顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了顯示裝置。該顯示裝置包括彼此鄰近的第一對(duì)像素行和第二對(duì)像素行的多個(gè)像素行。LCD還包括位于第一對(duì)像素行和第二對(duì)像素行之間的第一柵極線和第二柵極線，包括多個(gè)液晶注入孔的微腔層，以及位于所述微腔層上的共用電極。LCD還包括位于共用電極上的支承件以及位于支承件上的覆蓋層以覆蓋液晶注入孔。多個(gè)液晶注入孔可位于第一對(duì)像素行和第二對(duì)像素行之間。
【專利說(shuō)明】顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(IXD)是一種包括兩個(gè)顯示面板并被廣泛使用的平板顯示設(shè)備。所述顯示面板具有場(chǎng)產(chǎn)生電極，例如像素電極和共用電極，并且液晶層夾在所述場(chǎng)產(chǎn)生電極之間。
[0003]液晶顯示器可在電壓施加于場(chǎng)產(chǎn)生電極時(shí)在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，導(dǎo)致在液晶層中的液晶分子重取向以及入射光的偏振，從而使得圖像被顯示。
[0004]已開發(fā)出通過(guò)在每個(gè)像素單元形成腔以及在所述腔中填充液晶而實(shí)現(xiàn)圖像的顯示的技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)在有機(jī)材料上形成犧牲層，在其上形成支承件，移去所述犧牲層，以及通過(guò)液晶注入孔注入液晶到由移去犧牲層而形成的空的空間里而實(shí)現(xiàn)。[0005]當(dāng)用于注入液晶到各像素區(qū)域的液晶注入孔彼此分開并且彼此沒(méi)有連接時(shí)，應(yīng)當(dāng)控制注入到各像素區(qū)域的液晶量并且液晶應(yīng)當(dāng)?shù)稳氲矫總€(gè)像素區(qū)域的液晶注入孔中。然而，難以準(zhǔn)確控制液晶量。此外，通過(guò)液晶注入孔注入的液晶材料可能會(huì)在最外邊的像素附近流出。
[0006]此外，為了經(jīng)移去犧牲層形成的液晶注入孔和空的空間注入液晶，犧牲層的移去部分應(yīng)當(dāng)具有大于預(yù)定值的寬度。
[0007]當(dāng)所述犧牲層的移去部分的寬度非常狹窄時(shí)，難以將所述液晶滴入液晶注入孔附近，因此，被移去犧牲層的空間不能被液晶層填滿。
[0008]當(dāng)犧牲層的移去部分的寬度非常寬時(shí)，便于將液晶材料滴入液晶注入孔附近，因此液晶層很容易被填充，然而，填充有液晶層的顯示區(qū)域?qū)?huì)減少。
[0009]同時(shí)，已開發(fā)出用于實(shí)現(xiàn)液晶顯示器的二維(2D)圖像以及三維(3D)圖像的各種技術(shù)。
[0010]在上述各種技術(shù)中，在使用偏光式(Patterned Retarder)的三維顯示器中，對(duì)于顯示裝置的像素行左側(cè)圖像和右側(cè)圖像交替地顯示。左側(cè)圖像可以稱為用戶左眼識(shí)別的圖像，以及右側(cè)圖像可以稱為用戶右眼識(shí)別的圖像。在左側(cè)圖像和右側(cè)圖像根據(jù)像素行交替地顯示的三維顯示情況下，左側(cè)圖像和右側(cè)圖像會(huì)根據(jù)用戶的位置而彼此影響。
[0011]為解決該問(wèn)題，形成在顯示左側(cè)圖像的像素行和顯示右側(cè)圖像的像素行之間的行方向上延伸并具有較寬寬度的黑色矩陣(black matrix)以減少圖像的干擾。
[0012]然而，當(dāng)在像素列之間形成具有較寬寬度的黑色矩陣時(shí)，所述顯示裝置的整體孔徑比減小，并且顯示裝置的分辨率也減小。
[0013]上文【背景技術(shù)】部分中公開的信息僅用于提高對(duì)本發(fā)明的【背景技術(shù)】的理解，因此上述信息可能包含不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0014]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供不用減少液晶顯示器的孔徑比就能將液晶材料準(zhǔn)確滴入液晶注入孔的顯示裝置。
[0015]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還提供當(dāng)填充液晶層時(shí)很容易控制液晶材料量并且防止經(jīng)液晶注入孔注入之后剩余液晶材料流過(guò)最外面像素的顯示裝置。
[0016]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還提供在防止根據(jù)黑色矩陣的孔徑比劣化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)使用偏光式的三維顯示器的顯示裝置。
[0017]本發(fā)明的另外的特征將在隨后的描述中闡明，并且部分將根據(jù)說(shuō)明書變得顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而獲悉。
[0018]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式公開了顯示裝置，該顯示裝置包括:基板以及在所述基板上布置的多個(gè)像素行和多個(gè)像素列。所述多個(gè)像素行包括第一對(duì)像素行及與第一對(duì)像素行相鄰的第二對(duì)像素行。所述IXD還包括布置在所述基板上并且布置在第一對(duì)像素行和第二對(duì)像素行之間的第一柵極線及第二柵極線；布置在所述多個(gè)像素列之中的兩個(gè)相鄰像素列之間的數(shù)據(jù)線；多個(gè)像素電極；以及布置在所述多個(gè)像素電極上的微腔層。所述微腔層包括多個(gè)液晶注入孔。所述LCD還包括布置在所述微腔層上的共用電極；布置在所述共用電極上的支承件；以及布置在所述支承件上的覆蓋層。所述覆蓋層覆蓋所述多個(gè)液晶注入孔。所述多個(gè)液晶注入孔布置在第一對(duì)像素行和第二對(duì)像素行之間。
