMI吸收膩?zhàn)覫ld可以發(fā)揮與EMI吸收膩?zhàn)覫lc相同的散熱效果。換言之，光學(xué)模塊10可以通過改變壓縮率，來調(diào)節(jié)EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild的散熱效果。
[0100]變型例4
[0101]圖9A是I形金屬配件12的外部立體圖。圖9B是根據(jù)變型例4的包括I形金屬配件12的光學(xué)模塊10的剖視圖。如圖9B所示，I形金屬配件12放置在具有高散熱性能的EMI吸收散熱膩?zhàn)覫le與Ilf之間，并且抑制T0SA13與R0SA14之間的串?dāng)_。EMI吸收散熱膩?zhàn)觢ie和Ilf在光學(xué)模塊10裝配有殼體時(shí)EMI吸收散熱膩?zhàn)覫le和Ilf被壓縮之后具有大約3.4ff/m.K的預(yù)定熱導(dǎo)率，因此可以抑制光學(xué)模塊10的殼體的溫度上升。
[0102]I形金屬配件12可以被改變?yōu)長形金屬配件。圖1OA是L形金屬配件25的外部立體圖。圖1OB是根據(jù)變型例4的包括L形金屬配件25的光學(xué)模塊10的剖視圖。如圖1OB所示，L形金屬配件25放置在具有高散熱性能的EMI吸收散熱膩?zhàn)覫lg和Ilh與EMI吸收散熱膩?zhàn)覫li之間，并且抑制T0SA13與R0SA14之間的串?dāng)_。EMI吸收散熱膩?zhàn)觢lg、Ilh和Ili通過光學(xué)模塊10裝配有殼體，以70%、70%和50%的載荷壓縮率被壓縮，S卩，分別被壓縮為0.30mm、0.30mm和0.50mm的厚度。壓縮之后，EMI吸收散熱膩?zhàn)覫lg至Ili具有大約3.4ff/m -K的預(yù)定熱導(dǎo)率。L形金屬配件25具有大約0.15mm的厚度，并且由磷青銅形成，因此具有大約65W/m.K的高熱導(dǎo)率。因此，在T0SA13的頂部上，L形金屬配件25的一面位于片狀EMI吸收散熱膩?zhàn)覫lg與Ilh之間，從而可以減小從T0SA13的頂部產(chǎn)生的串?dāng)_，并且從T0SA13產(chǎn)生的熱也可以有效地被釋放到殼體的外部。
[0103]圖11是例示根據(jù)變型例4的光學(xué)模塊10的T0SA13的溫度上升的圖。如圖11所示，由于金屬配件的插入，與初始狀態(tài)(70.ere)相比，tosai3的溫度上升；然而，與初始狀態(tài)(0.61°C)相同，溫度的增加量在1°C之內(nèi)。尤其，在包括L形金屬配件25的光學(xué)模塊10中，溫度的增加量是“0.77°C”，并且與包括I形金屬配件12的光學(xué)模塊10中的“0.83°C”相比，保持在低增加量之內(nèi)。因此，根據(jù)變型例4的光學(xué)模塊10可以在維持高散熱效果的同時(shí)，進(jìn)一步改善串?dāng)_特性和EMI特性。
[0104]附帶地，金屬配件的形狀不限于I形和L形，并且可以是其他形狀，諸如U形和正方形。
[0105]變型例5
[0106]圖12A是根據(jù)變型例5的光學(xué)模塊10的局部放大圖。如圖12A所示，在根據(jù)變型例5的光學(xué)模塊10中，電路板的連接到R0SA14的上下側(cè)表面與MSA-XMD (多源協(xié)議-10千兆比特微型裝置)標(biāo)準(zhǔn)相逆。圖12B是印刷電路板的正面上形成的ROSA接地面16c的俯視圖。圖12C是印刷電路板的背面上形成的ROSA信號(hào)面16d的俯視圖。光學(xué)模塊10采用使ROSA柔性印刷電路的安裝表面顛倒的構(gòu)造，所以ROSA接地面16c是上表面。因此，與ROSA信號(hào)面16d在與TOSA信號(hào)面處于同一平面上(印刷電路板16的表面上)的情況相t匕，加強(qiáng)了屏蔽效果。因此，抑制了串?dāng)_，并且進(jìn)一步提高了光傳送的質(zhì)量。
[0107]變型例6
[0108]圖13A是在采用非廉價(jià)柔性部21a時(shí)的印刷電路板16和子印刷電路板19的俯視展開圖。圖13B是在采用根據(jù)變型例6的廉價(jià)柔性部21b時(shí)的印刷電路板16和子印刷電路板19的俯視展開圖。廉價(jià)柔性部21a的材料例如是聚酰亞胺；另一方面，例如，稱作Cute的樹脂性材料可以用于廉價(jià)柔性部21b中。即，在光學(xué)模塊10中，例如，廉價(jià)剛?cè)嵝杂∷㈦娐?機(jī)械強(qiáng)度低)可以用作廉價(jià)柔性部21b。
