一種用于芯片的光刻膠剝離液、制備方法及去膠工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于芯片的光刻膠剝離液、制備方法及去膠工藝，所述剝離液包括剝離劑、潤濕劑、有機胺或有機銨鹽、緩蝕劑、助劑和有機溶劑。所述剝離液對各種芯片具有良好的光刻膠剝離和溶解能力，能夠完全去除光刻膠，無殘留，此外還能保證無腐蝕，具有廣泛的工業(yè)應(yīng)用潛力和價值。
【專利說明】—種用于芯片的光刻膠剝離液、制備方法及去膠工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子元件清洗液，特別地涉及一種用于芯片的光刻膠剝離液、制備方法及去膠工藝，屬于高精密度電子元器件的精密清洗領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)代電子精細加工領(lǐng)域中，集成電路(IC)、大規(guī)模集成電路(LSI)、超大規(guī)模集成電路(ULSI)、發(fā)光二極管(LED)芯片等多種半導體元件或液晶板元件具有大量極其細微的回路和電路構(gòu)造，而為了形成這些構(gòu)造，都需要使用光刻膠進行處理，該光刻工藝前后通常需要進行數(shù)十次，常規(guī)的加工處理方法通常是在基板、基片上經(jīng)多種處理如電鍍、化學蒸汽沉積等方法而形成特定功能膜，然后均勻涂覆光刻膠，然后經(jīng)過曝光、顯像處理而形成所需的線路圖案，最后蝕刻該功能膜而形成細微回路或電路。而殘留的光刻膠層，則需要使用進行剝離。
[0003]在芯片制造過程中，清洗芯片表面光刻膠、金屬粒子等污染物是去膠的主要目的，去膠是芯片制造工藝中的關(guān)鍵工序，去膠不完全有可能導致整批芯片的報廢。因此，芯片表面狀態(tài)及污染物的去除程度是影響芯片優(yōu)良率和器件質(zhì)量與可靠性的最重要的因素之一。
[0004]在光刻膠的剝離清洗研究中，長期以來一般使用干法剝離或濕法剝離，但干法處理存在容易遺留殘渣等諸多缺陷，因此目前主要使用濕法剝離。濕法剝離的原理是使用剝離液將殘留的光刻膠進行溶解，從而得以順利除去。
[0005]通過多年的深入研究，已制備出多種剝離液，并具有各自的優(yōu)點和適用范圍。
[0006]CN101295143B公開了一種光刻膠殘留物清洗劑，其包括表面活性劑、氟化銨鹽、有機磺酸、有機溶劑、滲透劑、含氮羧酸、緩蝕劑和純水，其對干法剝離后的晶圓片具有良好的清洗作用。
[0007]CN101295144A公開了一種光刻膠剝離液，其包括表面活性劑、有機胺、有機溶劑、螯合劑、緩蝕劑和純水，該剝離液具有良好的清洗效果。
[0008]CN1244023C公開了一種光刻膠用剝離液，其包含特定含量的HF酸和不含金屬離子的堿形成的鹽，水溶性有機溶劑、防腐蝕劑和余量水。該剝離液能夠同時滿足剝離性和防金屬腐蝕性的雙重要求。
[0009]CN101251722B公開了一種正性光刻膠剝離液，所述剝離液脂肪醇聚氧乙烯醚、環(huán)己酮和單乙醇胺，該剝離液對鋁基板無腐蝕，清洗后玻璃表面無殘留。
[0010]CN102147576B公開了一種光刻膠剝離組合物，所述組合物由有機硅類化合物、丙烯酸酯類共聚物和有機溶劑組成，其具有良好的光刻膠溶解性和剝離性。
[0011]CN102141743A公開了一種具有金屬保護的光刻膠剝離組合物，其包括季銨類氫氧化物、水溶性鏈烷醇胺、水溶性有機極性溶劑和糖醇類添加劑。該組合物在優(yōu)異的光刻膠剝離性能外，對金屬基鍍層膜的抗腐蝕性優(yōu)良。
[0012]CN102012645A公開了一種光刻膠剝離液，其包括水合肼或有機胺化合物、溶劑、抗蝕劑和純水。該剝離液能夠剝離光刻膠，并對金屬布線的腐蝕降低至最小。[0013]CN103336412A公開了一種光刻膠剝離液，其包括有機溶劑、解交聯(lián)催化劑、防腐蝕保護劑及其它添加劑。該剝離液能夠縮短去膠周期，且能徹底清除負性光刻膠。
[0014]如上所述，雖然現(xiàn)有技術(shù)中存在多種光刻膠剝離液，但這些剝離液的去膠機理是基于溶解的單一作用，實現(xiàn)光刻膠的去除，從而導致存在著各種缺陷，例如對金屬配線或襯底材料或多或少存在一定程度的腐蝕、光刻膠剝離不徹底等，以及其中存在強腐蝕性物質(zhì)(如HF)等，從而導致三廢多，處理耗費大、污染環(huán)境等。
[0015]因此，在開發(fā)新型光刻膠剝離液的行業(yè)需求下，進一步開發(fā)更為高效、環(huán)境友好的光刻膠剝離液，是當前的亟需所在，新型光刻膠剝離液必將對集成電路、LED以及液晶面板行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0016]基于上述所述的現(xiàn)有光刻膠剝離液存在的各種缺陷，以及為了尋求新的光刻膠剝離液、制備方法和去膠工藝，本發(fā)明基于剝離和溶解的去膠原理，提供了一種用于芯片的光刻膠剝離液，具有剝離效率高、去膠完全、綠色環(huán)保、降低污染等諸多優(yōu)點。
[0017]具體而言，本發(fā)明提供了一種用于芯片的光刻膠剝離液、制備方法及去膠工藝。
[0018]更具體而言，本發(fā)明的第一個目的在于提供一種用于芯片的光刻膠剝離液，所述光刻膠剝離液包括下述重量份的各種組分:
[0019]
剝離劑1-10
潤濕劑3-10
有機胺或有機銨鹽 3-30
緩蝕劑0.01-5
助劑0.05-3
有機溶劑5-90。
[0020] 需要注意的是，除非另有規(guī)定，在本申請中涉及組分時的“包括”，其含義包括封閉式的“由….組成”或其等價定義，以及開放式的“包括”、“包含”等或其等價定義，而不能囿于其單純的字面含義。
[0021]仍需要注意的是，組分“有機胺或有機銨鹽”中的“或”僅僅對給組分起作用，即僅對“有機胺”和“有機銨鹽”的選擇起到限定作用，而對其它組分無限定作用。
[0022]進一步需要注意的是，本申請中所有的數(shù)值、數(shù)值范圍同樣可被“約”字所限定。
[0023]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述剝離劑為全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚，其結(jié)構(gòu)式為CmF2lrtCH2CH2O (C2H4O)nH，其中n為環(huán)氧乙烷的聚合數(shù)，m和n均選自6_12的整數(shù)，示例性地，例如兩者可各自獨立地為6、7、8、9、10、11或12。
[0024]其中作為端基的CmF2m+1中的C-C骨架形式并沒有特別的限定，可為直鏈或支鏈。作為一種例舉，非限定性地，所述CmF2lrt可為全氟正己基(C6F13)、全氟正辛基(C8F17)、全氟正癸基(C10F21)、全氟正十二烷基(C12F25)或(CF3)2CF (CF2)3-等。
[0025]所述剝離劑可為歸屬于該結(jié)構(gòu)式范圍內(nèi)的任意一種或任意多種的混合物。
[0026]所述剝離劑的重量份為1-10份,該范圍包括了其中的任何具體點值,如1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、1份、9份或10份。
[0027]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述潤濕劑為脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，結(jié)構(gòu)式為R1O(C2H4O)p(C3H6O)qH,其中p和q分別是環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷的聚合數(shù)，其中p為4-12之間的整數(shù)，q為4-10之間的整數(shù)。
[0028]示例性地，p可為 4、5、6、7、8、9、10、11 或 12 ;q 可為 4、5、6、7、8、9 或 10。
[0029]其中R1為Cltl-C18的直鏈或支鏈烷基，示例性地，R1為正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基或正十八烷基。
[0030]所述潤濕劑的重量份為3-10份，該范圍包括其中的任何具體點值,如3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份。
[0031]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述有機胺或有機銨鹽選自二乙胺、三乙胺、乙二胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨中的任何一種或任何多種的混合物。
[0032]所述有機胺或有機銨鹽的重量份為3-30份,該范圍包括其中的任何具體點值,如3份、7份、11份、15份、19份、23份、27份或30份。[0033]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述緩蝕劑為苯并三氮唑、1-C1-C6烷基苯并三氮唑、1-羥基苯并三氮唑、1-羥甲基苯并三氮唑、3-巰基-1，2，4-三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、6-氯-1-羥基苯并三氮唑中的任何一種或任何多種的混合物。
[0034]其中，1-C1-C6烷基苯并三氮唑例如可為1-甲基苯并三氮唑、1-乙基苯并三氮唑、
1-正丙基苯并三氮唑、1-正丁基苯并三氮唑、1-正戊基苯并三氮唑、1-正己基苯并三氮唑
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[0035]所述緩蝕劑優(yōu)選為1-羥基苯并三氮唑、6-氯-1-羥基苯并三氮唑，最優(yōu)選為6-氯-1-羥基苯并三氮唑。
[0036]所述緩蝕劑的重量份為0.01-5份,該范圍包括其中的任何具體點值,如0.01份、
0.05份、0.1份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份。
[0037]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述助劑為冠醚類化合物，其選自開鏈冠醚、苯并冠醚、羥基苯并冠醚、環(huán)烷基并冠醚中的任何一種或任何多種的混合物。
[0038]其中，開鏈冠醚可為15-冠-5、18-冠-6 ;苯并冠醚可為二苯并_18_冠_6 ;羥基苯并冠醚可為羥基-二苯并-14-冠-4 ;環(huán)烷基并冠醚可為二環(huán)己基并-18-冠-6。