[0019]本發(fā)明示例性實(shí)施方式還公開了包括基板以及壩的顯示裝置。所述基板包括外圍區(qū)域以及外圍區(qū)域附近的像素區(qū)域。所述像素區(qū)域包括多個(gè)像素行以及多個(gè)像素列。所述壩布置在所述基板上并且在所述外圍區(qū)域中。所述像素區(qū)域包括具有液晶注入孔的微腔層，布置在所述微腔層上的共用電極，布置在所述共用電極上的支承件，以及布置在所述支承件上并且覆蓋所述液晶注入孔的覆蓋層。支承件的多個(gè)部分通過(guò)溝槽分開。所述液晶注入孔的至少一個(gè)邊界通過(guò)所述溝槽限定。所述溝槽延伸至所述多個(gè)像素行的左端以及所述多個(gè)像素行的右端。
[0020]應(yīng)當(dāng)理解，前述的總體描述和下面的細(xì)節(jié)描述是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]所包括的用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解且被并入本說(shuō)明書中并且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，并且與說(shuō)明書一起用來(lái)闡述本發(fā)明的原理。
[0022]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的信號(hào)線以及像素的配置的布局圖；
[0023]圖2為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的部分像素的布局圖；
[0024]圖3是沿圖2的顯示裝置的II1-1II’線的截面圖；
[0025]圖4是沿著圖2的顯示裝置的IV-1V’線的截面圖；
[0026]圖5是沿著圖2的顯示裝置的V-V’線的示意截面圖；
[0027]圖6為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的布局圖；
[0028]圖7、8、9、10、11、12、13、14、15和16為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法中的顯示裝置的一部分的截面圖；[0029]圖17為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的布局圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可體現(xiàn)為許多不同的形式并不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于本文所述的示例性實(shí)施方式。相反，提供示例性實(shí)施方式以使本公開將詳盡并完整，并將完全本發(fā)明的范圍傳達(dá)至本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為清楚起見(jiàn)，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被放大。附圖中相似的參考標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
[0031]應(yīng)理解的是，當(dāng)提到元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)印吧稀薄⒒蛘摺斑B接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌芍苯游挥诹硪辉驅(qū)由?、或者直接連接至另一元件或?qū)?，或者存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)提到元件或?qū)印爸苯游挥凇稀被颉爸苯舆B接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間的元件或?qū)?。同樣?yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)于本公開，“x、Y和Z中的至少一個(gè)”可被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的兩項(xiàng)或更多的任意組合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、TL、ΖΖ)。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管在此使用第一、第二、第三等術(shù)語(yǔ)來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，然而這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或者部分與另一區(qū)域、層或者部分進(jìn)行區(qū)分。因此，在不偏離本發(fā)明的教導(dǎo)情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或者部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部分。
[0033]為了便于描述，在此使用的諸如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等
空間相關(guān)術(shù)語(yǔ)可用于描述如附圖中示出的一個(gè)元件或者特征與另一元件或者特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖中描述的取向之外，空間相關(guān)術(shù)語(yǔ)旨在包含使用或者操作中的裝置的不同取向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其他元件或特征“下面”或“在...之下”的元件將位于其他元件或特征“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下方”可包括上方和下方的方位。該裝置可以其他方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或者處于其他取向)并相應(yīng)地解釋在此使用的空間相關(guān)描述符。
