Tft陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開(kāi)了一種TFT陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。該TFT陣列基板包括至少一個(gè)墊塊，并將墊塊設(shè)置在像素電極靠近薄膜晶體管的設(shè)定區(qū)域內(nèi)，用于抬高該設(shè)定區(qū)域像素電極的表面高度，使其不低于薄膜晶體管的表面高度。則陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)存在的偏差導(dǎo)致隔墊物的位置偏向像素電極的位置時(shí)，隔墊物不會(huì)因顯示面板受到撞擊而發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，顯示正常，提高了顯示裝置的抗撞擊性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】TFT陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種TFT陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器（ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小，功耗低，無(wú)輻射等特點(diǎn)，近年來(lái)得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。如圖I所示，TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)為由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒形成的顯示面板。陣列基板包括第一襯底基板100以及形成在第一襯底基板100上的柵線(xiàn)（圖中未示出）和數(shù)據(jù)線(xiàn)（圖中未示出），其中，柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)橫縱交叉分布，限定多個(gè)像素單元（圖中未示出），每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管I (Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)和像素電極5。TFTl包括柵電極2、源電極3和漏電極4。彩膜基板包括第二襯底基板200以及形成在第二襯底基板200上的彩色濾光片（由RGB三種彩色樹(shù)脂組成，圖中未示出）和隔墊物7，其中，隔墊物7用于在陣列基板和彩膜基板之間形成一定的空間，填充液晶分子，其與陣列基板的接觸面一般為T(mén)FTl的表面。彩色濾光片用于實(shí)現(xiàn)彩色畫(huà)面的顯示。
[0003]受TFTl結(jié)構(gòu)以及成膜工藝、構(gòu)圖工藝的影響，TFT1、柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)和像素電極的表面高度不同，其中，柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的表面高度最高，TFTl次之，像素電極5的表面高度最低。由于在陣列基板和彩膜基板對(duì)盒過(guò)程中會(huì)存在對(duì)準(zhǔn)偏差，使得隔墊物7的位置偏離TFTl的位置。當(dāng)隔墊物7的位置偏向像素電極5的位置時(shí)，會(huì)出現(xiàn)隔墊物7在陣列基板上的站立面不完全在同一高度的情況，如圖2所示。此時(shí)，若顯示面板受到撞擊，隔墊物7會(huì)因?yàn)檎玖⒚娴母叨却嬖诓町惗l(fā)生滑動(dòng)，如圖3所示，而這個(gè)滑動(dòng)會(huì)對(duì)取向膜產(chǎn)生摩擦，改變?nèi)∠蚰さ木植磕Σ寥∠?，進(jìn)而導(dǎo)致像素單元出現(xiàn)漏光，顯示異常。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及液晶顯示面板，用以解決陣列基板和彩膜基板對(duì)位存在的偏差導(dǎo)致隔墊物的位置偏向像素電極的位置時(shí)，若受到撞擊，隔墊物會(huì)因?yàn)樵陉嚵谢迳系恼玖⒚娲嬖诟叨炔町惗l(fā)生滑動(dòng)，而這個(gè)滑動(dòng)會(huì)對(duì)取向膜產(chǎn)生摩擦，改變?nèi)∠蚰さ木植磕Σ寥∠?，進(jìn)而導(dǎo)致像素單元出現(xiàn)漏光、顯示異常的問(wèn)題。
[0005]同時(shí)，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，用以解決顯示裝置受到撞擊時(shí)會(huì)出現(xiàn)顯示異常的問(wèn)題。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板，其包括交叉設(shè)置的柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由所述柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其中，所述TFT陣列基板還包括至少一個(gè)墊塊，所述墊塊位于像素電極靠近薄膜晶體管的設(shè)定區(qū)域內(nèi)，用于抬高所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)像素電極的表面高度。
[0007]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，其中，所述陣列基板采用如上所述的TFT陣列基板。[0008]同時(shí)，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，其中，所述顯示面板采用如上所述的液晶顯示面板。
[0009]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：
