掩模及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了掩模及其形成方法，其中，掩模可應(yīng)用于光刻以制造半導(dǎo)體晶片。掩模包括低熱膨脹材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多層（ML）以及位于反射ML上方的圖案化吸收層。圖案化吸收層包括范圍在25nm和31nm之間的厚度、范圍在0.84和0.93之間的折射率以及范圍在0.038和0.051之間的消光系數(shù)。
【專利說(shuō)明】掩模及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總的來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及掩模及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了迅速發(fā)展。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)發(fā)展產(chǎn)生了多代1C，每一代都比上一代具有更小且更復(fù)雜的電路。在IC演變過(guò)程中，功能密度(S卩，每單位面積上互連器件的數(shù)量)逐漸增加而幾何大小(即，可使用制造工藝制造的最小部件(或線))減小。該比例縮小工藝通過(guò)增加生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來(lái)提供效益。這種比例縮小也增加了 IC處理和制造的復(fù)雜性。對(duì)于將要實(shí)現(xiàn)的這些發(fā)展，需要IC處理和制造的類似研發(fā)。例如，對(duì)實(shí)施更高分辨率光刻工藝的需求增加。一種光刻技術(shù)是遠(yuǎn)紫外光刻(EUVL)。其他技術(shù)包括X射線光刻、離子束投影光刻、電子束投影光刻和多電子束無(wú)掩模光刻。
[0003]EUVL使用遠(yuǎn)紫外線(EUV)區(qū)域中的光(具有約1-1OOnm的波長(zhǎng))的掃描器。一些EUV掃描器提供4X縮小投影印刷，其類似于一些光學(xué)掃描器，除了 EUV掃描器使用反射光學(xué)器件而不是折射光學(xué)器件，即，用反射鏡代替透鏡。EUV掃描器通過(guò)轉(zhuǎn)印由吸收層限定的掩模圖案來(lái)在晶圓上提供期望圖案。目前，在EUVL中采用二元強(qiáng)度掩模(BIM)和同軸照明(0NI )。為了使未來(lái)節(jié)點(diǎn)(例如，具有32nm和22nm的最小間距的節(jié)點(diǎn)等)實(shí)現(xiàn)足夠的空間圖像對(duì)比度，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種技術(shù)(例如，衰減相移掩模(AttPSM)和交替相移掩模(AltPSM))來(lái)獲得EUVL的分辨率增強(qiáng)。但是每一種技術(shù)都具有其需要被克服的局限。例如，吸收層可能無(wú)法完全吸收入射光，并且入射光的一部分被吸收層反射。此外，吸收層的厚度會(huì)導(dǎo)致陰影效應(yīng)。所有這些總是導(dǎo)致空間圖像對(duì)比度的降低，這會(huì)導(dǎo)致較差的圖案輪廓和較差的分辨率，尤其是當(dāng)圖案部件的大小持續(xù)減小時(shí)。期望對(duì)這個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模底版，包括:低熱膨脹材料(LTEM)基板；位于LTEM基板上方的反射多層(ML);以及位于反射ML上方的吸收層，吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。
[0005]優(yōu)選地，吸收層包含鈀。
[0006]優(yōu)選地，含鈀的吸收層的厚度約為28nm。
[0007]優(yōu)選地，該掩模底版還包括:位于反射ML上方和吸收層下方的覆蓋層。
[0008]更優(yōu)選地，該掩模底版還包括:位于覆蓋層上方和吸收層下方的緩沖層。
[0009]優(yōu)選地，LTEM基板包含摻雜二氧化鈦的熔融石英。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模，包括:低熱膨脹材料(LTEM)基板；位于LTEM基板上方的反射多層(ML);以及位于反射ML上方的圖案化吸收層，吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。[0011]優(yōu)選地，圖案化吸收層包含鈀。
[0012]優(yōu)選地，含鈀的圖案化吸收層的厚度約為28nm。
[0013]優(yōu)選地，該掩模還包括:位于反射ML上方和圖案化吸收層下方的覆蓋層。
[0014]優(yōu)選地，覆蓋層包含硅。
[0015]優(yōu)選地，該 掩模還包括:位于覆蓋層上方和圖案化吸收層下方的緩沖層。
[0016]優(yōu)選地，緩沖層包含釕。
[0017]優(yōu)選地，緩沖層包含鉻。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種遠(yuǎn)紫外光刻(EUVL)方法，包括:接收EUV掩模；通過(guò)穿過(guò)照明器的輻射源曝光EUV掩模；通過(guò)投影光學(xué)盒(POB)收集從EUV掩模反射的輻射；以及引導(dǎo)所收集的輻射以曝光目標(biāo)。
