本公開內(nèi)容涉及一種用于光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法和用于實施該方法的系統(tǒng)，該方法運用基于多個過程模型的多個OPC程序。

背景技術(shù)：
運用OPC使在光刻過程中印刷受輻射光的波性質(zhì)影響的光刻形狀成為可能。OPC在待印刷的光刻形狀包括亞光刻特征，即如下特征時特別有用，這些特征具有比最小可印刷孔、線或者間隔物更小的尺度。在本領(lǐng)域中已知的OPC方法通常運用對整個設(shè)計布局運用相同參數(shù)集合的單個OPC程序。在OPC程序中的參數(shù)集合例如包括片段和迭代數(shù)目。另外，在本領(lǐng)域中已知的OPC方法運用單個過程模型，該單個過程模型被應(yīng)用于整個設(shè)計布局。單個過程模型包括單個抗蝕劑模型。因此，在本領(lǐng)域中已知的OPC方法無論設(shè)計布局內(nèi)的各種圖案的靈敏度如何都運用相同OPC程序。另外，由于抗蝕劑顯影特性和橫截面形狀在與光刻劑量和聚焦深度的不同集合對應(yīng)的不同過程條件中并不相同，所以運用單個抗蝕劑模型的單個過程模型不代表整個過程變化范圍。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
標記層放置于設(shè)計布局的如下區(qū)域中，在這些區(qū)域中，圖像斜率小于臨界圖像斜率或者周長與面積之比小于臨界周長與面積之比?？梢酝ㄟ^對其中誤差均值和/或誤差均方根(RMS)超過閾值的過程條件子集進行分組來生成包括多個抗蝕劑模型的多光學(xué)鄰近校正(OPC)。使用運用至少一個非標準抗蝕劑模型的嚴格OPC來處理用標記層標記的區(qū)域，而用不及至少一個非標準抗蝕劑模型嚴格的標準OPC程序處理布局的未標記區(qū)域。此外，可以在布局剪輯之間比較邊數(shù)和區(qū)域圖像對比度以確定用于邊數(shù)和區(qū)域圖像對比度的閾值，這些閾值可以用來針對每個布局剪輯確定是否需要多OPC。根據(jù)本公開內(nèi)容的一個方面，提供一種對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的方法。該方法包括：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯，其中至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯，確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足用于將選擇的設(shè)計剪輯分類為包括至少一個復(fù)雜設(shè)計特征的預(yù)定標準；針對被標識為滿足預(yù)定標準的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定標準的區(qū)域；以及用OPC程序?qū)ξ从脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少另一OPC程序?qū)τ脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC。根據(jù)本公開內(nèi)容的另一方面，提供一種對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的方法。該方法包括：針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射；將來自設(shè)計布局的多個設(shè)計剪輯排序到多個倉中，其中每個倉包括用于周長與面積之比的值的非重疊范圍；針對從多個倉選擇的每個倉，對于選擇的倉內(nèi)的設(shè)計剪輯確定用于至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)的閾值，其中該閾值表征其中設(shè)計形狀的橋接或者夾斷不存在空白的設(shè)計剪輯；針對每個選擇的倉，將設(shè)計剪輯分類為第一設(shè)計剪輯和包括除了第一設(shè)計剪輯之外的所有其他設(shè)計剪輯的第二設(shè)計剪輯，該第一設(shè)計剪輯針對至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)具有代表比對應(yīng)閾值更小的復(fù)雜度的值；以及用第一OPC程序?qū)Φ谝辉O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC，并且用與該OPC程序不同的至少一個第二OPC程序?qū)Φ诙O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一方面，提供一種標識具有不同設(shè)計復(fù)雜度水平的方法。該方法包括：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯，其中至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯，確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足預(yù)定標準，該預(yù)定標準包括以下至少一個：選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比和選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率；針對滿足標準的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定標準的每個區(qū)域；將用標記層標記的區(qū)域分類為第一區(qū)域集合，并且將未周標記層標記的區(qū)域分類為第二區(qū)域集合；以及在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲標識第一區(qū)域集合和第二區(qū)域集合中的至少一個區(qū)域集合的數(shù)據(jù)。根據(jù)本公開內(nèi)容的再一方面，提供一種于對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括計算機裝置和非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。計算裝置包括被配置用于運行自動化程序的處理器和存儲器，該自動化程序包括以下步驟：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯，其中至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯，確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足用于將選擇的設(shè)計剪輯分類為包括至少一個復(fù)雜設(shè)計特征的預(yù)定標準；針對被標識為滿足預(yù)定標準的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定標準的區(qū)域；用OPC程序?qū)ξ从脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少另一OPC程序?qū)τ脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC；以及在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲代表用OPC程序執(zhí)行OPC和用至少另一OPC程序執(zhí)行OPC的結(jié)果的數(shù)據(jù)。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一方面，提供一種用于對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括計算機裝置和非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。