[0039]所述助劑優(yōu)選為羥基苯并冠醚或環(huán)烷基并冠醚，最優(yōu)選為二環(huán)己基并-18-冠-6。
[0040]所述助劑的重量份為0.05-3份，該范圍包括其中的任何具體點值，如0.05份、0.1份、0.3 份、0.5 份、0.7 份、0.9 份、1.1、1.3 份、1.5 份、1.7 份、1.9 份、2.1 份、2.3 份、2.5 份、
2.7份、2.9份或3份。
[0041]在本發(fā)明的所述光刻膠剝離液中，所述有機溶劑為醇醚化合物、砜類化合物或吡咯烷酮類化合物。
[0042]其中，所述醇醚化合物類化合物既包括醇類化合物、醚類化合物，也包括醇形成的
醇醚化合物。例如，其可為甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、苯甲醚、苯乙醚、二苯醚其中的任何一種或任何多種的混合物。
[0043]所述砜類化合物可為二甲基亞砜、二乙基亞砜、二丙基亞砜、二丁基亞砜、環(huán)丁砜、
2-甲基環(huán)丁砜、2-乙基環(huán)丁砜、2-丙基環(huán)丁砜、2- 丁基環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、3-乙基環(huán)丁砜、3-丙基環(huán)丁砜、3- 丁基環(huán)丁砜、4-甲基環(huán)丁砜、4-乙基環(huán)丁砜、4-丙基環(huán)丁砜、4- 丁基環(huán)丁諷、2，4~ 二甲基環(huán)丁諷、2，4~ 二乙基環(huán)丁諷、2，4~ 二丙基環(huán)丁諷、2，4- 二丁基環(huán)丁諷中的任何一種或任何多種的混合物。
[0044]所述吡咯烷酮類化合物可為N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N- 丁基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-丙烯基吡咯烷酮中的任何一種或任何多種的混合物。
[0045]所述有機溶劑的重量份為5-90份，例如可為5份、10份、15份、20份、25份、30份、35份、40份、45份、50份、55份、60份、65份、70份、75份、80份、85份或90份。優(yōu)選為20-80份，最優(yōu)選為40-60份。
[0046]本發(fā)明的第二個目的涉及上述光刻膠剝離液的制備方法，所述制備方法包括如下步驟:
[0047](I)分別稱取上述各自重量份的各種組分；
[0048](2)將有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺或有機銨鹽、剝離劑，攪拌至均勻透明；
[0049](3)向步驟(2)中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，即得所述光刻膠剝離液。
[0050]其中在上述步驟(2)和(3)中，攪拌速度可為50-100rpm/min，優(yōu)選為60_80rpm/
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[0051]本發(fā)明的第三個目的涉及使用本發(fā)明所述光刻膠剝離液的芯片光刻膠剝離液的去膠工藝，所述去膠工藝包括如下步驟:
[0052](I)將芯片在60_90°C下浸泡于光刻膠剝離液中，超聲波10-30分鐘；
[0053](2)將去膠完畢后的芯片用純水漂洗3-10分鐘，漂洗1-3次，然后氮氣吹干。
[0054]其中，在上述步驟(1)中，溫度為60-90°〇，例如可為601:、651:、701:、751:、801:、85。?；?00C ;時間為10-30分鐘，例如可為10分鐘、15分鐘、20分鐘、25分鐘或30分鐘。
[0055]任選地，當難以去膠時，可重復步驟(1)多次，例如2-4次。
[0056]在上述步驟(2)中，純水漂洗時間為3-10分鐘，例如可為3分鐘、5分鐘、7分鐘或10分鐘。
[0057]綜上所述，本發(fā)明通過提供了具有特定組分、含量的光刻膠剝離液、其制備方法和使用它的去膠工藝，而開發(fā)出了一種新型光刻膠剝離液，其具有剝離效率高、無殘留、清潔度好等諸多優(yōu)點，適宜于各種芯片的光刻膠剝離，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用潛力和價值。
【專利附圖】
【附圖說明】·
[0058]圖1是使用本發(fā)明實施例1的光刻膠剝離液對LED芯片去膠后的顯微鏡照片?！揪唧w實施方式】
[0059]下面通過具體的實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但這些例舉性實施方式的用途和目的僅用來例舉本發(fā)明，并非對本發(fā)明的實際保護范圍構(gòu)成任何形式的任何限定，更非將本發(fā)明的保護范圍局限于此。
[0060]其中，在每個實施例的步驟⑵和(3)中的組分，均為步驟⑴中所稱取的相應(yīng)組分。
[0061]實施例1