[0010]上述技術(shù)方案中，通過(guò)在像素電極靠近薄膜晶體管的設(shè)定區(qū)域內(nèi)設(shè)置墊塊，用于抬高該設(shè)定區(qū)域像素電極的表面高度，使其不低于薄膜晶體管的表面高度。則陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)存在的偏差導(dǎo)致隔墊物的位置偏向像素電極的位置時(shí)，隔墊物不會(huì)因顯示面板受到撞擊而發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，顯示正常，提高顯示裝置的抗撞擊性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖I表示現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板和彩膜基板對(duì)盒準(zhǔn)確時(shí)，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2表示現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板和彩膜基板對(duì)盒存在偏差時(shí)，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3表示圖2中的液晶顯示面板在受到撞擊時(shí)，彩膜基板上的隔墊物發(fā)生滑動(dòng)后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0015]圖4表不本發(fā)明實(shí)施例中TFT陣列基板的俯視圖一；
[0016]圖5表不圖4沿A-A方向的剖視圖；
[0017]圖6表示圖4沿B-B方向的剖視圖；
[0018]圖7表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板和彩膜基板對(duì)盒存在偏差時(shí)，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖8表示本發(fā)明實(shí)施例中TFT陣列基板的俯視圖二 ；
[0020]圖9表示本發(fā)明實(shí)施例中TFT陣列基板的俯視圖三；
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0022]實(shí)施例一
[0023]由于液晶顯示面板是由陣列基板與彩膜基板對(duì)盒形成的，在生產(chǎn)工藝中不可避免的會(huì)存在對(duì)盒偏差。在液晶顯示面板對(duì)盒準(zhǔn)確的情況下，彩膜基板上的隔墊物與陣列基板的接觸面為薄膜晶體管的表面。而當(dāng)陣列基板與彩膜基板的對(duì)盒偏差導(dǎo)致隔墊物的位置偏向像素電極的位置時(shí)，會(huì)出現(xiàn)隔墊物在陣列基板上的站立面不完全在同一高度的情況。此時(shí)若液晶顯示面板受到撞擊，隔墊物會(huì)因?yàn)檎玖⒚娴母叨却嬖诓町惗l(fā)生滑動(dòng)，而這個(gè)滑動(dòng)會(huì)對(duì)取向膜產(chǎn)生摩擦，改變?nèi)∠蚰さ木植磕Σ寥∠?，?dǎo)致像素單元出現(xiàn)漏光，顯示異常的問(wèn)題。[0024]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種TFT陣列基板，結(jié)合圖4-圖6所示，該陣列基板具體包括襯底基板100 (具有很高的光線(xiàn)透過(guò)率，一般為玻璃基板、石英基板或有機(jī)樹(shù)脂基板）以及形成在襯底基板100上的柵線(xiàn)10和數(shù)據(jù)線(xiàn)20。柵線(xiàn)10和數(shù)據(jù)線(xiàn)20交叉分布，限定多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括TFTl和像素電極5。TFTl包括柵電極
2、柵絕緣層101、有源層圖案9、源電極3和漏電極4。在TFTl上還形成有鈍化層102，在鈍化層102上形成有鈍化層過(guò)孔8，像素電極5通過(guò)鈍化層過(guò)孔8與TFTl的漏電極4電性連接。需要說(shuō)明的是，圖5和圖6所示的TFTl為底柵結(jié)構(gòu)，并以底柵結(jié)構(gòu)的TFTl為例來(lái)示意陣列基板的結(jié)構(gòu)，但這里并不是對(duì)TFTl的結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，顯然，TFTl也可以為頂柵結(jié)構(gòu)或其他結(jié)構(gòu)。其中，在襯底基板100上還形成有至少一個(gè)墊塊6，且墊塊6位于像素電極5靠近TFTl的設(shè)定區(qū)域內(nèi)，用于抬高所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)像素電極5的表面高度(結(jié)合圖2、圖5-圖7所示)，使其不低于TFTl的表面高度，則如圖7所示，陣列基板和彩膜基板對(duì)盒存在的偏差導(dǎo)致隔墊物7的位置偏向像素電極5的位置時(shí)，隔墊物7不會(huì)因顯示面板受到撞擊而發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光。
[0025]本實(shí)施例中，優(yōu)選設(shè)置所述設(shè)定區(qū)域與柵電極2的間隔距離小于鈍化層過(guò)孔8與柵電極2的間隔距離，如圖4所示，以保證墊塊6的設(shè)置不會(huì)影響像素單元的開(kāi)口率。
[0026]進(jìn)一步地，為了便于描述，將所述設(shè)定區(qū)域分為與漏電極4具有交疊部分的第一區(qū)域30和與漏電極4不具有交疊部分的第二區(qū)域40，如圖4所示。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以在第一區(qū)域30和/或第二區(qū)域40內(nèi)設(shè)置墊塊6，結(jié)合圖4、圖8和圖9所示。最好在第一區(qū)域30和第二區(qū)域40內(nèi)均設(shè)置墊塊6，如圖4所示，則無(wú)論隔墊物7的位置從哪個(gè)方向偏向像素電極5的位置，均可以保證隔墊物7不會(huì)因顯示面板受到撞擊而發(fā)生滑動(dòng)，確保不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，提高了結(jié)構(gòu)的可靠性。