計算裝置包括被配置用于運行自動化程序的處理器和存儲器，該自動化程序包括以下步驟：針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射；將來自設(shè)計布局的多個設(shè)計剪輯排序到多個倉中，其中每個倉包括用于周長與面積之比的值的非重疊范圍；針對從多個倉選擇的每個倉，對于選擇的倉內(nèi)的設(shè)計剪輯確定用于至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)的閾值，其中該閾值表征在其中設(shè)計形狀的橋接或者夾斷不存在空白的設(shè)計剪輯；針對每個選擇的倉，將設(shè)計剪輯分類為第一設(shè)計剪輯和包括除了第一設(shè)計剪輯之外的所有其他設(shè)計剪輯的第二設(shè)計剪輯，該第一設(shè)計剪輯針對至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)具有代表比對應(yīng)閾值更小的復(fù)雜度的值；用第一OPC程序?qū)Φ谝辉O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC，并且周與OPC程序不同的至少一個第二OPC程序?qū)Φ诙O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC；以及在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲代表用OPC程序執(zhí)行OPC和用至少另一OPC程序執(zhí)行OPC的結(jié)果的數(shù)據(jù)。附圖說明圖1是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的將多個OPC程序應(yīng)用于設(shè)計布局的方法的流程圖。圖2是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的用標記層標記的示例區(qū)域集合的示意圖。圖3A是圖示在區(qū)域圖像斜率與臨界尺度之間的相關(guān)性有效性的第一示例直方圖。圖3B是圖示在區(qū)域圖像斜率與臨界尺度之間的相關(guān)性有效性的第二示例直方圖。圖4A是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的高周長與面積之比的示例設(shè)計剪輯。圖4B是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的低周長與面積之比的示例設(shè)計剪輯。圖5是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的針對來自設(shè)計布局的每個設(shè)計剪輯確定標記層的方法的流程圖。圖6A是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的其中標識初始標記層的示例設(shè)計剪輯。圖6B是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的其中已經(jīng)調(diào)整標記層的示例設(shè)計剪輯。圖7是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的生成將在過程模型中運用的多個抗蝕劑模型的方法的流程圖。圖8是圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的對可以從應(yīng)用多個OPC程序中受益的設(shè)計剪輯進行排序的方法的流程圖。圖9A-9J是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的設(shè)計剪輯的各種例子。圖10A-10J是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的設(shè)計剪輯的仿真區(qū)域圖像的各種例子。圖11A-11J分別是圖9A-9J的設(shè)計剪輯的各種例子以及根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的在每個對應(yīng)設(shè)計剪輯的頂部標注的在每個設(shè)計布局內(nèi)的區(qū)域圖像對比度和邊數(shù)。圖12圖示用于對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的示例系統(tǒng)。具體實施方式如上文所言，本公開內(nèi)容涉及現(xiàn)在參照附圖具體描述的一種用于光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法和用于實施該方法的系統(tǒng)，該方法運用基于多個過程模型的多個OPC程序。這里提到和在附圖中圖示的相同和對應(yīng)單元由相同標號指代。附圖未必按比例繪制。如這里所用，“設(shè)計剪輯(designclip)”指代用于半導(dǎo)體芯片的設(shè)計布局的比整個設(shè)計布局更小的子集。如這里所用，“光刻過程模型”或者“過程模型”是如下方程集合，首先使用光學(xué)模型來數(shù)值計算這些方程以提取通過用單色光并且經(jīng)由透鏡和/或鏡面系統(tǒng)照射的光刻掩模所產(chǎn)生的衍射的成像在晶片表面上產(chǎn)生的光強度分布，并且其次使用光阻劑模型來數(shù)值計算這些方程以根據(jù)該圖像強度分布計算在光阻劑材料對在某個閾值以上的圖像光強度在化學(xué)上做出反應(yīng)以根據(jù)光阻劑極性變成對顯影劑溶劑可溶或者不可溶、并且隨后用所述顯影劑溶劑清洗之后的剩余光阻劑形貌。如這里所用，“光學(xué)模型”指代光刻過程模型內(nèi)的模型并且包含如下方程集合，這些方程描述照射和來自光刻掩模的衍射以及所述衍射的光經(jīng)過光刻掃描儀透鏡系統(tǒng)向光阻劑膜上的傳播和成像。光學(xué)模型計算空間圖像(aerialimage)在晶片平面的強度分布。可以通過運用光刻掩模上的形狀、照射源的配置和光學(xué)透鏡系統(tǒng)的從步進器/掃描儀修正的其他參數(shù)來實現(xiàn)計算空間圖像在晶片平面的強度分布。如這里所用，“主要特征模型”、“主要特征過程模型”、“主要特征光刻過程模型”、“光學(xué)鄰近校正模型”或者“OPC模型”指代預(yù)測與主要特征存在于光刻掩模的布局內(nèi)對應(yīng)的光阻劑輪廓的光刻過程模型。主要特征模型預(yù)測如從俯視圖所見的在光阻劑形貌的單個平面或者高度的光阻劑輪廓?？梢栽谌酒嫒莨鈱W(xué)鄰近校正算法中使用主要特征模型。主要特征模型可以與全芯片比例的仿真相兼容。主要特征模型可以被校準以用于并且目標在于預(yù)測由于布局的可溶特征所致的光阻劑輪廓。如這里所用，“光學(xué)模型參數(shù)”指代光學(xué)模型中的參數(shù)。計算在光阻劑層以內(nèi)的圖像強度需要關(guān)于最佳焦平面的位置的信息。此外，為了計算臨界尺度值或者光阻劑輪廓，仿真器需要知道在光阻劑層中的哪個高度以計算二維圖像，即將哪個水平平面運用作為圖像平面。如這里所用，“光阻劑模型”或者“抗蝕劑模型”指代如下方程或者方程集合，該方程描述在任何光刻過程模型中用圖像曝光和用顯影劑溶液顯影之后的最終光阻劑形貌輪廓。光阻劑模型預(yù)測光阻劑的物理結(jié)構(gòu)。根據(jù)光阻劑對曝光和顯影過程的化學(xué)響應(yīng)的物理機械描述來推導(dǎo)光阻劑模型。在本公開內(nèi)容的一個實施例中，可以運用光阻劑模型以用預(yù)定義的基函數(shù)的集合對作為用于光阻劑模型的輸入而取得的空間圖像執(zhí)行運算。這些基函數(shù)可以使用先前已經(jīng)校準的參數(shù)。每個操作可以例如是以在空間圖像的每點在空間圖像與高斯函數(shù)之間執(zhí)行卷積的形式，其中先前已經(jīng)在校準期間確定高斯函數(shù)的標準偏差。此后根據(jù)預(yù)定義的多項式方程將來自所述運算的所有結(jié)果組合在一起。這一多項式的每項是與先前也已經(jīng)校準的系數(shù)相乘的、使用那些基函數(shù)對空間圖像執(zhí)行的運算之一的結(jié)果。將這一多項式應(yīng)用于空間圖像的最終結(jié)果是如下代表顯影的光阻劑形貌的俯視圖的輪廓的集合。如這里所用，“聚焦深度”或者“焦距”指代晶片臺在光刻曝光期間的高度。可以相對于最佳焦平面的平面定義焦距，該最佳焦平面是晶片臺在掃描儀中的如下高度，圖像并且因此光阻劑輪廓在該高度最清晰。