[0062](I)分別稱取I重量份剝離劑C6F13CH2CH2O(C2H4O)6H(其中C6F13為全氟正己基)、3重量份潤濕劑CltlH21O (C2H4O) 4 (C3H6O) 4H (其中CltlH21為正癸基)、3重量份有機胺二乙胺、0.01重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、0.05重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和5重量份有機溶劑乙醇。
[0063](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為60rpm/min ；
[0064](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為60rpm/min，即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY1。
[0065]實施例2
[0066](I)分別稱取5重量份剝離劑C8F17CH2CH2O (C2H4O)8H(其中C8F17為全氟正辛基)、6重量份潤濕劑C12H25O (C2H4O) 6 (C3H6O) 6H(其中C12H25為正十二烷基)、10重量份有機胺單乙醇胺、0.05重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、0.1重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和40重量份有機溶劑乙二醇單甲醚。
[0067](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為70rpm/min ；
[0068](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為70rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY2。
[0069]實施例3
[0070](I)分別稱取10重量份剝離劑CltlF21CH2CH2O(C2H4O) 1(IH(其中CltlF21為全氟正癸基)、10重量份潤濕劑C14H29O (C2H4O) 8 (C3H6O) 8H(其中C14H29為正十四烷基)、20重量份有機胺二異丙醇胺、0.2重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、0.2重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和60重量份有機溶劑二丙二醇單甲醚。
[0071](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為80rpm/min ；
[0072](3)向步驟(2)中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為80rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY3。
[0073]實施例4
[0074](I)分別稱取3重量份剝離劑C12F25CH2CH2O(C2H4O) 12H(其中C12F25為全氟正十二烷基)、5重量份潤濕劑C16H33O(C2H4O) 10(C3H6O) 1(IH(其中C16H33為正十六烷基)、30重量份有機銨鹽四甲基氫氧化銨、I重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、I重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和80重量份有機溶劑二苯醚。
[0075](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機銨鹽、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為50rpm/min ；
[0076](3)向步驟(2)中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為50rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY4。
[0077]實施例5
[0078](I)分別稱取6重量份剝離劑C6F13CH2CH2O(C2H4O)8H(其中C6F13為全氟正己基)、7重量份潤濕劑C18H37O (C2H4O) 12 (C3H6O) 4H (其中C18H37為正十八烷基)、7重量份有機胺乙二胺、3重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、2重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和10重量份有機溶劑二甲基亞砜。
[0079](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為90rpm/min ；
[0080](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為90rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY5。
