顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一了種顯示裝置，其通過防止濾色器、阻光構(gòu)件和液晶層之間的接觸來提高可靠性。該顯示裝置包括：基板，包括像素區(qū)；薄膜晶體管，形成在基板上；像素電極，連接到薄膜晶體管并且形成在像素區(qū)中；頂層，形成在像素電極上；微腔體，置于像素電極和頂層之間；注入孔，形成在頂層中，注入孔被構(gòu)造成暴露微腔體的至少一部分；液晶層，填充在至少一個微腔體中；包封層，形成在頂層上，包封層被構(gòu)造成覆蓋注入孔并且密封微腔體；有機層，形成在包封層上。
【專利說明】顯示裝置
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年8月I日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0091575號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。

【技術(shù)領域】
[0003]本公開涉及通過防止濾色器和阻光構(gòu)件等與液晶層之間的接觸而能夠提高可靠性的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]液晶顯示器作為目前使用的更常用類型的平板顯示器中的一種，典型地包括兩塊顯示面板和置于顯示面板之間的液晶層，顯示面板上形成有諸如像素電極和共電極的場發(fā)生電極。液晶顯示器通過向場發(fā)生電極施加電壓在液晶層中產(chǎn)生電場，并且通過所產(chǎn)生的電場確定液晶層的液晶分子的方向，從而控制入射光的偏振以顯示圖像。
[0005]構(gòu)造液晶顯示器的這兩塊顯示面板可以包括薄膜晶體管陣列面板和相對的對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板上，被構(gòu)造成傳輸柵極信號的柵極線和被構(gòu)造成傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線被形成為彼此相交，并且可以形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管和連接到薄膜晶體管連接的像素電極等。在相對的顯示面板上，可以形成阻光構(gòu)件、濾色器和共電極等。在一些情況下，阻光構(gòu)件、濾色器和共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。
[0006]該【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息只是為了增強對本發(fā)明的背景的理解，因此它可以包含不形成本領域普通技術(shù)人員在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]實施例致力于提供通過使用單個基板制造顯示裝置能夠使重量、厚度、成本和工藝時間減少的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。
[0008]另外，實施例提供了能夠防止濾色器、阻光構(gòu)件等與液晶層之間的接觸、防止由于不同層之間的水平差導致的缺陷并且簡化工藝的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。
[0009]一個實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:基板，包括多個像素區(qū)；薄膜晶體管，形成在基板上；像素電極，連接到薄膜晶體管并且形成在多個像素區(qū)中；頂層，形成在像素電極上；多個微腔體，置于像素電極和頂層之間；注入孔，形成在頂層中，注入孔被構(gòu)造成暴露所述多個微腔體的至少一部分；液晶層，填充在所述多個微腔體的至少一個微腔體中；包封層，形成在頂層上，包封層被構(gòu)造成覆蓋注入孔并且密封所述多個微腔體；有機層，形成在包封層上。
[0010]該顯示裝置還可以包括第一谷，第一谷位于多個微腔體之中的相鄰的微腔體之間，其中，有機層包括形成在第一谷中的阻光構(gòu)件。
[0011]阻光構(gòu)件還可以形成在多個像素區(qū)中的一個像素區(qū)的邊界處。
[0012]有機層還可以包括形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
[0013]阻光構(gòu)件和濾色器可以形成為在局部區(qū)域中彼此疊置。
[0014]該顯示裝置還可以包括形成在薄膜晶體管和像素電極之間的濾色器，其中，濾色器形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中。
[0015]有機層可以包括形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
[0016]濾色器還可以形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)的邊界處。
[0017]該顯示裝置還可以包括形成在像素電極和包封層之間的阻光構(gòu)件，其中，阻光構(gòu)件形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個的邊界處。
[0018]該顯示裝置還可以包括形成在薄膜晶體管和像素電極之間的平面化層。
[0019]另一個實施例提供了一種制造顯示裝置的方法，該方法包括:在基板上形成薄膜晶體管，基板包括多個像素區(qū)；形成連接到薄膜晶體管的像素電極；在像素電極上形成犧牲層；在犧牲層上形成頂層；通過將頂層圖案化，形成被構(gòu)造成暴露犧牲層的至少一部分的注入孔；通過去除犧牲層，在像素電極和共電極之間形成多個微腔體；通過將液晶材料注入所述多個微腔體中形成液晶層；通過在頂層上形成密封層，密封所述多個微腔體；在包封層上形成有機層。
[0020]第一谷可以位于多個微腔體中的相鄰的微腔體之間，有機層可以包括形成在第一谷中的阻光構(gòu)件。
[0021]阻光構(gòu)件還可以形成在多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)的邊界處。
[0022]有機層還可以包括形成在多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
[0023]阻光構(gòu)件和濾色器可以形成為在局部區(qū)域中彼此疊置。
[0024]該方法還可以包括在薄膜晶體管上形成濾色器，其中，像素電極形成在濾色器上。
[0025]有機層可以包括形成在多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
[0026]濾色器還可以形成在多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)的邊界處。
[0027]該方法還可以包括在像素電極上形成阻光構(gòu)件，其中，包封層形成在阻光構(gòu)件上。
[0028]該方法還可以包括在薄膜晶體管上形成平面化層，其中，像素電極形成在平面化層上。
[0029]顯示裝置和制造顯示裝置的方法可以通過使用單個基板制造顯示裝置而使重量、厚度、成本和工藝時間減少。
[0030]另外，諸如濾色器和阻光構(gòu)件的有機層形成在包封層上以防止與液晶層的接觸，從而提高了可靠性。
[0031]另外，可以防止由于因濾色器和阻光構(gòu)件出現(xiàn)的水平差而導致的缺陷，并且可以簡化工藝。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的頂部平面圖。
