彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法。該彩膜基板包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的黑矩陣圖形和彩色矩陣圖形，所述黑矩陣圖形上形成有觸控電極，所述觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，所述黑矩陣圖形和所述觸控電極之間形成有第二保護(hù)層。本發(fā)明提供的彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法的技術(shù)方案中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
【專利說明】彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示面板技術(shù)和制程的不斷改進(jìn)，將觸控面板與液晶面板進(jìn)行一體化整合的研究日趨流行。觸控面板按照組成結(jié)構(gòu)可以分為：外掛式觸控面板（Add On Mode TouchPanel)、面板上觸控面板（On Cell Touch Panel)和內(nèi)嵌式觸控面板（In Cell TouchPanel)。相對于外掛式觸控面板，面板上觸控面板和內(nèi)嵌式觸控面板的應(yīng)用越來越廣泛并逐漸成為主流的觸控面板。其中，內(nèi)嵌式觸控面板是將觸控面板功能嵌入到液晶像素中而形成的面板，具體地，內(nèi)嵌式觸控面板是指將觸控面板功能整合于彩膜基板中以實(shí)現(xiàn)將觸控面板功能嵌入至液晶像素中；面板上觸控面板則是將觸控面板功能嵌入到彩膜基板和偏光板之間而形成的面板，具體地，面板上觸控面板是指將觸控感應(yīng)組件層制作在一玻璃基板上，再將該玻璃基板和彩膜基板貼合而實(shí)現(xiàn)將觸控功能內(nèi)嵌至液晶像素中，以形成面板上觸控面板。與面板上觸控面板相比，內(nèi)嵌式觸控面板具有面板薄型化和輕量化的優(yōu)勢，可降低制造成本和面板的厚度，因此成為未來觸控面板的發(fā)展方向。
[0003]目前，為了使電容式觸控屏具有更薄的面板，已經(jīng)出現(xiàn)將觸控電極制作在彩膜基板之內(nèi)的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其中，觸控電極可包括：觸控掃描線和觸控感應(yīng)線，則電容式內(nèi)嵌觸控屏的工作過程為：在對觸控掃描線加載觸控掃描信號時(shí)，檢測觸控感應(yīng)線通過感應(yīng)電容藕合出的電壓信號，在此過程中，有人體接觸觸控屏?xí)r，人體電場就會(huì)作用在感應(yīng)電容上，使感應(yīng)電容的電容值發(fā)生變化，進(jìn)而改變觸控感應(yīng)線耦合出的電壓信號，根據(jù)電壓信號的變化可確定出觸控點(diǎn)的位置。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，可在制造彩膜基板的過程中形成觸控電極。常規(guī)的彩膜基板的制造方法包括：形成黑矩陣圖形；在黑矩陣圖形上形成觸控電極；在黑矩陣圖形上形成彩色矩陣圖形；在彩色矩陣圖形上方形成平坦層，該平坦層覆蓋觸控電極和彩色矩陣圖形；在平坦層上形成隔墊物。其中，通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣圖形、彩色矩陣圖形和隔墊物，構(gòu)圖工藝會(huì)對觸控電極產(chǎn)生影響，例如：在構(gòu)圖工藝中的顯影工藝中，顯影液中的無機(jī)堿會(huì)對觸控電極產(chǎn)生影響，使得觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法，用于避免觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種彩膜基板，包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的黑矩陣圖形和彩色矩陣圖形，所述黑矩陣圖形上形成有觸控電極，所述觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，所述黑矩陣圖形和所述觸控電極之間形成有第二保護(hù)層。
[0007]可選地，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料或者無機(jī)材料。[0008]可選地，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為Iym至3μπι;所述第一保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為1000A至
2000Αο
[0009]可選地，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料或者有機(jī)材料。
[0010]可選地，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為1000Α至2000Α;所述第二保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為I μ m至 3 μ m。
[0011]可選地，還包括：平坦層，所述平坦層形成于所述第一保護(hù)層之上。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括：相對設(shè)置的上述彩膜基板和陣列基板。
