顯示裝置及其制造方法相關(guān)申請的交叉參考本申請要求2012年4月10日提交的韓國專利申請第10-2012-0037505號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該專利申請就所有方面而言通過引用方式結(jié)合于此，如同其在這里闡述一樣。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種能夠提高反射率和清晰度并簡化工藝的顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)開發(fā)了各種顯示裝置，諸如液晶顯示器、有機發(fā)光二極管顯示器、電潤濕顯示裝置、等離子顯示面板（PDP）、以及電泳顯示裝置。電潤濕顯示裝置在這些顯示裝置中已經(jīng)成為公眾注意的中心，電潤濕顯示裝置相比于液晶顯示器（LCD）具有低能耗和高清晰度。電潤濕顯示裝置通過施加電壓至作為電解質(zhì)的水性液體可以改變流體的表面張力，因此可以造成流體的運動或變形。通過根據(jù)流體運動而反射或傳輸來自外部的光以顯示圖像的方法來驅(qū)動電潤濕顯示裝置。在背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于加強對本發(fā)明背景的理解，因此所包含的信息可以既不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的任何部分，也不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的暗示。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本公開提供一種可具有提高的反射率和清晰度且可利用更簡單工藝制造的顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的其他特征將在下面的說明書中闡述，并且部分地將從說明書中顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實踐中獲知。本發(fā)明的示例性實施方式公開了一種包括被配置成顯示圖像的多個像素的顯示裝置。每個像素包括：第一基板；有機絕緣層，設置在第一基板上且具有以不平坦結(jié)構(gòu)形成的上表面；無機絕緣層，設置在有機絕緣層上且具有以不平坦結(jié)構(gòu)形成的上表面；第一電極，設置在無機絕緣層上且具有以不平坦結(jié)構(gòu)形成的上表面；以及被配置成向第一電極提供數(shù)據(jù)電壓的裝置。第一電極包括被配置成反射入射光的反射電極。本發(fā)明的示例性實施方式還公開了一種制造包括多個像素的顯示裝置的方法。該方法包括：在第一基板上形成有機絕緣層；在有機絕緣層上形成無機絕緣層，從而在有機絕緣層的上表面中形成不平坦結(jié)構(gòu)，無機絕緣層形成有位于無機絕緣層的上表面中的不平坦結(jié)構(gòu)；以及在無機絕緣層上形成第一電極，第一電極的上表面形成有不平坦結(jié)構(gòu)。第一電極的形成包括形成反射電極。本發(fā)明的示例性實施方式還公開了另一種制造包括多個像素的顯示裝置的方法。該方法包括：在第一基板上形成第一絕緣層；在第一絕緣層上形成第二絕緣層，從而使第一絕緣層的上表面變粗糙；以及在第二絕緣層上形成導電材料。導電材料的上表面和第二絕緣層的上表面具有與第一絕緣層的粗糙上表面對應的粗糙上表面，并且第一絕緣層的粗糙上表面的均方根粗糙度值在大約10nm至大約200nm的范圍內(nèi)。應該理解，以上一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，旨在對要求保護的發(fā)明提供進一步的解釋。附圖說明附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且附圖結(jié)合在說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式并與描述部分一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的透視圖。圖2是示出圖1中所示的任意單個像素的橫截面視圖。圖3是圖2中所示的區(qū)域A的放大視圖。圖4示出了圖2中所示的像素根據(jù)施加的電壓的操作。