[0034]在此使用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述示例性實(shí)施方式的目的而并非旨在限制本發(fā)明。如在本文中使用的，除非上下文另外明確指明，單數(shù)形式“a”、“an”和“該(the)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。此外應(yīng)當(dāng)理解的是，術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”在用于本說(shuō)明書中時(shí)指明所述特征、整數(shù)、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一個(gè)或者多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組群的存在或者添加。
[0035]在本文中將參照本發(fā)明的理想實(shí)施方式(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示的截面圖示來(lái)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。如此，預(yù)計(jì)存在由于例如制造技術(shù)和/或公差而從圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)不被解釋為限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由于制造產(chǎn)生的形狀上的偏差。例如，示出為長(zhǎng)方形的植入?yún)^(qū)域(implanted region)將通常具有圓滑或者曲線的特征和/或在從植入到非植入?yún)^(qū)域的邊緣存在植入濃度梯度而并不是二元變化的。同樣地，通過(guò)植入形成的隱埋區(qū)可能導(dǎo)致在隱埋區(qū)及經(jīng)其進(jìn)行植入的表面之間的區(qū)域中導(dǎo)致部分植入。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的以及它們的形狀不是旨在示出裝置區(qū)域的實(shí)際形狀以及不是旨在限制本發(fā)明的范圍。
[0036]在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。將參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置。圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置中的信號(hào)線和像素的配置的布局圖。
[0037]參照?qǐng)D1，顯示裝置包括在第一方向上延伸的多個(gè)柵極線Gn-la、Gn-lb、Gna、Gnb、...、Gma、以及Gmb，在第二方向上延伸的多個(gè)數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、D4、D5、..?、以及Dk (在此k、n以及m是大于I的任何合適的整數(shù))，以及連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的多個(gè)像素PX。
[0038]多個(gè)柵極線Gn-la、Gn-1b、Gna、Gnb、...、Gma>以及Gmb包括第一配對(duì)柵極線Gn-1a和Gn-1b,第二配對(duì)柵極線Gna和Gnb,以及第三配對(duì)柵極線Gn+la和Gn+lb。每?jī)蓚€(gè)像素行地定位各對(duì)柵極線Gn-1a和Gn-lb, Gna和Gnb,以及Gn+la和Gn+lb。例如，各對(duì)柵極線Gn-1a和Gn-lb, Gna和Gnb,以及Gn+la和Gn+lb位于一對(duì)兩個(gè)相鄰的像素行之間。
[0039]溝槽GRV可與各對(duì)棚極線Gn-1a和Gn_lb, Gna和Gnb,以及Gn+la和Gn+lb重疊。如同將在下文中進(jìn)一步詳細(xì)描述的那樣，溝槽GRV可以是注入材料例如液晶層的液晶注入孔。
[0040]溝槽GRV可在柵極線Gn-la、Gn-lb、Gna、Gnb、...、Gma以及Gmb延伸的方向上延伸。與溝槽GRV僅僅與單個(gè)柵極線重疊時(shí)不同，當(dāng)溝槽與各對(duì)柵極線Gn-1a和Gn_lb，Gna和Gnb，以及Gn+la 和Gn+lb重疊時(shí)，溝槽GRV可具有較寬寬度，而不會(huì)劣化顯示裝置的孔徑比。
[0041]接下來(lái)，將參考圖2、3、4以及5描述液晶顯示器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖2為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的布局圖。圖3是沿著圖2的顯示裝置的II1-1II’線的截面圖。圖4是沿著圖2的顯示裝置的IV-1V’線的截面圖。圖5是沿著圖2的顯示裝置的V-V’線的示意性截面圖。
[0042]參照?qǐng)D2、3、4以及5，第一柵極線121a、第二柵極線121b以及存儲(chǔ)電極線131在由透明玻璃或者塑料制成的基板Iio上形成。第一柵極線121a以及第二柵極線121b在兩對(duì)像素PXl和PX2與PX3和PX4之間成對(duì)布置。
[0043]第一柵極線121a和第二柵極線121b可發(fā)送門信號(hào)并且基本上在水平(例如，緯度)方向上延伸。第一柵極線121a可包括第一柵電極124a，第二柵極線121b可包括第二柵電極124b。
[0044]存儲(chǔ)電極線131可發(fā)送預(yù)定電壓，例如共用電壓Vcom，以及可包括基本垂直于第一柵極線121a和第二柵極線121b延伸的縱向部分131b，以及連接至縱向部分131b的端部的橫向部分131a。
[0045]氮化硅形成的柵極絕緣層140位于柵極線121a和121b以及存儲(chǔ)電極線131上。由非結(jié)晶或晶體硅或者氧化物半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體層151、154a、154b在柵極絕緣層140上形成。半導(dǎo)體層151、154a以及154b包括多個(gè)主要在縱向方向上延伸的半導(dǎo)體條(semiconductor stripe)151,以及從各個(gè)半導(dǎo)體條151向柵極124a和124b延伸的第一溝道部分154a和第二溝道部分154b。