[0033]圖2是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一個像素的頂部平面圖。
[0034]圖3是用于示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的沿著圖2的II1-1II線截取的首1J視圖。
[0035]圖4是用于示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的沿著圖2的IV-1V線截取的剖視圖。
[0036]圖5至圖10是示出根據(jù)實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0037]圖11是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。
[0038]圖12至圖16是示出根據(jù)實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0039]圖17是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。
[0040]圖18至圖22是示出根據(jù)實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。

【具體實施方式】
[0041]下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的某些實施例。如本領域的技術(shù)人員將認識到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，所描述的實施例可以按各種方式修改。
[0042]在附圖中，為了清晰起見，會夸大層、膜、面板和區(qū)域等的厚度。在整個說明書中，類似的參考標號通常表示類似的元件。應該理解，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為“在”另一個元件“上”時，它可以直接在所述另一個元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱為“直接在”另一個元件“上”時，不存在中間元件。
[0043]在相關技術(shù)的液晶顯示器中，因為實質(zhì)上使用的是兩個基板并且各個構(gòu)成元件形成在這兩個基板上，所以問題在于，顯示裝置重且厚，制造成本高并且需要長時間段的工藝時間。
[0044]將參照附圖示意性描述根據(jù)實施例的顯示裝置。
[0045]圖1是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的頂部平面圖，并且為了方便起見，在圖1中只示出構(gòu)成元件的一部分。
[0046]根據(jù)一個實施例的顯示裝置包括由諸如以玻璃或塑料為例的材料制成的基板110和形成在基板110上的頂層(roof layer) 360 0
[0047]基板110包括多個像素區(qū)PX。多個像素區(qū)PX設置成包括多個像素行和多個像素列的矩陣的形式。像素區(qū)PX中的每個可以包括第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb。第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb可以相互上下地設置。
[0048]第一谷Vl沿著像素行方向位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間，第二谷V2位于多個像素列之間。
[0049]頂層360形成在像素行方向上。通過去除第一谷Vl中的頂層360，形成注入孔307，從而可以使位于頂層360下面的構(gòu)成元件暴露于外部。
[0050]頂層360中的每個形成在相鄰的第二谷V2之間，以與基板110分隔開，使得形成微腔體305。另外，頂層360中的每個形成在第二谷V2中以附于基板110，使得微腔體305的兩側(cè)都被覆蓋。
[0051]根據(jù)一個實施例的顯示裝置的上述結(jié)構(gòu)只是示例，并且各種修改是可能的。例如，像素區(qū)PX、第一谷Vl和第二谷V2的設置形式可以改變，多個頂層360還可以在第一谷Vl中彼此連接，并且頂層360的一部分可以形成在第二谷V2中以與基板110分隔開，使得相鄰的微腔體305可以彼此連接。
[0052]接下來，將參照圖1至圖4描述根據(jù)實施例的顯示裝置的一個像素。
[0053]圖2是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一個像素的頂部平面圖，圖3是用于示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的沿著圖2的II1-1II線截取的剖視圖，圖4是用于示出根據(jù)實施例的顯示裝置的一部分的沿著圖2的IV-1V線截取的剖視圖。
[0054]參照圖1至圖4,包括多條柵極線121、多條降壓柵極線(step-down gateline) 123和多條存儲電極線131的多個柵極導體形成在基板110上。
[0055]柵極線121和降壓柵極線123主要在水平方向上延伸并且傳輸柵極信號。柵極導體還包括從柵極線121向上和向下突出的第一柵電極124h和第二柵電極1241，并且還包括從降壓柵極線123向上突出的第三柵電極124c。第一柵電極124h和第二柵電極1241彼此連接，以形成單個突出部分。第一柵電極124h、第二柵電極1241和第三柵電極124c突出的形狀可以改變。
[0056]存儲電極線131也主要在水平方向上延伸并且傳輸諸如共電壓Vcom的預定電壓。存儲電極線131包括:存儲電極129，向上和向下突出；一對豎直部分134，向下延伸以基本上垂直于柵極線121 ;以及水平部分127，將這對豎直部分134的端部彼此連接。水平部分127包括向下擴張的電容電極137。
[0057]柵極絕緣層140形成在柵極導體121、123、124h、1241、124c和131上。柵極絕緣層140可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。另外，柵極絕緣層140可以形成為單層或多層。
[0058]第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c形成在柵極絕緣層140上。第一半導體154h可以位于第一柵電極124h上,第二半導體1541可以位于第二柵電極1241上，第三半導體154c可以位于第三柵電極124c上。第一半導體154h和第二半導體1541可以彼此連接，第二半導體1541和第三半導體154c也可以彼此連接。另外，第一半導體154h可以被形成為延伸到數(shù)據(jù)線171的下側(cè)。第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c可以由例如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物等形成。
[0059]歐姆接觸件(未示出)可以進一步形成在第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c中的每個上。歐姆接觸件可以由諸如以被高濃度摻雜硅化物或η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅為例的材料制成。