如這里所用，“劑量”指代在晶片上的光阻劑之上暴露的能量數(shù)量，而能量是曝光時間的函數(shù)(即能量＝強度×?xí)r間)?？梢韵鄬τ谌缦伦罴褎┝康闹刀x劑量，光阻劑線寬在該最佳劑量處等于目標線寬值。光刻過程可以由焦距與劑量的組合表征。這一組合也稱為“焦距和劑量條件”、“曝光焦距和劑量條件”或者“光刻曝光和劑量條件”。如這里所用，“標稱劑量和聚焦條件”指代已知對于在光阻劑層上重復(fù)來自光刻掩模的既定圖案這樣的目的而言最優(yōu)的標稱劑量與標稱焦距的組合。如這里所用，可以定義“區(qū)域圖像對比度”為在設(shè)計剪輯內(nèi)的每個像素的強度與強度的區(qū)域平均值之間差值的平方之和的平均值。在設(shè)計剪輯內(nèi)的每個像素執(zhí)行差值的計算和平均值的計算。換而言之，對比度由下式給出：其中I(x，y)是如由光學(xué)模型生成的設(shè)計剪輯的強度函數(shù)，并且ave[I(x，y)]是強度函數(shù)在設(shè)計剪輯內(nèi)取得的數(shù)學(xué)平均值。如這里所用，“橋接(bridging)”指代在用于顯影圖像的仿真中將兩個相異和不相交設(shè)計形狀合并成單個形狀。如這里所用，“夾斷(pinching)”指代在用于顯影圖像的仿真中將單個設(shè)計形狀的細分節(jié)拆分成兩個不相交形狀。如這里所用，如果比如橋接或者夾斷的特征不存在、但是可以通過過程參數(shù)的無窮小改變來再現(xiàn)，則特征是“不存在空白”。例如，在光阻劑顯影過程或者蝕刻過程中，轉(zhuǎn)變階段可以存在，其中過程開始在再現(xiàn)特征時即在如原先既定的那樣分辨圖案時失敗。在這一情況下，未再現(xiàn)的、但是可以用過程參數(shù)的無窮小改變來再現(xiàn)的特征稱為不存在空白。過程性能在轉(zhuǎn)變階段中高度地非線性，并且模型往往在轉(zhuǎn)變階段中變得不準確。如這里所用，“單位格尺度”是運用于設(shè)計的格的單位尺度。參照圖1，流程圖圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的將多個光學(xué)鄰近校正程序應(yīng)用于設(shè)計布局的方法。參照步驟10，標識設(shè)計布局中的滿足標準的圖案和/或區(qū)域。標準是圖像斜率小于用于圖像斜率的閾值這樣的第一條件與周長與面積之比大于用于周長與面積之比的閾值這樣的第二條件的邏輯“或”(OR)組合。用標記層標記滿足標準的區(qū)域和/或包括滿足標準的圖案的區(qū)域。參照圖2，示意圖圖示用標記層標記的示例區(qū)域(陰影區(qū)域)集合。隨后針對用標記層標記的區(qū)域運行與針對未用標記層標記的區(qū)域不同的光學(xué)鄰近校正(OPC)程序。具體而言，將提供更廣泛的和計算密集的校正的嚴格OPC程序應(yīng)用于用標記層標記的區(qū)域，而將提供更少廣泛的和計算高效的校正的簡單OPC程序應(yīng)用于未用標記層標記的區(qū)域。參照圖1的步驟20，運用嚴格OPC，即運用對用于光刻曝光和顯影過程的過程窗的更廣泛評估的OPC，以向設(shè)計布局中的在標記層以下的特征提供OPC。嚴格OPC可以運用多個抗蝕劑模型和至少一個嚴格OPC參數(shù)(即更小片段(用于在設(shè)計布局中應(yīng)用OPC校正的單位面積)和/或用于OPC運行的增加迭代數(shù)目)。參照步驟30，在設(shè)計布局的其余部分中，即在設(shè)計布局的未被標記層覆蓋的部分中，運行簡單OPC程序。簡單OPC可以運用單個抗蝕劑模型和標準OPC參數(shù)集合，即標準尺寸的片段和用于OPC運行的標準迭代數(shù)目。在一個實施例中，簡單OPC可以運用寬松的OPC參數(shù)集合，即更大尺寸的片段和用于OPC運行的減少迭代數(shù)目。可以運用圖1中所示方法以標識具有不同設(shè)計復(fù)雜度水平的區(qū)域。另外，可以運用圖1中所示方法以運用與不同設(shè)計復(fù)雜度水平對應(yīng)的多個OPC程序?qū)υO(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正。在一個實施例中，可以通過人工或者運用如下自動化系統(tǒng)執(zhí)行系列步驟來實施圖1的方法，該自動化系統(tǒng)包括計算裝置和非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其中計算裝置包括被配置用于運行自動化程序的處理器和存儲器?？梢员贿\用以標識具有不同設(shè)計復(fù)雜度水平的區(qū)域的系列步驟可以例如包括步驟：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯使得至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足預(yù)定標準，該預(yù)定標準包括選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比、以及選擇的設(shè)計剪輯是否包括其中區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率的測量部位中的至少一個；針對滿足標準的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定條件的每個區(qū)域；將用標記層標記的區(qū)域分類為第一區(qū)域集合并且將未用標記層標記的區(qū)域分類為第二區(qū)域集合；以及在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲用于標識第一區(qū)域集合和第二區(qū)域集合中的至少一個區(qū)域集合的數(shù)據(jù)?？梢员贿\用以運用與不同設(shè)計復(fù)雜度水平對應(yīng)的多個OPC程序?qū)υO(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的系列步驟可以例如包括步驟：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯使得至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足用于將選擇的設(shè)計剪輯分類為包括至少一個復(fù)雜設(shè)計特征的預(yù)定標準；針對被標識為滿足預(yù)定條件的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定條件的區(qū)域；以及用OPC程序?qū)ξ从脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC并且用與OPC程序不同的至少另一OPC程序?qū)τ脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC。可以例如通過將設(shè)計布局劃分成多個設(shè)計剪輯來實現(xiàn)從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯使得至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集?？梢曰诜奖阈浴⒂糜诜治雒總€設(shè)計剪輯的分析程序的能力和/或用于運行分析程序的計算裝置的能力確定每個設(shè)計剪輯的尺寸。在一個實施例中，可以將設(shè)計布局劃分成相等尺寸的設(shè)計布局。在另一實施例中，可以將設(shè)計布局劃分成設(shè)計布局使得每個設(shè)計布局包括近似相同數(shù)目的設(shè)計特征(例如邊、拐角、相異形狀等)。也可以運用將設(shè)計布局劃分成設(shè)計剪輯的任何其他方法。在本公開內(nèi)容的實施例中運用的參數(shù)之一是區(qū)域圖像斜率。區(qū)域圖像斜率是針對與設(shè)計剪輯對應(yīng)的仿真強度分布而測量的區(qū)域圖像強度二維梯度的量值。參照圖3A和3B，針對兩個樣本布局中的設(shè)計形狀集合示出在測量的臨界尺度(比如最小尺寸的可印刷接觸孔的直徑、可印刷線的最小寬度、在兩個可印刷線之間的最小間距)與對應(yīng)區(qū)域圖像斜率之間的相關(guān)性系數(shù)。在測量的臨界尺度與對應(yīng)區(qū)域圖像斜率之間的相關(guān)性系數(shù)是比在測量的臨界尺度與區(qū)域圖像中的強度最大值、強度最小值和曲率(稱為“因子”)中的每個因子之間的其他相關(guān)性系數(shù)更大的數(shù)量級。