[0046]數(shù)據(jù)線171、連接至數(shù)據(jù)線171的源電極173a和173b、以及與源電極173a和173b分開的漏電極175a和175b在半導(dǎo)體層151、154a和154b以及柵極絕緣層140上形成。歐姆接觸(未示出)可在半導(dǎo)體層的第一溝道部分154a和第二溝道部分154b與源電極173a和173b之間分別形成，以及在第一個(gè)溝道部分154a和第二溝道部分154b與漏電極175a和175b之間分別形成。歐姆接可由硅化物或諸如其中以高濃度摻雜的η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅硅的材料形成。
[0047]數(shù)據(jù)線171可發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)，以及可在縱向方向上延伸并且與柵極線121a和121b交叉。數(shù)據(jù)線171被連接至向第一柵電極124a延伸的第一源電極173a以及向第二柵電極124b延伸的第二源電極173b。第一漏電極175a以及第二漏電極175b與數(shù)據(jù)線171分開。第一漏電極175a面向第一源電極173a,以及第二漏電極175b面向第二源電極173b。
[0048]第一漏電極175a和第二漏電極175b包括在平行于數(shù)據(jù)線171的方向上延伸的棒狀部分(bar part)。漏電極175a和175b可具有從漏電極175a和175b的棒狀部分的端部拓寬的寬度的擴(kuò)張部分。盡管示出為具有棒狀形狀，但是漏電極175a和175b可具有任何合適的形狀。
[0049]柵極124a和124b、源電極173a和173b、漏電極175a和175b、以及第一溝道部分154a和第二溝道部分154b分別形成薄膜晶體管。
[0050]包括連接至第一柵極線121a的第一柵電極124a、第一源電極173a、第一漏電極175a和第一溝道部分154a的第一薄膜晶體管可連接至第二像素PX2的像素電極191。包括連接至第二柵極線121b的第二柵電極124b、第二源電極173b、第二漏電極175b和第二溝道部分154b的第二薄膜晶體管可連接至第三像素PX3的像素電極191。
[0051]除了源電極173a與漏電極175a之間以及源電極173b與漏電極175b之間的溝道區(qū)之外，半導(dǎo)體層151、154a和154b具有與數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、175a和175b以及在下部的歐姆接觸基本相同的平面形狀。包括數(shù)據(jù)線171、源電極173a和173b、以及漏電極175a和175b的數(shù)據(jù)配線具有通過(guò)一個(gè)掩模形成在下部的歐姆接觸(未示出)以及半導(dǎo)體層151、154a和154b所獲得的結(jié)構(gòu)。
[0052]第一溝道部分154a和第二溝道部分154b可包括暴露并且未被源電極173a和173b以及漏電極175a和175b覆蓋的部分。
[0053]鈍化層180形成在數(shù)據(jù)配線171、173a、173b、175a和175b以及暴露的第一溝道部分154a和第二溝道部分154b上。在一些情況下，鈍化層180由無(wú)機(jī)絕緣體制成，例如氮化硅和氧化硅。在一些情況下，鈍化層180可由有機(jī)絕緣體制成并可具有平整的表面。在一些情況下，鈍化層180可由有機(jī)絕緣體和無(wú)機(jī)絕緣體的組合物制成。
[0054]有機(jī)層230布置在除第一和第二薄膜晶體管形成的位置之外的鈍化層180上。有機(jī)層230可根據(jù)像素電極191的列方向延伸。有機(jī)層230可以是根據(jù)原色之一(例如紅色、綠色和藍(lán)色)過(guò)濾輻射(例如光)的濾色器。然而，濾色器不限于三原色，可以根據(jù)青色、品紅、黃色和白色類顏色中的一種過(guò)濾輻射(例如光)。
[0055]鄰接有機(jī)層230可根據(jù)水平方向D (“D”在圖2中示出)以及與其交叉的垂直方向而分開。
[0056]參照?qǐng)D3，縱向遮光件220b布置在于水平方向D上分開的有機(jī)層230之間?？v向遮光件220b可與鄰接有機(jī)層230的各個(gè)邊緣重疊。在一些情況下，與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣重疊的縱向遮光件220b的寬度可基本上相同。
[0057]參照?qǐng)D4，橫向遮光件220a布置在有機(jī)層230之間。橫向遮光件220a可與鄰接有機(jī)層230的各個(gè)邊緣重疊。在一些情況下，與有機(jī)層230的兩個(gè)邊緣重疊的橫向遮光件220a的寬度可基本上相同。
[0058]橫向遮光件220a和縱向遮光件220b可被稱作黑色矩陣，并且可防止漏光。平坦化層182形成在橫向遮光件220a、縱向遮光件220b、和有機(jī)層230上。平坦化層182可由有機(jī)材料制成以及可在下方層上提供平坦表面。
[0059]像素電極191布置在平坦化層182上。像素電極191通過(guò)接觸孔185與第一和第二薄膜晶體管的漏電極175a和175b電連接。例如，第二像素PX2的像素電極191可連接至第一漏電極175a，以及第三像素PX的像素電極191可連接至第二漏電極175b。
[0060]每個(gè)像素電極191可形成為細(xì)狹縫電極，并且細(xì)狹縫電極的形狀可是四邊形。像素電極191可包括十字型莖部(stem)，其包括橫向莖部191a和與橫向莖部191a交叉的縱向莖部191b。此外，像素電極191可包括四個(gè)由橫向莖部191a和縱向莖部191b分割的子區(qū)域，并且各個(gè)子區(qū)域可包括多個(gè)精細(xì)分枝部分191c。
[0061]細(xì)狹縫電極的一個(gè)精細(xì)分枝部分191c可從橫向莖部191a或者縱向莖部191b傾斜地延伸至左上方向，以及另一個(gè)精細(xì)分枝部分191c可從橫向莖部191a或者縱向莖部191b傾斜地延伸至右上方向。另一個(gè)精細(xì)分枝部分191c可從橫向莖部191a或者縱向莖部191b傾斜地延伸至左下方向，以及另一個(gè)精細(xì)分枝部分191c可從橫向莖部191a或者縱向莖部191b傾斜地延伸至右下方向。兩個(gè)相鄰子區(qū)域的精細(xì)分枝部分191c可與彼此相互垂直。盡管沒(méi)有示出，在一些情況下，精細(xì)分枝部分191c的寬度可逐漸變寬。
[0062]漏電極175a和175b的棒狀部分可根據(jù)像素電極191的縱向莖部181b而延長(zhǎng)。
[0063]接觸孔185可在鈍化層180、有機(jī)層230和平坦化層182中形成。漏電極175a和175b以及像素電極191通過(guò)接觸孔185彼此連接。接觸孔185可在像素電極191中的橫向莖部191a和縱向莖部191b的交叉位置形成。如圖2中所示，漏電極175a和175b的寬端部可與橫向莖部191a和縱向莖部191b的交叉位置重疊，以及接觸孔185在此重疊位置形成。
