像素單元和陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素單元和陣列基板，所述像素單元包括：若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)；導(dǎo)電單元，其位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。從而降低了對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，減小對(duì)開口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開口率，提升了顯示質(zhì)量。
【專利說明】像素單元和陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種像素單元和具有該像素單元的陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體場(chǎng)效應(yīng)管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-1XD)技術(shù)，作為目前主流的顯示器制造技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，液晶顯示器的分辨率也越來越高，從原來的非常普及的高清(1366x768)到全高清(1920x1080)，再到目前廣受消費(fèi)者歡迎的4K2K (3840x2160)電視，甚至接下來將會(huì)推出的8K4K (7680x4320)分辨率電視。
[0003]液晶顯示器分辨率的提高意味著它的像素單元越來越小，設(shè)計(jì)和制造的難度越來越大，各種走線之間的距離會(huì)越來越小，從而導(dǎo)致各種各樣的問題，像素暗紋就是其中之
O
[0004]像素暗紋，是指像素單元中靠近過孔(Via hole)的開口區(qū)，在液晶面板正常顯示時(shí)不能正常透光。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元主(main)區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素單元包括若干像素電極和焊盤20，像素電極包括若干斜向延伸的斜向像素電極11和橫向延伸的橫向像素電極12，焊盤20覆蓋于過孔30上，像素電極靠近過孔30的地方為開口區(qū)，由于像素單元較小，焊盤20進(jìn)入了開口區(qū)并與斜向像素電極11的投影部分重合，從而焊盤20和橫向像素電極12等導(dǎo)電部件對(duì)斜向像素電極11的電場(chǎng)造成干擾。如圖1a所示，為利用Expert LCD軟體對(duì)像素單元主區(qū)的穿透率進(jìn)行模擬得到的模擬效果圖，圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光，圓圈標(biāo)示處顯示開口區(qū)出現(xiàn)了暗紋。
[0005]如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元子(sub)區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中進(jìn)入開口區(qū)的為像素單元的公共電極40，該公共電極40與斜向像素電極11的投影部分重合，從而公共電極40和橫向像素電極12等導(dǎo)電部件對(duì)斜向像素電極11的電場(chǎng)造成了干擾。如圖2a所示，為利用Expert LCD軟體對(duì)像素單元子區(qū)的穿透率進(jìn)行模擬得到的模擬效果圖，圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光，圓圈標(biāo)示處顯示開口區(qū)出現(xiàn)了暗紋。
[0006]因此，現(xiàn)技術(shù)中像素單元開口區(qū)周邊電場(chǎng)會(huì)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)產(chǎn)生影響，使得開口區(qū)產(chǎn)生了暗紋現(xiàn)象，暗紋的出現(xiàn)則直接導(dǎo)致像素的開口率降低，導(dǎo)致面板的穿透率下降，另外還有可能導(dǎo)致沙沙狀姆拉等其他顯示問題，降低了顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素單元和陣列基板，旨在降低對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，提升顯示質(zhì)量。
[0008]為達(dá)以上目的，本發(fā)明提出一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思，即通過減小位于像素單元開口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來降低對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，進(jìn)而減小對(duì)開口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，從而改善像素暗紋現(xiàn)象，提高像素的開口率，提升顯示質(zhì)量。其中，所述導(dǎo)電部件可以是位于開口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合的導(dǎo)電單元，或者是位于斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極。
[0009]據(jù)此，本發(fā)明提出一種像素單元，包括:
[0010]若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)；
[0011 ] 導(dǎo)電單元，其位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
[0012]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為焊盤或公共電極。在像素單元主區(qū)時(shí)，所述焊盤位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，此時(shí)所述焊盤即為導(dǎo)電單元；在像素單元子區(qū)時(shí)，所述公共電極位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，此時(shí)所述公共電極即為導(dǎo)電單元。
[0013]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為焊盤，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
[0014]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為公共電極，所述像素單元還包括一靠近所述開口區(qū)的焊盤，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