因此，圖3A和3B圖示在區(qū)域圖像斜率與臨界尺度之間的相關(guān)性有效性。在本公開內(nèi)容的實施例中運用的參數(shù)中的另一參數(shù)是周長與面積之比。周長與面積之比是在設(shè)計剪輯內(nèi)的所有設(shè)計形狀的周界長度之和與設(shè)計剪輯的面積之比。圖4A圖示高周長與面積之比，并且圖4B圖示低周長與面積之比。參照圖5，流程圖圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的針對來自設(shè)計布局的每個設(shè)計剪輯確定標記層的示例方法。圖5的流程圖包括可以被運用以執(zhí)行以下步驟的示例步驟：向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯，確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足預(yù)定標準；并且針對滿足標準的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定條件的每個區(qū)域。另外，圖5的流程圖包括可以被運用以執(zhí)行以下步驟的示例步驟：向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯，確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足用于將選擇的設(shè)計剪輯分類為包括至少一個復(fù)雜設(shè)計特征的預(yù)定標準；并且針對被標識為滿足預(yù)定條件的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定條件的區(qū)域。在一個實施例中，預(yù)定標準可以包括以下標準的至少一個：選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比、以及選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率。在一個實施例中，預(yù)定標準可以包括以下標準中的一個標準或者邏輯組合：選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比；以及選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率。如這里所用，至少一個條件的邏輯組合包括與至少一個條件中的任何條件恒等、要求同時滿足至少一個條件中的兩個或者更多條件的“與”(AND)組合、以及要求備選地滿足至少一個條件中的兩個或者更多條件的“或”組合、或者至少一個“與”組合與至少一個“或”組合的任何派生組合。在一個實施例中，預(yù)定標準包括選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比的邏輯組合。在一個實施例中，預(yù)定標準可以包括選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位的邏輯組合，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率。在一個實施例中，預(yù)定標準是選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比、或者選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率。盡管圖5的流程圖代表其中預(yù)定標準是選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比、或者選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位的一個實施例，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以構(gòu)造圖5的流程圖的變化，這些變化代表如上文討論的預(yù)定標準的實施例變化。參照步驟510，選擇來自設(shè)計布局的設(shè)計剪輯。參照步驟520，在選擇的設(shè)計剪輯內(nèi)定義測量部位?？梢赃\用任何如下算法來選擇測量部位，只要受到不良印刷的選擇的設(shè)計布局的敏感區(qū)域被系統(tǒng)地表示。在非限制例子中，可以從存在于選擇的設(shè)計剪輯內(nèi)的各種設(shè)計形狀的周界選擇測量部位。在圖6A和6B中圖示測量部位選擇的例子，其中“x”標記代表測量部位。參照步驟530，計算設(shè)計剪輯的周長與面積之比。具體而言，計算在設(shè)計剪輯內(nèi)的全部周界的長度并且將該長度除以剪輯的面積以生成設(shè)計剪輯的周長與面積之比。另外，在每個測量部位計算區(qū)域圖像(AI)斜率。可以例如通過對設(shè)計剪輯運行光學(xué)模型以生成仿真強度分布、并且通過計算仿真強度分布的二維梯度在每個測量部位的量值來在每個測量部位計算AI斜率。AI斜率是仿真強度分布的二維梯度的量值。存儲用于在每個測量部位的AI斜率的值的集合用于在后續(xù)步驟中比較。參照步驟545，將設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)與閾值周長與面積之比(PAR_Th)進行比較，該PAR_Th是執(zhí)行圖5的方法的人員提供的或者作為用于將在計算裝置上運行的自動化程序的程序參數(shù)之一而提供的預(yù)定數(shù)量。另外，將如在每個測量部位確定的AI斜率與閾值區(qū)域圖像斜率(Slope_Th)進行比較，該Slope_Th是執(zhí)行圖5的方法的人員提供的或者作為用于將在計算裝置上運行的自動化程序的程序參數(shù)之一而提供的預(yù)定數(shù)量。如果在所有測量部位，設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)不大于閾值周長與面積之比(PAR_Th)，并且AI斜率不小于閾值區(qū)域圖像斜率(Slope_Th)，則過程流程進行到步驟580。在這一情況下，在選擇的設(shè)計剪輯內(nèi)無如下測量部位，在該測量部位處的AI斜率小于閾值區(qū)域圖像斜率。因此，設(shè)計剪輯的仿真圖像在每個測量部位具有清晰對比度。另外，設(shè)計剪輯具有用于在設(shè)計剪輯中的設(shè)計形狀的比與閾值周長與面積之比對應(yīng)的總周界長度更小的總周界長度。預(yù)計這樣的設(shè)計剪輯印刷無問題。無需標記層用于這一設(shè)計剪輯。如果在任何測量部位，設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)大于閾值周長與面積之比(PAR_Th)，或者AI斜率小于閾值區(qū)域圖像斜率(Slope_Th)，則過程流程進行步驟550。如在步驟550初始提供的，標記層可以涵蓋整個設(shè)計剪輯或者可以包括如下的至少一個測量部位，在該測量部位處的AI斜率小于閾值區(qū)域圖像斜率。參照步驟555，分析用于所有測量部位的設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)和AI斜率集合以確定是否滿足標準。標準是在所有測量部位，設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)是否大于閾值周長與面積之比(PAR_Th)、或者AI斜率是否小于閾值區(qū)域圖像斜率(Slope_Th)。如果滿足這一標準，則過程流程進行到步驟570，在該步驟，設(shè)置標記層以涵蓋整個設(shè)計剪輯。如果未滿足步驟555的標準，則過程流程可以進行到步驟560。針對每個測量部位，標準是設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)是否大于閾值周長與面積之比(PAR_Th)或者對應(yīng)AI斜率是否小于閾值區(qū)域圖像斜率(Slope_Th)的邏輯“或”組合。由于設(shè)計剪輯的周長與面積之比(PAR)在步驟560不大于閾值周長與面積之比(否則，過程流程將已經(jīng)進行到步驟570)，所以僅需分析區(qū)域圖像斜率。