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種彩膜基板的制造方法，包括：
[0014]在襯底基板上形成黑矩陣圖形；
[0015]在所述襯底基板上形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述黑矩陣圖形之上；
[0016]在所述襯底基板上形成觸控電極，所述觸控電極位于所述黑矩陣圖形的上方；
[0017]在所述襯底基板上形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層位于所述觸控電極的上方；
[0018]在所述襯底基板上形成彩色矩陣圖形。
[0019]可選地，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為Iym至3μπι;所述第一保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為1000A至
2000Α。
[0020]可選地，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為ΙΟΟΟΛ至2000Α;所述第二保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為I μ m至 3 μ m。
[0021]本發(fā)明具有以下有益效果：
[0022]本發(fā)明提供的彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法的技術(shù)方案中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖I為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種彩膜基板的平面示意圖；
[0024]圖2為圖I中A-A向剖視圖；
[0025]圖3為實(shí)施例一中測試區(qū)域的局部示意圖；
[0026]圖4為圖3中B-B向剖視圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種彩膜基板的平面示意圖；
[0028]圖6為圖5中C-C向剖視圖；
[0029]圖7為實(shí)施例二中測試區(qū)域的局部示意圖；
[0030]圖8為圖7中D-D向剖視圖；[0031]圖9為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種彩膜基板的制造方法的流程圖；
[0032]圖IOa為實(shí)施例三中形成黑矩陣圖形的示意圖；
[0033]圖IOb為實(shí)施例三中形成第二保護(hù)層的示意圖；
[0034]圖IOc為實(shí)施例三中形成觸控電極的示意圖；
[0035]圖IOd為實(shí)施例三中形成第一保護(hù)層的示意圖；
[0036]圖IOe為實(shí)施例三中形成彩色矩陣圖形的示意圖；
[0037]圖IOf為實(shí)施例三中形成平坦層的示意圖；
[0038]圖11為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種彩膜基板的制造方法的流程圖；
[0039]圖12a為實(shí)施例四中形成黑矩陣圖形的示意圖；
[0040]圖12b為實(shí)施例四中形成第二保護(hù)層的示意圖；
[0041]圖12c為實(shí)施例四中形成觸控電極的示意圖；
[0042]圖12d為實(shí)施例四中形成第一保護(hù)層的示意圖；
[0043]圖12e為實(shí)施例四中形成彩色矩陣圖形的示意圖；
[0044]圖12f為實(shí)施例四中形成平坦層的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的彩膜基板、顯示面板和彩膜基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0046]圖I為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種彩膜基板的平面示意圖，圖2為圖I中A-A向剖視圖，如圖I和圖2所示，該彩膜基板包括：襯底基板11和形成于襯底基板11上的黑矩陣圖形12和彩色矩陣圖形13，黑矩陣圖形11上形成有觸控電極14，觸控電極14上方形成有第一保護(hù)層15，黑矩陣圖形12和觸控電極14之間形成有第二保護(hù)層17。
[0047]第一保護(hù)層15覆蓋觸控電極14，該第一保護(hù)層15用于保護(hù)觸控電極14，且該第一保護(hù)層覆蓋整個(gè)襯底基板11。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的材料包括有機(jī)材料，由于有機(jī)材料的可彎折性較好，因此使得采用有機(jī)材料的第一保護(hù)層15也具備了較好的可彎折性。當(dāng)本實(shí)施例的彩膜基板應(yīng)用于柔性顯示面板時(shí)，采用第一保護(hù)層15提高了彩膜基板的可彎折性。該有機(jī)材料可包括光固型有機(jī)材料或者熱固型有機(jī)材料，例如：光固型有機(jī)材料可以為光固型光刻膠，熱固型有機(jī)材料可以為熱固型光刻膠，且上述光刻膠可以為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例優(yōu)選米用正性光刻膠。優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的厚度可以為I μ m至3 μ m，上述第一保護(hù)層15的厚度在實(shí)現(xiàn)對觸控電極14進(jìn)行有效保護(hù)的基礎(chǔ)上，具備了較好的可彎折性；并且該厚度與現(xiàn)有的制造設(shè)備的工藝能力相匹配，從而使得制造過程更加簡單且易于實(shí)現(xiàn)。并且優(yōu)選地，第一保護(hù)層15為平坦化圖形結(jié)構(gòu)，可起到平坦層的作用，從而有效減小黑矩陣與彩色矩陣圖形之間的段差。