[0015]優(yōu)選地，所述橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。
[0016]根據(jù)同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提出另一種像素單元，包括若干像素電極，該若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)，所述橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。
[0017]優(yōu)選地，所述像素單元還包括一焊盤，該焊盤位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述焊盤靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
[0018]優(yōu)選地，所述像素單元還包括位于所述開口區(qū)的公共電極和靠近所述開口區(qū)的焊盤，所述公共電極與所述斜向像素電極的投影部分重合，且所述公共電極靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
[0019]優(yōu)選地，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
[0020]本發(fā)明同時(shí)提出一種陣列基板，包括玻璃基板和配置于該玻璃基板上的像素單元，其中:
[0021 ] 所述像素單元包括:若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)；導(dǎo)電單元，其位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角?；蛘?，
[0022]所述像素單元包括若干像素電極，該若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)，所述橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。
[0023]本發(fā)明所提供的一種像素單元，通過減小位于像素單元開口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來降低對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響。具體來說，對(duì)于像素單元主區(qū)，則通過減小焊盤或/和橫向像素電極的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響；對(duì)于像素單元子區(qū)，則通過減小公共電極或/和橫向像素電極的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響。從而減小對(duì)開口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開口率，提升了顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元主區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖1a是圖1中的像素單元的穿透率的模擬效果圖；
[0026]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元子區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2a是圖2中的像素單元的穿透率的模擬效果圖；
[0028]圖3是本發(fā)明的像素單元一實(shí)施例主區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3a是圖3中的像素單元的穿透率的模擬效果圖；
[0030]圖4是本發(fā)明的像素單元一實(shí)施例子區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4a是圖4中的像素單元的穿透率的模擬效果圖。
[0032]本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明?！揪唧w實(shí)施方式】
[0033]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0034]本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思是通過減小位于像素單元開口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來減小對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響。其中，所述導(dǎo)電部件包括位于斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極或/和位于開口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合的導(dǎo)電單元。對(duì)于導(dǎo)電單元，在像素的單元的主(main)區(qū)，所述導(dǎo)電單元即為位于像素單元開口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合的焊盤；在像素單元的子(sub)區(qū)，所述導(dǎo)電單元即為位于像素單元開口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合的公共電極。以下結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0035]參見圖3，為本發(fā)明的像素單元主區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素單元包括柵極線100、源極線200、薄膜晶體管300、焊盤400、絕緣層(圖未示)和若干像素電極。
[0036]柵極線100與源極線200相交，優(yōu)選相互垂直，柵極線100橫向延伸，源極線200縱向延伸。焊盤400形成于柵極線100和源極線200相交處，焊盤400分別與柵極線100和源極線200電性連接，焊盤400可以呈矩形、梯形、菱形或多邊形。薄膜晶體管300也位于柵極線100和源極線200相交處，且薄膜晶體管300的柵極電性連接?xùn)艠O線100，源極電性連接源極線200，漏極電性連接焊盤400。絕緣層覆蓋柵極線100和源極線200，并覆蓋焊盤400，絕緣層對(duì)應(yīng)焊盤400的位置設(shè)有過孔401。
[0037]像素電極由透明導(dǎo)電材質(zhì)制成，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)，其通過過孔401與焊盤400電性連接。像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極510、橫向延伸的橫向像素電極520和縱向延伸的縱向像素電極530。斜向像素電極510若干條，相互平行且間隔設(shè)置。所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，顯示區(qū)域靠近過孔401的一端具有一開口區(qū)。由于像素單元較小，空間有限，導(dǎo)致焊盤400也位于開口區(qū)，并與斜向像素電極510的投影部分重合。
