專利名稱：一種顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的IXD顯示屏是將TFT基板與彩膜基板互相貼合，如圖1所示包括背光源I’和液晶顯不面板2’，其中液晶顯不面板2’包括上基板21’、下基板22’和液晶材料23’，在上基板21’上包括有黑矩陣201’、黑矩陣圖案包圍的紅像素區(qū)202’、綠像素區(qū)203’、藍(lán)像素區(qū)204’。所使用的白色背光是用藍(lán)色芯片激發(fā)釔鋁石榴石晶體YAG熒光粉發(fā)出黃光與藍(lán)光混合而成，發(fā)光效率低，色彩不純，再經(jīng)過(guò)彩膜層CF的R\G\B過(guò)濾后所得到的色域比較低，顏色不夠鮮艷真實(shí)。因此如何提高功效是現(xiàn)有技術(shù)面臨的一個(gè)問(wèn)題。而量子點(diǎn)(Quantum Dot)通常是一種由I1-VI族或II1-V族元素組成的納米顆粒，受激后可以發(fā)射熒光，發(fā)光光譜可以通過(guò)改變量子點(diǎn)的尺寸大小來(lái)控制，且其熒光強(qiáng)度和穩(wěn)定性都很好，是一種很好的光致發(fā)光材料。量子點(diǎn)的種類很多，代表性的有I1-VI族的CdS/CdSe/CdTe/ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe 等和 II1-V 族 GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs, InP, InSb、AlAs、A1P、AlSb等。其中同一物質(zhì)的量子點(diǎn)，根據(jù)其制備出的尺寸不同，所發(fā)射出來(lái)的光也不同。目前，現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)將量子點(diǎn)材料應(yīng)用于背光源的技術(shù)方案，能夠在一定程度上提高發(fā)光效率，但是如何能夠獲得一個(gè)色域?qū)?，光效高的顯示裝置，仍是現(xiàn)有技術(shù)面臨的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了 一種顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置色域窄、光效低的問(wèn)題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括藍(lán)光背光源和液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之間的液晶層；所述上基板或下基板包括彩膜層，所述彩膜層包括黑矩陣圖形，以及紅像素圖形和綠像素圖形；所述紅像素圖形所在層或所述綠像素圖形所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置
有第一鈍化層；所述紅像素圖形所在層和所述綠像素圖形所在層之間設(shè)置有第二鈍化層；所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。本實(shí)用新型提供的顯示裝置，通過(guò)將藍(lán)光作為背光源，將量子點(diǎn)材料引入彩膜層，分別在彩膜層中設(shè)置受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射紅光的紅像素圖形和受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射綠光的綠像素圖形，由于量子點(diǎn)材料受激發(fā)出的光線單色性好，強(qiáng)度和穩(wěn)定性高，因此相對(duì)傳統(tǒng)的顯示屏，色域更廣，光效更高。同時(shí)，由于采用了藍(lán)光作為背光源，因此在彩膜層中省去了藍(lán)像素圖形的制備，從而也減少了工藝過(guò)程，降低了成本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中IXD顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3所示的結(jié)構(gòu)中顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示裝置及制備方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置色域窄、光效低的問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明。