[0048]本實(shí)施例中，可將第一保護(hù)層15作為平坦層，則彩膜基板中可無需再設(shè)置平坦層。但為了進(jìn)一步提高平坦化效果并更加有效的減小段差，進(jìn)一步地，該彩膜基板還可以包括：平坦層16，平坦層16形成于第一保護(hù)層15之上，該平坦層16覆蓋整個(gè)襯底基板11。該平坦層16的材料可以包括正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例，該平坦層16的材料優(yōu)選采用負(fù)性光刻膠，負(fù)性光刻膠的價(jià)格較低，因此平坦層16的材料采用負(fù)性光刻膠可有效降低彩膜基板的制造成本。[0049]進(jìn)一步地，該彩膜基板還包括：隔墊物18，該隔墊物18可設(shè)置于平坦層16之上。本實(shí)施例中，若彩膜基板中未設(shè)置平坦層16，則該隔墊物18可設(shè)置于第一保護(hù)層15之上。需要說明的是：隔墊物18在圖I中未示出。
[0050]本實(shí)施例中，第二保護(hù)層17位于黑矩陣圖形12之上且位于觸控電極14之下，且該第二保護(hù)層17覆蓋整個(gè)襯底基板U。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的材料包括無機(jī)材料，由于無機(jī)材料的阻水性較強(qiáng)，從而使得采用無機(jī)材料的第二保護(hù)層17也具備了良好的阻水性，可有效阻隔水氧。例如：該無機(jī)材料可包括SiNx、Si0x或SiNO。優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的厚度可以為〗OOOA至2000A，上述第二保護(hù)層17的厚度在實(shí)現(xiàn)對觸控電極14進(jìn)行有效保護(hù)的基礎(chǔ)上，具備了良好的阻水性；并且該厚度與現(xiàn)有的制造設(shè)備的工藝能力相匹配，從而使得制造過程更加簡單且易于實(shí)現(xiàn)。該第二保護(hù)層17有效阻隔了黑矩陣圖形12和觸控電極14之間的接觸，防止通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣時(shí)構(gòu)圖工藝的顯影工藝中顯影液中的無機(jī)堿對觸控電極產(chǎn)生影響，從而防止黑矩陣圖形12造成觸控電極14產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0051]本實(shí)施例中，彩色矩陣圖形13可設(shè)置于第一保護(hù)層15之上，且該彩色矩陣圖形13部分位于黑矩陣圖形12之上。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)工藝需要變更彩色矩陣圖形13的位置，例如：彩色矩陣圖形13可設(shè)置于襯底基板11和黑矩陣圖形12之間，或者彩色矩陣圖形13可設(shè)置于黑矩陣12和第二保護(hù)層17之間，或者彩色矩陣圖形13可設(shè)置于第一保護(hù)層15和第二保護(hù)層17之間。優(yōu)選地，該彩色矩陣圖形13可包括：紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形。
[0052]彩膜基板上形成有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的測試區(qū)域。圖3為實(shí)施例一中測試區(qū)域的局部示意圖，圖4為圖3中B-B向剖視圖，如圖3和圖4所示，測試區(qū)域包括：襯底基板11和形成于襯底基板11 上的測試圖形（Pad)19，測試圖形19上依次形成有第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16，測試圖形19上方形成有過孔20，該過孔20設(shè)置于第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16中。測試圖形19用于過孔20與金屬測試信號線連接。
[0053]本實(shí)施例提供的彩膜基板中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0054]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種彩膜基板的平面示意圖，圖6為圖5中C-C向剖視圖，如圖5和圖6所示，該彩膜基板包括：襯底基板11和形成于襯底基板11上的黑矩陣圖形12和彩色矩陣圖形13，黑矩陣圖形11上形成有觸控電極14，觸控電極14上方形成有第一保護(hù)層15，黑矩陣圖形12和觸控電極14之間形成有第二保護(hù)層17。
[0055]第一保護(hù)層15覆蓋觸控電極14，該第一保護(hù)層15用于保護(hù)觸控電極14，且該第一保護(hù)層覆蓋整個(gè)襯底基板11。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的材料包括無機(jī)材料，由于無機(jī)材料的阻水性較強(qiáng)，從而使得采用無機(jī)材料的第一保護(hù)層15也具備了良好的阻水性，可有效阻隔水氧。例如：該無機(jī)材料可包括SiNx、Si0x或SiNO。優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的厚度以為1000A至2000Λ，上述第一保護(hù)層15的厚度在實(shí)現(xiàn)對觸控電極14進(jìn)行有效保護(hù)的基礎(chǔ)上，具備了良好的阻水性；并且該厚度與現(xiàn)有的制造設(shè)備的工藝能力相匹配，從而使得制造過程更加簡單且易于實(shí)現(xiàn)。
