一種液晶面板和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種液晶面板和液晶顯示裝置，所述液晶面板的第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層，且所述源漏電極層是不透光的；沿垂直于所述陣列基板的方向，所述第一公共電極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心與所述柵極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心重合，且所述源漏電極層在所述陣列基板表面的投影面積大于或等于所述柵極在所述陣列基板表面的投影面積，小于所述透明電極層在所述陣列基板表面的投影面積。此種液晶面板的對(duì)比度、透過率和顯示的穩(wěn)定性都得到了提高，具有更強(qiáng)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，且由此種液晶面板組裝的液晶顯示裝置的耗電率較低，滿足綠色環(huán)保，低碳節(jié)能等社會(huì)需求。
【專利說明】一種液晶面板和液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于液晶顯示裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板和液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]信息化社會(huì)越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，當(dāng)前最成熟的產(chǎn)品就是薄膜晶體管液晶顯示裝置了，而且隨著技術(shù)發(fā)展，對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示裝置的對(duì)比度、解析度要求越來越高，對(duì)應(yīng)而來的是高功耗、高發(fā)熱、可靠性不足、壽命短等問題，如何解決以上問題，同時(shí)滿足綠色環(huán)保，低碳節(jié)能等社會(huì)需求，成為這個(gè)產(chǎn)業(yè)面對(duì)的首要難題。
[0003]液晶顯示裝置的主要組成部分是液晶面板，液晶面板由薄膜晶體管陣列基板、對(duì)向彩膜基板以及夾在前述兩片基板中間的液晶層構(gòu)成。其中，薄膜晶體管陣列基板主要包括基板、陣列排布于基板上的薄膜晶體管、顯示電極、掃描線、數(shù)據(jù)線、通用電極線。掃描線打開晶體管，數(shù)據(jù)線可通過晶體管將信號(hào)傳輸至顯示電極，在掃描線關(guān)閉期間顯示電極的電量存儲(chǔ)在與通用電極構(gòu)成的存儲(chǔ)電容中，達(dá)到顯示畫面的目的。
[0004]現(xiàn)有的液晶顯示裝置的液晶面板的平面圖如圖1所示，且該液晶面板的沿圖1所示的方向的剖面圖如圖2所示，包括相互對(duì)應(yīng)的陣列基板I和彩膜基板11，而且在陣列基板
I面向彩膜基板11的表面依次形成有電極層2 (電極層2包括柵極3和第一公共電極4)、絕緣層5、鈍化層6和像素電極層7，其中，像素電極層7位于鈍化層6上方，其分布區(qū)域需要完全覆蓋下方與其對(duì)應(yīng)的第一公共電極4,以便與第一公共電極4構(gòu)成存儲(chǔ)電容8。而在彩膜基板11面向陣列基板I的表面依次形成有黑色矩陣10，第二公共電極12和裝飾層13，所述裝飾層13為油墨層或者平坦層，其中彩膜基板11未形成有黑色矩陣10的表面與像素電極層7相對(duì)應(yīng)，構(gòu)成液晶面板的透過區(qū)9，用于顯示畫面。
[0005]但是，現(xiàn)有的液晶面板在對(duì)比度、透過率和顯示的穩(wěn)定性方面均有待提高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種液晶面板和液晶顯不裝置，此種液晶面板的對(duì)比度、透過率和顯示的穩(wěn)定性都得到了提高，具有更強(qiáng)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0008]一種液晶面板，包括:陣列基板，所述陣列基板的一個(gè)表面依次形成有柵極、絕緣層、第一公共電極、鈍化層和像素電極層，且沿垂直于所述陣列基板的方向，所述像素電極層的與所述柵極在所述像素電極層表面的投影相對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，且所述鏤空區(qū)域的面積等于所述柵極在所述像素電極層表面的投影面積；其中，所述第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層，且所述源漏電極層是不透光的；沿垂直于所述陣列基板的方向，所述第一公共電極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心與所述柵極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心重合，且所述源漏電極層在所述陣列基板表面的投影面積大于或等于所述柵極在所述陣列基板表面的投影面積，小于所述透明電極層在所述陣列基板表面的投影面積。[0009]優(yōu)選的，所述透明電極層為ITO電極層。