參見(jiàn)圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括藍(lán)光背光源I和液晶顯示面板2，所述液晶顯示面板包括上基板21、下基板22以及位于上基板和下基板之間的液晶層23 ;所述上基板21包括彩膜層20，所述彩膜層20包括黑矩陣圖形201，以及紅像素圖形202和綠像素圖形203 ;所述紅像素圖形202所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置有第一鈍化層241 ;所述紅像素圖形202所在層和所述綠像素圖形203所在層之間設(shè)置有第二鈍化層242 ;以及在所述綠像素圖形203所在層之上設(shè)置的保護(hù)層243 ;其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。如圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置的另一種結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)光背光源I和液晶顯示面板2，所述液晶顯示面板上基板21、下基板22以及位于上基板和下基板之間的液晶層23 ;所述下基板22包括彩膜層20，所述彩膜層20包括黑矩陣圖形201，以及紅像素圖形202和綠像素圖形203 ;所述紅像素圖形202所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置有第一鈍化層241 ;所述紅像素圖形202所在層和所述綠像素圖形203所在層之間設(shè)置有第二鈍化層242 ;以及在所述綠像素圖形203所在層之上設(shè)置的保護(hù)層243 ;其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。通過(guò)將藍(lán)光作為背光源，將量子點(diǎn)材料引入彩膜層，分別在彩膜層中設(shè)置受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射紅光的紅像素圖形和受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射綠光的綠像素圖形，由于量子點(diǎn)材料受激發(fā)出的光線單色性好，強(qiáng)度和穩(wěn)定性高，因此相對(duì)傳統(tǒng)的顯示屏，色域更廣，光效更高。同時(shí)，由于采用了藍(lán)光作為背光源，因此在彩膜層中省去了藍(lán)像素圖形的制備，從而也減少了工藝過(guò)程，降低了成本。另一方面，相比現(xiàn)有技術(shù)中OLED有機(jī)發(fā)光層，由于量子點(diǎn)材料為無(wú)機(jī)發(fā)光材料，不會(huì)被氧化和水汽侵蝕，制備工藝無(wú)需在真空或惰性氣體的保護(hù)下進(jìn)行，從而降低了成本，提高了穩(wěn)定性和壽命。較佳地，所述上基板包括上玻璃基板和彩膜層，所述下基板包括TFT陣列基板；其中，所述黑矩陣圖形所在層位于所述紅像素圖形所在層和綠像素圖形所在層的上方。采用此結(jié)構(gòu)，需要將上基板和下基板以及液晶材料對(duì)盒形成液晶顯示面板，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)盒的工藝流程較為成熟，容易實(shí)現(xiàn)。較佳地，所述上基板包括上玻璃基板，所述下基板包括TFT陣列基板和彩膜層；其中，所述黑矩陣圖形所在層位于所述紅像素圖形所在層和綠像素圖形所在層的下方。將彩膜層設(shè)置在下基板上，無(wú)需考慮上基板和下基板對(duì)盒的技術(shù)所帶來(lái)的問(wèn)題。例如，現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)盒的環(huán)節(jié)，有一定的偏差，比如，偏差在5 μ m以上，而制作黑矩陣圖像的掩膜的工藝偏差在I μ m左右，因此，將彩膜層設(shè)置在下基板，省去了對(duì)盒可能帶來(lái)的偏差的問(wèn)題，因此相比對(duì)盒的工藝來(lái)講，能夠提高一定的開(kāi)口率。較佳地，所述紅像素圖形和所述綠像素圖形的上方設(shè)置有藍(lán)光濾波層。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案中，藍(lán)光背光源一方面作為激發(fā)光源，激發(fā)紅像素圖形和綠像素圖形分別發(fā)射紅光和綠光，另一方面，藍(lán)光背光源作為藍(lán)像素的來(lái)源，與紅、綠光共同組成紅、綠和藍(lán)三基色，組合而進(jìn)行畫(huà)面的多彩顯示。但是，由于制備工藝的限制，可能出現(xiàn)藍(lán)光經(jīng)過(guò)紅像素圖形和綠像素圖形后，還有殘余的藍(lán)光出射，因此，在紅像素圖形和綠像素圖形的上方設(shè)置藍(lán)光濾波層，該藍(lán)光濾波層采用的是藍(lán)色濾光材料，濾光材料是一種能夠改變光譜成分或限定光的振動(dòng)面的材料。而藍(lán)色濾光材料可以將波長(zhǎng)在480nm (藍(lán)光)以下的光吸收，而透過(guò)480nm以上的光的材料。因此經(jīng)過(guò)紅像素圖形和綠像素圖形以后，出射的紅光和綠光能夠完全的出射，而殘余的藍(lán)光將被吸收，不會(huì)出現(xiàn)在紅像素圖形和綠像素圖形區(qū)域，因而能夠獲得單色性極高的紅、綠、藍(lán)三基色像素。