[0081]實施例6
[0082](I)分別稱取8重量份剝離劑C8F17CH2CH2O(C2H4O) 12H(其中C8F17為全氟正辛基)、4重量份潤濕劑CltlH21O(C2H4O)4 (C3H6O)8H(其中CltlH21為正癸基)、15重量份有機胺三乙醇胺、2重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、3重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和90重量份有機溶劑3-甲基環(huán)丁砜。
[0083](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為60rpm/min ；
[0084](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為60rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY6。
[0085]實施例7
[0086](I)分別稱取2重量份剝離劑CltlF21CH2CH2O (C2H4O)6H(其中CltlF21為全氟正癸基)、8重量份潤濕劑C12H25O (C2H4O)6 (C3H6O)ltlH(其中C12H25為正十二烷基)、25重量份有機銨鹽四丁基氫氧化銨、5重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、0.5重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和50重量份有機溶劑N-甲基吡咯烷酮。
[0087](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機銨鹽、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為100rpm/min ；
[0088](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為100rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY7。
[0089]實施例8
[0090](I)分別稱取9重量份剝離劑C12F25CH2CH2O(C2H4O) 1(IH(其中C12F25為全氟正十二烷基)、9重量份潤濕劑C14H29O (C2H4O) 10 (C3H6O) 6H (其中C14H29為正十四烷基)、5重量份有機胺三乙胺、4重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、0.25重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和70重量份有機溶劑N-丙烯基吡咯烷酮。
[0091](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為70rpm/min ；
[0092](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為70rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY8。[0093]實施例9
[0094](I)分別稱取4重量份剝離劑C6F13CH2CH2O(C2H4O) 12H(其中C6F13為全氟正己基)、10重量份潤濕劑C16H33O(C2H4O)12(C3H6O)ltlH(其中C16H33為正十六烷基)、8重量份有機銨鹽四丙基氫氧化銨、0.1重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、2.5重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和30重量份有機溶劑N-十二烷基吡咯烷酮。
[0095](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機銨鹽、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為80rpm/min ；
[0096](3)向步驟⑵中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為80rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY9。
[0097]實施例10
[0098](I)分別稱取7重量份剝離劑C8F17CH2CH2O(C2H4O) 10H(其中C8F17為全氟正辛基)、3重量份潤濕劑C18H37O (C2H4O) 4 (C3H6O) 12H(其中C18H37為正十八烷基)、10重量份有機胺異丙醇胺、3.5重量份緩蝕劑6-氯-1-羥基苯并三氮唑、1.5重量份助劑二環(huán)己基并-18-冠-6和15重量份有機溶劑2，4- 二丁基環(huán)丁砜。