在步驟560，移動如在步驟550提供的標記層的邊以包括如下所有測量部位，在該測量部位處滿足AI_Slope＜Slope_Th這一標準，并且未包括其中未滿足AI_Slope＜Slope_Th這一標準的任何測量部位。圖6A和6B圖示在設(shè)計剪輯中移動移動標記層?？梢栽诓襟E560如圖6B中所示的那樣移動圖6A中所示并且在步驟550生成的初始標記層。一般而言，針對被標識為包括滿足預(yù)定條件的至少一個測量點的每個選擇的設(shè)計剪輯，可以移動標記層以包括選擇的設(shè)計剪輯內(nèi)的滿足預(yù)定條件的所有測量部位?？梢詮臉擞泴优懦粷M足預(yù)定條件的所有測量部位。在一個實施例中，可以變更選擇的設(shè)計剪輯的尺寸。例如，如果標記層延伸至設(shè)計剪輯的邊，則可以通過在相同設(shè)計布局內(nèi)并入至少另一設(shè)計剪輯的部分來延伸設(shè)計剪輯?？梢哉{(diào)整該至少另一設(shè)計剪輯以解決向設(shè)計剪輯中并入該部分。圖5的流程圖的方法或者圖5的流程圖的任何變化的方法可以應(yīng)用于每個選擇的設(shè)計剪輯直至處理了所有設(shè)計剪輯。為了標識具有不同設(shè)計復(fù)雜度水平的區(qū)域，可以執(zhí)行附加步驟。例如，可以將用標記層標記的區(qū)域分類為第一區(qū)域集合，并且可以將未用標記層標記的區(qū)域分類為第二區(qū)域集合。另外，可以隨后在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲標識第一區(qū)域集合和第二區(qū)域集合中的至少一個區(qū)域集合的數(shù)據(jù)?？梢赃\用多個OPC程序?qū)υO(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正。例如，可以用OPC程序?qū)ξ从脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC，并且用與該OPC程序不同的至少另一OPC程序?qū)τ脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC。將要應(yīng)用于設(shè)計布局的多個OPC程序包括與圖1的簡單OPC程序?qū)?yīng)的OPC程序、以及與圖1的嚴格OPC程序共同對應(yīng)的至少另一OPC程序。可以例如通過在光學(xué)模型預(yù)測值和與劑量和聚焦深度條件的多個組合對應(yīng)的測量數(shù)據(jù)之間比較臨界尺度來生成多個OPC程序。在一個實施例中，可以從與標準(標稱)劑量和聚焦深度條件對應(yīng)的組合生成與圖1的簡單OPC程序?qū)?yīng)的OPC程序，并且可以從與至少一個非標準劑量和聚焦深度條件對應(yīng)的至少另一組合生成與圖1的嚴格OPC程序?qū)?yīng)的至少另一OPC程序。參照圖7，圖示生成將在過程模型中運用的多個抗蝕劑模型的方法。參照步驟710，可以使用劑量和聚焦深度條件的各種組合來校準過程窗(PW)模型?？梢葬槍┝亢途劢股疃葪l件的每個組合計算用于測量PW模型的準確度的度量。例如，可以針對劑量和聚焦深度條件的每個組合計算誤差均值和誤差均方根(RMS)。誤差均值是在如在光刻暴露和顯影的光阻劑層上測量的臨界度量的平均值與如光學(xué)模型針對劑量和聚焦深度條件的組合提供的對應(yīng)光學(xué)模型預(yù)測值之間的差值。誤差RMS是針對劑量和聚焦深度條件的組合用于如在光刻曝光和顯影的光阻劑層上測量的臨界尺度的各種測量數(shù)據(jù)的均方根偏差。在一個實施例中，可以針對多個組合中的每個組合生成在光學(xué)模型預(yù)測值與測量數(shù)據(jù)之間的誤差均值和誤差均方根(RMS)。隨后標識多個組合的子集，這些子集具有絕對值超過預(yù)定義閾值誤差均值絕對值的誤差均值或者超過預(yù)定義閾值誤差RMS值的誤差RMS。將子集分類成對于誤差均值和誤差RMS具有非重疊范圍的類別。表1示出標識多個組合的如下子集，這些子集具有其絕對值超過預(yù)定義的閾值誤差均值絕對值的誤差均值或者超過預(yù)定義的閾值誤差RMS值的誤差RMS。表1.示例劑量和聚焦深度條件以及對應(yīng)誤差均值和誤差RMS在表1中，可以選擇在其中誤差均值的絕對值不大于1.0nm并且誤差RMS不大于2.0nm的條件以生成可以被運用于標準OPC程序的標準抗蝕劑模型?？梢赃x擇在其中誤差均值的絕對值大于1.0nm或者誤差RMS大于2.0nm的條件以生成可以被運用于嚴格OPC程序(即與標準OPC程序不同的至少另一OPC程序)的非標準抗蝕劑模型。在這一例子中，條件2、3、5、11、14、15、21、22和23被運用以生成非標準抗蝕劑模型?？梢詫Χ鄠€組合的如下子集歸類，這些子集具有其絕對值超過預(yù)定義的閾值誤差均值絕對值的誤差均值或者超過預(yù)定義的閾值誤差RMS值的誤差RMS。這樣的子集包括條件2、3、5、11、14、15、21、22和23。第一類別包括在其中誤差均值在0與1.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS大于2.0nm的條件2、3和15。第二類別包括在其中誤差均值在-2.0nm與-1.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS小于2.0nm的條件5。第三類別包括在其中誤差均值在-1.0nm與0.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS大于2.0nm的條件11。第四類別包括在其中誤差均值在-2.0nm與-1.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS大于2.0nm的條件14。第五類別包括在其中誤差均值在1.0nm與2.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS小于2.0nm的條件21。第六類別包括在其中誤差均值在1.0nm與2.0nm之間并且對應(yīng)誤差RMS大于2.0nm的條件22和23。可以針對每個類別構(gòu)造抗蝕劑模型，并且可以運用該抗蝕劑模型以生成比標準OPC程序更嚴格的多個非標準OPC程序。例如，非標準OPC參數(shù)的程序可以包括用于片段的減小尺寸和/或在完成校正過程之前的增加的迭代循環(huán)數(shù)目。一般而言，可以針對每個類別生成不同抗蝕劑模型。至少另一OPC程序中的每個OPC程序可以包括這樣生成的抗蝕劑模型之一。參照圖8，流程圖圖示根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的對可以從應(yīng)用多個OPC程序中受益的設(shè)計剪輯進行排序的方法?？梢赃\用圖8的流程圖的方法以對設(shè)計剪輯執(zhí)行光學(xué)鄰近校正。該方法可以例如包括：針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射；將來自設(shè)計布局的多個設(shè)計剪輯排序到多個倉中，其中每個倉包括用于周長與面積之比的值的非重疊范圍；針對從多個倉選擇的每個倉，對于選擇的倉內(nèi)的設(shè)計剪輯確定用于至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)的閾值，其中閾值表征在其中設(shè)計形狀的橋接或者夾斷不存在空白的設(shè)計剪輯；針對每個選擇的倉，將設(shè)計剪輯分類為第一設(shè)計剪輯和包括除了第一設(shè)計剪輯之外的所有其他設(shè)計剪輯的第二設(shè)計剪輯，該第一設(shè)計剪輯針對至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)具有代表比對應(yīng)閾值更低的復(fù)雜度的值；以及用第一OPC程序?qū)Φ谝辉O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少一個第二OPC程序?qū)Φ诙O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC。在一個實施例中，至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)可以包括從對應(yīng)設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度推導(dǎo)的統(tǒng)計數(shù)量。