一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置顯示效果差的問(wèn)題，其中，所述像素單元包括：第一電極、第二電極和屏蔽電極；所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)；所述第一電極之上形成有第一絕緣層；所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置；在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。采用上述技術(shù)方案，當(dāng)像素單元存在電信號(hào)時(shí)，由于屏蔽電極的存在，將屏蔽第二電極的條狀電極的末端所產(chǎn)生的Ey方向的電場(chǎng)，從而有效避免了疇線現(xiàn)象，保證了像素單元所有顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示分子均能按照預(yù)設(shè)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，提高了畫(huà)面顯示效果。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列基板結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置制作領(lǐng)域，尤其涉及一種像素單元結(jié)構(gòu)、陣列結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品顯示裝置的性能得到了大幅度提高，各種大尺寸、高分辨率顯示裝置得到了廣泛應(yīng)用。
[0003]目前，顯示裝置通常采用TN (Twisted Nematic，扭曲向列)顯示模式、ADS(ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù))顯不模式以及FFS (FringeFiled Switching ;邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù))顯示模式。
[0004]FFS顯示模 式因其視角大、透光率高等優(yōu)點(diǎn)備受市場(chǎng)青睞。但是現(xiàn)有技術(shù)中的FFS顯示模式中，像素單元在遠(yuǎn)離TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)一側(cè)的處會(huì)發(fā)生顯示異常。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中FFS顯示模式的一個(gè)像素單元的發(fā)光模擬圖，如圖1所示，條狀的電極一端和TFT12連接，另一端向反方向延伸。在像素單元遠(yuǎn)離TFT12的一側(cè)于黑色區(qū)域11存在，該黑色區(qū)域11就是顯示異常的區(qū)域，降低了顯示的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，在FFS顯示模式中，像素單元在遠(yuǎn)離TFT —側(cè)處發(fā)生顯示異常是由以下原因造成的。
[0006]參閱圖2A和圖2B，圖2A為現(xiàn)有技術(shù)的FFS驅(qū)動(dòng)模式的一個(gè)像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖，在FFS驅(qū)動(dòng)模式的像素單元中，包括公共電極10以及像素電極20，其中，像素電極20包括多個(gè)條狀電極200。圖2B為圖2A中沿AA'的截面示意圖。如圖所示，在FFS驅(qū)動(dòng)模式的像素單元中，包括公共電極10、像素電極20，以及夾雜在公共電極10和像素電極20之間的第一絕緣層30，其中，該像素電極20包括多條條狀電極200。
[0007]參閱圖2A所示，當(dāng)對(duì)FFS驅(qū)動(dòng)模式的像素單元輸入電信號(hào)時(shí)，像素電極20的各個(gè)條狀電極200和公共電極10之間將形成X方向電場(chǎng)Ex，而在上述像素電極20的條狀電極200末端由于除X方向電場(chǎng)外的其他電場(chǎng)無(wú)法被抵消，因此，在像素電極20的條狀電極200末端存在各個(gè)方向的電場(chǎng)E。參閱圖2A所示，對(duì)電場(chǎng)E進(jìn)行受力分析后，該電場(chǎng)E存在y方向的電場(chǎng)分量Ey，由于在FFS驅(qū)動(dòng)模式的像素單元中，主要通過(guò)像素電極形成的Ex驅(qū)動(dòng)顯示分子按照預(yù)設(shè)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)以呈現(xiàn)相應(yīng)的畫(huà)面，而電場(chǎng)Ey將導(dǎo)致該像素電極20的條狀電極200末端的顯示分子不能按照預(yù)設(shè)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致顯示裝置每一個(gè)像素單元呈現(xiàn)的畫(huà)面中存在較為嚴(yán)重的黑色區(qū)域11，并且當(dāng)顯示裝置的電壓增大時(shí)，顯示裝置所呈現(xiàn)畫(huà)面上的黑色區(qū)域11將增加，將大大影響畫(huà)面的顯示效果。