[0060]包括數(shù)據(jù)線171、第一源電極173h、第二源電極1731、第三源電極173c、第一漏電極175h、第二漏電極1751和第三漏電極175c的數(shù)據(jù)導體形成在第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c上。
[0061]數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并且主要在豎直方向上延伸，與柵極線121和降壓柵極線123相交。數(shù)據(jù)線171中的每條包括朝向第一柵電極124h和第二柵電極1241延伸并且彼此連接的第一源電極173h和第二源電極1731。
[0062]第一漏電極175h、第二漏電極1751和第三漏電極175c包括一個寬端部和另一個條形端部。第一漏電極175h的條形端部和第二漏電極1751的條形端部被第一源電極173h和第二源電極1731部分地包圍。第二漏電極1751的寬端部再延伸并且形成以“U”形彎曲的第三源電極173c。第三漏電極175c的寬端部177c與電容電極137疊置以形成降壓電容器(Cstd)，并且第三漏電極175c的條形端部被第三源電極173c部分地包圍。
[0063]第一柵電極124h、第一源電極173h和第一漏電極175h與第一半導體154h —起形成第一薄膜晶體管Qh。第二柵電極1241、第二源電極1731和第二漏電極1751與第二半導體1541 —起形成第二薄膜晶體管Q1。第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與第三半導體154c —起形成第三薄膜晶體管Qc。
[0064]第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c可以彼此連接以形成線性形狀，并且可以與除了源電極173h、1731、173c和漏電極175h、1751、175c之間的溝道區(qū)之外的數(shù)據(jù)導體 171、173h、1731、173c、175h、1751、175c 和數(shù)據(jù)導體 171、173h、1731、173c、175h、1751、175c下面的歐姆接觸件一起具有基本上相同的平面形狀，。
[0065]第一半導體154h具有在第一源電極173h和第一漏電極175h之間沒有被第一源電極173h和第一漏電極175h覆蓋的暴露部分。第二半導體1541具有在第二源電極1731和第二漏電極1751之間沒有被第二源電極1731和第二漏電極1751覆蓋的暴露部分。第三半導體154c具有在第三源電極173c和第三漏電極175c之間沒有被第三源電極173c和第三漏電極175c覆蓋的暴露部分。
[0066]鈍化層180形成在暴露于數(shù)據(jù)導體171、173h、1731、173c、175h、1751、175c與各個源電極173h、1731、173c和各個漏電極175h、1751、175c之間的半導體154h、1541和154c上。鈍化層180可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。
[0067]平面化層182可以進一步形成在鈍化層180上。平面化層182由有機絕緣材料厚厚地制成，以緩解因形成第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc而出現(xiàn)的水平差。
[0068]第一絕緣層240可以進一步形成在平面化層182上。第一絕緣層240可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。
[0069]雖然以上已描述了由無機絕緣材料制成的鈍化層180、由有機絕緣材料制成的平面化層182和由無機絕緣材料制成的第一絕緣層240順序地層壓在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上的構(gòu)造，但本發(fā)明不限于此。形成在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上的絕緣層240可以形成為由無機絕緣材料或有機絕緣材料制成的單層，或者可以通過各種粘合方法形成為多層。
[0070]分別暴露第一漏電極175h的寬端部和第二漏電極1751的寬端部的多個第一接觸孔185h和多個第二接觸孔1851形成在第一絕緣層240、平面化層182和鈍化層180中。
[0071]像素電極191形成在第一絕緣層240上。像素電極191可以由諸如以氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)為例的透明金屬材料制成。
[0072]像素電極191包括第一子像素電極191h和第二子像素電極1911，其中，第一子像素電極191h和第二子像素電極1911彼此分開同時使柵極線121和降壓柵極線123置于其間，基于柵極線121和降壓柵極線123設置在像素區(qū)PX的上面和下面，并且在列方向上彼此相鄰。第一子像素電極191h和第二子像素電極1911彼此分開同時使第一谷Vl置于其間，第一子像素電極191h位于第一子像素區(qū)PXa中，第二子像素電極1911位于第二子像素區(qū)PXb中。
[0073]第一子像素電極191h和第二子像素電極1911分別通過第一接觸孔185h和第二接觸孔1851連接到第一漏電極175h和第二漏電極1751。因此，在第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql導通的狀態(tài)下，從第一漏電極175h和第二漏電極1751施加數(shù)據(jù)電壓。
[0074]第一子像素電極191h和第二子像素電極1911中的每個都是四邊形形狀，并且第一子像素電極191h和第二子像素電極1911中的每個都包括具有水平主干部分193h和1931以及與水平主干部分193h和1931相交的豎直主干部分192h和1921的十字形主干部分。另外，第一子像素電極191h和第二子像素電極1911分別包括從多個微小分支部分194h、1941和子像素電極191h、1911的邊緣側(cè)向下或向上突出的突出部分197h和1971。
[0075]像素電極191被水平主干部分193h和1931與豎直主干部分192h和1921劃分成四個子區(qū)域。微小分支部分194h和1941從水平主干部分193h、1931和豎直主干部分192h、1921傾斜地延伸，并且延伸方向可以與柵極線121或水平主干部分193h和1931形成大致45°或135°的角度。另外，兩個相鄰子區(qū)域的微小分支部分194h和1941的延伸方向可以彼此正交。
[0076]在一個實施例中，第一子像素電極191h還包括包圍輪廓的輪廓主干部分，第二子像素電極1911還包括位于上端和下端的水平部分以及位于第一子像素電極191h的左側(cè)和右側(cè)的左右豎直部分198。左右豎直部分198可以防止數(shù)據(jù)線171與第一子像素電極191h之間的電容耦合。
[0077]上面描述的像素區(qū)、薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和像素電極的形狀的設置形式只是示例，并且各種修改是可能的。
[0078]共電極270形成在像素電極191上，以使其與像素電極191分隔開預定距離。微腔體305形成在像素電極191和共電極270之間。微腔體305被像素電極191和共電極270包圍。微腔體305的寬度和面積可以根據(jù)顯示裝置的尺寸和分辨率不同地改變。在一些實施例中，共電極270可以形成為具有置于共電極270和像素電極191之間的絕緣層。微腔體305可以不形成在像素電極191和共電極270之間，而是微腔體305可以形成在共電極270 上。