圖5A、圖5B、圖5C、圖5D和圖5E示出了制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的方法。圖6A和圖6B示出了有機絕緣層的不平坦結(jié)構(gòu)。圖7是示出由反射層反射的光的反射率的示圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的顯示裝置的任意單個像素的橫截面視圖。具體實施方式下面參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施方式。但是本發(fā)明可以以很多不同的方式實現(xiàn)，并且不應將本發(fā)明理解為僅限于這里所描述的示例性實施方式。相反，提供這些示例性實施方式的目的在于使本公開更充分并將本發(fā)明的范圍完全傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖中，為了清楚起見，可能放大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。附圖中的相同參考標號表示相同元件。應理解的是，當提到一元件或?qū)游挥诹硪辉驅(qū)印吧稀?、或者“連接至”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌芍苯游挥诹硪辉驅(qū)由?、或者直接連接至另一元件或?qū)?，或者存在中間的元件或?qū)?。相反，當提到一元件或?qū)印爸苯游挥凇稀被颉爸苯舆B接至”另一元件或?qū)訒r，則不存在中間的元件或?qū)印斫獾氖?，為了本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個”可以表示僅X、僅Y、僅Z或者兩個或更多個項X、Y和Z的任意組合（例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ）。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的透視圖。參照圖1，顯示裝置100包括：第一基板110，其中限定有以矩陣形式布置的多個像素PX的每個區(qū)域；第二基板120，面向第一基板110；以及電潤濕層130，設置在第一基板110與第二基板120之間。圖2是示出圖1中所示的任意單個像素的橫截面視圖，并且圖3是圖2中所示的區(qū)域A的放大視圖。由于圖1中所示的像素具有相同的構(gòu)造，所以圖2中僅示出了多個像素PX中的單個像素PX的橫截面。圖3是示出圖2中所示的不平坦結(jié)構(gòu)的放大視圖，以便具體地描述該不平坦結(jié)構(gòu)。參照圖2和圖3，第一基板110包括基底基板111、電子器件（諸如開關(guān)元件）、柵極介電層112、有機絕緣層113、無機絕緣層114、第一電極115、絕緣層116、疏水層117和隔離壁118。第一電極115包括透明導電層115_1和反射電極115_2。圖2中的像素PX示出了作為一實例的反射型顯示裝置的像素。盡管圖2和圖3中未示出，但對于反射型顯示裝置而言，第一電極115可以僅包括反射電極115_2，而不包括透明導電層115_1。此外，盡管圖2和圖3中未示出，但第一電極115可以通過在反射電極115_2上形成透明導電層115_1而形成。第二電極120包括第二基底基板121、濾色器122和公共電極123。像素PX的側(cè)面范圍可以由圖2中所示的兩條虛線之間的區(qū)域限定。因此，如圖2中所示，像素PX的每個區(qū)域可以由第一基板110和第二基板120共享。而且，圖2中所示的像素PX可以由包括彼此面對的第一基板110和第二基板120以及包括在第一基板110與第二基板120之間的電潤濕層130的構(gòu)造限定。而且，由于像素PX的每個區(qū)域可以由第一基板110和第二基板120共享，所以像素PX的每個區(qū)域可以限定在第一基底基板111上。第一基底基板111和第二基底基板121彼此面對。第一基底基板111和第二基底基板121可由透明絕緣材料形成。例如，第一基底基板111和第二基底基板121可以由玻璃或聚合物（諸如塑料）形成。當?shù)谝换谆?11和第二基底基板121由塑料基板形成時，第一基底基板111和第二基底基板121可以由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、纖維增強塑料或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）形成。