例如:N-甲基-2-吡咯甲醛和若單寧為原料，在哌啶催化下合成了一種若單寧藍(lán)光份菁染料，該若單寧藍(lán)光份菁染料是現(xiàn)有的一種已經(jīng)被合成使用的染料。另外，該藍(lán)光濾波層可以設(shè)置在上基板與外層的上偏光片之間，也可以設(shè)置在其他位置，只要能夠屏蔽殘余的藍(lán)光即可。較佳地，所述藍(lán)光背光源為L(zhǎng)ED背光源。采用LED作為背光源，相對(duì)其他光源單色性更好，且LED的光效高。較佳地,該顯示裝置還包括:上偏光片和下偏光片；其中上偏光片位于上基板背向液晶層的一側(cè)，下偏光片位于下基板背向液晶層的一側(cè)。較佳地，所述量子點(diǎn)材料為I1- VI族或II1- V族元素組成的納米顆粒。本實(shí)用新型中采用的量子點(diǎn)材料是目前技術(shù)上已經(jīng)成熟的量子點(diǎn)材料，例如，I1-VI族的CdS/CdSe/CdTe/ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe 等和 II1-V 族 GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等 。同一種物質(zhì)的量子點(diǎn)材料，其量子點(diǎn)的尺寸，即納米顆粒的尺寸不同，受激發(fā)光的光的波長(zhǎng)也不同。在制備紅像素圖形和綠像素圖形的工藝中，一般采用同一物質(zhì)的不同尺寸的材料。較佳地，所述薄膜圖形的厚度為10 30nm。由于量子點(diǎn)材料的尺寸均在納米級(jí)另|J，因此如果能夠?qū)崿F(xiàn)量子點(diǎn)材料的單層分布，其受激發(fā)光的效率將呈現(xiàn)100%，但是由于制備工藝及成本的限制，單層分布很難做到。在本實(shí)用新型中，薄膜圖形的厚度在10 30nm為宜，首先工藝上很容易實(shí)現(xiàn)，并且能夠保證出射光的光效。較佳地，所述量子點(diǎn)材料為ZnS，所述紅像素圖形的的量子點(diǎn)尺寸為9 10nm，所述綠像素圖形的量子點(diǎn)尺寸為7 8nm。如前面所述的量子點(diǎn)材料有很多，但是Cd和Hg等金屬具有毒性，因此在相同的生產(chǎn)環(huán)境下，優(yōu)選ZnS。當(dāng)然，其他的量子點(diǎn)材料也是可以作為彩膜層的材料，相比ZnS來(lái)講，只要配備更加嚴(yán)密的生產(chǎn)保護(hù)措施即可。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置的制備方法，將液晶顯示面板和藍(lán)光背光源封裝，其中，在液晶顯示面板的上基板或下基板上制備彩膜層，所述制備彩膜層的方法包括:[0029]形成圖案化的黑矩陣圖形；在形成黑矩陣圖形的基板上形成第一鈍化層；在形成第一鈍化層的基板上形成紅像素圖形；在形成紅像素圖形的基板上形成第二鈍化層；在形成第二鈍化層的基板上形成綠像素圖形；其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種顯示裝置的制備方法，將液晶顯示面板和藍(lán)光背光源封裝，其中，在液晶顯示面板的上基板或下基板上制備彩膜層，所述制備彩膜層的方法包括:形成圖案化的黑矩陣圖形；在形成黑矩陣圖形的基板上形成第一鈍化層；在形成第一鈍化層的基板上形成綠像素圖形；在形成紅像素圖形的基板上形成第二鈍化層；在形成第二鈍化層的基板上形成紅像素圖形；在形成綠像素圖形的基板上形成第三鈍化層；其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。進(jìn)一步的，上述制備方法中，在制備紅像素圖形和綠像素圖形的步驟中，涉及量子點(diǎn)薄膜層的制備方法。量子點(diǎn)制備方法種類很多，如背景技術(shù)所述，本實(shí)用新型不涉及，可以直接購(gòu)買制備好的量子點(diǎn)；本實(shí)用新型紅像素圖形和綠像素圖形涉及到的是量子點(diǎn)薄膜層的制備，現(xiàn)有技術(shù)中方法也很多，如旋涂法等。在現(xiàn)有技術(shù)制備薄膜過(guò)程中，涉及到一定的化學(xué)條件，包括利用有機(jī)溶劑溶解量子點(diǎn)材料和后續(xù)對(duì)有機(jī)溶劑的加熱使其蒸發(fā)，例如針對(duì)ZnS量子點(diǎn)材料，有機(jī)溶劑可以為無(wú)水乙醇等，加熱的溫度在100-200°C。在這些化學(xué)過(guò)程中已有層均不溶于有機(jī)溶劑，且現(xiàn)有制備工藝會(huì)經(jīng)過(guò)250°C退火，故加熱蒸發(fā)也不會(huì)對(duì)現(xiàn)有工藝造成影響。較佳地，所述制備方法還包括:在上基板和下基板對(duì)盒后，且在將液晶面板與藍(lán)光背光源封裝前，在上基板背向液晶層的一側(cè)制備藍(lán)光濾波層，所述藍(lán)光濾波層在所述紅像素圖形和所述綠像素圖形的上方。較佳地，所述制備方法還包括:在上基板和下基板對(duì)盒后，且在將液晶面板與藍(lán)光背光源封裝前，在上基板背向液晶層的一側(cè)貼合上偏光片，在下基板背向液晶層的一側(cè)貼合下偏光片。