[0064]在彼此鄰接的子區(qū)域中，液晶分子310傾斜的方向可以彼此不同。橫向莖部191a和縱向莖部191b與鄰接的子區(qū)域的邊界區(qū)域?qū)?yīng)。該邊界區(qū)域?qū)?yīng)于液晶分子310的傾斜方向不確定的非傳輸部分。因此，盡管漏電極175a和175b以及接觸孔185位于像素區(qū)域PX內(nèi)的，但是孔徑比的減少可被最小化。
[0065]微腔層400可布置在像素電極191上。用包括液晶分子310的液晶材料注入微腔層400，以及微腔層400具有液晶注入孔A。微腔層400可根據(jù)像素電極191的列方向(例如，垂直方向)形成。液晶注入孔A可包括使被連接至第一柵極線121a的第二像素PX2的微腔層400暴露的第一液晶注入孔Al以及使被連接至第二柵極線121b的第三像素PX3的微腔層400暴露的第二液晶注入孔A2中的至少一個(gè)。
[0066]下取向?qū)?1可在像素電極191上形成，以及上取向?qū)?1可在微腔層400上形成。
[0067]形成取向?qū)?1和21的取向材料以及包括液晶分子310的液晶材料可在微腔層400通過(guò)使用任何合適的方法(例如毛細(xì)管力)注入。
[0068]共用電極270和保護(hù)膜(overcoat) 250布置在微腔層400上。共用電極270可接收共用電壓，并且可與施加有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191 一起產(chǎn)生電場(chǎng)以確定位于微腔層400中的液晶分子310的傾斜方向。共用電極270可與像素電極191 一起形成電容器，使得在薄膜晶體管斷開后維持所施加電壓。保護(hù)膜250可以由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO2)形成。
[0069]支承件260在保護(hù)膜250上形成。支承件260可包括硅碳氧化物(SiOC)、光致蝕亥IJ劑、或者其它有機(jī)材料。當(dāng)支承件260包括碳氧化硅(SiOC)時(shí)，支承件260可由化學(xué)氣相沉積方法形成。當(dāng)包括光致蝕刻劑時(shí)，支承件260可由涂敷法形成。因?yàn)樘佳趸?SiOC)具有高透射比和低層壓力，由碳氧化硅(SiOC)制成的支承件260還可具有高光傳輸特性和
高穩(wěn)定性。
[0070]溝槽GRV可在微腔層400、上取向?qū)?1、共用電極270、保護(hù)膜250和支承件260的各部分之間形成，以及可在橫向遮光件220a和平坦化層182上形成。例如，溝槽GRV可使微腔層400、上取向?qū)?1、共用電極270、保護(hù)膜250和支承件260的各部分分開。
[0071]參照?qǐng)D1、2、3、4和5，微腔層400可被在重疊柵極線121a和121b的部分形成的多個(gè)溝槽GRV分割，以及多個(gè)微腔層400可在柵極線121a的延伸方向D上形成。多個(gè)微腔層400可與在列方向上相鄰的兩對(duì)像素區(qū)域(例如，PXl和PX2，以及PX3和PX4)對(duì)應(yīng)。微腔層400之間形成的溝槽GRV可與連接至不同像素行的兩個(gè)柵極線121a和121b重疊，以及可根據(jù)兩個(gè)柵極線121a和121b延伸的方向D而定位。
[0072]微腔層400的液晶注入孔Al和A2形成與溝槽GRV和微腔層400之間的邊界部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域。液晶注入孔Al和A2可根據(jù)溝槽GRV的延伸方向而形成。如圖3所示，在縱向遮光件220b上方并且在柵極線121a和121b延伸的方向D上相鄰的微腔層400之間形成的開口部分OPN可以被支承件260覆蓋。
[0073]包括在微腔層400中的液晶注入孔Al和A2可在上取向?qū)?1和平坦化層182之間形成，并且在一些部分中，在上取向?qū)?1和下取向?qū)?1之間形成。
[0074]由溝槽GRV限定的液晶注入孔Al和A2之中，第一液晶注入孔Al可使與被連接至第一柵極線121a的第二像素PX2對(duì)應(yīng)的微腔層400暴露，以及第二液晶注入孔A2使與被連接至第二柵極線121b的第三像素PX3對(duì)應(yīng)的微腔層400暴露。在一些情況下，第一液晶注入孔Al和第二液晶注入孔A2的其中一個(gè)可被省略。
[0075]保護(hù)層240可布置在支承件260上。保護(hù)層240可由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO2)制成。覆蓋層280可布置在保護(hù)層240上。覆蓋層(capping layer) 280可與支承件260的上表面和側(cè)壁接觸，以及覆蓋層280可覆蓋通過(guò)溝槽GRV暴露的微腔層400的液晶注入孔Al和A2。覆蓋層280可以由熱固性樹脂、碳氧化娃(SiOC)、或者石墨烯(graphene)形成。
[0076]由于石墨烯對(duì)包括氦等的氣體具有較強(qiáng)的不滲透性，所以當(dāng)用于形成覆蓋層280時(shí)石墨稀可有效地阻止液晶注入孔Al和A2。石墨稀是一種由碳鍵形成的材料，所以即使當(dāng)接觸到覆蓋層400時(shí)也能夠防止液晶材料被污染。此外，石墨烯可以保護(hù)液晶材料不被外部氧和水分侵蝕。
[0077]液晶材料可通過(guò)微腔層400上的液晶注入孔Al和A2注入，因此不用形成分離的上基板就能形成液晶顯示器。
[0078]無(wú)機(jī)膜或者有機(jī)膜形成的保護(hù)膜(未示出)形成可布置在覆蓋層280上。保護(hù)膜可保護(hù)被注入到微腔層400中的液晶分子310免于外部沖擊以及使薄膜平整。
[0079]接下來(lái)，將參考圖6描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置。圖6為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的布局圖。
[0080]參照?qǐng)D6，顯示裝置包括含有多個(gè)像素PX的像素區(qū)域和在像素區(qū)域附近形成的壩DAM。形成在注入有液晶材料的微腔層400之間的開口部分OPN在鄰接列的像素PX之間形成。如圖3中所示，開口部分OPN可通過(guò)支承件260覆蓋。