[0008]由此可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，顯示裝置呈現(xiàn)的畫(huà)面中存在黑色區(qū)域，從而導(dǎo)致顯示裝置畫(huà)面顯示效果差的問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及液晶顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置存在顯示效果差的問(wèn)題。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例提供的具體技術(shù)方案如下:
[0011]一種像素單元結(jié)構(gòu)，所述像素單元包括:第一電極、第二電極和屏蔽電極；
[0012]所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)；
[0013]所述第一電極之上形成有第一絕緣層；
[0014]所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置；
[0015]在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。
[0016]一種像素單元的陣列結(jié)構(gòu)，包括多條掃描線和數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素單元，所述像素單元為上述的像素單元。
[0017]一種液晶顯示裝置，包括如上所述的陣列結(jié)構(gòu)，還包括彩膜基板，以及設(shè)置于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例中，所述像素單元包括:第一電極、第二電極和屏蔽電極；所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)；所述第一電極之上形成有第一絕緣層；所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置；在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。采用上述技術(shù)方案，當(dāng)像素單元存在電信號(hào)時(shí)，由于屏蔽電極的存在，將屏蔽第二電極的條狀電極的末端所產(chǎn)生的Ey方向的電場(chǎng)，從而有效避免了黑色異常顯示區(qū)域的出現(xiàn)，保證了像素單元所有顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示分子均能按照預(yù)設(shè)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，提高了畫(huà)面顯示效果。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中FFS顯示模式的一個(gè)像素單元的發(fā)光模擬圖；
[0020]圖2A為現(xiàn)有技術(shù)中FFS驅(qū)動(dòng)模式的一個(gè)像素單元的俯視結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖2B為現(xiàn)有技術(shù)中FFS驅(qū)動(dòng)模式的一個(gè)像素單元沿AA'的截面示意圖；
[0022]圖3本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元的另一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元沿BB'的截面示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元中過(guò)孔位置示意圖；
[0026]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素單元的另一種實(shí)現(xiàn)方式的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖9為圖8所示俯視圖沿BB'的截面示意圖；
[0029]圖10為過(guò)孔位于數(shù)據(jù)線上方的示意圖；
[0030]圖11為圖8所示俯視圖沿BB'的截面示意圖；
[0031]圖12為圖8所示俯視圖沿CC'的截面示意圖；
[0032]圖13為本發(fā)明實(shí)施例三提供的多個(gè)像素單元組成的陣列結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖14為過(guò)孔70位于掃描線上方的示意圖；
[0034]圖15為本發(fā)明實(shí)施例三另一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；