[0056]進(jìn)一步地，該彩膜基板還可以包括：平坦層16，平坦層16形成于第一保護(hù)層15之上，該平坦層16覆蓋整個(gè)襯底基板11。該平坦層16的材料可以包括正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例中，該平坦層16的材料優(yōu)選采用負(fù)性光刻膠，負(fù)性光刻膠的價(jià)格較低，因此平坦層16的材料采用負(fù)性光刻膠可有效降低彩膜基板的制造成本。
[0057]進(jìn)一步地，該彩膜基板還包括：隔墊物18，該隔墊物18可設(shè)置于平坦層16之上。需要說明的是：隔墊物18在圖5中未示出。
[0058]本實(shí)施例中，第二保護(hù)層17位于黑矩陣圖形12之上且位于觸控電極14之下，且該第二保護(hù)層17覆蓋整個(gè)襯底基板11。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的材料包括有機(jī)材料，由于有機(jī)材料的可彎折性較好，因此使得采用有機(jī)材料的第二保護(hù)層17也具備了較好的可彎折性。當(dāng)本實(shí)施例的彩膜基板應(yīng)用于柔性顯示面板時(shí)，采用第二保護(hù)層17提高了彩膜基板的可彎折性。該有機(jī)材料可包括光固型有機(jī)材料或者熱固型有機(jī)材料，例如：光固型有機(jī)材料可以為光固型光刻膠，熱固型有機(jī)材料可以為熱固型光刻膠，本實(shí)施例優(yōu)選采用熱固型光刻膠，且上述光刻膠可以為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠。優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的厚度可以為I μ m至3 μ m，上述第二保護(hù)層17的厚度在實(shí)現(xiàn)對觸控電極14進(jìn)行有效保護(hù)的基礎(chǔ)上，具備了較好的可彎折性；并且該厚度與現(xiàn)有的制造設(shè)備的工藝能力相匹配，從而使得制造過程更加簡單且易于實(shí)現(xiàn)。并且優(yōu)選地，第二保護(hù)層17為平坦化圖形結(jié)構(gòu)，可起到平坦層的作用，從而有效減小黑矩陣圖形12的段差。該第二保護(hù)層17有效阻隔了黑矩陣圖形12和觸控電極14之間的接觸，防止通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣時(shí)構(gòu)圖工藝的顯影工藝中顯影液中的無機(jī)堿對觸控電極產(chǎn)生影響，從而防止黑矩陣圖形12造成觸控電極14產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0059]本實(shí)施例中，彩色矩陣圖形13可設(shè)置于第一保護(hù)層15之上，且該彩色矩陣圖形13部分位于黑矩陣圖形12之上。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)工藝需要變更彩色矩陣圖形13的位置，例如：彩色矩陣圖形13可設(shè)置于襯底基板11和黑矩陣圖形12之間，或者彩色矩陣圖形13可設(shè)置于黑矩陣12和第二保護(hù)層17之間，或者彩色矩陣圖形13可設(shè)置于第一保護(hù)層15和第二保護(hù)層17之間。優(yōu)選地，該彩色矩陣圖形13可包括：紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形。
[0060]彩膜基板上形成有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的測試區(qū)域。圖7為實(shí)施例二中測試區(qū)域的局部示意圖，圖8為圖7中D-D向剖視圖，如圖7和圖8所示，測試區(qū)域包括：襯底基板11和形成于襯底基板11上的測試圖形（Pad)19，測試圖形19上依次形成有第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16，測試圖形19上方形成有過孔20，該過孔20設(shè)置于第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16中。測試圖形19用于過孔20與金屬測試信號線連接。
[0061]本實(shí)施例提供的彩膜基板中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種顯示面板，該顯示面板可包括：相對設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，其中，彩膜基板可采用上述實(shí)施例一或者實(shí)施例二提供的彩膜基板，具體描述可參見上述實(shí)施例一或者實(shí)施例二，此處不再贅述。
[0063]圖9為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種彩膜基板的制造方法的流程圖，如圖9所示，該方法包括：
[0064]步驟101、在襯底基板上形成黑矩陣圖形。
[0065]圖IOa為實(shí)施例三中形成黑矩陣圖形的示意圖，如圖IOa所示,具體地,在襯底基板11上沉積黑矩陣材料層，對黑矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成黑矩陣圖形12。