[0038]為了降低開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，本實(shí)施例對(duì)像素單元做了以下改進(jìn):
[0039]首先，為了減小焊盤400電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，本實(shí)施例將焊盤400靠近斜向像素電極510的一角砍掉而成為缺角410，從而一方面減小了焊盤400的面積，極大的減小了焊盤400對(duì)斜向像素電極510的影響。特別是對(duì)于矩形焊盤400，去掉了開口區(qū)的直角后，可以有效消除直角部位電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，從而有效抑制了開口區(qū)的暗紋現(xiàn)象，提升了顯示質(zhì)量。在某些實(shí)施例中，也可以將焊盤400靠近斜向像素電極510的一角改為圓角，同樣可以達(dá)到上述效果。
[0040]進(jìn)一步地，在橫向像素電極520位于開口區(qū)的部分靠近斜向像素電極510的一側(cè)挖出一缺口 521，使得橫向像素電極520該部分的寬度小于其余部分的寬度，優(yōu)選為其余部分寬度的一半。從而減小了橫向像素電極520的面積，降低了橫向像素電極520對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，進(jìn)一步改善了開口區(qū)的暗紋現(xiàn)象，提升了顯示質(zhì)量。
[0041]進(jìn)一步地，橫向像素電極520也與焊盤400的投影部分重合，且橫向像素電極520于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離開口區(qū)方向斜向延伸一支腳522，所述支腳522與斜向像素電極510平行。則橫向像素電極520支腳522的電場(chǎng)方向與斜向像素電極510的電場(chǎng)方向相同，有效減小了橫向像素電極520對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，改善了暗紋現(xiàn)象。
[0042]結(jié)合參見圖1a和圖3a，圖1a和圖3a所示為利用Expert IXD軟體對(duì)像素單元的穿透率進(jìn)行模擬得到的效果圖，其中圖1a為現(xiàn)有技術(shù)的效果圖，圖3a為本發(fā)明對(duì)像素單元主區(qū)進(jìn)行改進(jìn)后的效果圖。圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光。如圓圈所標(biāo)示，改進(jìn)前后的模擬結(jié)果對(duì)比可以看出，像素單元主區(qū)開口區(qū)(或過孔區(qū))附近的暗紋情況得到了很好的改善。
[0043]上述對(duì)像素單元的三種改進(jìn)方案，任意實(shí)施一種、任意實(shí)施兩種的組合或同時(shí)實(shí)施三種，皆能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的，降低開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，提升顯示質(zhì)量。
[0044]參見圖4，為本發(fā)明像素單元子區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素單元包括柵極線100、源極線200、薄膜晶體管300、焊盤400、公共電極、絕緣層(圖未示)和若干像素電極。
[0045]柵極線100與源極線200相交，優(yōu)選相互垂直，即柵極線100橫向延伸，源極線200縱向延伸。焊盤400形成于柵極線100和源極線200相交處，焊盤400分別與柵極線100和源極線200電性連接，焊盤400可以呈矩形、梯形、菱形或多邊形。薄膜晶體管300也位于柵極線100和源極線200相交處，且薄膜晶體管300的柵極電性連接?xùn)艠O線100，源極電性連接源極線200，漏極電性連接焊盤400。絕緣層覆蓋柵極線100和源極線200，并覆蓋焊盤400，絕緣層對(duì)應(yīng)焊盤400的位置設(shè)有過孔401。
[0046]像素電極由透明導(dǎo)電材質(zhì)制成，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)，其通過過孔401與焊盤400電性連接。像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極510、橫向延伸的橫向像素電極520和縱向延伸的縱向像素電極530。斜向像素電極510若干條，相互平行且間隔設(shè)置。所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，顯示區(qū)域靠近過孔401的一端具有一開口區(qū)。焊盤400靠近該開口區(qū)，但并不與斜向像素電極510的投影重合。公共電極600則位于開口區(qū)，由于其面積較大，因此與斜向像素電極510的投影部分重合。
[0047]為了降低開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，本實(shí)施例對(duì)像素單元做了以下改進(jìn):
[0048]首先，為了降低公共電極600電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，本實(shí)施例將公共電極600靠近斜向像素電極510的一角砍掉而成為缺角，從而減小了公共電極600的面積，極大的減小了公共電極600對(duì)斜向像素電極510的影響。特別是公共電極600去掉了開口區(qū)的直角后，可以有效消除直角部位電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，從而有效抑制了開口區(qū)的暗紋現(xiàn)象，提升了顯示質(zhì)量。在某些實(shí)施例中，也可以將公共電極600靠近斜向像素電極510的一角改為圓角，同樣可以達(dá)到上述效果。
[0049]進(jìn)一步地，在橫向像素電極520位于開口區(qū)的部分(特別是接近焊盤400的部分)靠近斜向像素電極510的一側(cè)挖出一缺口 521,使得橫向像素電極520該部分的寬度小于其余部分的寬度，優(yōu)選為其余部分寬度的一半。從而減小了橫向像素電極520的面積，降低了橫向像素電極520對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，進(jìn)一步改善了開口區(qū)的暗紋現(xiàn)象，提升了顯示質(zhì)量。