[0099](2)將步驟⑴的有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺、剝離劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為90rpm/min ；
[0100](3)向步驟(2)中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，攪拌速度為90rpm/min。即得所述光刻膠剝離液，將其命名為BLY10。
[0101]對比例1-10
[0102]除分別將其中的6-氯-1-羥基苯并三氮唑替換為如下的其它三氮唑外，以與實施例1-10的相同方式而實施了對比例1-10，分別制得了 10個光刻膠剝離液，命名為D1-D10，其對應(yīng)關(guān)系如下:
編號緩蝕劑對應(yīng)實施例樣品編號
對比例I 1-羥基苯并三氮唑?qū)嵤├? Dl
對比例2 1-羥基苯并三氮唑?qū)嵤├? D2
對比例3 1-羥基苯并三氮唑?qū)嵤├? D3
對比例4 1-羥基苯并三氮唑?qū)嵤├? D4
[0103]對比例5 1-甲基苯并三氮唑?qū)嵤├? D5
對比例6 1-羥曱基苯并三氮唑?qū)嵤├? D6
對比例7 苯并三氮唑?qū)嵤├? D7
對比例8 5-羧基苯并三氮唑?qū)嵤├? D8
對比例9 3-巰基-1,2,4-三氮唑?qū)嵤├? D9
對比例10 1-甲基苯并三氮唑?qū)嵤├?0 DlO
[0104]對比例11-20
[0105]除分別將其中的二環(huán)己基并-18-冠-6替換為如下的冠醚外，以與實施例1-10的相同方式而實施了對比例11-20，分別制得了 10個光刻膠剝離液，命名為D11-D20，其對應(yīng)
【權(quán)利要求】
1.一種用于芯片的光刻膠剝離液，所述光刻膠剝離液包括下述重量份的各種組分:剝離劑1-10潤濕劑3-10
有機胺或有機銨鹽 3-30
緩蝕劑0.01-5助劑0.05-3有機溶劑5-90。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離液，其特征在于: 所述剝離劑為全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚，其結(jié)構(gòu)式為CmF2m+1CH2CH20(C2H4O)nH, m和n均選自6-12的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求1-2任一項所述的光刻膠剝離液，其特征在于: 所述潤濕劑為脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，結(jié)構(gòu)式為R1O(C2H4O)p(C3H60) ,H，其中R1為C10-C18的直鏈或支鏈烷基，p為4-12之間的整數(shù)，q為4-10之間的整數(shù)。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的光刻膠剝離液，其特征在于: 所述有機胺或有機銨鹽選自二乙胺、三乙胺、乙二胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨中的任何一`種或任何多種的混合物。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的光刻膠剝離液，其特征在于: 所述緩蝕劑為苯并三氮唑、1-C1-C6烷基苯并三氮唑、1-羥基苯并三氮唑、1-羥甲基苯并三氮唑、3-巰基-1，2，4-三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、6-氯-1-羥基苯并三氮唑中的任何一種或任何多種的混合物。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的光刻膠剝離液,其特征在于: 所述助劑為冠醚類化合物，其選自開鏈冠醚、苯并冠醚、羥基苯并冠醚、環(huán)烷基并冠醚中的任何一種或任何多種的混合物。
7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的光刻膠剝離液，其特征在于: 所述有機溶劑為醇醚化合物、砜類化合物或吡咯烷酮類化合物。
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述光刻膠剝離液的制備方法，所述方法包括如下步驟: (1)分別稱取上述各自重量份的各種組分； (2)將有機溶劑加入到攪拌釜中，然后順次加入有機胺或有機銨鹽、剝離劑，攪拌至均勻透明； (3)向步驟(2)中的均勻透明混合物中順次加入潤濕劑、緩蝕劑和助劑，攪拌至均勻透明，即得所述光刻膠剝離液。
9.使用權(quán)利要求1-8任一項所述芯片光刻膠剝離液的去膠工藝，所述去膠工藝包括如下步驟: (1)將芯片在60-90°C下浸泡于光刻膠剝離液中，超聲波10-30分鐘； (2)將去膠完畢后的芯片用純水漂洗3-10分鐘，漂洗1-3次，然后氮氣吹干。
【文檔編號】G03F7/42GK103676505SQ201310719197
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】侯軍, 李波 申請人:大連奧首科技有限公司