[0019]優(yōu)選地，EUV掩模包括:低熱膨脹材料(LTEM)基板；位于LTEM基板上方的反射多層(ML);以及位于反射ML上方的圖案化吸收層，吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。
[0020]優(yōu)選地，圖案化吸收層包含鈀。
[0021]優(yōu)選地，含鈀的圖案化吸收層的厚度約為28nm。
[0022]優(yōu)選地，EUV掩模還包括:位于反射ML上方和圖案化吸收層下方的覆蓋層；以及位于覆蓋層上方和圖案化吸收層下方的緩沖層。
[0023]優(yōu)選地，含鈀的圖案化吸收層通過(guò)金屬有機(jī)分解(MOD)來(lái)形成。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本公開(kāi)的各個(gè)方面。應(yīng)該注意的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒(méi)有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。
[0025]圖1是用于實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的光刻系統(tǒng)的框圖。
[0026]圖2和圖3示出了處于根據(jù)本公開(kāi)多個(gè)方面構(gòu)建的光刻工藝的各個(gè)階段的掩模的一個(gè)實(shí)施例的各個(gè)方面的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下公開(kāi)提供了許多用于實(shí)施本發(fā)明不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。以下描述部件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本公開(kāi)。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例而不用于限制。例如，以下描述中第一部件形成在第二部件上或之上可包括第一部件和第二部件被形成為直接結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，并且也可以包括可以在第一和第二部件之間形成附加部件使得第一和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。另外，本公開(kāi)可以在多個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清晰的目的，其本身并不表示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0028]在此可使用諸如“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、“上面的”、以及“在…上方”等空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)來(lái)容易地描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除圖中所示的方位之外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中所示的裝置，則被描述為在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件將被定位為在其他元件或部件的“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”包括在上面和在下面的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且通過(guò)在此使用的空間關(guān)系描述符進(jìn)行相應(yīng)地解釋。
[0029]參照?qǐng)D1，公開(kāi)了可得益于本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的EUV光刻工藝10。EUV光刻工藝10使用波長(zhǎng)約為1-1OOnm的EUV輻射源20。
[0030]EUV光刻工藝10還使用照明器30。照明器30可包括折射光學(xué)器件(諸如單透鏡或具有多個(gè)透鏡的透鏡系統(tǒng)(波帶片))和/或反射光學(xué)器件(諸如單反射鏡或具有多個(gè)反射鏡的反射鏡系統(tǒng))，以將來(lái)自輻射源20的光引導(dǎo)至掩模40。在EUV波長(zhǎng)范圍內(nèi)，通常使用反射光學(xué)器件。然而，也可以通過(guò)例如波帶片實(shí)現(xiàn)折射光學(xué)器件。
[0031]EUV光刻工藝10還使用掩模40。掩模40可以是透射型掩?；蚍瓷湫脱谀?。在本實(shí)施例中，掩模40是反射型掩模，諸如以下更詳細(xì)描述的。掩模40可結(jié)合其他分辨率增強(qiáng)技術(shù)，諸如相移掩模(PSM)和/或光學(xué)臨近校正(0PC)。
