膜層鋪設裝置及使用該裝置的膜層鋪設方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種膜層鋪設裝置，其包括噴墨器、承載板及加熱器。所述承載板用于承載需要鋪設膜層的基板。所述噴墨器按照預設的噴涂量及步進速率在所述基板上噴涂膜層材料。所述加熱器在噴涂膜層材料的過程中將所述膜層材料加熱至預設溫度范圍以降低膜層材料的表面張力差異而造成的擴散不均。本發(fā)明還提供一種使用該裝置的膜層鋪設方法。
【專利說明】膜層鋪設裝置及使用該裝置的膜層鋪設方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及膜層鋪設技術，尤其涉及一種用于改善膜層均勻性的膜層鋪設裝置及方法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的顯示面板制程中大多是采用噴墨技術將配向膜液體滴在玻璃基板上，再利用配向膜液體自身的表面張力擴散后連接成膜。然而，由于配向膜液體表面張力的差異，會存在擴散不均狀況從而導致配向膜厚度均一性差，影響顯示面板的光學品質。
[0003]因此，需要提供能夠解決上述問題的膜層鋪設裝置及使用該裝置的膜層鋪設方法。

【發(fā)明內容】

[0004]為了解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種膜層鋪設裝置，其包括噴墨器、承載板及加熱器。所述承載板用于承載需要鋪設膜層的基板。所述噴墨器按照預設的噴涂量及步進速率在所述基板上噴涂膜層材料。所述加熱器在噴涂膜層材料的過程中將所述膜層材料加熱至預設溫度范圍以降低膜層材料的表面張力差異而造成的擴散不均。
[0005]其中，所述加熱器設置在承載板內，并通過加熱基板以將熱量傳遞至膜層材料。
[0006]其中，所述噴墨器包括用于收容膜層材料的容置腔及將膜層材料噴射在基板上的噴墨頭。
[0007]其中，所述加熱器還可以設置在噴墨器的容置腔或噴墨頭上以對膜層材料進行直接加熱。
[0008]其中，所述第一基板的顯示區(qū)域上所設置的電極為固化電極。所述固化電極的一端與位于非顯示區(qū)域內的固化電路相連接。另一端延伸至顯示區(qū)域內與液晶分子相接觸。
[0009]其中，所述容置腔沿第一方向延伸并在噴涂過程中沿與第一方向垂直的第二方向平移。所述噴墨頭沿容置腔的延伸方向按預設間隔排列。
[0010]其中，所述容置腔沿第一方向延伸。在噴涂膜層材料的過程中，所述噴墨器保持不動，所述承載板沿與第一方向垂直的第二方向平移。
[0011]其中，所述膜層材料為液晶分子的配向膜材料。
[0012]對應地，本發(fā)明還提供一種膜層鋪設方法，其包括如下步驟:
[0013]提供一基板；
[0014]在所述基板上形成膜層液滴；
[0015]將噴涂在基板上的膜層材料液滴加熱至預設溫度；
[0016]將所述膜層材料液滴在基板上擴散成膜。
[0017]其中，在形成膜層材料液滴前，將所提供的基板進行清洗以減少基板表面的微粒雜質。
[0018]其中，所述預設的溫度位于大于或等于10攝氏度而小于或等于60攝氏度的范圍內。
[0019]本發(fā)明所提供的膜層鋪設裝置及使用該裝置的膜層鋪設方法通過在噴涂膜層材料的過程中將所述膜層材料加熱至預設溫度，從而減少膜層材料分子的表面張力，使得膜層會擴散得更均勻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1是本發(fā)明實施例所提供的膜層鋪設裝置的結構示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明實施例所提供的膜層鋪設方法的步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0024]如圖1所示，本發(fā)明實施例所提供的膜層鋪設裝置I包括噴墨器10、承載板12及加熱器14。所述承載板12用于承載需要鋪設膜層的基板2。所述噴墨器10按照預設的噴涂量及步進速率在基板2上噴上膜層材料3。所述加熱器14在噴涂膜層材料3的過程中將所述膜層材料3加熱至預設溫度范圍，以降低膜層材料3的表面張力差異而造成的擴散不均。在本實施例中，所述膜層材料3為液晶分子的配向膜。所述基板2為透明的玻璃基板。
[0025]所述噴墨器10包括容置腔100及噴墨頭102。所述容置腔100用于收容膜層材料3。所述容置腔100沿第一方向A延伸并在噴涂過程中沿與第一方向A垂直的第二方向B平移。所述噴墨頭102沿容置腔100的延伸方向按預設間隔排列。所述膜層材料3通過噴墨頭102形成液滴后噴落在基板2上。
[0026]所述承載板12為面積大于基板2的平板。所述承載板12可沿所述第二方向B平移。所以，在膜層材料3的噴涂過程中，所述噴墨器10也可以保持不動而沿第二方向B移動承載板12以在基板2上形成膜層材料3的液滴陣列。