[0066]步驟102、在襯底基板上形成第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層位于黑矩陣圖形之上。
[0067]圖IOb為實(shí)施例三中形成第二保護(hù)層的示意圖，如圖IOb所示，具體地，在襯底基板11上沉積第二保護(hù)層17，優(yōu)選地，沉積溫度為150°C，采用上述沉積溫度可有效避免制造第二保護(hù)層17的過程中由于溫度過高而導(dǎo)致其它結(jié)構(gòu)揮發(fā)的問題，從而保證了產(chǎn)品的質(zhì)量。該第二保護(hù)層17位于黑矩陣圖形12之上，且優(yōu)選地，第二保護(hù)層17覆蓋整個(gè)襯底基板11。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的材料包括無機(jī)材料，例如：該無機(jī)材料可包括SiNx、Si0x或SiNO。優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的厚度可以為IOOOA至2000A。
[0068]步驟103、在襯底基板上形成觸控電極，該觸控電極位于黑矩陣圖形的上方。
[0069]圖IOc為實(shí)施例三中形成觸控電極的示意圖，如圖IOc所示，在襯底基板11上沉積觸控電極材料層，對觸控電極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成觸控電極14，該觸控電極14位于黑矩陣圖形12的上方。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，觸控電極14位于黑矩陣圖形12上方的第二保護(hù)層17上。
[0070]步驟104、在襯底基板上形成第一保護(hù)層，第一保護(hù)層位于觸控電極的上方。
[0071]圖IOd為實(shí)施例三中形成第一保護(hù)層的示意圖，如圖IOd所示，具體地，在襯底基板11上沉積第一保護(hù)材料層，對第一保護(hù)材料層進(jìn)行固化處理，形成第一保護(hù)層15?？蛇x地，若第一保護(hù)層15為平坦化圖形結(jié)構(gòu)，則還需要對第一保護(hù)層15進(jìn)行平坦化處理。優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的厚度可以為I μ m至3 μ m。
[0072]本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的材料包括有機(jī)材料，該有機(jī)材料可包括光固型有機(jī)材料或者熱固型有機(jī)材料，例如：光固型有機(jī)材料可以為光固型光刻膠，熱固型有機(jī)材料可以為熱固型光刻膠，且上述光刻膠可以為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例優(yōu)選米用正性光刻膠。
[0073]本實(shí)施例中，若第一保護(hù)層15的材料為光固型有機(jī)材料時(shí)，對第一保護(hù)材料層進(jìn)行光固化處理，形成第一保護(hù)層15 ;若第一保護(hù)層15的材料為熱固型有機(jī)材料時(shí)，對第一保護(hù)材料層進(jìn)行熱固化處理，形成第一保護(hù)層15。
[0074]步驟105、在襯底基板上形成彩色矩陣圖形，彩色矩陣圖形位于第一保護(hù)層之上。
[0075]圖IOe為實(shí)施例三中形成彩色矩陣圖形的示意圖，如圖IOe所示，具體地，在第一保護(hù)層15上沉積彩色矩陣材料層，對彩色矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成彩色矩陣圖形13。優(yōu)選地，該彩色矩陣圖形13可包括：紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形，因此可重復(fù)執(zhí)行上述步驟，在第一保護(hù)層15上依次形成紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形和藍(lán)色矩陣圖形。
[0076]步驟106、在襯底基板上形成平坦層。
[0077]圖IOf為實(shí)施例三中形成平坦層的示意圖，如圖IOf所示，具體地，在襯底基板11上形成平坦層16，該平坦層16覆蓋整個(gè)襯底基板11，且優(yōu)選地，該平坦層16位于彩色矩陣圖形13之上。
[0078]步驟107、在平坦層上形成隔墊物。
[0079]如圖2所示，具體地，在襯底基板11上沉積隔墊物材料層，對隔墊物材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成隔墊物18。
[0080]步驟108、通過干法刻蝕工藝在測試圖形上方形成過孔。
[0081]如圖4所示，通過干法刻蝕工藝刻蝕掉測試圖形19上方的第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16，形成過孔20。
[0082]本實(shí)施例中，可選地，若第一保護(hù)層的材料采用光固型光刻膠，則步驟104具體可包括：在襯底基板上沉積第一保護(hù)材料層；對第一保護(hù)材料層進(jìn)行掩膜板掩膜、曝光和顯影工藝，從而去除位于測試圖形上方的第一保護(hù)材料層以在測試圖形上方形成過孔；對顯影后的第一保護(hù)材料層進(jìn)行光固化處理，形成第一保護(hù)層。步驟105中，沉積的彩色矩陣材料層會(huì)填充形成的過孔中，則在通過構(gòu)圖工藝形成彩色矩陣圖形過程中可通過構(gòu)圖工藝去除過孔中填充的彩色矩陣材料層。若平坦層的材料包括正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，則步驟106具體可包括：在襯底基板上形成平坦層，對平坦層行掩膜板掩膜、曝光和顯影工藝，從而去除位于過孔中的平坦層。步驟107中，沉積的隔墊物材料層會(huì)填充形成的過孔中，則在通過構(gòu)圖工藝形成隔墊物的過程中可通過構(gòu)圖工藝去除過孔中填充的隔墊物材料層?？蛇x地，當(dāng)本實(shí)施例執(zhí)行上述各步驟時(shí)，可無需再執(zhí)行步驟108。