[0010]優(yōu)選的，所述源漏電極層為鉻層。
[0011]優(yōu)選的，還包括與陣列基板形成有柵極的表面相對(duì)應(yīng)的彩膜基板，在所述彩膜基板靠近所述陣列基板的表面依次形成有黑色矩陣、第二公共電極和裝飾層。
[0012]優(yōu)選的，所述裝飾層為油墨層或平坦層。
[0013]一種液晶顯示裝置，包括上述的液晶面板。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0015]本實(shí)用新型提供的液晶面板的第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層兩層結(jié)構(gòu)，且所述源漏電極層是不透光的。一方面，所述第一公共電極在所述陣列基板表面的投影面積大于所述柵極在所述陣列基板的投影面積，也即所述第一公共電極(包括透明電極層和不透光的源漏電極層)的面積大于所述像素電極層的與所述柵極在所述像素電極層表面的投影相對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域的面積，故所述不透光的源漏電極層可以完全遮擋像素電極層的鏤空區(qū)域，從而避免像素電極層的鏤空區(qū)域的邊緣出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，使得液晶面板具有更好的對(duì)比度。同時(shí)，所述第一公共電極位于所述柵極和所述像素電極層之間，且所述第一公共電極完全覆蓋在所述柵極的正上方，在柵極和像素電極層之間起到屏蔽電場(chǎng)的作用，減小像素電極層和柵極之間的電容耦合，降低柵極的高壓對(duì)像素電極層的干擾，改善了液晶面板的顯示的穩(wěn)定性。
[0016]另一方面，在所述像素電極層與第一公共電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容的過程中，所述第一公共電極的透明電極層直接與所述像素電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容，此時(shí)，所述透明電極層與所述像素電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的同時(shí)，不會(huì)影響像素電極層與所述透明電極層對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光性，也即所述像素電極層與透明電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的區(qū)域依然可以作為像素開口，從而增加了像素電極層的開口率，提高了液晶面板的透過率。
[0017]而且，由于所述透明電極層在與像素電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的同時(shí)，不會(huì)影響像素電極層的開口率，故可以適當(dāng)增大透明電極層的面積，增加像素電極層與透明電極層相對(duì)應(yīng)的面積，提高液晶面板的存儲(chǔ)電容。此外，由于此時(shí)透明電極層與像素電極層之間只包括一層鈍化層，降低了透明電極層與像素電極層之間的垂直距離，進(jìn)一步增加液晶面板了的存儲(chǔ)電容。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有的液晶面板的平面圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有的液晶面板的沿圖1所示方向的剖面圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型提供的液晶面板的單個(gè)陣列單元的平面圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型提供的液晶面板的沿圖3所示AA方向的剖面圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型提供的液晶面板的沿圖3所示AB方向的剖面圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0024]正如【背景技術(shù)】中所言，現(xiàn)有的液晶面板在對(duì)比度、透過率和顯示的穩(wěn)定性方面均有待提聞。
[0025]發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，如圖2所示，現(xiàn)有的液晶面板的第一公共電極4是不透明的金屬，并與柵極3位于一個(gè)平面內(nèi)，即柵極3和第一公共電極4均位于陣列基板I和絕緣層5之間。對(duì)于此種結(jié)構(gòu)的液晶面板，一方面，像素電極層7在與第一公共電極4構(gòu)成存儲(chǔ)電容時(shí)，由于柵極3和第一公共電極4的位置相近，故像素電極層7靠近柵極3的邊緣容易出現(xiàn)邊緣漏光的現(xiàn)象，導(dǎo)致液晶面板的對(duì)比度較低。另一方面，在第一公共電極4與像素電極層7構(gòu)成存儲(chǔ)電容8的過程中，由于現(xiàn)有的液晶面板的第一公共電極4是不透明金屬，故與第一公共電極4對(duì)應(yīng)的部分像素電極層7不能作為像素開口，致使現(xiàn)有的液晶面板的像素開口率較低。