而且，當?shù)谝换谆?11和第二基底基板121由塑料基板形成時，可以實現(xiàn)柔性顯示器。開關(guān)元件可以由設置在第一基底基板111上的薄膜晶體管（TFT）形成。盡管圖2中未示出，但像素PX包括接收柵極信號的柵極線和接收數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線。TFT包括從柵極線分出來的柵電極GE、從數(shù)據(jù)線分出來的源電極SE、以及與源電極SE隔開并電連接至第一電極115的漏電極DE。TFT通過由柵極線提供的柵極信號而導通，并且導通的TFT向第一電極115施加由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓。TFT的柵電極GE設置在第一基底基板111上。柵極介電層112設置在第一基底基板111上，從而覆蓋柵電極GE。半導體層SEL設置在覆蓋柵電極GE的柵極介電層112上。盡管圖2中未示出，但半導體層SEL可包括有源層和歐姆接觸層。TFT的源電極SE和漏電極DE彼此隔開并設置在半導體層SEL和柵極介電層112上。有機絕緣層113設置在第一基底基板111上，從而覆蓋TFT和柵極介電層112。有機絕緣層113的上表面（圖2中的有機絕緣層的上表面）以不平坦結(jié)構(gòu)形成。如圖3所示，有機絕緣層113的上表面的不平坦結(jié)構(gòu)包括多個突起P和多個溝谷V。突起P和溝谷V的高度差可以定義為高度差H_D，并且相鄰溝谷V之間的間距可以定義為線寬L_W。突起P不規(guī)則地形成，因此可能具有彼此不同的高度。而且，溝谷V不規(guī)則地形成，因此可能具有彼此不同的高度。突起P和溝谷V的高度可以定位為距有機絕緣層113的下表面的高度。由于突起P和溝谷V可能具有彼此不同的高度，所以突起P和溝谷V的高度差H_D可能具有多個值。突起P和溝谷V的高度差H_D的最大值可以為大約500nm（或）。即，突起P和溝谷V的高度差H_D可以等于或小于大約500nm。而且，由于溝谷V不規(guī)則地形成為具有不同的高度，所以相鄰溝谷V的線寬L_W可以具有多個值。相鄰溝谷V的線寬L_W的最大值可以為大約3μm。即，相鄰溝谷V的線寬L_W可以等于或小于大約3μm。不平坦結(jié)構(gòu)的均方根（RMS）粗糙度值可以在大約10nm至大約200nm的范圍內(nèi)。RMS粗糙度可定義為在表面上形成的微型不平坦的程度，即，粗糙度。不平坦的橫截面可以以曲線（下面，稱為RMS粗糙度曲線）來表示。RMS粗糙度曲線的最低位置和最高位置之間的高度差可以定義為粗糙度，并且通常以Rmax表示。而且，RMS粗糙度可以以中心線RMS的兩側(cè)處的高度的絕對值的平均值表示，中心線RMS表示RMS粗糙度曲線的平均值的均方值?？赏ㄟ^對適當?shù)挠袡C絕緣材料進行固化而形成有機絕緣層113。例如，有機絕緣材料可包括3-甲氧基丙酸甲酯（MMP）、二丙二醇二甲醚（DPM）、丙烯酸共聚物、丙烯酸單體、光敏引發(fā)劑和烷氧基硅烷。無機絕緣層114設置在有機絕緣層113上。當無機絕緣層114形成在有機絕緣層113上時，通過工藝條件向有機絕緣層113提供應力。有機絕緣層113的上表面通過在無機絕緣層114的沉積過程中產(chǎn)生的應力而形成為不平坦結(jié)構(gòu)。即，有機絕緣層113和無機絕緣層114之間的界面形成為不平坦結(jié)構(gòu)。當無機絕緣層114形成在有機絕緣層113上時，有三種控制應力的工藝條件。具體地，這三種工藝條件是無機絕緣層114的形成溫度、無機絕緣層114的厚度和無機絕緣層114的形成速度（下面，稱為“沉積速度”）。即，根據(jù)無機絕緣層114的形成溫度、無機絕緣層114的厚度和無機絕緣層114的沉積速度來確定有機絕緣層113的不平坦尺寸。具體地，隨著無機絕緣層114的形成溫度的升高、無機絕緣層114的厚度的增加和無機絕緣層114的沉積速度的降低，提供給有機絕緣層113的應力增大。有機絕緣層113的不平坦性的高度差H_D與應力成比例地增大。例如，無機絕緣層114的形成溫度越高，提供給有機絕緣層113的應力越高，并且形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差H_D越大。