[0027]所述加熱器14可以為直接接觸傳熱的電阻絲加熱器、非接觸式的電磁波加熱器、超聲波加熱器或紅外線加熱器。在本實施例中，所述加熱器14設置在承載板12內，并通過加熱基板2以將熱量傳遞至膜層材料3。所述承載板12上還設置有溫度檢測器(圖未示)以對膜層材料3的溫度實行監(jiān)控。
[0028]可以理解的是，在其他可替代的實施例中，所述加熱器14還可以設置在噴墨器10的容置腔100或噴墨頭102上以對膜層材料3進行直接加熱。
[0029]如圖2所示，本發(fā)明實施例所提供的膜層鋪設方法，其包括如下步驟:
[0030]步驟S11，提供一基板2，所述基板2可以為彩色濾光片基板或薄膜晶體管基板。
[0031]步驟S12，清洗所述基板2以減少基板2表面的微粒雜質，進而降低所述微粒雜質對膜層材料3的表面張力分布造成的影響。
[0032]步驟S13，在所述基板2上形成膜層液滴。在本實施例中，所述膜層材料3經(jīng)噴墨頭102形成液滴后呈陣列式分布在所述基板2上。
[0033]步驟S14，將所述基板2上的膜層材料3液滴加熱至預設溫度。根據(jù)關于液體表面張力的哈金斯(Harkins)經(jīng)驗公式:F = M-0.145t_0.00024t2，其中，F(xiàn)為膜層材料3的表面張力，M為膜層材料3的分子間作用力，t為攝氏溫度。所以，膜層材料3的表面張力取決于溫度，且隨溫度升高表面張力會減小，從而使得膜層會擴散得更均勻性。在本實施例中，所述膜層材料3的溫度應控制在大于或等于10攝氏度而小于或等于60攝氏度的范圍內。
[0034]步驟S15，將所述膜層材料3液滴在基板2上擴散成膜，加熱至預設溫度的膜層材料3液滴在表面張力的作用下擴散成膜。
[0035]本發(fā)明所提供的膜層鋪設裝置I及使用該裝置的膜層鋪設方法通過在噴涂膜層材料3的過程中將所述膜層材料3加熱至預設溫度，從而減少膜層材料3分子的表面張力，使得膜層會擴散得更均勻。
[0036]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權利范圍，因此依本發(fā)明權利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種膜層鋪設裝置(I)，其包括噴墨器(10)、承載板(12)及加熱器(14)，所述承載板(12)用于承載需要鋪設膜層的基板(2)，所述噴墨器(10)按照預設的噴涂量及步進速率在所述基板(2)上噴涂膜層材料(3)，所述加熱器(14)在噴涂膜層材料(3)的過程中將所述膜層材料(3)加熱至預設溫度范圍以降低膜層材料(3)的表面張力差異而造成的擴散不均。
2.如權利要求1所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述加熱器(14)設置在承載板(12)內，并通過加熱基板(2)以將熱量傳遞至膜層材料(3)。
3.如權利要求1所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述噴墨器10包括用于收容膜層材料(3)的容置腔(100)及將膜層材料(3)噴射在基板(2)上的噴墨頭(102)。
4.如權利要求3所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述加熱器(14)還可以設置在噴墨器(10)的容置腔(100)或噴墨頭(102)上以對膜層材料(3)進行直接加熱。
5.如權利要求3所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述容置腔(100)沿第一方向(A)延伸并在噴涂過程中沿與第一方向(A)垂直的第二方向(B)平移，所述噴墨頭(102)沿容置腔(100)的延伸方向按預設間隔排列。
6.如權利要求4所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述容置腔(100)沿第一方向(A)延伸，在噴涂膜層材料(3)的過程中，所述噴墨器(10)保持不動，所述承載板12沿與第一方向(A)垂直的第二方向⑶平移。
7.如權利要求1所述的膜層鋪設裝置(I)，其特征在于，所述膜層材料(3)為液晶分子的配向膜材料。
8.—種膜層鋪設方法，其包括如下步驟: 提供一基板⑵； 在所述基板(2)上形成膜層液滴； 將噴涂在基板(2)上的膜層材料(3)液滴加熱至預設溫度； 將所述膜層材料(3)液滴在基板(2)上擴散成膜。
9.如權利要求8所述的膜層鋪設方法，其特征在于，在形成膜層材料(3)液滴前，將所提供的基板(2)進行清洗以減少基板(2)表面的微粒雜質。
10.如權利要求8所述的膜層鋪設方法，其特征在于，所述預設的溫度位于大于或等于10攝氏度而小于或等于60攝氏度的范圍內。
【文檔編號】G02F1/1347GK103439825SQ201310400271
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權日:2013年9月5日
【發(fā)明者】程全 申請人:深圳市華星光電技術有限公司