[0035]圖16為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明技術(shù)X方向電場(chǎng)強(qiáng)度Ex的對(duì)比示意圖；
[0036]圖17為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明技術(shù)Y方向電場(chǎng)強(qiáng)度Ey的對(duì)比不意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0037]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置存在顯示效果差的問(wèn)題。本發(fā)明提供一種像素單元的結(jié)構(gòu)，所述像素單元包括:第一電極、第二電極和屏蔽電極；所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)；所述第一電極之上形成有第一絕緣層；所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置；在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0038]實(shí)施例一
[0039]請(qǐng)參考圖3，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，實(shí)施例一提供的像素單元包括:數(shù)據(jù)線210、掃描線220、TFT12、第一電極40、第二電極50和屏蔽電極60,所述第一電極40和第二電極50形成面內(nèi)場(chǎng)。
[0040]具體地，第一電極40為面狀電極，第二電極50包括多條條狀電極500，第一電極40和第二電極50之間為用于絕緣的第一絕緣層(未不出)。在實(shí)施例一中，所述第二電極50為像素電極，所述第一電極40為公共電極。所述第二電極50的多條條狀電極500之間為間隔設(shè)置，所述第二電極50的多條條狀電極500的一端與TFT12的漏極相連接，另一端為開(kāi)口狀。在第二電極50的多條條狀電極500的末端處設(shè)置有屏蔽電極60。
[0041]參閱圖3所示，在實(shí)施例一中，所述屏蔽電極60設(shè)置在第二電極50的各條狀電極500的末端之間,通過(guò)屏蔽電極60屏蔽第二電極50的條狀電極500末端之間產(chǎn)生的y方向電場(chǎng)。其中，屏蔽電極60的數(shù)目等于第二電極50中每相鄰兩個(gè)條狀電極500之間的間隔數(shù)目，其尺寸等于第二電極50每相鄰兩個(gè)條狀電極500之間的間隔尺寸。其中，上述第二電極50的多條條狀電極500的末端即為第二電極50遠(yuǎn)離薄膜晶體管的一端。
[0042]請(qǐng)閱圖4，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的像素單元的另一種實(shí)現(xiàn)方式的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例一另一種實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽電極60設(shè)置在第二電極50的各條狀電極500之間以及各條狀電極500處，通過(guò)屏蔽電極60屏蔽第二電極50的各條狀電極500末端產(chǎn)生的I方向電場(chǎng)，其中，由于屏蔽電極60尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二電極50的最外側(cè)兩個(gè)條狀電極500外邊緣之間的尺寸時(shí)，將降低系統(tǒng)的開(kāi)口率，因此屏蔽電極60的尺寸近似等于第二電極50的最外側(cè)兩個(gè)條狀電極500外邊緣之間的尺寸。相較于第一種設(shè)置屏蔽電極60的方式，當(dāng)采用第二種設(shè)置屏蔽電極60的方式時(shí)，由于屏蔽電極60尺寸等于第二電極50的最外側(cè)兩個(gè)條狀電極500外邊緣之間的尺寸，因此能夠更加可靠地屏蔽第二電極50的各個(gè)條狀電極500末端產(chǎn)生的弧形電場(chǎng)E產(chǎn)生的y方向的電場(chǎng)，從而減少了異常顯示的黑色區(qū)域。
[0043]所述屏蔽電極60可以是懸浮電極，也可以向所述屏蔽電極60施加電壓，優(yōu)選地，所述屏蔽電極60施加有電壓，并且其電壓值等于像素單元第一電極40的電壓值。參閱圖
5所示為圖4所示俯視圖沿BB'的截面示意圖，因?yàn)榈谝浑姌O40為面狀電極，則位于第一電極40上方的屏蔽電極60可以通過(guò)貫穿第一絕緣層30的過(guò)孔70和其電性連接。屏蔽電極60和第一電極40的電位連接，其屏蔽第二電極50末端的y方向電場(chǎng)的效果更好。
[0044]參閱圖6所示，上述過(guò)孔70位于數(shù)據(jù)線210的上方，屏蔽電極60通過(guò)該過(guò)孔70與第一電極40電性連接；或者，該過(guò)孔70位于掃描線220上方，屏蔽電極60通過(guò)過(guò)孔70與第一電極40電性連接。由于數(shù)據(jù)線210上方和掃描線220上方均為顯示裝置的非顯示區(qū)域，采用上述技術(shù)方案，避免了影響顯示裝置的顯示效果。上述過(guò)孔70可以為圓形過(guò)孔，也可以為矩形過(guò)孔，還可以為不規(guī)則形狀過(guò)孔；當(dāng)該過(guò)孔70為圓形過(guò)孔時(shí)，其直徑至少為3微米。