[0109]然而，廉價(jià)柔性部21b與非廉價(jià)柔性部21a相比，機(jī)械強(qiáng)度處于劣勢。因此，如圖13B所示，廉價(jià)柔性部21b的寬度增大，以增大縱橫比。當(dāng)柔性部21中不存在扭曲時(shí)，縱橫比越高，柔性部21對(duì)于載荷越具有抵抗力；然而，非廉價(jià)柔性部21a的縱橫比是大約
1.04 ( ^ 5.4mm+5.2mm)，而廉價(jià)柔性部21b的縱橫比是大約1.07 ( ^ 6.lmm+5.7mm)。因此，即使光學(xué)模塊10采用廉價(jià)柔性部21b，也可以獲得與非廉價(jià)柔性部21a相同的承重。而且，如圖13A和圖13B所示，非廉價(jià)柔性部21a的狹窄部的深度是5.2mm，而廉價(jià)柔性部21b的狹窄部的深度是5.7_。因此，即使光學(xué)模塊10采用廉價(jià)柔性部21b，也可以獲得與非廉價(jià)柔性部21a相同的扭曲強(qiáng)度。
[0110]附帶地，在上述實(shí)施方式和變型例中，假定光學(xué)模塊是SFP+類型。然而，根據(jù)上述實(shí)施方式和變型例中任意一種的光學(xué)模塊的構(gòu)造可以應(yīng)用于其他類型的光學(xué)模塊，諸如XFPdO千兆比特小型可插拔)、CFP (C形可插拔)、CFP2和CFP4。
[0111]而且，EMI吸收膩?zhàn)覫la至Ild不限于絕緣膩?zhàn)?，并且可以是諸如膠等的其他粘性構(gòu)件。片狀EMI吸收膩?zhàn)覫lc和Ild不限于放置在T0SA13的上下側(cè)表面上，并且可以放置在T0SA13的側(cè)面或正面和背面上。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)模塊，該光學(xué)模塊包括: 第一連接器，該第一連接器保持發(fā)送模塊側(cè)光纖； 第二連接器，該第二連接器保持接收模塊側(cè)光纖； 板狀金屬構(gòu)件，該板狀金屬構(gòu)件放置在所述第一連接器與所述第二連接器之間，以便與所述第一連接器和所述第二連接器各自的側(cè)面平行；以及 粘性構(gòu)件，這些粘性構(gòu)件放置在所述第一連接器和所述第二連接器的各自的上表面的部分上、所述第一連接器和所述第二連接器之間的空間的一部分上以及所述第一連接器的下表面的部分上，其中， 所述金屬構(gòu)件的一部分電連接到所述第一連接器或所述第二連接器的、接地到所述光學(xué)模塊的殼體的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)模塊，其中，所述第一連接器與所述殼體之間的上下間隙量被確定為使得在所述光學(xué)模塊被裝配有所述殼體時(shí)在所述第一連接器的所述上表面和下表面的所述部分上放置的所述粘性構(gòu)件的各自的壓縮率變?yōu)橄嗟取?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)模塊，其中， 所述金屬構(gòu)件放置在所述第一連接器與所述殼體之間，以便與所述第一連接器的所述上表面平行；并且 在所述第一連接器的所述上表面的所述部分上放置的所述粘性構(gòu)件被放置為被壓縮到與所述第一連接器的所述上表面平行地放置的所述金屬構(gòu)件的上表面和下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)模塊，其中， 所述第二連接器的接地面形成在連接到所述第二連接器的電路板的上表面上，并且 所述第二連接器的信號(hào)面形成在所述電路板的下表面上。
【文檔編號(hào)】G02B6/42GK104238041SQ201410233877
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月13日
【發(fā)明者】佐佐木和哉, 國井昌樹 申請人:富士通光器件株式會(huì)社