[0026]而且，由于現(xiàn)有的液晶面板的柵極3與第一公共電極4位于一個(gè)平面內(nèi)，使得第一公共電極4與像素電極層7之間包括絕緣層5和鈍化層6兩層結(jié)構(gòu)，增大了第一公共電極4和像素電極層7之間的垂直距離d，由電容的計(jì)算公式C= ε S/4 n kd可知，第一公共電極4和像素電極層7之間的垂直距離d越大，存儲(chǔ)電容C的數(shù)值越小，故對(duì)于現(xiàn)有的液晶顯示裝置，第一公共電極4與像素電極層7之間的絕緣層5和鈍化層6兩層結(jié)構(gòu)在一定程度上降低了液晶面板的存儲(chǔ)電容。而由于存儲(chǔ)電容的主要作用是保持像素電壓的穩(wěn)定性，提高灰階電壓的保持能力，所以較小的存儲(chǔ)電壓會(huì)使得液晶面板的像素電壓不夠穩(wěn)定，從而使得液晶面板的顯示的穩(wěn)定性較差，且容易引發(fā)多種不良的顯現(xiàn)。
[0027]發(fā)明人還研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用對(duì)比度、透過率較差的液晶面板組裝液晶顯示裝置時(shí)，在同樣的背光條件下，液晶面板的像素開口率較低的液晶顯示裝置的亮度會(huì)較暗，那么為了保證液晶顯示裝置具有合格的亮度，就需要提高液晶顯示裝置的背光板的亮度，從而造成液晶顯示裝置的耗電率及花費(fèi)增高。
[0028]基于上述原因，本實(shí)用新型公開了一種液晶面板，包括:
[0029]陣列基板，所述陣列基板的一個(gè)表面依次形成有柵極，絕緣層、第一公共電極、鈍化層和像素電極層，且沿垂直于所述陣列基板的方向，所述像素電極層的與所述柵極在所述像素電極層表面的投影相對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，且所述鏤空區(qū)域的面積等于所述柵極在所述像素電極層表面的投影面積；
[0030]其中，所述第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層，且所述源漏電極層是不透光的；沿垂直于所述陣列基板的方向，所述第一公共電極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心與所述柵極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心重合，且所述源漏電極層在所述陣列基板表面的投影面積大于或等于所述柵極在所述陣列基板表面的投影面積，小于所述透明電極層在所述陣列基板表面的投影面積。
[0031]本實(shí)用新型提供的液晶面板的第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層兩層結(jié)構(gòu)，且所述源漏電極層是不透光的。一方面，所述不透光的源漏電極層可以遮擋像素電極層的鏤空區(qū)域的邊緣可能存在的漏光，使得液晶面板具有更好的對(duì)比度。同時(shí)，所述第一公共電極在柵極和像素電極層之間起到屏蔽電場(chǎng)的作用，減小像素電極層和柵極之間的電容耦合，降低柵極的高壓對(duì)像素電極層的干擾，改善了液晶面板的顯示的穩(wěn)定性。[0032]另一方面，所述像素電極層與所述透明電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的區(qū)域依然可以作為像素開口，從而增加了所述像素電極層的開口率，提供了液晶面板的透過率。而且，可以適當(dāng)增大透明電極層的面積，增加像素電極層與透明電極層相對(duì)應(yīng)的面積，提高液晶面板的存儲(chǔ)電容。此外，由于此時(shí)透明電極層與像素電極層之間只包括一層鈍化層，降低了透明電極層與像素電極層之間的垂直距離，進(jìn)一步增加液晶面板了的存儲(chǔ)電容。
[0033]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0034]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0035]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件形狀的平面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0036]下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的液晶面板和液晶顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0037]實(shí)施例一