在一個實施例中，至少一個設(shè)計布局復(fù)雜度參數(shù)包括通過將在對應(yīng)設(shè)計剪輯中的總邊數(shù)除以對應(yīng)設(shè)計剪輯的總面積來定義的邊數(shù)密度。在一個實施例中，至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)可以包括：從對應(yīng)設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度推導(dǎo)的統(tǒng)計數(shù)量；以及通過在對應(yīng)設(shè)計剪輯中的總邊數(shù)定義除以對應(yīng)設(shè)計剪輯的總面積來定義的邊數(shù)密度。在又一實施例中，可以與圖1的方法結(jié)合運用圖8中所示方法或者圖8的方法的變化使得先執(zhí)行圖8的方法(或者其變化)并且接著執(zhí)行圖1的方法?？梢栽趫D8和圖1的方法的依次應(yīng)用中運用相同設(shè)計布局，并且可以運用圖8的方法(或者其變化)的第二設(shè)計剪輯作為圖1的至少一個設(shè)計剪輯，并且圖8的至少一個第二OPC程序可以包括圖1的OPC程序和至少另一OPC程序。盡管8的流程圖代表在其中至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)包括對應(yīng)設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度和邊數(shù)密度的一個實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以構(gòu)造圖8的流程圖的變化，這些變化代表如上文討論的至少一個布局密度參數(shù)的實施例變化?？梢赃\用用于對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)來實施圖8的流程圖的方法或者其任何變化。該系統(tǒng)可以包括計算裝置和非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。計算裝置包括被配置用于運行自動化程序的處理器和存儲器，該自動化程序包括以下步驟：針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射；將來自設(shè)計布局的多個設(shè)計剪輯排序到多個倉中，其中每個倉包括用于周長與面積之比的值的非重疊范圍；針對從多個倉選擇的每個倉，對于選擇的倉內(nèi)的設(shè)計剪輯確定用于至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)的閾值，其中閾值表征在其中設(shè)計形狀的橋接或者夾斷不存在空白的設(shè)計剪輯；以及針對每個選擇的倉，將設(shè)計剪輯分類為第一設(shè)計剪輯和包括除了第一設(shè)計剪輯之外的所有其他設(shè)計剪輯的第二設(shè)計剪輯，該第一設(shè)計剪輯針對至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)具有代表比對應(yīng)閾值更低的復(fù)雜度的值；用第一OPC程序?qū)Φ谝辉O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少一個第二OPC程序?qū)Φ诙O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC；并且在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲代表用OPC程序執(zhí)行OPC和用至少另一OPC程序執(zhí)行OPC的結(jié)果的數(shù)據(jù)。參照步驟810，提供設(shè)計布局。參照步驟820，針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射。在一個實施例中，可以針對設(shè)計布局生成網(wǎng)，并且針對網(wǎng)的每個交點計算周長與面積之比。在一個實施例中，可以運用以在其中執(zhí)行計算的交點為中心的預(yù)定形狀和尺寸的區(qū)域來計算周長與面積之比。在一個實施例中，每個網(wǎng)段的尺寸可以比設(shè)計布局的格尺寸大至少一個數(shù)量級。按照步驟830，通過劃分設(shè)計布局來生成設(shè)計剪輯?？梢栽O(shè)置設(shè)計剪輯的尺寸使得每個設(shè)計剪輯包括網(wǎng)的至少一個交點。在一個實施例中，每個設(shè)計剪輯包括網(wǎng)的多個交點。針對每個設(shè)計剪輯，可以通過計算設(shè)計剪輯內(nèi)的所有周長與面積之比的數(shù)學(xué)平均值來生成用于設(shè)計剪輯的平均周長與面積之比。然后基于用于設(shè)計剪輯的平均周長與面積之比在倉中分布設(shè)計剪輯。每個倉具有相對于其他倉的用于周長與面積之比的值的非重疊范圍。參照步驟840，一次選擇一個倉用于分析，在后續(xù)步驟，即步驟850、860和870中，分析選擇的倉中的所有設(shè)計剪輯。參照步驟850，在每個設(shè)計剪輯內(nèi)計算邊數(shù)密度。邊數(shù)密度通過設(shè)計剪輯中的總邊數(shù)除以對應(yīng)設(shè)計剪輯的總面積來定義。因此，通過將給定設(shè)計剪輯內(nèi)的總邊數(shù)除以芯片的總面積來計算邊數(shù)密度。另外，生成從設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度推導(dǎo)的統(tǒng)計數(shù)量。統(tǒng)計數(shù)量可以是區(qū)域圖像對比度的平均值、區(qū)域圖像對比度的更低百分比(例如最低10％、四分之一、更低一半等)的平均值、區(qū)域圖像對比度的最小值、或者表征設(shè)計剪輯在設(shè)計剪輯的圖像的準確光刻再現(xiàn)方面的最壞執(zhí)行部分的任何其他度量。在一個實施例中，可以在設(shè)計剪輯內(nèi)的所有格點執(zhí)行計算區(qū)域圖像對比度。在另一實施例中，可以在設(shè)計剪輯內(nèi)的選擇的計算點執(zhí)行計算區(qū)域圖像對比度。在這一情況下，可以用廣義地捕獲區(qū)域圖像對比度在設(shè)計剪輯內(nèi)的質(zhì)量的任何方式進行選擇計算點。參照步驟860，按照用于設(shè)計剪輯的布局復(fù)雜度參數(shù)的升序或者降序排列設(shè)計剪輯，即對設(shè)計剪輯排序?？梢葬槍γ總€布局復(fù)雜度參數(shù)排列設(shè)計剪輯。具體而言，布局復(fù)雜度參數(shù)的非限制例子包括從區(qū)域圖像對比度和邊數(shù)密度推導(dǎo)的任何統(tǒng)計數(shù)量。在一個實施例中，至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)可以包括從對應(yīng)設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度和邊數(shù)密度推導(dǎo)的統(tǒng)計數(shù)量。對于針對布局復(fù)雜度參數(shù)的每個設(shè)計剪輯排列，對設(shè)計剪輯執(zhí)行光學(xué)規(guī)則校驗(ORC)程序以確定圖案的完整(即無空白)橋接或者完整夾斷是否存在。從設(shè)計剪輯的排列中去除包含這樣的完整橋接或者這樣的完整夾斷的圖案。例如，可以如圖9A-9J中所示針對平均區(qū)域圖像(AI)對比度排列設(shè)計剪輯。