[0032]EUV光刻工藝10還使用投影光學(xué)盒(POB) 50。P0B50可具有折射光學(xué)器件或反射光學(xué)器件。被掩模40反射的輻射(例如，圖案化輻射)被P0B50收集。P0B50可包括小于I的放大率(從而減少輻射中包含的圖案化圖像)。P0B50引導(dǎo)收集的輻射以曝光目標(biāo)60。 [0033]目標(biāo)60包括具有對(duì)EUV輻射敏感的光敏層(例如，光刻膠或抗蝕劑)的半導(dǎo)體晶片。目標(biāo)60可被目標(biāo)基板臺(tái)保持。目標(biāo)基板臺(tái)提供目標(biāo)基板位置的控制，使得掩模的圖像以重復(fù)方式(雖然其他光刻方法也是可以的)掃描到目標(biāo)基板上。
[0034]以下描述涉及掩模40和掩模制造工藝。掩模制造工藝包括兩步:空白掩模(blackmask，掩模底板)制造工藝和掩模圖案化工藝。在空白掩模制造工藝期間，空白掩模通過(guò)在適當(dāng)?shù)幕迳铣练e適當(dāng)?shù)膶有纬?例如，多個(gè)反射層)來(lái)形成?？瞻籽谀Ｔ谘谀D案化工藝中被圖案化，以具有集成電路(IC)器件(或芯片)的層的設(shè)計(jì)。然后，圖案化掩模被用于將電路圖案(例如，IC器件的層的設(shè)計(jì))轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體晶片。圖案可以通過(guò)各種光刻工藝反復(fù)轉(zhuǎn)印至多個(gè)晶片。多個(gè)掩模(例如，15至30個(gè)掩模)可用于構(gòu)建完整的IC器件。
[0035]通常，制造各種掩模來(lái)用于各種工藝。EUV掩模的類型包括二元強(qiáng)度掩模(BM)和相移掩模(PSM)。示例性BIM包括幾乎完全吸收的區(qū)域(也被稱為不透明區(qū)域)和反射區(qū)域。在不透明區(qū)域中，具有吸收體，并且入射光束幾乎完全被吸收體吸收。吸收體可以由包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、招銅、鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭和氮化鉭硼(tantalum boronnitride)的材料制造。在反射區(qū)域中，吸收體被移走并且入射光被多層(ML)反射，這將在下面進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。PSM包括吸收區(qū)域和反射區(qū)域。從吸收區(qū)域反射的一部分入射光相對(duì)于從反射區(qū)域反射的光具有適當(dāng)?shù)南辔徊?，以增?qiáng)分辨率和圖像質(zhì)量。PSM的吸收體可以由諸如氮化鉭和氮化鉭硼的材料以一定的厚度制成。PSM可以是衰減相移掩模(AttPSM)和交替PSM (AltPSM)0對(duì)于AttPSM，吸收體頂面處的反射率通常為2%-15%。對(duì)于AltPSM，吸收體頂面處的反射率通常大于50%。
[0036]參照?qǐng)D2，空白掩模100包括由低熱膨脹材料(LTEM)制成的基板110。LTEM材料可包括摻雜Ti02的Si02、硅和/或本領(lǐng)域已知的其他低熱膨脹材料。LTEM基板110用于使由于掩模加熱而導(dǎo)致的圖像變形最小。在本實(shí)施例中，LTEM基板包括具有低缺陷水平和光滑表面的材料。另外，導(dǎo)電層105可沉積在LTEM基板110的下方(如圖所不)來(lái)用于靜電夾緊的目的。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層105包括氮化鉻(CrN)，當(dāng)然其他組合物也是可以的。[0037]反射多層120形成在LTEM基板110上方。根據(jù)菲涅耳方程式，當(dāng)光穿過(guò)不同折射率的兩種材料之間的界面?zhèn)鞑r(shí)發(fā)生光反射。當(dāng)折射率的差異越大時(shí)，光反射越大。為了增加光反射，也可以通過(guò)形成交替材料的多層來(lái)增加界面的數(shù)量，并且通過(guò)為多層內(nèi)的每一層選擇適當(dāng)?shù)暮穸葋?lái)使從不同界面反射的光結(jié)構(gòu)性地相互作用。然而，多層所采用的材料的吸收限制了可實(shí)現(xiàn)的最高反射率。反射ML120包括多個(gè)膜對(duì)(film pair)，諸如鑰-硅(Mo/Si )膜對(duì)(例如，在每個(gè)膜對(duì)中，鑰層在硅層上方或下方)?？蛇x地，反射ML120可包括鑰-鈹(Mo/Be)膜對(duì)，或者具有大折射率差和小消光系數(shù)差的任何兩種材料或材料組合。反射ML120的每一層的厚度均取決于入射光的波長(zhǎng)和掩模上的入射角度。對(duì)于指定的入射角度，調(diào)整反射ML120的厚度以實(shí)現(xiàn)在ML220的不同界面處反射的光的最大相長(zhǎng)干涉。膜對(duì)的典型數(shù)量為20-80，當(dāng)然任何數(shù)量的膜對(duì)都是可以的。在一個(gè)實(shí)施例中，反射ML120包括40對(duì)Mo/Si層。每個(gè)Mo/Si膜對(duì)都具有約7nm的厚度，例如Mo為3nm且Si為4nm。在這種情況下，達(dá)到約70%的反射率。
[0038]覆蓋層130形成在反射ML120上方以防止反射ML的氧化。在本實(shí)施例中，覆蓋層130包括約4-7nm厚度的硅。緩沖層140形成在覆蓋層130上方，以用作吸收層的圖案化或修復(fù)工藝中的蝕刻終止層，這將在稍后進(jìn)行描述。緩沖層140具有與吸收層不同的蝕刻特性。緩沖層140包括釕(Ru)、Ru化合物(諸如仙8、1?1131)、鉻((>)、(> 氧化物和Cr氮化物。對(duì)于緩沖層，通常選擇低溫沉積工藝以防止反射ML120的內(nèi)部擴(kuò)散。在本實(shí)施例中，緩沖層140包含釕且厚度為2-5nm。在一個(gè)實(shí)施例中，覆蓋層和緩沖層是單層。
