光電模塊及光電模塊的封裝工藝的制作方法
【專利摘要】一種光電模塊及光電模塊的封裝工藝，光電模塊，包括一第一基板、一光電轉(zhuǎn)換元件、一光波導層以及一導光元件。第一基板具有至少一階梯凹槽結(jié)構(gòu)，各階梯凹槽結(jié)構(gòu)包括一第一溝槽、一第二溝槽以及一反射面。第一溝槽具有一第一深度。第二溝槽具有一大于第一深度的第二深度。反射面位于第一溝槽的一端。光電轉(zhuǎn)換元件用以發(fā)射一光信號至反射面或經(jīng)由反射面接收一光信號。光波導層設(shè)置于第一溝槽中。導光元件配置于第二溝槽中，其中光波導層與導光元件用以傳輸光信號，且光波導層的中心位置與導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
【專利說明】光電模塊及光電模塊的封裝工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種光電模塊，且特別涉及一種用于光通訊的光電模塊及光電模塊的封裝工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]光通訊是利用光/電的轉(zhuǎn)換而達到傳遞信號的效果。通常，在發(fā)射端設(shè)有一光電模塊(稱為光主動元件)，以將電信號轉(zhuǎn)為光信號，而光信號藉由光纖(稱為光被動元件)或其他導光元件在發(fā)射端與接收端之間傳輸，并在接收端設(shè)有另一光電模塊，以將光信號轉(zhuǎn)為電信號。
[0003]在發(fā)射端，光電模塊提供的光強度及光耦合效率決定光信號在光纖的傳輸品質(zhì)與距離，因此選用發(fā)光強度較強、光發(fā)散角較小的光電轉(zhuǎn)換元件，可達到提升光電模塊的光強度及光耦合效率。
[0004]然而，光電模塊在封蓋過程中，僅單純地以蓋板將光纖固定于基板上，通常無法確認光纖是否確實與光電轉(zhuǎn)換元件對準，因而影響光信號傳輸?shù)膹姸燃肮怦詈闲?。因此，如何在光信號傳送的過程中保持光信號的強度，并且維持光信號的正確性，是光通訊產(chǎn)業(yè)中相當關(guān)切的重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種光電模塊及光電模塊的封裝工藝，可提高光通訊的品質(zhì)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種光電模塊，包括一第一基板、一光電轉(zhuǎn)換元件、一光波導層以及一導光元件。第一基板具有至少一階梯凹槽結(jié)構(gòu)，各階梯凹槽結(jié)構(gòu)包括一第一溝槽、一第二溝槽及一反射面。第一溝槽具有一第一深度。第二溝槽具有一大于第一深度的第二深度。反射面位于第一溝槽的一端。光電轉(zhuǎn)換元件用以發(fā)射一光信號至反射面或經(jīng)由反射面接收一光信號。光波導層設(shè)置于第一溝槽中，用以傳輸光信號。導光元件配置于第二溝槽中，其中光波導層與導光元件用以傳輸光信號，且光波導層的中心位置與導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種光電模塊的封裝工藝，包括下列步驟。第一次蝕刻一第一基板，以形成一第一溝槽于第一基板中，第一溝槽具有一第一深度。第二次蝕刻第一基板，以于二次蝕刻的位置上形成第二溝槽，第二溝槽具有一大于第一深度的第二深度。形成一光波導層于第一溝槽中。將一導光元件設(shè)置于第二溝槽中。提供一光電轉(zhuǎn)換元件，用以發(fā)射或接收一光信號，其中光波導層與導光元件用以傳輸該光信號，且光波導層的中心位置與導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種光電模塊的封裝工藝，包括下列步驟。蝕刻一第一基板，以形成一溝槽于第一基板中。形成一披覆層于溝槽中，以使溝槽具有階梯輪廓，并將溝槽區(qū)分為深度不同的一第一溝槽與一第二溝槽。形成一光波導層于披覆層上，且位于第一溝槽中。將一導光元件設(shè)置于第二溝槽中。提供一光電轉(zhuǎn)換元件，用以發(fā)射或接收一光信號，其中光波導層與導光元件用以傳輸光信號，且光波導層的中心位置與導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
[0009]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1繪示依照一實施例的階梯凹槽結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0011]圖2A?圖2C繪示第二溝槽的剖視示意圖；
[0012]圖3A?圖3E繪示第一溝槽的剖視示意圖；
[0013]圖4A及圖4B分別繪示依照一實施例的光電模塊的剖視示意圖；
[0014]圖5A及圖5B繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊的示意圖；