在這一例子中，圖9的設(shè)計剪輯具有最低AI對比度，圖9B的設(shè)計剪輯具有比圖9A的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9C的設(shè)計剪輯具有比圖9B的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9D的設(shè)計剪輯具有比圖9C的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9E的設(shè)計剪輯具有比圖9D的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9F的設(shè)計剪輯具有比圖9E的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9G的設(shè)計剪輯具有比圖9F的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9H的設(shè)計剪輯具有比圖9G的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，圖9I的設(shè)計剪輯具有比圖9H的設(shè)計剪輯更大的AI對比度，并且圖9J的設(shè)計剪輯具有比圖9I的設(shè)計剪輯更大的AI對比度。運行光學(xué)規(guī)則校驗(ORC)程序示出夾斷出現(xiàn)于圖9E和9F的設(shè)計剪輯中。參照步驟870，針對每個排列，標識其中橋接和夾斷按照在排列內(nèi)的順序不存在空白的設(shè)計剪輯。在排列內(nèi)的順序可以是用于確定橋接和夾斷不存在空白的參數(shù)。在圖9A-9J的示例情況下，其中橋接和夾斷按照在排列內(nèi)的順序(即按照AI對比度)不存在空白的設(shè)計剪輯是圖9G。在排列內(nèi)的順序?qū)?yīng)于選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)在倉內(nèi)的順序。因此，選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)在標識的設(shè)計剪輯的值可以是或者可以接近選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)的其中橋接和夾斷不存在空白的臨界值。如果選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)以更大值代表更大設(shè)計復(fù)雜度，則針對選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)具有超過臨界值的值的設(shè)計布局可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷，而針對選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)具有小于臨界值的值的設(shè)計布局不可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷。反言之，如果選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)以更大值代表更小設(shè)計復(fù)雜度，則針對選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)具有小于臨界值的值的設(shè)計布局可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷，而針對選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)具有大于臨界值的值的設(shè)計布局不可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷。圖10A-10J分別代表如由光學(xué)模型生成的圖9A-9J的設(shè)計剪輯的強度函數(shù)I(x，y)。在圖10A-10J中的每幅圖上方的數(shù)值代表下方對應(yīng)強度函數(shù)I(x，y)的AI對比度。強度函數(shù)I(x，y)的量值由每個圖片中的灰度級代表。區(qū)域在每個圖片中越亮，強度函數(shù)I(x，y)在該區(qū)域中的量值就越大。代表強度函數(shù)I(x，y)的每個圖片越模糊，對應(yīng)AI對比度就越低。在這一情況下，選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)是以更大值代表更低設(shè)計復(fù)雜度的AI對比度。在這一示例情況下，可以設(shè)置用于AI對比度的臨界值為在1764.9(其是用于在其中存在夾斷的圖11E和11F的AI對比度的兩個數(shù)中的更大者)與1823.8之間的數(shù)。因此，針對AI對比度具有比臨界值更小的值的設(shè)計布局，比如圖9A、9B、9C、9D、9E和9F的設(shè)計布局，可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷。然而，針對AI對比度具有比臨界值更大的值的設(shè)計布局，比如圖9G、9H、9I和9J，不可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷。可以針對多個布局復(fù)雜度參數(shù)執(zhí)行步驟860和870。備選地，可以針對不同布局復(fù)雜度參數(shù)多次重復(fù)步驟860和870。針對每個布局復(fù)雜度參數(shù)，按照用于設(shè)計剪輯的選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)的升序或者降序重排設(shè)計剪輯。在一個實施例中，在步驟860，按照邊數(shù)密度的順序重排設(shè)計剪輯。在按照邊數(shù)密度的順序重排設(shè)計剪輯之后，對設(shè)計剪輯執(zhí)行光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)程序以確定圖案的完整(即無空白)橋接或者完整夾斷是否存在。從設(shè)計剪輯的排列中去除包含這樣的完整橋接或者這樣的完整夾斷的圖案。如果對圖9A-9F的設(shè)計剪輯執(zhí)行重排，并且如果對圖9A-9J的設(shè)計剪輯執(zhí)行光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)程序，則在邊數(shù)密度為27和31的圖9E和9F的設(shè)計剪輯中分別檢測到存在夾斷。參照步驟870，針對每個排列，標識其中橋接和夾斷按照在排列內(nèi)的順序不存在空白的設(shè)計剪輯。在排列內(nèi)的順序可以是用于確定橋接和夾斷不存在空白的參數(shù)。在圖11A-11J中，示出具有對應(yīng)AI對比度和邊數(shù)密度(在括號中)的圖9A-9J的設(shè)計剪輯。圖11A-11J的設(shè)計剪輯在根據(jù)邊數(shù)密度升序的重排中的順序?qū)⑹牵阂灾?1作為邊數(shù)密度的圖11B和11H、以值20作為邊數(shù)密度的圖11D、以值22作為邊數(shù)密度的圖11A和11G、以值26作為邊數(shù)密度的圖11C和11J、以值27作為邊數(shù)密度的圖11E、以值31作為邊數(shù)密度的圖11F以及以值33作為邊數(shù)密度的圖11I。其中橋接和夾斷按照在這一重排內(nèi)的順序(即按照邊數(shù)密度)不存在空白的設(shè)計剪輯是以值26作為邊數(shù)密度的圖11C和11J。在排列內(nèi)的順序?qū)?yīng)于選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)在倉內(nèi)的順序。因此，選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)在標識的設(shè)計剪輯的值可以是或者可以接近選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)的其中橋接和夾斷不存在空白的臨界值。在這一情況下，選擇的布局復(fù)雜度參數(shù)以更大值代表更大設(shè)計復(fù)雜度的邊數(shù)密度。在這一示例情況下，可以設(shè)置用于邊數(shù)密度的臨界值為在26與27之間的數(shù)，用于在其中存在夾斷的圖11E和11F的邊數(shù)密度的兩個值中的更低者。因此，針對邊數(shù)密度具有比臨界值更大的值的設(shè)計布局，比如圖11E、11F和11I的設(shè)計布局，可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷。然而，針對邊數(shù)密度具有比臨界值更小的值的設(shè)計布局，比如圖11A、11B、11C、11D、11G、11H和11J，不可能在光刻印刷的圖案中包含橋接或者夾斷?？