以下結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型提供的顯示裝置中的顯示面板及制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本優(yōu)選實(shí)施例僅是為了更清楚的說(shuō)明本實(shí)用新型，但不限制本實(shí)用新型。參見(jiàn)圖4，本優(yōu)選實(shí)施例提供的顯示裝置中的顯示面板2，包括:上基板21、下基板22,上基板21和下基板22之間的液晶材料23,以及封框I父40 ;在上基板背向液晶材料的一偵牝設(shè)置有上偏光片31，在下基板背向液晶材料的一側(cè)設(shè)置有下偏光片32 ；所述上基板21為一玻璃基板；[0049]所述下基板22包括彩膜層20和TFT陣列基板50 ;所述彩膜層20包括黑矩陣圖形201，以及紅像素圖形202和綠像素圖形203 ;所述紅像素圖形202所在層或所述綠像素圖形203所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置有第一鈍化層241 ;所述紅像素圖形202所在層和所述綠像素圖形203所在層之間設(shè)置有第二鈍化層242 ;并且，所述黑矩陣圖形201所在層位于所述紅像素圖形202所在層和綠像素圖形203所在層的下方。其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形；此處需要說(shuō)明的是，紅像素圖形和綠像素圖形所在層的上下位置可以互換，同樣可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的宗旨。上基板21和上偏光片31之間設(shè)置有圖案化的藍(lán)光濾波層60,在垂直面板的方向上，該藍(lán)光濾波層60覆蓋紅像素圖形202和綠像素圖形203，以起到過(guò)濾殘余藍(lán)光的作用。本優(yōu)選實(shí)施例中，選用5-(1-甲基-2-卩比咯次甲基)若丹寧作為藍(lán)光濾波層的材料。其中，TFT陣列基板50采用現(xiàn)有技術(shù)中的TFT陣列基板，包括在玻璃基板上形成柵線的圖案，在柵線層之上制備柵絕緣層，之后形成漏源級(jí)以及數(shù)據(jù)線層以形成TFT陣列的圖案(根據(jù)制備工藝，可以分為五次工藝和四次工藝)，在TFT形成之后，形成像素電極層以及絕緣層，最后在TFT陣列基板的最上面一層形成條狀的公共電極層。此均為現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述，也不應(yīng)該理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。下面對(duì)本優(yōu)選實(shí)施例的制備方法進(jìn)行說(shuō)明。同樣參見(jiàn)圖4，先在TFT基板上制作一層按圖形設(shè)計(jì)的黑矩陣201 ;沉積第一鈍化層241平坦化表面后再按設(shè)計(jì)圖形制作一層紅像素圖形202 ;再沉積第二層鈍化242， 在第二層鈍化層242上再按設(shè)計(jì)圖形制作一層綠像素圖形203，并沉積第三層鈍化層243保護(hù)。具體的，以紅像素圖形202的制備過(guò)程為例。本優(yōu)選實(shí)施例中選取的是ZnS量子點(diǎn)材料，將選擇出的發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料溶解在有機(jī)溶劑中，利用旋涂法將其涂布在第一鈍化層之上，之后進(jìn)行退火處理，以加熱有機(jī)溶劑使其蒸發(fā)，最終形成均勻的紅像素圖形?，F(xiàn)有技術(shù)中制備均勻的量子點(diǎn)薄膜的工藝較多，在此不再贅述。本優(yōu)選方案中，退火溫度選擇在100-200°C，例如可以為150°C。由于現(xiàn)有技術(shù)的制備量子點(diǎn)薄膜的技術(shù)中，250°C的溫度不會(huì)對(duì)已有的層造成影響，因此本優(yōu)選方案中的退火溫度是適宜的。由于選擇藍(lán)色的背光直接照射，故無(wú)需制作藍(lán)像素層，至此，基于量子點(diǎn)技術(shù)的COA (CF on Array)基板制作完成。滴注液晶23后，貼合帶有藍(lán)光濾光層60的上基板21封裝；上下基板分別貼上偏光片31和下偏光片32。至此，液晶顯示面板制備完成。那么，將制備完成的液晶顯示面板與背光源封裝，形成顯示裝置。選擇藍(lán)色的LED背光I照射，經(jīng)過(guò)紅像素圖形202轉(zhuǎn)換及藍(lán)光濾波層60的過(guò)濾發(fā)出高純紅光；綠像素圖形203轉(zhuǎn)換及藍(lán)光濾波層60的過(guò)濾發(fā)出高純綠光；以及背光I的高純藍(lán)色背光直接出射，即可得到R/G/B三基色，通過(guò)液晶層控制R/G/B灰階，從而得到各種需要的鮮艷的色彩。綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置及制備方法，通過(guò)將藍(lán)光作為背光源，將量子點(diǎn)材料引入彩膜層，分別在彩膜層中設(shè)置受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射紅光的紅像素圖形和受藍(lán)光激發(fā)發(fā)射綠光的綠像素圖形，由于量子點(diǎn)材料受激發(fā)出的光線單色性好，強(qiáng)度和穩(wěn)定性高，因此相對(duì)傳統(tǒng)的顯示屏，色域更廣，光效更高。同時(shí)，由于采用了藍(lán)光作為背光源，因此在彩膜層中省去了藍(lán)像素圖形的制備，從而也減少了工藝過(guò)程，降低了成本。另外，藍(lán)光濾波層的設(shè)置更增加了出射光的純度；將彩膜層制備在下基板上的方案，無(wú)需考慮彩膜與TFT陣列基板對(duì)盒時(shí)的偏差，從而可以保持高的開(kāi)口率。而量子點(diǎn)材料為無(wú)機(jī)材料，制備過(guò)程中無(wú)需真空條件或惰性氣體的保護(hù)，更降低了生產(chǎn)成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括藍(lán)光背光源和液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之間的液晶層； 所述上基板或下基板包括彩膜層，所述彩膜層包括黑矩陣圖形，以及紅像素圖形和綠像素圖形； 所述紅像素圖形所在層或所述綠像素圖形所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置有第一鈍化層； 所述紅像素圖形所在層和所述綠像素圖形所在層之間設(shè)置有第二鈍化層； 其中，所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板和所述彩膜層，所述下基板包括TFT陣列基板；其中，所述黑矩陣圖形所在層位于所述紅像素圖形所在層和綠像素圖形所在層的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板，所述下基板包括TFT陣列基板和所述彩膜層；其中，所述黑矩陣圖形所在層位于所述紅像素圖形所在層和綠像素圖形所在層的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述紅像素圖形和所述綠像素圖形的上方設(shè)置有藍(lán)光濾波層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述藍(lán)光背光源為L(zhǎng)ED背光源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括:上偏光片和下偏光片；其中上偏光片位于上基板背向液晶層的一側(cè)，下偏光片位于下基板背向液晶層的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6任一權(quán)項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料為I1-VI族或II1- V族元素組成的納米顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述薄膜圖形的厚度為10 30nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料為ZnS，所述紅像素圖形的量子點(diǎn)尺寸為9 IOnm,所述綠像素圖形的量子點(diǎn)尺寸為7 8nm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置色域窄、光效低的問(wèn)題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括藍(lán)光背光源和液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之間的液晶層；所述上基板或下基板包括彩膜層，所述彩膜層包括黑矩陣圖形，以及紅像素圖形和綠像素圖形；所述紅像素圖形所在層或所述綠像素圖形所在層與黑矩陣圖形所在層之間設(shè)置有第一鈍化層；所述紅像素圖形所在層和所述綠像素圖形所在層之間設(shè)置有第二鈍化層；所述紅像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射紅光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形，綠像素圖形為藍(lán)光激發(fā)下綠光的量子點(diǎn)材料薄膜圖形。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK203084375SQ20132003355
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月22日
發(fā)明者蔡佩芝, 董學(xué), 陳希, 楊東 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司