[0079]共電極270可以由諸如以氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)為例的透明金屬材料制成?？梢韵蚬搽姌O270施加預定電壓，可以在像素電極191和共電極270之間形成電場。
[0080]在像素電極191上形成第一取向?qū)?1。第一取向?qū)?1可以直接形成在沒有被像素電極191覆蓋的第一絕緣層240上。
[0081]第二取向?qū)?1形成在共電極270下方，以面對第一取向?qū)?1。
[0082]第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以形成為垂直取向?qū)?，并且由諸如以聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亞胺為例的取向材料制成。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以彼此連接于像素區(qū)PX的邊緣。
[0083]由液晶分子310形成的液晶層形成在位于像素電極191和共電極270之間的微腔體305中。液晶分子310具有負介電各向異性，并且可以在不施加電場的狀態(tài)下在豎直方向上停留于基板110上?？梢孕纬纱怪比∠颉?br> [0084]被施加數(shù)據(jù)電壓的第一子像素電極191h和第二子像素電極1911與共電極270 —起產(chǎn)生電場，使得位于兩個電極191和270之間的微腔體305中的液晶分子310的方向被確定。按照如上所述確定的液晶分子310的方向，穿過液晶層的光的亮度發(fā)生變化。
[0085]第二絕緣層350可以進一步形成在共電極270上。第二絕緣層350可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成，并且可以根據(jù)需要被省去。
[0086]頂層360形成在第二絕緣層350上。頂層360可以由有機材料制成。微腔體305形成在頂層360下面?？梢酝ㄟ^固化工藝使頂層360變硬，以保持微腔體305的形狀。頂層360被形成為與像素電極191分隔開，同時使微腔體305置于其二者之間。
[0087]頂層360沿著像素行形成在像素區(qū)PX的每個中和第二谷V2的每個處，但是不形成在第一谷Vl中。頂層360不形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間。在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中的每個中，微腔體305分別形成在頂層360下面。微腔體305不形成在第二谷V2中的頂層360下面，但頂層360被形成為附于基板110。因此，位于第二谷V2中的頂層360的厚度可以被形成為大于位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中的每個中的頂層360的厚度。微腔體305具有其上表面和兩個側(cè)表面被頂層360覆蓋的形式。
[0088]暴露微腔體305的一部分的注入孔307形成在頂層360中。注入孔307可以形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb的邊緣處，以彼此面對。注入孔307可以形成為暴露微腔體305的側(cè)面，以對應于第一子像素區(qū)PXa的下側(cè)和第二子像素區(qū)PXb的上側(cè)。微腔體305被注入孔307暴露，使得可以通過注入孔307將取向劑或液晶材料等注入到微腔體305中。
[0089]第三絕緣層370可以進一步形成在頂層360上。第三絕緣層370可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。第三絕緣層370可以形成為覆蓋頂層360的上表面和側(cè)表面。第三絕緣層370用于保護由有機材料制成的頂層360，并且可以根據(jù)需要被省去。
[0090]包封層390可以形成在第三絕緣層370上。包封層390被形成為覆蓋將微腔體305的一部分暴露于外部的注入孔307。包封層390可以密封微腔體305，使得形成在微腔體305中的液晶分子310不移動到外部。因為包封層390與液晶分子310接觸，所以包封層390可以由不與液晶分子310反應的材料制成。例如，包封層390可以由聚對二甲苯等制成。
[0091]包封層390可以被形成為多層，諸如雙層或三層。雙層包括由不同材料制成的兩個層。三層包括三個層，并且相鄰層的材料彼此不同。例如，包封層390可以包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層。
[0092]諸如阻光構(gòu)件220和濾色器230的有機層形成在包封層390上。
[0093]濾色器230形成在像素區(qū)PX中的每個中。濾色器230可以形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中。濾色器230中的每個可以顯示諸如以紅色、綠色和藍色三原色為例的原色中的一種。濾色器230可以顯示基于青色、紫紅色或黃色、白色的顏色等，而不限于紅色、綠色和藍色三原色。與附圖不同，濾色器230可以沿著相鄰數(shù)據(jù)線171在列方向上伸長并且處于相鄰數(shù)據(jù)線171之間。
[0094]阻光構(gòu)件220形成在相鄰濾色器230之間的區(qū)域內(nèi)。阻光構(gòu)件220形成在像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上，并且形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中。阻光構(gòu)件220用于防止漏光。
[0095]阻光構(gòu)件220沿著柵極線121和降壓柵極線123向上和向下延伸和擴張，并且包括水平阻光構(gòu)件220a和豎直阻光構(gòu)件220b，水平阻光構(gòu)件220a覆蓋第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Q1、第三薄膜晶體管Qc等所位于的區(qū)域，豎直阻光構(gòu)件220b沿著數(shù)據(jù)線171延伸。水平阻光構(gòu)件220a可以形成在第一谷Vl中，豎直阻光構(gòu)件220b可以形成在第二谷V2中。
[0096]濾色器230和阻光構(gòu)件220可以在局部區(qū)域內(nèi)彼此疊置。例如，濾色器230和阻光構(gòu)件220可以在第一谷Vl和第一子像素區(qū)PXa之間的邊界處以及第一谷Vl和第二子像素區(qū)PXb之間的邊界處彼此疊置。圖示的是在濾色器230和阻光構(gòu)件220疊置的區(qū)域中阻光構(gòu)件220比濾色器230更靠上形成的狀態(tài)。在一些實施例中，在濾色器230和阻光構(gòu)件220疊置的區(qū)域中濾色器230比阻光構(gòu)件220更靠上地形成。
[0097]在濾色器230和阻光構(gòu)件220形成在像素電極191下方的情況下，由于與液晶分子310的接觸，導致可靠性會劣化，當注入取向劑或液晶材料時會出現(xiàn)由于水平差導致的缺陷。另外，因為阻光構(gòu)件220形成在像素電極的上面和下面，所以一個工藝執(zhí)行兩次。在一些實施例中，在包封層390上形成濾色器230和阻光構(gòu)件220，使得可以通過防止與液晶分子310的接觸來改善可靠性，可以解決由于濾色器230和阻光構(gòu)件220之間的水平差導致的注入缺陷，并且可以通過用單個工藝形成阻光構(gòu)件220來簡化工藝。