梢越Y(jié)合運用多個布局復(fù)雜度參數(shù)以確定不可能包括橋接或者夾斷的布局剪輯。例如，可以標識包括比AI對比度的臨界值更大的AI對比度和比邊數(shù)密度的臨界值更小的邊數(shù)密度的設(shè)計布局作為圖11G、11H和11J的設(shè)計布局。參照圖12，可以提供用于對設(shè)計布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以包括至少一個計算裝置910，該計算裝置可以是計算機或者本領(lǐng)域已知的任何計算設(shè)備。至少一個計算裝置910包括被配置用于允許自動化程序的處理器和存儲器。至少一個計算裝置910可以與數(shù)據(jù)庫920通信，該數(shù)據(jù)庫可以是獨立計算裝置或者可以集成在至少一個計算裝置910中。如果數(shù)據(jù)庫920是獨立計算裝置，則可以運用數(shù)據(jù)線纜930或者無線通信以在數(shù)據(jù)庫920與至少一個計算裝置910之間傳送數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)還包括可以嵌入至少一個計算裝置910內(nèi)的、可以存在于數(shù)據(jù)庫920內(nèi)的、或者可以作為可以運用數(shù)據(jù)寫入設(shè)備940(可選地，其可以執(zhí)行從便攜非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)942讀取數(shù)據(jù)的任務(wù))來訪問的便攜非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)942而提供的非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。數(shù)據(jù)庫920可以存儲設(shè)計布局、光學(xué)模型、抗蝕劑模型和/或OPC模型。如果不提供數(shù)據(jù)庫920，則可以在至少一個計算裝置910中存儲設(shè)計布局、光學(xué)模型、抗蝕劑模型和/或OPC模型?？梢赃\用至少一個計算裝置910以執(zhí)行圖1、圖5、圖7和圖8的至少一個或者所有步驟。至少一個計算裝置910可以被配置用于一旦被提供設(shè)計布局就自動執(zhí)行圖1、圖5、圖7和/或圖8中的各種步驟而無人工干預(yù)?？梢栽谥辽僖粋€計算裝置910內(nèi)可以提供的至少一個非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中和/或在數(shù)據(jù)庫920內(nèi)提供的至少一個非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)內(nèi)存儲從圖1、圖5、圖7和/或圖8的任何步驟得到的結(jié)果。非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)可以是本領(lǐng)域已知的任何類型。在至少一個計算裝置910和/或數(shù)據(jù)庫920內(nèi)的一個或者多個非暫時性的機器可讀介質(zhì)可以是便攜非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)942，比如CDROM或者DVDROM?？梢栽谥辽僖粋€計算裝置910中或者在數(shù)據(jù)庫920內(nèi)提供數(shù)據(jù)寫入設(shè)備940以使得能夠存儲從圖1、圖5、圖7和/或圖8的步驟得到的任何數(shù)據(jù)。在一個實施例中，自動化程序可以包括以下步驟：從設(shè)計布局生成至少一個設(shè)計剪輯，其中至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯包括設(shè)計布局的子集；向至少一個設(shè)計剪輯中的每個設(shè)計剪輯分配至少一個測量部位；針對在至少一個設(shè)計剪輯之中的每個選擇的設(shè)計剪輯確定選擇的設(shè)計剪輯是否滿足用于將選擇的設(shè)計剪輯分類為包括至少一個復(fù)雜設(shè)計特征的預(yù)定標準；針對被標識為滿足預(yù)定條件的每個選擇的設(shè)計剪輯，用標記層標記滿足預(yù)定條件的區(qū)域；用OPC程序?qū)ξ从脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少另一OPC程序?qū)τ脴擞泴訕擞浀膮^(qū)域執(zhí)行OPC；并且在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲代表用OPC程序執(zhí)行OPC和用至少另一OPC程序執(zhí)行OPC的結(jié)果的數(shù)據(jù)。在一個實施例中，自動化程序中的預(yù)定標準包括以下標準中的一個標準或者邏輯組合：選擇的設(shè)計剪輯是否具有比預(yù)定義的臨界周長與面積之比更大的周長與面積之比；以及選擇的設(shè)計剪輯是否包括如下測量部位，在該測量部位處的區(qū)域圖像斜率小于預(yù)定義的臨界區(qū)域圖像斜率。在一個實施例中，自動化程序還可以包括以下步驟：針對被標識為滿足預(yù)定條件的每個選擇的設(shè)計剪輯，移動標記層以包括選擇的設(shè)計剪輯內(nèi)的滿足預(yù)定條件的所有測量部位。在一個實施例中，自動化程序還可以包括以下步驟：通過在光學(xué)模型預(yù)測值和與劑量和聚焦深度條件的多個組合對應(yīng)的測量數(shù)據(jù)之間比較臨界尺度來生成包括OPC程序和至少另一OPC程序的多個OPC程序。在一個實施例中，自動化程序可以包括以下步驟：針對設(shè)計布局生成周長與面積之比的映射；將來自設(shè)計布局的多個設(shè)計剪輯排序到多個倉中，其中每個倉包括用于周長與面積之比的值的非重疊范圍；針對從多個倉選擇的每個倉，對于選擇的倉內(nèi)的設(shè)計剪輯確定用于至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)的閾值，其中該閾值表征在其中設(shè)計形狀的橋接或者夾斷不存在空白的設(shè)計剪輯；并且針對每個選擇的倉，將設(shè)計剪輯分類為第一設(shè)計剪輯和包括除了第一設(shè)計剪輯之外的所有其他設(shè)計剪輯的第二設(shè)計剪輯，該第一設(shè)計剪輯針對至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)中的每個布局復(fù)雜度參數(shù)具有代表比對應(yīng)閾值更小的復(fù)雜度的值；用第一OPC程序?qū)Φ谝辉O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC，并且用與OPC程序不同的至少一個第二OPC程序?qū)Φ诙O(shè)計剪輯執(zhí)行OPC；以及在非暫時性的機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中存儲代表用OPC程序執(zhí)行OPC和用至少另一OPC程序執(zhí)行OPC的結(jié)果的數(shù)據(jù)。在一個實施例中，至少一個布局復(fù)雜度參數(shù)包括：從對應(yīng)設(shè)計剪輯的區(qū)域圖像對比度推導(dǎo)的統(tǒng)計數(shù)量；以及通過將對應(yīng)設(shè)計剪輯中的總邊數(shù)除以該對應(yīng)設(shè)計剪輯的總面積來定義的邊數(shù)密度。在一個實施例中，自動化程序可以被配置為運用第二設(shè)計剪輯作為圖1的至少一個設(shè)計剪輯來連續(xù)執(zhí)行圖8和圖1的步驟。至少一個第二OPC程序可以包括圖1的OPC程序。盡管已經(jīng)在具體實施例方面描述了本公開內(nèi)容，但是鑒于前文描述明顯的是許多備選、修改和變化對本領(lǐng)域技術(shù)人員將是清楚的。除非另外明示或者另外明顯地在相互之間不兼容，本公開內(nèi)容的各種實施例可以單獨或者與任何其他實施例組合運用。因而，公開內(nèi)容旨在于涵蓋落入本公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求的范圍和精神實質(zhì)內(nèi)的所有這樣的備選、修改和變化。