[0045]實(shí)施例二
[0046]請(qǐng)參考圖7，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，實(shí)施例二提供的像素單元包括:數(shù)據(jù)線210，掃描線220，TFT12，第一電極40、第二電極50、屏蔽電極60,所述第一電極40和第二電極50之間形成面內(nèi)場(chǎng)。
[0047]具體的，第一電極40為面狀電極，第二電極50包括多條條狀電極500以及連接電極510，第一電極40和第二電極50之間還包括起到絕緣作用的第一絕緣層(未示出)。第二電極50的多條條狀電極500之間為間隔設(shè)置。在實(shí)施例二中，所述第二電極50為像素電極，所述第一電極40為公共電極。所述第二電極50的多條條狀電極500的一端與TFT12的漏極相連接，另一端與連接電極510相連接；連接電極510位于第二電極50末端處將第二電極50的多條條狀電極500連接在一起。在第二電極50的條狀電極500末端設(shè)置有屏蔽電極60。
[0048]參閱圖7所示，在實(shí)施例二中，所述屏蔽電極60設(shè)置在第二電極50的各條狀電極500之間以及各條狀電極500處，且該屏蔽電極60不覆蓋連接電極510。通過(guò)屏蔽電極60屏蔽第二電極50的條狀電極500末端以及連接電極510產(chǎn)生的y方向電場(chǎng)。其中，屏蔽電極60的尺寸近似等于第二電極50的連接電極510外邊緣之間的尺寸，避免了當(dāng)屏蔽電極60尺寸設(shè)置過(guò)大造成的降低系統(tǒng)開(kāi)口率的問(wèn)題。
[0049]請(qǐng)參閱圖8，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的像素單元的另一種實(shí)現(xiàn)方式的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例二另一種實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽電極60設(shè)置在第二電極50的各條狀電極500之間以及各條狀電極500處，且該屏蔽電極60覆蓋第二電極50的連接電極510，通過(guò)屏蔽電極60屏蔽第二電極50的條狀電極500末端和連接電極510產(chǎn)生的y方向電場(chǎng)。其中，屏蔽電極60的尺寸近似等于第二電極50的連接電極510外邊緣之間的尺寸，避免了當(dāng)屏蔽電極60尺寸設(shè)置過(guò)大造成的降低系統(tǒng)開(kāi)口率的問(wèn)題。
[0050]請(qǐng)參閱圖9,為圖8所示俯視圖沿BB'的截面示意圖,所述屏蔽電極60覆蓋所述連接電極510，為了保證屏蔽電極60和第二電極50之間沒(méi)有電性連接，屏蔽電極60和第二電極50之間還設(shè)置有第二絕緣層80。由于第一電極40為面狀電極，因此，位于第一電極40上方的屏蔽電極60可以通過(guò)貫穿第一絕緣層30的過(guò)孔70和其電性連接。屏蔽電極60和第一電極40的電位連接，其屏蔽第二電極50末端的y方向電場(chǎng)的效果更佳。
[0051]參閱圖10所示，上述過(guò)孔70位于數(shù)據(jù)線210的上方，屏蔽電極60通過(guò)該過(guò)孔70與第一電極40電性連接；或者，該過(guò)孔70位于掃描線220上方，屏蔽電極60通過(guò)過(guò)孔70與第一電極40電性連接。由于數(shù)據(jù)線210上方和掃描線220上方均為顯示裝置的非顯示區(qū)域，采用上述技術(shù)方案，避免了影響顯示裝置的顯示效果。上述過(guò)孔70可以為圓形過(guò)孔，也可以為矩形過(guò)孔，還可以為不規(guī)則形狀過(guò)孔；當(dāng)該過(guò)孔70為圓形過(guò)孔時(shí)，其直徑至少為3微米。
[0052]請(qǐng)參閱圖11,為圖8所示俯視圖沿BB'的截面示意圖。如圖所示,屏蔽電極60還覆蓋連接電極510朝向第二電極50內(nèi)部的端面，即屏蔽電極60近似包裹連接電極510，可靠保證減弱第二電極50的各條狀電極500末端產(chǎn)生的y方向電場(chǎng)，進(jìn)一步提高顯示裝置的顯示效果。
[0053]請(qǐng)參閱圖12,為圖8所示俯視圖沿CC'的截面示意圖。如圖所示，第二絕緣層80包裹第二電極50，第二絕緣層80遠(yuǎn)離連接電極510的一個(gè)側(cè)面Tl與第一絕緣層30水平面T2之間的夾角大于或者等于90度。由于在屏蔽電極60的形成過(guò)程中，需要以第二絕緣層80為基準(zhǔn)面形成屏蔽電極60，因此，當(dāng)?shù)诙^緣層80的側(cè)面Tl與第一絕緣層30水平面T2之間的夾角大于90度時(shí)，更利于使形成的屏蔽電極60可靠覆蓋第二電極50的連接電極510，從而保證了屏蔽電極60對(duì)第二電極50末端的各條狀電極500所產(chǎn)生的電場(chǎng)的屏蔽作用，減少異常顯示的黑色區(qū)域。