[0098]盡管未示出，但偏振器可以進一步形成在顯示裝置的上表面和下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附于基板I1的下表面,第二偏振器可以附于濾色器230和阻光構(gòu)件220上。
[0099]接下來，將參照圖5至圖10描述根據(jù)實施例的制造顯示裝置的方法。此外，將參照圖1至圖4描述該方法。
[0100]圖5至圖10是示出根據(jù)實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0101]首先，如圖5中所示，在由玻璃或塑料等制成的基板110上形成在一個方向上延伸的柵極線121和降壓柵極線123，然后，形成從柵極線121突出的第一柵電極124h、第二柵電極1241和第三柵電極124c。
[0102]另外，還可以形成存儲電極線131，以與柵極線121、降壓柵極線123、第一柵電極124h、第二柵電極1241和第三柵電極124c分隔開。
[0103]接下來，使用諸如以氧化硅(S1x)或氮化硅(SiNx)為例的無機絕緣材料，在基板110的包括柵極線121、降壓柵極線123、第一柵電極124h、第二柵電極1241、第三柵電極124c和存儲電極線131的整個表面上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以被形成為單層或多層。
[0104]接下來，在柵極絕緣層140上沉積諸如以非晶硅、多晶硅或金屬氧化物為例的半導體材料，此后，將沉積的半導體材料圖案化，以形成第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c?？梢詫⒌谝话雽w154h形成為位于第一柵電極124h上，可以將第二半導體1541形成為位于第二柵電極1241上，可以將第三半導體154c形成為位于第三柵電極124c 上。
[0105]接下來，沉積金屬材料并且將其圖案化，以形成在另一個方向上延伸的數(shù)據(jù)線171。金屬材料可以被形成為單層或多層。
[0106]另外，一起形成在第一柵電極124h上從數(shù)據(jù)線171突出的第一源電極173h和與第一源電極173h分隔開的第一漏電極175h。另外，一起形成連接到第一源電極173h的第二源電極1731和與第二源電極1731分隔開的第二漏電極1751。另外，一起形成從第二漏電極1751延伸的第三源電極173c和與第三源電極173c分隔開的第三漏電極175c。
[0107]可以連續(xù)地沉積半導體材料和金屬材料并且同時將它們圖案化，以形成第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c、數(shù)據(jù)線171、第一源電極173h、第二源電極1731和第三源電極173c以及第一漏電極175h、第二漏電極1751和第三漏電極175c。第一半導體154h被形成為延伸到數(shù)據(jù)線171的下側(cè)。
[0108]第一柵電極124h、第二柵電極1241和第三柵電極124c、第一源電極173h、第二源電極1731和第三源電極173c以及第一漏電極175h、第二漏電極1751和第三漏電極175c與第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c —起分別構(gòu)成第一薄膜晶體管(TFT)Qh、第二薄膜晶體管(TFT)Ql和第三薄膜晶體管(TFT)Qc。
[0109]接下來，在數(shù)據(jù)線171、第一源電極173h、第二源電極1731和第三源電極173c、第一漏電極175h、第二漏電極1751和第三漏電極175c以及暴露在相應的源電極173h、1731和173c與相應的漏電極175h、1751和175c之間的第一半導體154h、第二半導體1541和第三半導體154c上形成鈍化層180。鈍化層180可以由諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。
[0110]接下來，可以進一步在鈍化層180上形成平面化層182。平面化層182由厚的有機絕緣材料制成，以調(diào)節(jié)因形成第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc而出現(xiàn)的水平差。
[0111]接下來，可以進一步在平面化層182上形成第一絕緣層240。第一絕緣層240可以由有諸如以氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)為例的無機絕緣材料制成。
[0112]雖然以上已描述了在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上順序地層壓并形成由無機絕緣材料制成的鈍化層180、由有機絕緣材料制成的平面化層182和由無機絕緣材料制成的第一絕緣層240的工藝，但本發(fā)明不限于此。形成在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上的絕緣層240可以形成為由無機絕緣材料或有機絕緣材料制成的單層，或者可以通過各種粘合方法形成為多層。
[0113]接下來，通過蝕刻第一絕緣層240、平面化層182和鈍化層180，形成第一接觸孔185h，使得第一漏電極175h的一部分被暴露，并且形成第二接觸孔1851，使得第二漏電極1751的一部分被暴露。
[0114]接下來，在第一絕緣層240上沉積諸如以氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)為例的透明金屬材料并且將其圖案化，使得在第一子像素區(qū)PXa中形成第一子像素電極191h并且在第二子像素區(qū)PXb中形成第二子像素電極1911。第一子像素電極191h和第二子像素電極1911彼此分開，同時在二者之間插入有第一谷VI。將第一子像素電極191h形成為通過第一接觸孔185h連接到第一漏電極175h，將第二子像素電極1911形成為通過第二接觸孔1851連接到第二漏電極1751。
[0115]分別在第一子像素電極191h和第二子像素電極1911中形成水平主干部分193h和1931 (未示出)以及與水平主干部分193h和1931相交的豎直主干部分192h和1921 (未示出)。另外，形成從水平主干部分193h、1931和豎直主干部分192h、1921傾斜地延伸的多個微小分支部分194h和1941 (未不出)。
[0116]如圖6中所示，在像素電極191上涂敷感光有機材料，通過光工藝形成犧牲層300。
[0117]將犧牲層300形成為沿著多個像素列連接。也就是說，犧牲層300形成為覆蓋每個像素區(qū)PX，并且形成為覆蓋位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷VI。
[0118]如圖7中所示，在犧牲層300上沉積諸如以氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)為例的透明金屬材料，以形成共電極270。
[0119]接下來，利用諸如氧化硅或氮化硅的無機絕緣材料，可以在共電極270上形成第二絕緣層350。
[0120]接下來，在第二絕緣層350上涂敷有機材料并且將其圖案化，以形成頂層360。這里，有機材料可以被圖案化，使得去除位于第一谷Vl中的有機材料。因此，頂層360具有頂層360沿著多個像素行連接的形式。
[0121]接下來，通過使用頂層360作為掩模將第二絕緣層350和共電極270圖案化，以去除位于第一谷Vl中的第二絕緣層350和共電極270。
