一種100g高頻模塊的封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種100G高頻模塊的封裝結構，其結構中心對稱，包括8個通道，每個通道結構相同，分為4級，包括：第一級共面波導GCPW、第一級和第二級的過渡結構、第二級同軸線結構、第二級和第三級的過渡結構、第三級共面波導GCPW、第四級高頻Pin腳，高頻信號依次在4級結構中傳輸，從第四級輸出。本發(fā)明的有益效果是，通過設計GCPW結構和同軸線結構，及適當?shù)倪^渡結構和Pin針實現(xiàn)單路傳輸帶寬達到32GHz,8個通道組合完成100Gbps的傳輸速率。實現(xiàn)在有限的空間下通過組合能獲得更高的傳輸速率，結構緊湊，滿足小型化需求。
【專利說明】一種100G高頻模塊的封裝結構

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光通信網(wǎng)絡【技術領域】，尤其涉及一種100G高頻模塊的封裝結構。

【背景技術】
[0002]為滿足當前迅猛增長的光通訊網(wǎng)絡的容量需求，對光通訊的傳輸速率的要求越來越聞，10Gbps的傳輸速率的光通訊廣品也應運而生。在聞速的聞通訊I旲塊的開發(fā)中，對聞頻package的要求也會相應的提高，除了要滿足速率的傳輸要求，對結構的尺寸限制也是非?？量蹋枷Ｍ軐で蟮礁鼮樾⌒?，性能更穩(wěn)定，更經(jīng)濟的解決方案。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明提供一種100G高頻模塊的封裝結構，實現(xiàn)一路滿足32GHz的傳輸帶寬，由八個通道共同完成10GHz信號的帶寬，每一通道的傳輸特性保持一致?？朔松鲜黾夹g中存在的問題。
[0004]本發(fā)明采用以下技術方案來實現(xiàn):一種100G高頻模塊的封裝結構，其結構中心對稱，包括8個通道,每個通道結構相同，分為4級,包括:第一級共面波導GCPW (groundedcoplanar waveguide)、第一級和第二級的過渡結構、第二級同軸線結構、第二級和第三級的過渡結構、第三級共面波導GCPW、第四級高頻Pin腳，高頻信號依次在4級結構中傳輸，從第四級輸出。
[0005]優(yōu)選的，封裝結構分為十層，所述第一級共面波導GCPW、第一級和第二級的過渡結構都分布在第一層板子上，第二級同軸線結構從第一層垂直分布到第十層，第二級和第三級的過渡結構、第三級共面波導GCPW都分布在第十層，第四級高頻Pin腳從第十層引出。
[0006]進一步的，所述第一級和第二級的過渡結構為GCPW結構，所述第二級和第三級的過渡結構為GCPW結構。
[0007]進一步的，所述封裝結構采用HTCC陶瓷材質。
[0008]本發(fā)明的有益效果是，通過設計GCPW結構和同軸線結構，及適當?shù)倪^渡結構和Pin針實現(xiàn)單路傳輸帶寬達到32GHz，8個通道組合完成10Gbps的傳輸速率。實現(xiàn)在有限的空間下通過組合能獲得更高的傳輸速率，結構緊湊，滿足小型化需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明實施例中第一級共面波導GCPW結構示意圖；
圖2為本發(fā)明實施例中第二級同軸線結構結構示意圖；
圖3為本發(fā)明實施例中第三級共面波導GCPW和第四級高頻Pin腳的結構示意圖；
圖4為本發(fā)明實施例的整體結構示意圖；
附圖標號說明:101、第一級共面波導GCPW ;105、第一級和第二級的過渡結構；102、第二級同軸線結構；103、第三級共面波導GCPW;104、第四級高頻Pin腳；106、第二級和第三級的過渡結構；107、PCB板。