沉積在有機絕緣層113上的無機絕緣層114的厚度越厚，提供給有機絕緣層113的應力越高，并且形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差H_D越大。沉積在有機絕緣層113上的無機絕緣層114的沉積速度越低，提供給有機絕緣層113的應力越高，并且形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差H_D越大。無機絕緣層114的形成溫度的應用時間可以設定為將無機絕緣層114沉積至設定高度的時間。由于無機絕緣層114沉積在具有以不平坦結(jié)構(gòu)形成的上表面的有機絕緣層113上，所以無機絕緣層114可以形成為與有機絕緣層113相同的不平坦結(jié)構(gòu)。無機絕緣層114可以由適當?shù)臒o機絕緣材料形成。例如，無機絕緣層114可以由氮化硅（SiNx）層形成。第一電極115設置在無機絕緣層114上。圖2中所示的像素PX的第一區(qū)域B是其中未形成第一電極115的區(qū)域。由于第一電極115設置在具有不平坦結(jié)構(gòu)的有機絕緣層113和無機絕緣層114上，所以第一電極115可以形成為與有機絕緣層113相同的不平坦結(jié)構(gòu)。因此，第一電極115的透明導電層115_1設置在無機絕緣層114上并且可以形成為與有機絕緣層113相同的不平坦結(jié)構(gòu)。而且，第一電極115的反射電極115_2設置在透明導電層115_1上并且可以形成為與有機絕緣層113相同的不平坦結(jié)構(gòu)。該不平坦結(jié)構(gòu)具有光漫射（散射）功能。如上所述，第一電極115可僅包括反射電極115_2，并且在這種情況下，反射電極115_2可形成為位于無機絕緣層114上的不平坦結(jié)構(gòu)。而且如上所述，第一電極115可通過在反射電極115_2上形成透明導電層115_1而形成。在這種情況下，反射電極115_2和透明導電層115_1可以形成為位于無機絕緣層114上的不平坦結(jié)構(gòu)。第一電極115的透明導電層115_1可以由透明導電材料形成。例如，透明導電材料可包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、導電聚合物和碳納米管（CNT）中的至少一種。第一電極115的反射電極115_2可以由反射材料形成。例如，反射材料可包括鋁（Al）、鋁-釹（AlNd）中的至少一種，并且可以形成為單層或多層。第一電極115通過接觸孔H連接至TFT，該接觸孔穿過有機絕緣層113和無機絕緣層114而形成。即，透明導電層115_1和反射電極115_2通過接觸孔H連接至TFT。絕緣層116設置在無機絕緣層114上，從而覆蓋第一電極115。疏水層117設置在絕緣層116上。絕緣層116和疏水層117可具有平坦的上表面，如圖2所示。隔離壁118設置在疏水層117上。隔離壁118隔開像素PX。隔離壁118可以由光致抗蝕劑PR形成。而且，隔離壁118可通過對絕緣層（SiNx或SiOx）進行圖案化而形成。濾色器122設置在第二基底基板121上。濾色器122可包括顯示例如紅色、綠色和藍色中的任何一種顏色的彩色像素。第二電極123設置在濾色器122上。第二電極123可以由透明導電材料形成。例如，透明導電材料可包括氧化銦錫（ITO）。第二電極123設置成面對第一電極115，并且向第二電極123施加公共電壓。電潤濕層130包括在每個像素PX中，并且包括彼此不混和的第一流體131和第二流體132。第一流體131具有非導電性或非極性，并且第二流體132具有導電性或極性。而且，第一流體131是疏水的，并且第二流體132是親水的。例如，第一流體131可以由硅油、礦物油和有機溶劑（諸如四氯化碳（CCl4））形成，并且第二流體132可以由水溶液和電解質(zhì)材料（諸如氯化鈉（NaCl））形成。通過具有黑色染料或由吸光材料形成，第一流體131可以用來吸收入射光。而且，第一流體131可通過分散在整個像素PX中或移動至像素PX的一側(cè)而用作遮光件（lightshutter）。第二流體132可以是透明的，并且因此可以透過入射光。具有不同極性的第一流體131和第二流體132彼此不混和且彼此接觸以形成邊界。第一流體131設置在每個像素PX的疏水層117上，并且第二流體132設置在第一流體131上。