[0122]接下來，利用諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的無機絕緣材料，可以在頂層360上形成第三絕緣層370。將第三絕緣層370圖案化，以去除位于第一谷Vl中的第三絕緣層370。此時，如所示出的，可以將第三絕緣層370圖案化，使得第三絕緣層370沒有形成在頂層360的側(cè)面處。與上述工藝不同，可以將第三絕緣層370圖案化，使得第三絕緣層370覆蓋頂層360的側(cè)面。
[0123]將頂層360、第二絕緣層350、共電極270和第三絕緣層370圖案化，使得位于第一谷Vl中的犧牲層300被暴露于外部。
[0124]如圖8中所示，通過在暴露了犧牲層300的基板110上供應顯影劑或剝離溶液等來去除整個犧牲層300，或者使用灰化工藝去除整個犧牲層300。
[0125]當去除犧牲層300時，在犧牲層300所處的地方形成微腔體305。
[0126]像素電極191和共電極270彼此分隔開，同時使微腔體305置于二者之間，并且像素電極191和頂層360彼此分隔開，同時使微腔體305置于二者之間。共電極270和頂層360形成為覆蓋微腔體305的上表面和兩個側(cè)表面。
[0127]微腔體305通過其中去除了頂層360和共電極270的部分暴露于外部，將這些部分稱為注入孔307。注入孔307沿著第一谷Vl形成。例如，注入孔307可以被形成為在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb的邊緣處彼此面對。注入孔307可以形成為暴露微腔體305的側(cè)面，以對應于第一子像素區(qū)PXa的下側(cè)和第二子像素區(qū)PXb的上側(cè)。與以上構(gòu)造不同，注入孔307也可以沿著第二谷V2形成。
[0128]接下來，通過加熱基板110使頂層360固化。這樣將允許用頂層360保持微腔體305的形狀。
[0129]接下來，當以旋涂方式或噴墨方式將包括取向材料的取向劑滴落在基板100上時，取向劑通過注入孔307被注入到微腔體305中。當取向劑被注入到微腔體305中并且此后執(zhí)行固化工藝時，溶液物質(zhì)蒸發(fā)，并且取向材料保留在微腔體305中的壁表面上。
[0130]因此，可以在像素電極191上形成第一取向?qū)?1，可以在共電極270下方形成第二取向?qū)?1。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1形成為彼此面對同時使微腔體305置于二者之間，并且形成為在像素區(qū)PX的邊緣處彼此連接。
[0131]第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以在豎直方向上對準基板110，除了微腔體305的側(cè)面之外。額外執(zhí)行將UV照射到第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1的工藝，使得第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以在水平方向上對準基板110。
[0132]接下來，當以噴墨方式或分配方式將液晶材料滴落在基板110上時，液晶材料通過注入孔307注入到微腔體305中。此時，液晶材料可以滴落到沿著奇數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中，而可以不滴落到沿著偶數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中。相反，液晶材料可以滴落到沿著偶數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中，而可以不滴落到沿著奇數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中。
[0133]當液晶材料滴落到沿著奇數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中時，液晶材料在毛細管力的作用下通過液晶注入孔307移到微腔體305中。此時，微腔體305中的空氣通過沿著偶數(shù)的第一谷Vl形成的液晶注入孔307移出，使得液晶材料移到微腔體305中。
[0134]另外，液晶材料可以滴落到所有注入孔307中。也就是說，液晶材料可以既滴落到沿著奇數(shù)的第一谷Vl形成的注入孔307中又滴落到沿著偶數(shù)的第一谷Vl形成的液晶注入孔307中。
[0135]接下來，通過沉積不與液晶分子310反應的材料，在第三絕緣層370上形成包封層390。形成包封層390使得微腔體305覆蓋暴露于外部的注入孔307，并且包封層390密封微腔體305。
[0136]如圖9中所示，在包封層390上的每個像素區(qū)PX中形成濾色器230。濾色器230形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中的每個中，但可以不形成在第一谷Vl中。另外，具有同一顏色的濾色器230可以沿著多個像素區(qū)PX的列方向形成。在形成具有三種顏色的濾色器230的情況下，首先形成具有第一顏色的濾色器230，然后可以通過將掩模移位來形成具有第二顏色的濾色器230。接下來,在形成具有第二顏色的濾色器230之后,可以通過再次將掩模移位來形成具有第三顏色的濾色器230。
[0137]如圖10中所示，在包封層390上的每個像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上形成阻光構(gòu)件220，并且在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中形成阻光構(gòu)件220。
[0138]濾色器230和阻光構(gòu)件220是形成在包封層390上的有機層，可以形成為在局部區(qū)域中彼此疊置。例如，濾色器230和阻光構(gòu)件220可以形成為在第一谷Vl和第一子像素區(qū)PXa之間的邊界處以及第一谷Vl和第二子像素區(qū)PXb之間的邊界處彼此疊置。
[0139]雖然以上已經(jīng)描述了形成濾色器230然后形成阻光構(gòu)件220的過程，但本發(fā)明不限于此，可以首先形成阻光構(gòu)件220，然后可以形成濾色器230。
[0140]接下來，盡管未示出，但可以進一步將偏振器附于顯示裝置的上表面和下表面。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附于基板I1的下表面,第二偏振器可以附于濾色器230和阻光構(gòu)件220上。
[0141]接下來，將參照圖11描述根據(jù)另一實施例的顯示裝置。此外，將參照圖1和圖2描述顯示裝置。
[0142]因為圖11中示出的顯示裝置具有大量與圖1至圖4中示出的顯示裝置的元件相同的元件，所以將省略對其的描述。圖11的實施例的不同之處在于阻光構(gòu)件形成在包封層下方，下文中將更詳細地描述這個不同之處。
[0143]圖11是示出根據(jù)另一實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。
[0144]在該顯示裝置中，第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc形成在基板I1上，第一子像素電極191h和第二子像素1911形成為分別連接到第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql。