[0081]顯示裝置的溝槽GRV可延伸以連接像素PX列的左端El和右端E2。因此，在溝槽GRV提供的液晶材料可通過(guò)溝槽GRV分散。因此，當(dāng)液晶材料通過(guò)多個(gè)液晶注入孔A注入時(shí)，均勻量的液晶材料可被提供至多個(gè)液晶注入孔A。此外，當(dāng)在溝槽GRV提供的液晶材料注入至多個(gè)液晶注入孔A時(shí)，液晶材料可通過(guò)溝槽GRV分散。壩DAM可防止液晶材料泄漏到外圍區(qū)域。
[0082]如參考在圖1、2、3、4和5中描述的顯示裝置那樣，顯示裝置的溝槽GRV可在兩對(duì)彼此鄰近的像素PX行之間形成。限定顯示裝置的液晶注入孔A的溝槽GRV可與兩個(gè)柵極線121a和121b重疊，使得溝槽GRV的寬度可被拓寬，而不會(huì)劣化顯示裝置的孔徑比。因此，在顯示裝置的制造過(guò)程中的滴入液晶材料過(guò)程中，液晶材料可被正確地滴入溝槽GRV。
[0083]壩DAM可通過(guò)使用有機(jī)層230、橫向遮光件220a、縱向遮光件220b和支承件260中的至少一個(gè)形成。
[0084]接下來(lái)，將參考圖7、8、9、10、11、12、13、14、15和16描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施
方式的顯示裝置的制造方法。
[0085]圖7和圖9是根據(jù)顯示裝置的制造方法沿著圖2的II1-1II’線的截面圖。圖8、IOUl和12是根據(jù)顯示裝置的制造方法沿著圖2的IV-1V’線的截面圖。圖13、14、15和16是根據(jù)顯示設(shè)備的制造方法的像素PX區(qū)域和壩DAM區(qū)域的一部分的截面圖。
[0086]首先，參照?qǐng)D7和圖8，柵極124a和124b以及存儲(chǔ)電極線131在基板110上形成。柵極絕緣層140在柵極124a和124b以及存儲(chǔ)電極線131上形成。半導(dǎo)體151、154a和154b在柵極絕緣層140上形成。數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、175a和175b在半導(dǎo)體151、154a和154b上形成。鈍化層180、有機(jī)層230、遮光件220a和220b以及平坦化層182在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173a、173b、175a 和 175b 上形成。
[0087]像素電極191在平坦化層182上形成。犧牲層300，包括碳氧化硅(SiOC)或者光致蝕刻劑，在像素電極191上形成。犧牲層300可由有機(jī)材料而不是上述的硅碳氧化物(SiOC)或者光致蝕刻劑形成。
[0088]如圖7中所示，在兩個(gè)相鄰像素PX列之間的開口部分OPN移除犧牲層300。
[0089]接下來(lái)，如圖9和圖10中所示，共用電極270、保護(hù)膜250和支承件260在犧牲層300上順序地形成。共用電極270可由透明導(dǎo)體(例如ITO或者ΙΖ0)形成，以及保護(hù)膜250可由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO2)形成。如圖10中所示，支承件260被圖案化以形成使與遮光件220a對(duì)應(yīng)的保護(hù)膜250暴露的溝槽GRV。支承件260可由與先前形成的犧牲層300不同的材料形成。保護(hù)層240在支承件260上形成。保護(hù)層240可由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO2)形成。
[0090]接下來(lái)，參照?qǐng)D11，位于與溝槽GRV對(duì)應(yīng)的部分的保護(hù)層240、保護(hù)膜250以及共用電極270被順序地圖案化以使?fàn)奚鼘?00暴露。與溝槽GRV相應(yīng)的犧牲層300可被部分移去。
[0091]參照?qǐng)D12，通過(guò)氧(O2)灰化處理或者濕蝕刻經(jīng)溝槽GRV移去犧牲層300，從而形成具有液晶注入孔Al和A2的微腔層400。液晶注入孔Al和A2可在平行于柵極線121a和121b的方向上形成。
[0092]壩DAM可根據(jù)各種配置在像素PX區(qū)域附近形成。例如，參照?qǐng)D13，有機(jī)壩層230D、遮光壩構(gòu)件220D和壩支承件260D在像素PX區(qū)域附近沉積以形成壩DAM。在一些情況下，參照?qǐng)D14，遮光壩構(gòu)件220D和壩支承件260D在像素PX區(qū)域附近沉積以形成壩DAM。在一些情況下，參照?qǐng)D15，有機(jī)壩層230D和遮光壩構(gòu)件220D在像素PX區(qū)域附近沉積以形成壩DAM。在一些情況下，參照?qǐng)D16，壩支承件260D在像素PX區(qū)域附近沉積以形成壩DAM。
[0093]有機(jī)壩層230D可與有機(jī)層230在同一時(shí)間沉積，并且可以使用同樣材料形成。遮光壩構(gòu)件220D可與橫向遮光件220a和縱向遮光件220b在同一時(shí)間沉積,并且可以使用同樣材料形成。壩支承件260D可與支承件260在同一時(shí)間沉積，并且可以使用同樣材料形成。因此，在一些情況下，壩DAM可通過(guò)有機(jī)層230、橫向遮光件220a和縱向遮光件220b、以及支承件260中的至少一個(gè)形成。
[0094]接下來(lái)，取向材料經(jīng)溝槽GRV和液晶注入孔A注入以在像素電極191和共用電極270上形成取向?qū)?1和21。通過(guò)液晶注入孔A注入包括固體和溶劑的取向材料后執(zhí)行烘焙處理。
[0095]接下來(lái)，包括液晶分子310的液晶材料通過(guò)噴墨法經(jīng)溝槽GRV和液晶注入孔A注入微腔層400。由于形成了取向?qū)?1和21，液晶注入孔A可以小于最初形成的液晶注入孔。
[0096]在一些情況下，顯示裝置的溝槽GRV可連接至像素PX列的左端El和右端E2，以及在制造過(guò)程中在溝槽GRV滴入的液晶材料可通過(guò)溝槽GRV移動(dòng)。因此，當(dāng)液晶材料通過(guò)多個(gè)液晶注入孔A注入時(shí)，液晶材料可在多個(gè)液晶注入孔A中均勻分散。此外，當(dāng)在溝槽GRV提供的液晶材料注入到多個(gè)液晶注入孔A時(shí)，在溝槽GRV中的液晶材料可以移動(dòng)，但是壩DAM可防止剩余的液晶材料泄漏到外周區(qū)域中。
