技術(shù)編號(hào)：2700253
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，其中，掩模可應(yīng)用于光刻以制造半導(dǎo)體晶片。掩模包括低熱膨脹材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多層（ML）以及位于反射ML上方的圖案化吸收層。圖案化吸收層包括范圍在25nm和31nm之間的厚度、范圍在0.84和0.93之間的折射率以及范圍在0.038和0.051之間的消光系數(shù)。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明總的來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及。背景技術(shù)[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了迅速發(fā)展。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)發(fā)展產(chǎn)生了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。