[0039]吸收層150形成在緩沖層140上。吸收層150吸收投射到掩模200上的EUV波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射。為了實(shí)現(xiàn)足夠的光密度，吸收層的厚度通常足夠大，例如，83nm。吸收層的厚度以及使主光線入射角(CRAO)不等于0而在掩模圖案旁邊生成陰影，這被稱為陰影效應(yīng)。陰影效應(yīng)導(dǎo)致水平和垂直圖案的臨界尺寸(CD)差異、圖案偏移和區(qū)域內(nèi)CD變化(如果入射光的方位角在曝光區(qū)域中變化)，雖然它們可以被模擬和校正。陰影效應(yīng)還導(dǎo)致空間圖像對(duì)比度損失，這將會(huì)減小工 藝窗并提高掩模誤差增強(qiáng)系數(shù)(MEEF)。當(dāng)進(jìn)行更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)，如果保持吸收層的厚度不變，則陰影效應(yīng)變得更加嚴(yán)重。這是因?yàn)殛幱暗拇笮≌紦?jù)了反射區(qū)域尺寸的更大部分。陰影效應(yīng)阻礙EUVL實(shí)現(xiàn)更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
[0040]為了減少陰影效應(yīng)，優(yōu)選更薄的吸收層。但是更薄的吸收層可能使來(lái)自吸收區(qū)域的反射光增加，這會(huì)導(dǎo)致空間圖像對(duì)比度損失，除非來(lái)自吸收區(qū)域的反射光相對(duì)于來(lái)自反射區(qū)域的反射光180度異相。在本公開(kāi)中，吸收層150被配置為具有相對(duì)較薄的厚度并且(來(lái)自吸收區(qū)域210的反射光相對(duì)于來(lái)自反射區(qū)域220的反射光)產(chǎn)生約180度的相移。吸收層150還被配置為針對(duì)一維等線/間距圖案使0級(jí)衍射和I級(jí)衍射的幅度相同(吸收區(qū)域和反射區(qū)域的寬度相同)。在空白掩模100的制造過(guò)程中，處理變化將帶來(lái)膜屬性的變化，例如膜合成物。吸收層150還被配置為具有膜屬性變化的足夠容限。
[0041]基于上述考慮，在本公開(kāi)中，吸收層150包括厚度范圍在25nm和31nm之間的厚度、折射率范圍在0.84和0.93之間以及消光系數(shù)范圍在0.038和0.051之間的材料。吸收層150材料同時(shí)滿足上述厚度、折射率和消光系數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例中，吸收層150包含鈀。在另一個(gè)實(shí)施例中，吸收層150包含厚度約為28nm的鈀。
[0042]可通過(guò)各種方法來(lái)形成層105、120、130、140和150中的一個(gè)或多個(gè)，包括:物理汽相沉積(PVD)工藝，諸如蒸發(fā)和DC磁控濺射；噴鍍工藝，諸如無(wú)電極電鍍或電鍍；化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝，諸如大氣壓CVD (APCVD)、低氣壓CVD (LPCVD)、等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)或高密度等離子體CVD (HDP CVD);離子束沉積；旋涂；金屬有機(jī)分解(MOD)和/或本領(lǐng)域已知的其他方法。
[0043]參照?qǐng)D3，在本實(shí)施例中，吸收層150被圖案化以形成設(shè)計(jì)布局圖案掩模200。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)MOD技術(shù)形成鈀吸收層150。首先，在三氯甲烷溶液中溶解的醋酸鈀(Pdac)旋涂在緩沖層140上以形成指定厚度的Pdac膜。然后，對(duì)Pdac膜進(jìn)行局部曝光。這可以通過(guò)伴隨另一掩模的VUV輻射或者通過(guò)電子束或離子束直寫(xiě)來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)接收曝光，Pdac將分解為鈀和揮發(fā)性有機(jī)物。因此，實(shí)現(xiàn)了鈀的局部沉積并獲得在指定區(qū)域具有鈀的鈀吸收層150。因此，實(shí)現(xiàn)了鈀的局部沉積并獲得多個(gè)指定的吸收區(qū)域210 (其中具有鈀)和多個(gè)指定的反射區(qū)域(其中不具有鈀)。
[0044]掩模200可結(jié)合其他分辨率增強(qiáng)技術(shù)，諸如光學(xué)臨近校正(OPC)。掩模200可通過(guò)掩模缺陷修復(fù)系統(tǒng)進(jìn)行缺陷修復(fù)工藝。掩模缺陷修復(fù)系統(tǒng)是適當(dāng)?shù)南到y(tǒng)，諸如電子束修復(fù)系統(tǒng)和/或聚焦離子束(FIB)修復(fù)系統(tǒng)。
[0045]如圖1所示，在一個(gè)實(shí)施例中，掩模200在EUV光刻工藝10中用作掩模40。