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，第一流體131可包括能夠顯示紅色、綠色和藍色中的任意一種顏色的染料，或者可由能夠顯示紅色、綠色和藍色的材料形成。在這種情況下，顯示裝置100可以不包括濾色器122。當然，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解其他顏色也是可能的。通過分別施加于第一電極115和第二電極123的電壓來控制電潤濕層130的運動。圖4示出了圖2中所示的像素根據(jù)施加的電壓的操作。參照圖4，由于在向第一電極115施加數(shù)據(jù)電壓之前第一流體131覆蓋每個像素PX的疏水層117，所以每個像素PX呈現(xiàn)出黑色漸變（blackgradation）。TFT通過由柵極線提供的柵極信號而導通，并且導通的TFT向第一電極115施加由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓。如上所述，公共電壓施加給第二電極123。在這種情況下，第二流體132被極化并與疏水層117開始接觸，同時第二流體132將第一流體131推到像素PX的一側(cè)。第一流體131是具有聚集性質(zhì)的有機溶劑。第一流體131開始聚集在穩(wěn)定區(qū)域，同時第一流體131被第二流體132推到像素PX的一側(cè)。例如，由于圖4所示的像素PX的第一區(qū)域B是其中未設置第一電極115的區(qū)域，所以其中未形成電場。而且，第一電極115的形成于接觸孔H區(qū)域中的部分與第二電極123之間的距離大于第一電極115的形成于接觸孔H區(qū)域之外的部分與第二電極123之間的距離。因此，在第一電極115的形成于接觸孔H區(qū)域中的部分與第二電極123之間形成的電場的強度弱于在第一電極115的形成于接觸孔H區(qū)域之外的部分與第二電極123之間形成的電場的強度。所以，第一流體131可以聚集在作為穩(wěn)定區(qū)域的包括第一區(qū)域B的區(qū)域以及其中形成有接觸孔H的區(qū)域中。即，如圖4所示，第一流體131可以聚集在像素PX的左側(cè)區(qū)域中。在這種情況下，穿過第二基板120入射的光被形成為不平坦結(jié)構(gòu)的反射電極115_2擴散和反射。反射光透射穿過其中未聚集有第一流體131的像素PX區(qū)域中的第二流體132，并且透射穿過第二流體132的光由于透射穿過濾色器122而可以被觀察者看到。公共電壓可以具有恒定值，并且數(shù)據(jù)電壓可以對應于由像素PX呈現(xiàn)的漸變。根據(jù)施加于第一電極115和第二電極123的電壓之間的差，通過控制第一流體131和第二流體132的運動，顯示裝置100可呈現(xiàn)出漸變。第一流體131的推動量由施加于第一電極115的數(shù)據(jù)電壓的水平?jīng)Q定。即，像素PX可呈現(xiàn)出與通過TFT施加于第一電極115的數(shù)據(jù)電壓對應的漸變。由于穿過第二基板120入射到像素PX上的光被形成為不平坦結(jié)構(gòu)的反射電極115_2擴散和反射，所以顯示裝置100的視角變寬。為了擴散光，第一基板110可包括平面反射電極，并且第二基板120可包括擴散膜。而且，第一電極115可包括通過使用掩模被圖案化為不平坦結(jié)構(gòu)的單獨金屬層，以便擴散光。但是，當使用擴散膜時，入射光透射穿過擴散膜，并且由反射電極反射的光再次透射過擴散膜。由于光透射穿過擴散膜兩次，所以出現(xiàn)光損失（或者反射率的降低）。所以，顯示裝置的清晰度會降低。而且，當金屬層被圖案化以形成不平坦結(jié)構(gòu)時，需使用單獨的掩模。然而，顯示裝置100包括具有不平坦結(jié)構(gòu)的有機絕緣層113，在無機絕緣層114的沉積期間通過工藝條件而產(chǎn)生該不平坦結(jié)構(gòu)。而且，具有不平坦結(jié)構(gòu)的無機絕緣層114設置在具有不平坦結(jié)構(gòu)的有機絕緣層113上，并且具有不平坦結(jié)構(gòu)的第一電極115設置在無機絕緣層114上。因此，顯示裝置100可包括具有不平坦結(jié)構(gòu)的反射電極115_2，用于擴散和反射入射光。所以，由于根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置100可以在不使用擴散膜的情況下擴散和反射入射光，所以可提高反射率和清晰度。