[0038]本實(shí)施例提供了一種液晶面板，所述液晶面板的單個(gè)陣列單元的平面圖如圖3所示,且此種液晶面板的沿如圖3所示AA方向的剖面圖如圖4所示,所述液晶面板沿如圖3所示AB方向的剖面圖如圖5所示。如圖4所示,所述液晶面板包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板I和彩膜基板11，在所述液晶面板的陣列基板I的一側(cè)，在所述陣列基板I的一個(gè)表面依次形成有柵極3、絕緣層5、第一公共電極4、鈍化層6和像素電極層7。下面結(jié)合圖4和圖5所示的剖面圖對(duì)所述液晶面板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0039]陣列基板I優(yōu)選為玻璃基板；
[0040]柵極3優(yōu)選為鉻金屬柵極，形成柵極3的過程包括:首先利用等離子濺射工藝在陣列基板I表面形成一層鉻層；然后再采用光刻工藝在鉻層上刻蝕形成柵極3。
[0041]絕緣層5 (也稱柵極絕緣層5)形成在柵極3和陣列基板I的表面，如圖5所示，絕緣層5位于柵極3和硅島14之間。此外，如圖4所示，所述絕緣層5完全覆蓋柵極3和陣列基板I的表面，以在柵極3和硅島14之間起到柵極絕緣的作用。
[0042]第一公共電極4形成在絕緣層5的表面，如圖4所示，第一公共電極4包括透明電極層B和源漏電極層A，且源漏電極層A是不透光的。優(yōu)選的，透明電極層B為ITO電極層，源漏電極層A為鉻層。
[0043]在形成第一公共電極4的過程中，可以將形成第一公共電極4的工藝步驟與形成如圖5所示的源漏極的過程結(jié)合，形成如圖5所示的源漏極15和第一公共電極4的源漏電極層A的過程包括:首先在硅島14和絕緣層5表面上淀積鉻層，然后通過一次光刻工藝在硅島14和絕緣層5面積形成源漏極15和第一公共電極4的源漏電極層A。
[0044]如圖4所示，沿垂直于陣列基板I的方向，第一公共電極4在陣列基板I表面的投影的幾何中心與柵極3在陣列基板I表面的投影的幾何中心重合，且第一公共電極4的源漏電極層A在所述陣列基板I表面的投影面積大于或等于所述柵極3在所述陣列基板I表面的投影面積，小于所述透明電極層B在所述陣列基板I表面的投影面積。也即，第一公共電極4位于所述液晶面板的絕緣層5的與柵極3相對(duì)應(yīng)的表面，位于柵極3的正上方，且第一公共電極4的源漏電極層A和透明電極層B均完全覆蓋柵極3。
[0045]此時(shí)，對(duì)于本案中的液晶面板，第一公共電極4位于柵極3和像素電極層7之間，且第一公共電極4完全覆蓋在柵極3的正上方，故第一公共電極4可以在柵極3和像素電極層7之間起到屏蔽電場(chǎng)的作用，減小像素電極層7和柵極3之間的電容耦合，降低柵極3的高壓對(duì)像素電極層7的干擾，改善了液晶面板的顯示的穩(wěn)定性。
[0046]鈍化層6位于第一公共電極4和絕緣層5表面,完全覆蓋第一公共電極4和絕緣層5。鈍化層6的制作過程包括:通過化學(xué)氣相淀積工藝在源漏極15和第一公共電極4表面上形成鈍化層6，并通過一次光刻工藝在鈍化層6內(nèi)形成過孔(圖中未示出)，以便在后續(xù)的制作工藝中，通過過孔將像素電極層7與漏極電連接。優(yōu)選的，鈍化層6為氮化硅層。
[0047]像素電極層7位于鈍化層6的表面，沿垂直于所述陣列基板I的方向，像素電極層7的與柵極3在像素電極層7表面的投影相對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，且所述鏤空區(qū)域的面積等于柵極3在像素電極層7表面的投影面積。也即像素電極層7除與柵極3對(duì)應(yīng)的鏤空區(qū)域外，其他區(qū)域完全覆蓋鈍化層6。
[0048]此時(shí)，在本實(shí)施例提供的液晶面板的陣列基板側(cè)，第一公共電極4為雙層電極，包括不透明的源漏電極層A和透明電極層B，且沿垂直于陣列基板I的方向，源漏電極層A在陣列基板I表面的投影面積大于或等于柵極3在陣列基板I表面的投影面積，小于透明電極層B在陣列基板I表面的投影面積。在此種情況下，一方面不透光的源漏電極層A的面積大于或等于柵極3的表面，也即不透光的源漏電極層A的面積大于或等于像素電極層7的鏤空區(qū)域的面積，此時(shí)不透光的源漏電極層A可以完全遮擋像素電極層7的鏤空區(qū)域，避免像素電極層7的鏤空區(qū)域的邊緣出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，使得液晶面板具有更好的對(duì)比度。
[0049]另一方面，對(duì)于此種液晶面板的存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容8主要取決于第一公共電極4中的透明電極層B與像素電極層7的對(duì)應(yīng)關(guān)系。在像素電極層7與透明電極層B構(gòu)成存儲(chǔ)電容的過程中，由于透明電極層B的透光性，使得像素電極層7的構(gòu)成存儲(chǔ)電容8的區(qū)域依然具有透光性，也即像素電極層7的部分區(qū)域在與透明電極層B構(gòu)成存儲(chǔ)電容8的同時(shí)，依然可以作為像素電極層7的像素開口，從而增大了像素電極層的開口面積9，提高了像素電極層的開口率(像素電極層的開口率=像素電極層的開口面積/像素電極層的總面積)和液晶面板的透過率。