[0015]圖6繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊的示意圖；
[0016]圖7繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊的示意圖；
[0017]圖8A?圖8F繪示第一實施例中光電模塊的封裝工藝的流程圖；
[0018]圖9A?圖9F繪示第一實施例中光電模塊的封裝工藝的流程圖；
[0019]圖1OA?圖1OE繪示第三實施例中光電模塊的封裝工藝的流程圖。
[0020]其中，附圖標記
[0021]100?103:光電模塊
[0022]109:凹穴
[0023]110:第一基板
[0024]111:階梯凹槽結(jié)構(gòu)
[0025]111，:凹槽
[0026]112:反射面
[0027]113:第一溝槽
[0028]114:第一水平面
[0029]115:第二溝槽
[0030]116:垂直面
[0031]116’:斜面
[0032]117:階梯輪廓
[0033]118:第二水平面
[0034]120:光電轉(zhuǎn)換元件
[0035]121、122:電極
[0036]123:導線
[0037]130:光波導層
[0038]131:第一端面
[0039]132:膠層
[0040]133:介電材料層
[0041]134:披覆層
[0042]140:導光元件[0043]141:芯部
[0044]142:封套部
[0045]143:第二端面
[0046]150:第二基板
[0047]152:容置槽
[0048]Wl:寬度
[0049]W2:寬度
[0050]L:光信號
[0051]H:高度
[0052]Θ:夾角
【具體實施方式】
[0053]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0054]本實施例的光電模塊及其封裝工藝，是于第一基板上形成至少一階梯凹槽結(jié)構(gòu)，并于階梯凹槽結(jié)構(gòu)上形成有一光波導層。各階梯凹槽結(jié)構(gòu)具有預(yù)定深度的第一溝槽與第二溝槽，藉由第二溝槽的深度大于第一溝槽的深度，第二溝槽可做為光纖或其他導光元件的承載部或卡掣部，而第一溝槽可做為光波導層與導光元件對位用的對位部，以使光波導層的中心位置與導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
[0055]請先參照圖1，其繪示依照一實施例的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111的示意圖。多個條狀的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111形成于第一基板110上，且沿著X軸方向彼此平行排列。每一條階梯凹槽結(jié)構(gòu)111上可配置一條光纖或其他導光元件140 (參見圖2A?圖2C)，光纖的數(shù)量越多，光信號L的通道數(shù)及傳輸量越多，相對地增加信號傳輸?shù)念l寬及速度。在階梯凹槽結(jié)構(gòu)111中，以深度較深的第二溝槽115做為光纖或其他導光元件140的承載部，第二溝槽115例如是梯形槽(如圖2A所示)、V形槽(如圖2B所示)或弧形槽(如圖2C所示)，但不以此為限。原則上,第二溝槽115的尺寸必須能容納光纖或其他導光元件140，其深度例如60?80微米，較佳是大于導光元件140的直徑的1/2或2/3，但不以此為限。
[0056]此外，在圖1中，在Z軸方向上，雖繪示第一溝槽113的寬度Wl相對小于第二溝槽115的寬度W2，但不以此為限。在另一實施例中，第一溝槽113的寬度Wl可以等于第二溝槽115的寬度W2。
[0057]接著，如圖3A?圖3D所示，以深度較淺的第一溝槽113做為光波導層130與上述的導光元件140對位用的對位部，其深度例如為20?40微米。第一溝槽113例如是梯形槽(如圖3A所示)、V形槽(如圖3B所示)、弧形槽(如圖3C所示)或矩形槽(如圖3D所示)，但不以此為限。光波導層130例如以氣相沉積、涂布、網(wǎng)印或噴印的方式形成于第一溝槽113中，其材質(zhì)可為高分子材料(例如polymer或polyimide)或高折射率的介電材料(例如二氧化硅、氮化硅)。光波導層130的截面形狀可為方形(如圖3A所示)、長方形、三角形(如圖3B所示)、圓頂形(如圖3C所示)或正梯形(如圖3D所示)等，但本發(fā)明不以此為限。
[0058]另外，如圖3E中所示，第一溝槽113中更可形成一低折射率的介電材料層133，且介電材料層133填入并填滿光波導層130與第一基板110之間的空隙中，其材質(zhì)例如是二氧化硅或氮化硅。舉例來說:介電材料層133的折射率為1.45，光波導層130的折射率為1.58,而空氣的折射率為1，介電材料層133的折射率小于光波導層130的折射率,但大于空氣的折射率。
[0059]以下提出各種實施例的光電模塊100?103，并進行詳細說明，實施例僅用以作為范例說明，并非用以限縮本發(fā)明欲保護的范圍。
[0060]第一實施例