[0097]此外，顯示裝置的溝槽GRV在兩個(gè)像素PX行與和其相鄰的兩個(gè)像素PX行之間形成，即，兩對(duì)像素PX行彼此鄰近。此外，限定顯示裝置的液晶注入孔A的溝槽GRV可與兩個(gè)柵極線121a和121b重疊。因此，可以拓寬溝槽GRV的寬度，而不會(huì)劣化顯示裝置的孔徑t匕。此外，在顯示裝置的制造過(guò)程中提供液晶材料過(guò)程中，液晶材料可被均勻布置在溝槽GRV 中。
[0098]接下來(lái)，如圖3至圖5所示，形成覆蓋支承件260的上表面和側(cè)壁的覆蓋層280。覆蓋層280可覆蓋通過(guò)溝槽GRV暴露的微腔層400的第一和第二液晶注入孔Al和A2。
[0099]接下來(lái)，將參考圖17描述顯示裝置。圖17為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的布局圖。
[0100]如圖17中所示，顯示設(shè)備可包括包含第一像素PXl和第二像素PX2的第一對(duì)像素行，以及包含第三像素PX3和第四像素PX4的第二對(duì)像素行。像素PX2和PX3通過(guò)溝槽GRV分開。溝槽GRV可與橫向遮光件220a的遮光件BM重疊。
[0101]盡管未示出，遮光件BM可與柵極線和數(shù)據(jù)線、連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、連接至薄膜晶體管和像素電極的接觸孔重疊。薄膜晶體管可驅(qū)動(dòng)第一對(duì)像素行的第二像素PX2以及第二對(duì)像素行的第三像素PX3。
[0102]在一些情況下，顯示裝置可實(shí)現(xiàn)三維圖像顯示。當(dāng)實(shí)現(xiàn)上述三維圖像顯示時(shí)，三維圖像從信號(hào)控制器(未示出)輸入。包括左側(cè)圖像和右側(cè)圖像的三維圖像可在像素行方向上交替輸出。
[0103]在第一對(duì)像素行中，前面的像素行(例如，包括第一像素PXl的像素行)可顯示第η行的左側(cè)圖像Ln,以及在第二對(duì)像素行中，另一個(gè)前面的像素行(例如,包括第三像素ΡΧ3的像素行)可顯示第η行的右側(cè)圖像Rn。此外，在第一對(duì)像素行中，下一像素行(例如，包括第二像素ΡΧ2的像素行)可顯示第(η+1)行的左側(cè)圖像L(n+1)，以及在第二對(duì)像素行中，另一個(gè)下一像素行(例如，包括第四像素PX4的像素行)可顯示第(η+1)行的右側(cè)圖像R(n+1)。
[0104]因此，在空間分割類型的顯示裝置的像素行左側(cè)圖像和右側(cè)圖像被交替顯示的三維圖像顯示方法中，左側(cè)圖像可以是由用戶左眼識(shí)別的圖像，以及右側(cè)圖像可以是由用戶右眼識(shí)別的圖像。遮光件可在顯示左側(cè)圖像的像素行與顯示右側(cè)圖像的像素行之間形成，使得左側(cè)圖像以及右側(cè)圖像不會(huì)相互影響。
[0105]如果左側(cè)圖像和右側(cè)圖像根據(jù)各個(gè)像素行交替顯示，遮光件可相應(yīng)的在像素行之間形成，由此顯示裝置的整個(gè)的孔徑比減小并且顯示裝置的分辨率也減小。
[0106]然而，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的情況下，與遮光件BM重疊的溝槽GRV位于兩對(duì)像素行之間。兩對(duì)像素行中的一對(duì)像素行順序地顯示左側(cè)圖像，而另一對(duì)像素行順序地顯示右側(cè)圖像，使得可在防止由于黑色矩陣導(dǎo)致的孔徑比劣化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)使用偏光式的三維顯示器。
[0107]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，在成對(duì)地定位的兩對(duì)柵極線之間形成的一個(gè)溝槽，使得可以拓寬溝槽的寬度而不會(huì)劣化顯示裝置的孔徑比，結(jié)果，當(dāng)提供液晶材料到液晶注入孔時(shí)，可增加準(zhǔn)確度。
[0108]此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，限定液晶注入孔的溝槽在一條線上形成，從而通過(guò)多個(gè)液晶注入孔注入的液晶材料可通過(guò)溝槽均勻地分散，結(jié)果，很容易控制液晶材料量。此外，溝槽連接至最外面的像素以及壩在顯示區(qū)域附近形成，使得可以防止經(jīng)液晶注入孔注入的液晶材料越過(guò)最外面的像素流出。
[0109]此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，遮光件可與在兩對(duì)像素行之間、位于成對(duì)定位的兩對(duì)柵極線之間的溝槽重疊。一對(duì)像素行可顯示左側(cè)圖像，而另一對(duì)像素行可顯示右側(cè)圖像，使得可在防止由于黑色矩陣導(dǎo)致的孔徑比劣化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)使用偏光式的三維顯示器。
[0110]對(duì)本領(lǐng)域中的技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變形。因此，只要對(duì)本發(fā)明的修改和變形在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明包括這些修改和變形。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 基板； 多個(gè)像素行和多個(gè)像素列，布置在所述基板上，所述多個(gè)像素行包括第一對(duì)像素行以及與所述第一對(duì)像素行相鄰的第二對(duì)像素行； 第一柵極線和第二柵極線，布置在所述基板上并且布置在所述第一對(duì)像素行和所述第二對(duì)像素行之間； 數(shù)據(jù)線，布置在所述多個(gè)像素列中的兩個(gè)相鄰像素列之間； 多個(gè)像素電極，位于所述多個(gè)像素行和所述多個(gè)像素列中； 微腔層，布置在所述多個(gè)像素電極上，所述微腔層包括多個(gè)材料注入孔； 共用電極，布置在所述微腔層上； 支承件，布置在所述共用電極上；以及 覆蓋層，布置在所述支承件上，所述覆蓋層覆蓋所述多個(gè)材料注入孔， 