[0046]基于上面所述，可以看出本公開(kāi)提供了光刻工藝的掩模。該掩模配置有薄吸收層，以針對(duì)N14之外的技術(shù)節(jié)點(diǎn)減少陰影效應(yīng)，提高空間圖像對(duì)比度和工藝窗。根據(jù)本公開(kāi)，通過(guò)選擇同時(shí)滿足厚度、折射率和消光系數(shù)的特定條件的材料來(lái)制造薄吸收層。
[0047]本公開(kāi)提供了許多不同的遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模底版的實(shí)施例，其相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)提供了一種或多種改進(jìn)。在一個(gè)實(shí)施例中，EUV掩模底版包括低熱膨脹材料(LTEM)基板、位于LTEM基板上方的反射多層(ML)和位于反射ML上方的吸收層。吸收層包括范圍在25nm和31nm之間的厚度、范圍在0.84和0.93之間的折射率和范圍在0.038和0.051之間的消光系數(shù)。
[0048]在另一個(gè)實(shí)施例中，遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模包括低熱膨脹材料(LTEM)基板、位于LTEM基板上方的反射多層(ML)和位于反射多層ML上方的圖案化吸收層。圖案化吸收層具有范圍在25nm和3Inm之間的厚度、范圍在0.84和0.93之間的折射率和范圍在0.038和
0.051之間的消光系數(shù)。
[0049]在又一個(gè)實(shí)施例中，遠(yuǎn)紫外光刻(EUVL)工藝的方法包括:接收EUV掩模；通過(guò)穿過(guò)照明器的輻射源曝光EUV掩模；通過(guò)投影光學(xué)盒(POB)收集從EUV掩模反射的輻射；以及引導(dǎo)收集的福射以曝光目標(biāo)。
[0050]前面已經(jīng)描述了多個(gè)實(shí)施例的特征。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，為了實(shí)現(xiàn)相同的目的和/或達(dá)到在此所介紹的實(shí)施例的相同的優(yōu)點(diǎn)，可以容易地使用本公開(kāi)作為設(shè)計(jì)或更改其他工藝和結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)該意識(shí)到這種等效構(gòu)造不背離本公開(kāi)的精神和范圍，并且在不背離本公開(kāi)的精神和范圍的條件下可以做出各種改變、替換和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模底版，包括: 低熱膨脹材料(LTEM)基板； 位于所述LTEM基板上方的反射多層(ML)；以及 位于所述反射ML上方的吸收層,所述吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模底版，還包括:位于所述反射ML上方和所述吸收層下方的覆蓋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模底版，還包括:位于所述覆蓋層上方和所述吸收層下方的緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模底版，其中，所述LTEM基板包含摻雜二氧化鈦的熔融石英。
5.一種遠(yuǎn)紫外線(EUV)掩模，包括: 低熱膨脹材料(LTEM)基板； 位于所述LTEM基板上方的反射多層(ML)；以及 位于所述反射ML上方的圖案化吸收層,所述吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模，還包括:位于所述反射ML上方和所述圖案化吸收層下方的覆蓋層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模，還包括:位于所述覆蓋層上方和所述圖案化吸收層下方的緩沖層。
8.一種遠(yuǎn)紫外光刻(EUVL)方法，包括: 接收EUV掩模； 通過(guò)穿過(guò)照明器的輻射源曝光所述EUV掩模； 通過(guò)投影光學(xué)盒(POB)收集從所述EUV掩模反射的輻射；以及 引導(dǎo)所收集的輻射以曝光目標(biāo)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述EUV掩模包括: 低熱膨脹材料(LTEM)基板； 位于所述LTEM基板上方的反射多層(ML);以及 位于所述反射ML上方的圖案化吸收層,所述吸收層包括范圍在約25nm至約31nm之間的厚度、范圍在約0.84至約0.93之間的折射率和范圍在約0.038至約0.051之間的消光系數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述EUV掩模還包括: 位于所述反射ML上方和所述圖案化吸收層下方的覆蓋層；以及 位于所述覆蓋層上方和所述圖案化吸收層下方的緩沖層。
【文檔編號(hào)】G03F1/24GK103529640SQ201310173745
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年5月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月5日
【發(fā)明者】游信勝, 嚴(yán)濤南 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司