[0050]進(jìn)一步地，橫向像素電極520與焊盤400的投影部分重合，且橫向像素電極520于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離開口區(qū)方向斜向延伸一支腳522，所述支腳522與斜向像素電極510平行。則橫向像素電極520支腳522的電場(chǎng)方向與斜向像素電極510的電場(chǎng)方向相同,有效減小了橫向像素電極520對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，改善了暗紋現(xiàn)象。
[0051]結(jié)合參見圖2a和圖4a，圖2a和圖4a所示為利用Expert IXD軟體對(duì)像素單元子區(qū)的穿透率進(jìn)行模擬得到的模擬效果圖，其中圖2a為現(xiàn)有技術(shù)的效果圖，圖4a為本發(fā)明對(duì)像素單元子區(qū)改進(jìn)后的效果圖。圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光。如圓圈所標(biāo)示，改進(jìn)前后的模擬結(jié)果對(duì)比可以看出，像素單元子區(qū)的開口區(qū)(或過孔區(qū))附近的暗紋情況得到了很好的改善。
[0052]上述對(duì)像素單元的三種改進(jìn)方案，任意實(shí)施一種、任意實(shí)施兩種的組合或同時(shí)實(shí)施三種，皆能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的，降低開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響，提升顯示質(zhì)量。
[0053]據(jù)此，本發(fā)明的像素單元，通過減小位于像素單元開口區(qū)的非斜向像素電極510的導(dǎo)電部件的面積，來降低對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極510電場(chǎng)的影響。具體來說，對(duì)于像素單元主區(qū)，則通過減小焊盤400或/和橫向像素電極520的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響；對(duì)于像素單元子區(qū)，則通過減小公共電極600或/和橫向像素電極520的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響。從而減小對(duì)開口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開口率，提升了面板顯示質(zhì)量。
[0054]本發(fā)明同時(shí)提出一種陣列基板，該陣列基板包括玻璃基板和像素單元，陣列基板配置于玻璃基板上。像素單元包括焊盤、公共電極和若干像素電極，若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)，橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口 ；焊盤或公共電極位于所述開口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合，焊盤或公共電極靠近斜向像素電極的一角為缺角或圓角。本實(shí)施例中所描述的像素單元為本發(fā)明中上述實(shí)施例所涉及的像素單元，在此不再贅述。
[0055]本發(fā)明的陣列基板，通過減小位于像素單元開口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來降低對(duì)開口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響。具體來說，對(duì)于像素單元主區(qū)，則通過減小焊盤或/和橫向像素電極的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響；對(duì)于像素單元子區(qū)，則通過減小公共電極或/和橫向像素電極的面積來降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響。從而減小對(duì)開口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開口率，提升了面板顯示質(zhì)量。
[0056]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，不能因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素單元，其特征在于，包括: 若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)； 導(dǎo)電單元，其位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述導(dǎo)電單元為焊盤或公共電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述導(dǎo)電單元為焊盤，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述導(dǎo)電單元為公共電極，所述像素單元還包括一靠近所述開口區(qū)的焊盤，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的像素單元，其特征在于，所述橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。
6.一種像素單元，包括若干像素電極，該若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開口區(qū)，其特征在于，所述橫向像素電極位于所述開口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元還包括一焊盤，該焊盤位于所述開口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述焊盤靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元還包括位于所述開口區(qū)的公共電極和靠近所述開口區(qū)的焊盤，所述公共電極與所述斜向像素電極的投影部分重合，且所述公共電極靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的像素單元，其特征在于，所述橫向像素電極與所述焊盤的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。
10.一種陣列基板，包括玻璃基板和配置于該玻璃基板上的像素單元，其特征在于，所述像素單元為如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的像素單元。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103760723SQ201410028576
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月21日
【發(fā)明者】呂啟標(biāo), 姚曉慧 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司