[0027]對(duì)于位于第一區(qū)域30內(nèi)的墊塊6，其可以與柵電極2為同層結(jié)構(gòu)，如圖5所示。這里的同層結(jié)構(gòu)是指墊塊6與柵電極2通過(guò)對(duì)同一膜層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝形成，從而不需要通過(guò)單獨(dú)的構(gòu)圖工藝形成墊塊6，減少了生產(chǎn)工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0028]而對(duì)于位于第二區(qū)域40內(nèi)的墊塊6，其可以包括第一墊塊61和第二墊塊62，且第一墊塊61與柵線(xiàn)10為同層結(jié)構(gòu)，第二墊塊62與數(shù)據(jù)線(xiàn)20為同層結(jié)構(gòu)，如圖6所示。其中，柵線(xiàn)10—般與柵電極2也為同層結(jié)構(gòu)。這里的同層結(jié)構(gòu)與上述同層結(jié)構(gòu)表述的含義相同，在此不再贅述。因此，同樣減少了生產(chǎn)工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0029]具體的，墊塊6可以為條狀結(jié)構(gòu)、橢圓形結(jié)構(gòu)或其他不規(guī)則結(jié)構(gòu)。
[0030]本實(shí)施例中通過(guò)在像素電極靠近薄膜晶體管的設(shè)定區(qū)域內(nèi)設(shè)置墊塊，用于抬高該設(shè)定區(qū)域像素電極的表面高度，使其不低于薄膜晶體管的表面高度。則陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)存在的偏差導(dǎo)致隔墊物的位置偏向像素電極的位置時(shí)，隔墊物不會(huì)因顯示面板受到撞擊而發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，顯示正常，提高了顯示裝置的抗撞擊性。
[0031]實(shí)施例二
[0032]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本實(shí)施例中提供一種液晶顯示面板，如圖7所示，該液晶顯示面板包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板。其中，陣列基板采用實(shí)施例一中的TFT陣列基板。在彩膜基板上形成有隔墊物7，在陣列基板和彩膜基板對(duì)盒準(zhǔn)確時(shí)，隔墊物7與陣列基板的接觸面為T(mén)FTl的表面。[0033]當(dāng)陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)存在的偏差導(dǎo)致隔墊物7的位置偏向像素電極5的位置時(shí)，由于像素電極5靠近TFTl的設(shè)定區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)墊塊6，使得該設(shè)定區(qū)域的表面高度不低于TFTl的的表面高度，因此，在液晶面板受到撞擊時(shí)，隔墊物7不會(huì)發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，顯示正常，提高了顯示裝置的抗撞擊性。
[0034]實(shí)施例三
[0035]本實(shí)施例中提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示面板和背光源。背光源為顯示面板提供用于顯示的面光源，一般為L(zhǎng)ED背光源。其中，顯示面板采用實(shí)施例二中的液晶顯示面板，從而在顯示裝置受到撞擊時(shí)，彩膜基板上的隔墊物也不會(huì)發(fā)生滑動(dòng)，從而不會(huì)對(duì)陣列基板上的取向膜產(chǎn)生摩擦，保證像素單元不會(huì)出現(xiàn)漏光，顯示正常，提高了顯示裝置的抗撞擊性。
[0036]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括交叉設(shè)置的柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由所述柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，還包括至少一個(gè)墊塊，所述墊塊設(shè)置在像素電極靠近薄膜晶體管的設(shè)定區(qū)域內(nèi)，用于抬高所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)像素電極的表面高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，在薄膜晶體管上方形成有鈍化層，在所述鈍化層上形成有鈍化層過(guò)孔，像素電極通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與薄膜晶體管的漏電極電性連接； 所述設(shè)定區(qū)域與柵電極的間隔距離小于所述鈍化層過(guò)孔與柵電極的間隔距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述設(shè)定區(qū)域包括與漏電極具有交疊部分的第一區(qū)域和與漏電極不具有交疊部分的第二區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊設(shè)置在所述第一區(qū)域內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊與柵電極為同層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊設(shè)置在所述第二區(qū)域內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊包括第一墊塊和第二墊塊；所述第一墊塊與柵線(xiàn)為同層結(jié)構(gòu)；所述第二墊塊與數(shù)據(jù)線(xiàn)為同層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊設(shè)置在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述墊塊為條狀結(jié)構(gòu)。
10.一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板或彩膜基板上形成有隔墊物，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板；所述隔墊物與所述TFT陣列基板上的薄膜晶體管位置對(duì)應(yīng)。
11.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1339GK103487997SQ201310451720
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】馬俊才 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司