[0145]阻光構(gòu)件220形成在第一子像素電極191h和第二子像素1911上。阻光構(gòu)件220形成在多個像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上，并且形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中，以用于防止漏光。
[0146]頂層360形成在第一子像素電極191h和第二子像素1911上，以與第一子像素電極191h和第二子像素1911分隔開，同時使多個微腔體305置于其間。注入孔307在頂層360中形成以暴露微腔體305的一部分，由液晶分子310形成的液晶層形成在微腔體305中。
[0147]包封層390形成在頂層360上以覆蓋注入孔307，并且包封層390密封腔體305。包封層390形成在阻光構(gòu)件220上。
[0148]諸如濾色器230的有機層形成在包封層390上。形成在包封層390下的阻光構(gòu)件220和形成在包封層390上的濾色器230可以形成為彼此疊置。例如，如所示出的，濾色器230可以形成為與整個阻光構(gòu)件220疊置。與上述構(gòu)造不同，濾色器230可以形成為與阻光構(gòu)件220的邊緣的一部分疊置。
[0149]濾色器230形成在每個像素區(qū)PX中。濾色器230可以形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中。每個濾色器230可以顯示諸如以紅色、綠色和藍色三原色為例的原色之一。濾色器230可以顯示基于青色、紫紅色或黃色、白色的顏色等，而不限于紅色、綠色和藍色三原色。與附圖不同，濾色器230可以形成為沿著相鄰數(shù)據(jù)線171在列方向上伸長并且處于相鄰數(shù)據(jù)線171之間。
[0150]接下來，將參照圖12至圖16描述根據(jù)另一實施例的制造顯示裝置的方法。此外，將參照圖1和圖2描述該方法。
[0151]圖12至圖16是示出根據(jù)另一實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0152]首先，如圖12中所示，在基板110上形成第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc，形成第一子像素電極191h和第二子像素1911以分別連接到第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql。
[0153]接下來，在第一子像素電極191h和第二子像素1911上形成阻光構(gòu)件220。阻光構(gòu)件220形成在每個像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上，并且可以形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中。
[0154]如圖13中所示，在第一子像素電極191h、第二子像素1911和阻光構(gòu)件220上形成犧牲層300。
[0155]如圖14中所示，在犧牲層300上形成共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370，并且同時地或單獨地將共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370圖案化，以去除位于第一谷Vl中的共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370。
[0156]如圖15中所示，去除犧牲層300以形成微腔體305，通過注入孔307將取向劑注入到微腔體305中以形成第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1。
[0157]接下來，通過注入孔307將液晶材料注入到微腔體305中，以形成由液晶分子310形成的液晶層。
[0158]接下來，在第三絕緣層370上形成包封層390以密封微腔體305。包封層390形成在阻光構(gòu)件220上。
[0159]如圖16中所示，在包封層390上形成有機層作為濾色器230。濾色器230形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中的每個中，并且還可以形成在第一谷Vl中。濾色器230可以形成為與整個阻光構(gòu)件220疊置。與上述構(gòu)造不同，通過去除形成在第一谷Vl中的濾色器230的一部分或全部，可以將濾色器230形成為與阻光構(gòu)件220的邊緣的一部分疊置。
[0160]具有同一顏色的濾色器230可以沿著多個像素區(qū)PX的列方向形成。在形成具有三種顏色的濾色器230的情況下，首先形成具有第一顏色的濾色器230，然后可以通過將掩模移位來形成具有第二顏色的濾色器230。接下來，在形成具有第二顏色的濾色器230之后，可以通過再次將掩模移位來形成具有第三顏色的濾色器230。
[0161]接下來，將參照圖17描述根據(jù)另一實施例的顯示裝置。此外，將參照圖1至圖4描述該顯示裝置。
[0162]因為圖17中示出的顯示裝置具有大量與圖1至圖4中示出的顯示裝置的元件相同的元件，所以將省略對其的描述。圖17的實施例的不同之處在于濾色器形成在包封層下方，下文中將更詳細地描述這個不同之處。
[0163]圖17是示出根據(jù)另一實施例的顯示裝置的一部分的剖視圖。
[0164]在顯示裝置中，第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc形成在基板110上。
[0165]鈍化層180形成在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上，濾色器230形成在鈍化層180上。濾色器230形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中。另外，濾色器230還可以形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中。盡管圖17示出的是形成在第一谷Vl的邊緣區(qū)域處的濾色器230，但本發(fā)明不限于此，濾色器230可以形成在第一谷Vl的整個區(qū)域中。
[0166]平面化層182形成在濾色器230上，以調(diào)節(jié)因形成濾色器230而出現(xiàn)的水平差。第一絕緣層240形成在平面化層182上。
[0167]暴露第一薄膜晶體管Qh的至少一部分的第一接觸孔185h和暴露第二薄膜晶體管Ql的至少一部分的第二接觸孔1851形成在第一絕緣層240、平面化層182和鈍化層180中。第一接觸孔185h和第二接觸孔1851還可以形成在濾色器230中。
[0168]通過第一接觸孔185h連接到第一薄膜晶體管Qh的第一子像素電極191h和通過第二接觸孔1851連接到第二薄膜晶體管Ql的第二子像素電極1911形成在第一絕緣層240上。
[0169]頂層360形成在第一子像素電極191h和第二子像素電極1911上，以與第一子像素電極191h和第二子像素電極1911分隔開，同時使多個微腔體305置于其間。注入孔307形成在頂層360中以暴露微腔體305的一部分，由液晶分子310形成的液晶層形成在微腔體305中。
[0170]包封層390形成在頂層360上以覆蓋注入孔307，并且包封層390密封微腔體305。包封層390形成在濾色器230上。