而且，因為無需使用用于形成不平坦結(jié)構(gòu)的單獨的掩模，所以可利用更簡單的工藝制造顯示裝置100。圖5A至圖5E示出了制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置100的方法。參照圖5A和圖5B，首先在第一基底基板111上形成TFT。在第一基底基板111上形成有機絕緣層113，以覆蓋TFT。具體地，在形成于第一基底基板111上的柵極介電層112上形成有機絕緣材料，以覆蓋TFT。有機絕緣層113可通過固化該有機絕緣材料而形成。如上所述，有機絕緣材料可包括3-甲氧基丙酸甲酯、二丙二醇二甲醚、丙烯酸共聚物、丙烯酸單體、光敏引發(fā)劑和烷氧基硅烷。3-甲氧基丙酸甲酯的化學分子式為CH3OCH2CH2COOCH3，并且二丙二醇二甲醚的化學分子式為CH3OCH2CH2OCH2CH2OH。有機絕緣材料中的3-甲氧基丙酸甲酯的含量在約65wt%至約75wt%的范圍內(nèi)，二丙二醇二甲醚的含量在約10wt%至約20wt%的范圍內(nèi)，丙烯酸共聚物的含量在約1wt%至約10wt%的范圍內(nèi)，丙烯酸單體的含量在約1wt%至約10wt%的范圍內(nèi)，光敏引發(fā)劑的含量為約1wt%或更少，并且烷氧基硅烷的含量為約1wt%或更少。參照圖5C，在有機絕緣層113上形成（以下，稱為“沉積”）無機絕緣層114。當在有機絕緣層113上沉積無機絕緣層114時，向有機絕緣層113提供應力。通過無機絕緣層114的沉積期間產(chǎn)生的應力，有機絕緣層113的上表面形成為不平坦結(jié)構(gòu)。有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差與應力成比例。具體地，隨著無機絕緣層114的形成溫度的升高、無機絕緣層114的厚度的增加和無機絕緣層114的沉積速度的降低，提供給有機絕緣層113的應力增大。有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差與應力成比例地增大。即，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差與無機絕緣層114的形成溫度成正比，與無機絕緣層114的厚度成正比，并與無機絕緣層114的沉積速度成反比。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，可以在約150°C至約245°C的溫度范圍內(nèi)形成無機絕緣層114。沉積在有機絕緣層113上的無機絕緣層114的厚度可以在約1000埃（下文，用“”表示）至約的范圍內(nèi)。無機絕緣層114可以以約至約范圍內(nèi)的沉積速度形成。在無機絕緣層114具有相同的厚度和沉積速度的條件下，無機絕緣層114的形成溫度越高，提供給有機絕緣層113的應力越高。因此，形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差增大。在無機絕緣層114具有相同的形成溫度和沉積速度的條件下，無機絕緣層114的厚度越厚，提供給有機絕緣層113的應力越高。因此，形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差增大。在無機絕緣層114具有相同的形成溫度和厚度的條件下，無機絕緣層114的沉積速度越低，提供給有機絕緣層113的應力越高。因此，形成在有機絕緣層113的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差增大。表1是通過使用在無機絕緣層114的上述形成溫度、厚度和沉積速度范圍內(nèi)的示例性設定值而得出的實驗結(jié)果。表1當比較表1中的條件2和3時，條件2和3中的無機絕緣層114的厚度和沉積速度具有相同的值，分別為約和在條件2中，無機絕緣層114的形成溫度為180°C，并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約30nm至約60nm的范圍內(nèi)。在條件3中，無機絕緣層114的形成溫度為245°C，并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約40nm至約80nm的范圍內(nèi)。