[0054]實(shí)施例三
[0055]請(qǐng)參考圖13，為本發(fā)明實(shí)施例三提供的多個(gè)像素單元組成的陣列結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，實(shí)施例三提供的陣列結(jié)構(gòu)包括多條數(shù)據(jù)線210、多條掃描線220，以及由多條數(shù)據(jù)線210和多條掃描線220交叉限定的多個(gè)像素單元I。
[0056]具體的，在每個(gè)像素單元I中，包括第一電極40、第二電極50和屏蔽電極60，所述第一電極40和第二電極50之間形成面內(nèi)場(chǎng)。第一電極40為面狀電極,第二電極50包括多條條狀電極500,第一電極40和第二電極50之間為用于絕緣的第一絕緣層(未不出)。所述第二電極50的多條條狀電極500之間為間隔設(shè)置。在實(shí)施例三中，所述第二電極50為像素電極，所述第一電極40為公共電極。所述第二電極50的多條條狀電極500的一端與TFT12的漏極相連接，另一端為開(kāi)口狀；或者，所述第二電極50的多條條狀電極500的一端與TFT12的漏極相連接，另一端與連接電極相連接(未示出)。在第二電極50的多條條狀電極500末端處設(shè)置有屏蔽電極60，用于屏蔽第二電極50的多條條狀電極500末端之間產(chǎn)生的I方向的電場(chǎng)分量，減少異常顯示的黑色區(qū)域。
[0057]參閱圖13所示，在實(shí)施例三中，以屏蔽電極60與第二電極50位于同一層為例，向所述屏蔽電極60施加電壓，且該施加電壓值等于像素單元I第一電極40的電壓值。由于第一電極40為面狀電極，因此，位于第一電極40上方的屏蔽電極可以通過(guò)貫穿第一絕緣層的過(guò)孔70和第一電極40電性連接。其中，過(guò)孔70位于數(shù)據(jù)線210上方，且像素單元la、像素單元lb、像素單元Ic和像素單元Id的屏蔽電極60通過(guò)位于數(shù)據(jù)線210上方的連接通道90，連接同一個(gè)過(guò)孔70，并通過(guò)該過(guò)孔70與第一電極40電性連接。采用上述技術(shù)方案，多個(gè)像素單元I通過(guò)同一個(gè)過(guò)孔70連接第一電極40，從而簡(jiǎn)化了制作工藝。
[0058]請(qǐng)參閱圖14，在實(shí)施例三中，上述過(guò)孔70還可以位于掃描線220的上方。此時(shí)，若向所述屏蔽電極60施加的電壓值等于像素單元I第一電極40的電壓值，則像素單元la、像素單元Ib的屏蔽電極60通過(guò)位于掃描線220上方的連接通道90，連接同一個(gè)過(guò)孔70，并通過(guò)該過(guò)孔70與第一電極40電性連接。
[0059]請(qǐng)參閱圖15，為本發(fā)明實(shí)施例三另一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例三的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)將位于同一行的所有像素單元I的屏蔽電極60相互連接，并在陣列結(jié)構(gòu)之外將上述相互連接的屏蔽電極60連接至第一電極40，使向所述屏蔽電極60施加的電壓值等于像素單元I第一電極40的電壓值。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列結(jié)構(gòu)，還包括彩膜基板，以及設(shè)置于陣列結(jié)構(gòu)和彩膜基板之間的液晶層。
[0061]具體的，與上述陣列結(jié)構(gòu)相匹配，在液晶顯示裝置的彩膜基板3中與陣列結(jié)構(gòu)相向的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置有黑矩陣，且在透光方向上，黑矩陣的不透光部分遮擋屏蔽電極。
[0062]請(qǐng)參考圖16和圖17，圖16為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明技術(shù)X方向電場(chǎng)強(qiáng)度Ex的對(duì)比示意圖，圖17為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明技術(shù)Y方向電場(chǎng)強(qiáng)度Ey的對(duì)比示意圖。從圖16和圖17中可以看到，本發(fā)明技術(shù)相比于現(xiàn)有技術(shù)，其電場(chǎng)強(qiáng)度Ex增加并且電場(chǎng)強(qiáng)度Ey減小，可以有效的抑制異常顯示的黑色區(qū)域的面積，提高顯示效果。