[0171]諸如阻光構(gòu)件220的有機層形成在包封層390上。形成在包封層390下的濾色器230和形成在包封層390上的阻光構(gòu)件220可以形成為彼此疊置。例如，如所示出的，濾色器230和阻光構(gòu)件220可以在第一谷Vl和第一子像素區(qū)PXa之間的邊界處以及第一谷Vl和第二子像素區(qū)PXb之間的邊界處彼此疊置。
[0172]阻光構(gòu)件220形成在多個像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上，并且形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中，以用于防止漏光。
[0173]接下來，將參照圖18至圖22描述根據(jù)另一實施例的制造顯示裝置的方法。此外，將參照圖1和圖2描述該方法。
[0174]圖18至圖22是示出根據(jù)另一實施例的制造顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0175]首先，如圖18中所示，在基板110上形成第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc。
[0176]接下來，在第一薄膜晶體管Qh、第二薄膜晶體管Ql和第三薄膜晶體管Qc上形成鈍化層180，在鈍化層180上形成濾色器230。
[0177]濾色器230可以形成在第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb中。另外，濾色器230還可以形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中。盡管圖18示出的是形成在第一谷Vl的邊緣區(qū)域處的濾色器230，但在一些實施例中，濾色器230可以形成在第一谷Vl的整個區(qū)域中。
[0178]在形成具有三種顏色的濾色器230的情況下，首先形成具有第一顏色的濾色器230，然后可以通過將掩模移位來形成具有第二顏色的濾色器230。接下來，在形成具有第二顏色的濾色器230之后，可以通過再次將掩模移位來形成具有第三顏色的濾色器。
[0179]接下來，在濾色器230上形成平面化層182，可以在平面化層182上形成第一絕緣層 240。
[0180]接下來，將第一絕緣層240、平面化層182和鈍化層180圖案化，以形成暴露第一薄膜晶體管Qh的至少一部分的第一接觸孔185h和暴露第二薄膜晶體管Ql的至少一部分的第二接觸孔1851。第一接觸孔185h和第二接觸孔1851也可以形成在濾色器230中。
[0181]接下來在第一絕緣層240上形成分別通過第一接觸孔185h和第二接觸孔1851連接到第一薄膜晶體管Qh和第二薄膜晶體管Ql的第一子像素電極191h和第二子像素電極1911。
[0182]如圖19中所示，在第一子像素電極191h和第二子像素1911上形成犧牲層300。
[0183]如圖20中所示，在犧牲層300上形成共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370，并且同時地或單獨地將共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370圖案化，以去除位于第一谷Vl中的共電極270、第二絕緣層350、頂層360和第三絕緣層370。
[0184]如圖21中所示，去除犧牲層300以形成微腔體305，通過注入孔307將取向劑注入到微腔體305中以形成第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1。
[0185]接下來，通過注入孔307將液晶材料注入到微腔體305中，以形成由液晶分子310形成的液晶層。
[0186]接下來，在第三絕緣層370上形成包封層390以密封微腔體305。此時，包封層390形成在濾色器230上。
[0187]如圖22中所示，在包封層390上形成作為阻光構(gòu)件220形成的有機層。阻光構(gòu)件220形成在多個像素區(qū)PX的邊界處和薄膜晶體管上，并且可以形成在位于第一子像素區(qū)PXa和第二子像素區(qū)PXb之間的第一谷Vl中。
[0188]阻光構(gòu)件220可以形成為與濾色器230疊置。例如，如所示出的，濾色器230和阻光構(gòu)件220可以形成為在第一谷Vl和第一子像素區(qū)PXa之間的邊界處以及第一谷Vl和第二子像素區(qū)PXb之間的邊界處彼此疊置。
[0189]雖然已經(jīng)結(jié)合某些實施例描述了本發(fā)明，但要理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反地，意圖涵蓋包括在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括:基板，包括多個像素區(qū)；薄膜晶體管，形成在基板上；像素電極，連接到薄膜晶體管并且形成在所述多個像素區(qū)中；頂層，形成在像素電極上；多個微腔體，置于像素電極和頂層之間；注入孔，形成在頂層中，注入孔被構(gòu)造成暴露所述多個微腔體的至少一部分；液晶層，填充在所述多個微腔體的至少一個微腔體中；包封層，形成在頂層上，包封層被構(gòu)造成覆蓋注入孔并且密封所述多個微腔體；以及有機層，形成在包封層上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括:第一谷，位于所述多個微腔體之中的相鄰的微腔體之間，其中，有機層包括形成在第一谷中的阻光構(gòu)件。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中:阻光構(gòu)件還形成在所述多個像素區(qū)中的一個像素區(qū)的邊界處。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中:有機層還包括形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中:阻光構(gòu)件和濾色器形成為在局部區(qū)域中彼此疊置。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括:濾色器，形成在薄膜晶體管和像素電極之間，其中，濾色器形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中:有機層包括形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)中的濾色器。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中:濾色器還形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)的邊界處。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括:阻光構(gòu)件，形成在像素電極和包封層之間，其中，阻光構(gòu)件形成在所述多個像素區(qū)中的至少一個像素區(qū)的邊界處。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括:平面化層，形成在薄膜晶體管和像素電極之間。
【文檔編號】G02F1/136GK104345503SQ201410186962
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年5月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月1日
【發(fā)明者】元盛煥, 李善旭, 權(quán)必淑, 金榮奭, 金源泰, 柳漢俊, 李宇宰 申請人:三星顯示有限公司