因此，無機絕緣層114的形成溫度越高，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差越大。當比較表1中的條件2和4時，條件2和4中的無機絕緣層114的形成溫度和沉積速度具有相同的值，分別為約180°C和在條件2中，無機絕緣層114的厚度為并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約30nm至約60nm的范圍內(nèi)。在條件4中，無機絕緣層114的厚度為并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約70nm至約120nm的范圍內(nèi)。因此，無機絕緣層114的厚度越厚，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差越大。當比較表1中的條件3和5時，條件3和5中的無機絕緣層114的形成溫度具有相同的值，為約245°C。在條件3中，無機絕緣層114的厚度為無機絕緣層114的沉積速度為約并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約40nm至約80nm的范圍內(nèi)。在條件5中，無機絕緣層114的厚度為無機絕緣層114的沉積速度為約并且有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差在約100nm至約170nm的范圍內(nèi)。因此，除了無機絕緣層114的厚度增大的原因之外，無機絕緣層114的沉積速度越低，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差越大。由于無機絕緣層114形成在上表面形成為不平坦結(jié)構(gòu)的有機絕緣層113上，所以無機絕緣層114可以形成為與有機絕緣層113同樣的不平坦結(jié)構(gòu)。參照圖5D和圖5E，在無機絕緣層114上形成第一電極115的透明導電層115_1，并且在透明導電層115_1上形成反射電極115_2。盡管圖5D和圖5E中未示出，可首先在無機絕緣層114上形成第一電極115，然后可對第一電極進行圖案化，以對應于每個像素PX。由于透明導電層115_1和反射電極115_2形成在具有不平坦結(jié)構(gòu)的有機絕緣層113和無機絕緣層114上，所以透明導電層115_1和反射電極115_2可以形成為與有機絕緣層113同樣的不平坦結(jié)構(gòu)。第一電極115通過接觸孔H連接至TFT，該接觸孔穿過有機絕緣層113和無機絕緣層114而形成。在無機絕緣層114上形成絕緣層116，以覆蓋第一電極115。在絕緣層116上形成疏水層117。在疏水層117上形成隔離壁118。盡管圖5A至圖5E中未示出，但在第二基板120的第二基底基板121上形成濾色器122，并且在濾色器122上形成第二電極123。而且，在第一基板110與第二基板120之間設置電潤濕層130。圖6A和圖6B示出了有機絕緣層的不平坦結(jié)構(gòu)。圖6A是形成在有機絕緣層的上表面上的不平坦結(jié)構(gòu)的任意區(qū)域的電子顯微照片，而圖6B是圖6A中所示的不平坦結(jié)構(gòu)的電子顯微照片的三維視圖。參照圖6A和圖6B，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)包括多個突起和多個溝谷，如圖6A和圖6B所示。如上所述，突起和溝谷的高度差可以等于或小于大約500nm，并且相鄰溝谷V的線寬可以等于或小于3μm。而且，不平坦結(jié)構(gòu)的均方根粗糙度值可以在大約10nm至大約200nm的范圍內(nèi)。圖7是示出由反射層反射的光的反射率的示圖。參照圖7和前面的表1，出現(xiàn)在表1中的鏡面分量包含（specularcomponentincluded（SCI））是入射和反射直光以及擴散光的測量結(jié)果。鏡面分量排除（specularcomponentexcluded（SCE））是入射和反射后的擴散光的測量結(jié)果。以同樣的角度入射和反射的光可以定義為鏡面光，而沿各個方向散射和反射的光可以定義為擴散光。圖7中所示的第一條件C1是由表1中的條件1所形成的高度差的SCI和SCE測量結(jié)果。例如，由第一條件C1所形成的高度差可以為大約5nm，如圖7中所示。圖7中所示的第二條件C2是由表1中的條件2所形成的高度差的SCI和SCE測量結(jié)果。