[0083]本實(shí)施例提供的彩膜基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的彩膜基板，對彩膜基板的具體描述可參見上述實(shí)施例一，此處不再贅述。
[0084]需要說明的是：本實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝通常包括：光刻膠涂覆、掩膜板掩膜、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
[0085]本實(shí)施例提供的彩膜基板的制造方法制造出的彩膜基板中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。
[0086]圖11為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種彩膜基板的制造方法的流程圖，如圖11所示，該方法包括：
[0087]步驟201、在襯底基板上形成黑矩陣圖形。
[0088]圖12a為實(shí)施例四中形成黑矩陣圖形的示意圖，如圖12a所示，具體地，在襯底基板11上沉積黑矩陣材料層，對黑矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成黑矩陣圖形12。
[0089]步驟202、在襯底基板上形成第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層位于黑矩陣圖形之上。
[0090]圖12b為實(shí)施例四中形成第二保護(hù)層的示意圖，如圖12b所示，具體地，在襯底基板11上沉積第二保護(hù)材料層，對第二保護(hù)材料層進(jìn)行固化處理，形成第二保護(hù)層17?？蛇x地，若第二保護(hù)層17為平坦化圖形結(jié)構(gòu)，則還需要對第二保護(hù)層17進(jìn)行平坦化處理。優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的厚度可以為1口111至34 111。
[0091]本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二保護(hù)層17的材料包括有機(jī)材料，該有機(jī)材料可包括光固型有機(jī)材料或者熱固型有機(jī)材料，例如：光固型有機(jī)材料可以為光固型光刻膠，熱固型有機(jī)材料可以為熱固型光刻膠，且上述光刻膠可以為正性光刻膠或者負(fù)性光刻膠，本實(shí)施例優(yōu)選采用正性光刻膠。[0092]本實(shí)施例中，若第二保護(hù)層17的材料為光固型有機(jī)材料時(shí)，對第二保護(hù)材料層進(jìn)行光固化處理，形成第二保護(hù)層17 ;若第二保護(hù)層17的材料為熱固型有機(jī)材料時(shí)，對第二保護(hù)材料層進(jìn)行熱固化處理，形成第二保護(hù)層17。
[0093]步驟203、在襯底基板上形成觸控電極，該觸控電極位于黑矩陣圖形的上方。
[0094]圖12c為實(shí)施例四中形成觸控電極的示意圖，如圖12c所示，在襯底基板11上沉積觸控電極材料層，對觸控電極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成觸控電極14，該觸控電極14位于黑矩陣圖形12的上方。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，觸控電極14位于黑矩陣圖形12上方的第二保護(hù)層17上。
[0095]步驟204、在襯底基板上形成第一保護(hù)層，第一保護(hù)層位于觸控電極的上方。
[0096]圖12d為實(shí)施例四中形成第一保護(hù)層的示意圖，如圖12d所示，具體地，在襯底基板11上沉積第一保護(hù)層15，優(yōu)選地，沉積溫度為150°C，采用上述沉積溫度可有效避免制造第一保護(hù)層15的過程中由于溫度過高而導(dǎo)致其它結(jié)構(gòu)揮發(fā)的問題，從而保證了產(chǎn)品的質(zhì)量。該第一保護(hù)層15位于黑矩陣圖形12之上，且優(yōu)選地，第一保護(hù)層15覆蓋整個(gè)襯底基板11。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的材料包括無機(jī)材料，例如：該無機(jī)材料可包括SiNx、Si0x或SiNO。優(yōu)選地，第一保護(hù)層15的厚度可以為IOOOA至2000A。
[0097]步驟205、在襯底基板上形成彩色矩陣圖形，彩色矩陣圖形位于第一保護(hù)層之上。
[0098]圖12e為實(shí)施例四中形成彩色矩陣圖形的示意圖，如圖12e所示，具體地，在第一保護(hù)層15上沉積彩色矩陣材料層，對彩色矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成彩色矩陣圖形