[0063]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中，所述像素單元包括:第一電極、第二電極和屏蔽電極；所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)；所述第一電極之上形成有第一絕緣層；所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置；在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。采用上述技術(shù)方案，當(dāng)像素單元存在電信號(hào)時(shí)，由于屏蔽電極的存在，將屏蔽第二電極的條狀電極的末端所產(chǎn)生的Ey方向的電場(chǎng)，從而有效避免了疇線現(xiàn)象，保證了像素單元所有顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示分子均能按照預(yù)設(shè)方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，提高了畫(huà)面顯示效果。
[0064]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明實(shí)施例的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明實(shí)施例的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素單元結(jié)構(gòu)，所述像素單元包括:第一電極、第二電極和屏蔽電極； 所述第一電極為面狀結(jié)構(gòu)； 所述第一電極之上形成有第一絕緣層； 所述第二電極形成在第一絕緣層之上，并且所述第二電極包括多條條狀電極，所述多條條狀電極之間間隔設(shè)置； 在第二電極的多條條狀電極的末端處設(shè)置有屏蔽電極。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極設(shè)置在第二電極的各條條狀電極之間。
3.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極設(shè)置在第二電極的各條條狀電極之間及條狀電極處。
4.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極和第二電極位于同一導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極還包括連接電極，所述連接電極在第二電極的末端處將多條條狀電極連接在一起。
6.如權(quán)利要求5所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極覆蓋所述連接電極，并且所述屏蔽電極和所述連接電極之間設(shè)置有第二絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極還覆蓋連接電極朝向第二電極內(nèi)部的端面。
8.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極通過(guò)位于第一絕緣層的過(guò)孔和第一電極電性連接。
9.一種像素單元的陣列結(jié)構(gòu)，包括多條掃描線和數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)像素單元，其特征在于，所述像素單元為權(quán)利要求1-8任一所述的像素單元。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過(guò)孔位于數(shù)據(jù)線的上方；或者，所述過(guò)孔位于所述掃描線上方。
11.如權(quán)利要求9所述的陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的多個(gè)像素單元的屏蔽電極連接在一起，并且通過(guò)同一個(gè)過(guò)孔和第一電極電性連接。
12.如權(quán)利要求9所述的陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，同一行像素單元的屏蔽電極相互連接在一起，并且在像素單元陣列外和第一電極的信號(hào)電連接。
13.如權(quán)利要求9所述的陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏蔽電極為透明導(dǎo)電層；或者，所述屏蔽電極為金屬層。
14.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9至13任一所述的陣列結(jié)構(gòu)，還包括彩膜基板，以及設(shè)置于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述彩膜基板中與所述陣列基板相向的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置有黑矩陣，且在透光方向上，所述黑矩陣的不透光部分遮擋所述屏蔽電極。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103913910SQ201310755329
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】張沼棟, 沈柏平, 宋瓊 申請(qǐng)人:廈門(mén)天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司