[0050]此外，存儲(chǔ)電容8的取值與像素電極層7與透明電極層B的相對(duì)面積和像素電極層7與透明電極層B之間的垂直距離相關(guān)，具體的，存儲(chǔ)電容的計(jì)算公式為C= ε S/4 π kd(其中，S為相對(duì)面積，d為垂直距離)。由于透明電極層B在與像素電極層7構(gòu)成存儲(chǔ)電容8的同時(shí)，不會(huì)影響像素電極層7的開口率，故可以適當(dāng)增大透明電極層B的面積，增加像素電極層7與透明電極層B的相對(duì)面積，提高液晶面板的存儲(chǔ)電容8。此外，相對(duì)于圖2所示的液晶面板，由于本實(shí)施例提供的液晶面板的透明電極層B與像素電極層7之間只包括一層鈍化層6，降低了透明電極層B與像素電極層7之間的垂直距離，進(jìn)一步增加液晶面板了的存儲(chǔ)電容8。
[0051]在本實(shí)施例的一個(gè)具體實(shí)施例中，如圖4所示，在所述液晶面板的彩膜基板11側(cè)，在彩膜基板11靠近陣列基板I的表面依次形成有黑色矩陣10、第二公共電極12和裝飾層13，其中，裝飾層13為油墨層或平坦層。
[0052]沿垂直于彩膜基板11的方向，黑色矩陣10在陣列基板I表面的投影面積大于第一公共電極4的源漏電極層A的投影面積，而由于源漏電極層A在陣列基板I表面的投影面積滿足:大于或等于柵極3在陣列基板I表面的投影面積，小于透明電極層B在陣列基板I表面的投影面積，所以黑色矩陣10在陣列基板I表面的投影面積可以完全覆蓋源漏電極層A和柵極3，以起到遮擋源漏電極層A和柵極3的作用。
[0053]在圖4所示的液晶面板中，在彩膜基板11表面形成的兩個(gè)黑色矩陣10分別與陣列基板I表面的兩個(gè)柵極3及其表面的第一公共電極4對(duì)應(yīng)，且兩個(gè)黑色矩陣10之間的與像素電極層7垂直對(duì)應(yīng)的未被黑色矩陣10覆蓋的區(qū)域即為液晶面板的顯示區(qū)域。
[0054]實(shí)施例二
[0055]本實(shí)施例提供了一種液晶顯示裝置，此種液晶顯示裝置包括實(shí)施例一提供的液晶面板。
[0056]本實(shí)施例提供的液晶顯示裝置包括實(shí)施例一提供的對(duì)比度和透過率較高的液晶面板，在液晶面板具有高透過率的前提下，在同樣的背光條件下，液晶面板的像素開口率越高，透過率越高，液晶顯示裝置的亮度越亮。那么，在對(duì)液晶顯示裝置亮度要求相同的情況下，可以適當(dāng)降低包括較高透過率的液晶面板的液晶顯示裝置的背光板的亮度，從而降低液晶顯示裝置的耗電率，使液晶顯示裝置滿足綠色環(huán)保，低碳節(jié)能等社會(huì)需求。
[0057]以上所述實(shí)施例，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制。
[0058]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶面板，其特征在于，包括: 陣列基板，所述陣列基板的一個(gè)表面依次形成有柵極、絕緣層、第一公共電極、鈍化層和像素電極層，且沿垂直于所述陣列基板的方向，所述像素電極層的與所述柵極在所述像素電極層表面的投影相對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，且所述鏤空區(qū)域的面積等于所述柵極在所述像素電極層表面的投影面積； 其中，所述第一公共電極包括透明電極層和位于所述透明電極層表面的源漏電極層，且所述源漏電極層是不透光的；沿垂直于所述陣列基板的方向，所述第一公共電極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心與所述柵極在所述陣列基板表面的投影的幾何中心重合，且所述源漏電極層在所述陣列基板表面的投影面積大于或等于所述柵極在所述陣列基板表面的投影面積，小于所述透明電極層在所述陣列基板表面的投影面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述透明電極層為ITO電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述源漏電極層為鉻層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，還包括與陣列基板形成有柵極的表面相對(duì)應(yīng)的彩膜基板，在所述彩膜基板靠近所述陣列基板的表面依次形成有黑色矩陣、第二公共電極和裝飾層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶面板，其特征在于，所述裝飾層為油墨層或平坦層。
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的液晶面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK203433241SQ201320423333
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】莊崇營(yíng), 胡君文, 李林, 洪勝寶, 陳建榮, 何基強(qiáng), 李建華 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司