【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0011]如圖1至圖3所示，一種100G高頻模塊的封裝結構，其結構中心對稱，包括8個通道，每個通道結構相同，分為4級，包括:第一級共面波導GCPW101、第一級和第二級的過渡結構105、第二級同軸線結構102、第二級和第三級的過渡結構106、第三級共面波導GCPW103、第四級高頻Pin腳104。第一級和第二級的過渡結構105為GCPW結構，所述第二級和第三級的過渡結構106為GCPW結構。
[0012]如圖4所示，封裝結構分為十層，第一級共面波導GCPW101、第一級和第二級的過渡結構105都分布在第一層板子上，第二級同軸線結構102從第一層垂直分布到第十層，第二級和第三級的過渡結構106、第三級共面波導GCPW103分布在第十層，第四級高頻Pin腳104從第十層引出，外接PCB板107。
[0013]高頻信號依次在4級結構中傳輸。單個通道的高頻信號從第一級共面波導GCPfflOl傳輸?shù)降谝患壓偷诙壍倪^渡結構105，然后通過第二級同軸線結構102傳輸?shù)降诙壓偷谌壍倪^渡結構106，然后到共面波導103，最后從高頻Pin針104輸出，傳輸帶寬要達到32GHz。為了滿足傳輸要求，第一級共面波導GCPW101的尺寸受到所選的HTCC陶瓷材質的介電常數(shù)及材料的厚度的限制，同時要與整個光模塊的高頻輸出的位置一一對應。可以根據(jù)光模塊的輸出位置，選擇合適的HTCC陶瓷板材的厚度來確定第一級共面波導GCPfflOl的尺寸，使其滿足帶寬達32GHz。第一級和第二級的過渡結構105的尺寸也受到已選的HTCC陶瓷材質的限制，同時受到第二級同軸線結構102的尺寸的限制。第二級同軸線結構102的尺寸可根據(jù)HTCC陶瓷材質應用同軸線的理論計算方法計算初步結果，然后通過軟件微調內徑和外徑，來使傳輸帶寬達32GHz。第二級和第三級的過渡結構106的尺寸可以根據(jù)第一級和第二級的過渡結構105的尺寸來確定。第三級共面波導GCPW 103的尺寸可以根據(jù)第一級共面波導GCPW 101的尺寸來確定。各個結構的完美銜接，避免了較大的反射，從而獲得很好的傳輸性能，使得傳輸帶寬能滿足32GHz的要求。
[0014]8個通道組合成為整體，構成整個100G package的結構。整體的結構是關于中心對稱的。8個通道的組合原則是，每個通道之間的串擾要小，這樣不會造成傳輸性能變差，組合的輸入端要與光模塊的輸出位置一一對應，組合的輸出端要與外部的使用協(xié)議相一致。這樣才能正常使用的前提下，滿足傳輸速率10Gbps的要求。
[0015]盡管結合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內，在形式上和細節(jié)上對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種10G高頻模塊的封裝結構，其特征在于，其結構中心對稱，包括8個通道，每個通道結構相同，分為4級，包括:第一級共面波導GCPW、第一級和第二級的過渡結構、第二級同軸線結構、第二級和第三級的過渡結構、第三級共面波導GCPW、第四級高頻Pin腳，高頻信號依次在4級結構中傳輸，從第四級輸出。
2.如權利要求1所述的一種100G高頻模塊的封裝結構，其特征在于，封裝結構分為10層，所述第一級共面波導GCPW、第一級和第二級的過渡結構都分布在第一層板子上，第二級同軸線結構從第一層垂直分布到第十層，第二級和第三級的過渡結構、第三級共面波導GCPff都分布在第十層，第四級高頻Pin腳從第十層引出。
3.如權利要求1-2任一項所述的一種100G高頻模塊的封裝結構，其特征在于，所述第一級和第二級的過渡結構為GCPW結構，所述第二級和第三級的過渡結構為GCPW結構。
4.如權利要求3所述的一種100G高頻模塊的封裝結構，其特征在于，該封裝結構采用HTCC陶瓷材質。
【文檔編號】G02B6/42GK104345404SQ201310345305
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月9日 優(yōu)先權日:2013年8月9日
【發(fā)明者】李炎紅, 李偉啟, 王向飛, 翁建斌 申請人:福州高意通訊有限公司