其中，所述多個(gè)材料注入孔被布置在所述第一對(duì)像素行和所述第二對(duì)像素行之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述支承件的多個(gè)部分被溝槽分開，以及所述材料注入孔的至少一個(gè)邊界通過(guò)所述支承件的所述溝槽限定；以及 所述溝槽與所述第一柵極線和所述第二柵極線重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 遮光件，布置在所述基板上，所述遮光件與所述溝槽重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中: 所述溝槽延伸至所述多個(gè)像素行的左端以及所述多個(gè)像素行的右端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 壩，布置在所述基板上，所述壩圍繞所述多個(gè)像素行以及所述多個(gè)像素列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 濾色器，布置在所述微腔層下方， 其中，所述壩被布置在與所述支承件、濾色器和所述遮光件中的至少一個(gè)相同的層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；并且 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述支承件的多個(gè)部分被溝槽分開，以及所述材料注入孔的至少一個(gè)邊界通過(guò)所述支承件的所述溝槽限定；以及 所述溝槽延伸至所述多個(gè)像素行的左端以及所述多個(gè)像素行的右端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 壩，布置在所述基板上，所述壩圍繞所述多個(gè)像素行以及所述多個(gè)像素列。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括:濾色器和遮光件，布置在所述微腔層下方，以及 其中，所述壩被布置在與所述支承件、所述濾色器和所述遮光件中的至少一個(gè)相同的層中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；以及 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 遮光件，布置在所述基板上并且位于所述第一對(duì)像素行和所述第二對(duì)像素行之間， 其中，所述第一對(duì)像素行包括第一像素行和第二像素行， 其中，所述第二對(duì)像素行包括第三像素行和第四像素行，以及其中，所述第一像素行和所述第二像素行被配置為接收與左側(cè)圖像對(duì)應(yīng)的信號(hào)，并且所述第三像素行和所述第四像素行被配置為接收與右側(cè)圖像對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；以及 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；以及 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
19.一種顯示裝置，包括: 基板，包括外圍區(qū)域和所述外圍區(qū)域附近的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括多個(gè)像素行和 多個(gè)像素列；以及 壩，布置在所述基板上并且在所述外圍區(qū)域中， 其中，所述像素區(qū)域包括: 微腔層，包括多個(gè)液晶注入孔； 共用電極，布置在所述微腔層上； 支承件，布置在所述公共電極上；以及 覆蓋層，布置在所述支承件上并且覆蓋所述液晶注入孔， 其中，所述支承件的多個(gè)部分通過(guò)溝槽分開， 其中，所述液晶注入孔的至少一個(gè)邊界通過(guò)所述溝槽限定，以及 其中，所述溝槽延伸至所述多個(gè)像素行的左端以及所述多個(gè)像素行的右端。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括: 濾色器和遮光件布置在所述微腔層下方，并且 其中，所述壩被布置在與所述支承件、所述濾色器和所述遮光件中的至少一個(gè)相同的層中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其中: 所述遮光件與所述溝槽重疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中: 所述多個(gè)像素行包括第一對(duì)像素行以及與所述第一對(duì)像素行相鄰的第二對(duì)像素行，以及 所述多個(gè)液晶注入孔被布置在所述第一對(duì)像素行和所述第二對(duì)像素行之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；以及 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中: 所述多個(gè)像素行包括第一對(duì)像素行以及與所述第一對(duì)像素行相鄰的第二對(duì)像素行，以及 所述多個(gè)液晶注入孔被布置在所述第一對(duì)像素行和所述第二對(duì)像素行之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中: 所述微腔層包括與所述第 一對(duì)像素行重疊的第一微腔層以及與所述第一微腔層分開的第二微腔層，所述第二微腔層與所述第二對(duì)像素行重疊。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其中: 與所述第一對(duì)像素行重疊的所述第一微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開；以及 與所述第二對(duì)像素行重疊的所述第二微腔層的多個(gè)部分相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線分開。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103926771SQ201410008796
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月10日
【發(fā)明者】金東煥, 金是廣, 樸荷英, 車泰運(yùn), 韓世喜 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司