例如，由第二條件C2所形成的高度差可以為大約40nm，如圖7中所示。圖7中所示的第三條件C3是由表1中的條件3所形成的高度差的SCI和SCE測量結(jié)果。例如，由第三條件C3所形成的高度差可以為大約60nm，如圖7中所示。圖7中所示的第四條件C4是由表1中的條件4所形成的高度差的SCI和SCE測量結(jié)果。例如，由第四條件C4所形成的高度差可以為大約90nm，如圖7中所示。圖7中所示的第五條件C5是由表1中的條件5所形成的高度差的SCI和SCE測量結(jié)果。例如，由第五條件C5所形成的高度差可以為大約130nm，如圖7中所示。參照表1中的SCE，有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)的高度差越大，由反射電極115_2反射的擴散光的反射率越高。即，盡管未使用在不平坦結(jié)構(gòu)中被圖案化的擴散膜或金屬層，但可以通過使用有機絕緣層113的不平坦結(jié)構(gòu)來形成具有不平坦結(jié)構(gòu)的反射電極115_2。因此，入射光可通過反射電極115_2反射并被擴散。所以，由于根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置100可以在不使用擴散膜的情況下擴散和反射該入射光，所以可提高反射率和清晰度。而且，因為無需使用用于形成不平坦結(jié)構(gòu)的單獨的掩模，所以可利用更簡單的工藝來制造顯示裝置100。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的顯示裝置的任意單個像素的橫截面視圖。圖8中所示的顯示裝置的像素是半透明型顯示裝置的像素，該半透明型顯示裝置包括反射區(qū)域和透射區(qū)域，并且具有與圖2中所示的顯示裝置的像素相同的構(gòu)造，除了在反射區(qū)域中形成有反射電極的構(gòu)造之外。因此，圖8中所示的顯示裝置的像素的構(gòu)造和圖2中所示的顯示裝置的像素的構(gòu)造使用相同的參考標號。下面，將描述圖8中所示的顯示裝置的像素的構(gòu)造與圖2中所示的顯示裝置的像素的構(gòu)造的不同之處。參照圖8，像素PX包括反射區(qū)域L1和透射區(qū)域L2，并且第一電極115包括透明導電層115_1和反射電極115_2。反射電極115_2在反射區(qū)域L1中形成在透明導電層115_1上。可替換地，與以上所述類似，第一電極115可通過在反射電極115_2上形成透明導電層115_1而形成。如上所述，由于有機絕緣層113和無機絕緣層114形成為不平坦結(jié)構(gòu)，所以透明導電層115_1和反射電極115_2也形成為不平坦結(jié)構(gòu)。當向第一電極115施加數(shù)據(jù)電壓并向第二電極123施加公共電壓時，第一流體131聚集在像素PX的一側(cè)。入射到反射區(qū)域L1上的光被反射電極115_2反射并被擴散。入射到透射區(qū)域L2上的光透射過透明導電層115_1。因此，包括圖8中所示像素的顯示裝置以半透明型進行操作。結(jié)果，由于圖8中所示的顯示裝置也可以在不使用擴散膜的情況下擴散和反射光，如包括圖2中所示像素的顯示裝置100一樣，因此可以提高反射率和清晰度。而且，因為無需使用用于形成不平坦結(jié)構(gòu)的單獨的掩模，所以可利用更簡單的工藝制造包括圖8中所示像素的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置可以具有提高的反射率和清晰度，并且根據(jù)工藝條件，通過形成不平坦結(jié)構(gòu)的反射電極，可以利用更簡單的工藝制造該顯示裝置。盡管參照電潤濕顯示裝置描述了以上示例性實施方式，但本發(fā)明可以應用在其他裝置中。例如，本發(fā)明的示例性實施方式可以應用于液晶顯示裝置、有機顯示裝置以及使用反射電極或構(gòu)件來擴散和反射入射光的任何其他顯示裝置。對本領(lǐng)域技術(shù)人員很顯然，可對本發(fā)明進行多種修改和變型，而不會背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明應該覆蓋本發(fā)明上述修改和變型，只要這些修改和變型在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。