13。優(yōu)選地，該彩色矩陣圖形13可包括：紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形，因此可重復(fù)執(zhí)行上述步驟，在第一保護(hù)層15上依次形成紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形和藍(lán)色矩陣圖形。
[0099]步驟206、在襯底基板上形成平坦層。
[0100]圖12f為實(shí)施例四中形成平坦層的示意圖，如圖12f所示，具體地，在襯底基板11上形成平坦層16，該平坦層16覆蓋整個(gè)襯底基板11，且優(yōu)選地，該平坦層16位于彩色矩陣圖形13之上。
[0101]步驟207、在平坦層上形成隔墊物。
[0102]如圖6所示，具體地，在襯底基板11上沉積隔墊物材料層，對隔墊物材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成隔墊物18。
[0103]步驟208、通過干法刻蝕工藝在測試圖形上方形成過孔。
[0104]如圖8所示，通過干法刻蝕工藝刻蝕掉測試圖形19上方的第二保護(hù)層17、第一保護(hù)層15和平坦層16，形成過孔20。
[0105]本實(shí)施例提供的彩膜基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例二提供的彩膜基板，對彩膜基板的具體描述可參見上述實(shí)施例二，此處不再贅述。
[0106]需要說明的是：本實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝通常包括：光刻膠涂覆、掩膜板掩膜、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
[0107]本實(shí)施例提供的彩膜基板的制造方法制造出的彩膜基板中，觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，黑矩陣圖形和觸控電極之間形成有第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層和第二保護(hù)層用于保護(hù)觸控電極，避免觸控電極上方和下方的其它圖形結(jié)構(gòu)的工藝過程對觸控電極產(chǎn)生影響，從而避免了觸控電極產(chǎn)生短路和斷路的現(xiàn)象。[0108]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種彩膜基板，包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的黑矩陣圖形和彩色矩陣圖形，其特征在于，所述黑矩陣圖形上形成有觸控電極，所述觸控電極上方形成有第一保護(hù)層，所述黑矩陣圖形和所述觸控電極之間形成有第二保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料或者無機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為I μ m至3 μ m ;所述第一保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為iOOOA至2000A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料或者有機(jī)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為1000A至2000A;所述第二保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為I μ m至3 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，還包括：平坦層，所述平坦層形成于所述第一保護(hù)層之上。
7.—種顯示面板，包括：相對設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述彩膜基板采用上述權(quán)利要求1至6任一所述的彩膜基板。
8.一種彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上形成黑矩陣圖形； 在所述襯底基板上形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述黑矩陣圖形之上； 在所述襯底基板上形成觸控電極，所述觸控電極位于所述黑矩陣圖形的上方； 在所述襯底基板上形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層位于所述觸控電極的上方； 在所述襯底基板上形成彩色矩陣圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為I μ m至3 μ m ;所述第一保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第一保護(hù)層的厚度為1000A至2000A。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層的材料包括無機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為1000A至2000A;所述第二保護(hù)層的材料包括有機(jī)材料時(shí)，所述第二保護(hù)層的厚度為14!11至34 1]1。
【文檔編號】G02F1/1335GK103487984SQ201310452186
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】王燦, 陳寧, 趙吉生 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司