[0061]請參照圖4A及圖4B，其分別繪示依照一實施例的光電模塊100的剖視示意圖。光電模塊100包括一第一基板110、一光電轉(zhuǎn)換元件120、一光波導層130以及一導光元件140。光電轉(zhuǎn)換元件120例如以覆晶的方式設(shè)置于第一基板110的電極121上，并與反射面112相對，用以發(fā)射或接收一光信號L。其中，反射面112為一傾斜面，可將發(fā)射端的光信號L經(jīng)由反射面112反射至導光兀件140,以藉由光波導層130與導光兀件140來傳輸光信號L至接收端。同樣，在接收端的光電模塊，也可利用上述的反射面，將光信號L反射至接收端的光電轉(zhuǎn)換元件，以接收光信號L。
[0062]利用上述介紹的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111所具有的第一溝槽113及第二溝槽115，可使光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置相互對應(yīng)。如圖4A及圖4B所示，階梯凹槽結(jié)構(gòu)111具有一反射面112以及一階梯輪廓117。階梯輪廓117包括一連接反射面112的第一水平面114、一第二水平面118以及位于第一水平面114及第二水平面118之間的一垂直面116 (圖4A)或一斜面116’(圖4B)。第一水平面114的位置對應(yīng)于圖1的第一溝槽113，而第二水平面118的位置對應(yīng)于圖1的第二溝槽115，且第一水平面114高于第二水平面118，以形成不同深度的第一溝槽113與第二溝槽115。
[0063]反射面112對應(yīng)位于第一溝槽113的一端，并與第一水平面114之間具有一夾角Θ，此夾角Θ例如15?75度。在一實施例中，若以濕蝕刻形成反射面112的半導體基板(例如硅基板)而言，反射面112與第一水平面114之間的夾角Θ可為45度或54.7度，但不以此為限。
[0064]在圖4A及圖4B中，導光元件140例如是玻璃光纖、塑膠光纖或相似物，其具有一芯部141以及包覆于芯部141外圍的一封套部142，封套部142的折射率低于芯部141的折射率。本實施例藉由階梯凹槽結(jié)構(gòu)111，使光波導層130與導光元件140中心的芯部141對齊，使得光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置的高度H大致上相等，以使光信號L能直接由光波導層130傳輸至芯部141。因此，在光信號L傳送的過程中能量損失減少，故能保持光信號L的強度，并且能增加光耦合效率，進而提高光通訊的品質(zhì)。
[0065]此外,光波導層130具有一第一端面131,而導光兀件140的芯部141具有一第二端面143，且第一端面131鄰近于第二端面143。因此，通過第一端面131的光信號L幾乎完全進入第二端面143，故可增加光耦合效率。在本實施例中，第一端面131的面積可以小于或等于第二端面143的面積。例如:第一端面131的面積約為第二端面143的面積的90%?80%左右，但不以此為限。
[0066]圖4A與圖4B不同之處在于:在圖4B中，斜面116’位于第一水平面114及第二水平面118之間，使得第一端面131與第二端面143之間的距離加大，但由于光波導層130與導光元件140中心的芯部141對齊或相互匹配，故不會影響光耦合效率。另外，光電模塊
100更包括一膠層132，例如為環(huán)氧樹酯，其填入于光波導層130與導光元件140之間的空隙中，此膠層132可于封蓋的過程中,接合于第一基板110與蓋板(未繪不)之間，以使導光兀件140固定于第一基板110上。此外,膠層132的折射率大于空氣的折射率,可使光波導層130與周圍介質(zhì)之間的折射率減少，以避免光信號損耗。
[0067]第二實施例
[0068]接著，請參照圖5A及圖5B，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊101的示意圖。同樣地，本實施例利用上述介紹的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111所具有的第一溝槽113及第二溝槽115，使光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置相互對應(yīng)，也就是說，光波導層130與導光元件140中心的芯部141對齊或相互匹配，以使光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置的高度H大致上相等。相同的元件以相同的符號表示，在此不再詳述。
[0069]本實施例與上述實施例不同之處僅在于:光電轉(zhuǎn)換兀件120設(shè)置于與第一基板110相對的一第二基板150上，并與反射面112相對。光電轉(zhuǎn)換元件120例如以引線焊接的方式與設(shè)置于第一基板150上的電極122電性連接。如圖5A及圖5B所示，第二基板150具有一容置槽152，而第一基板110對應(yīng)于容置槽152可選擇地設(shè)有一凹穴109。凹穴109的位置與引線焊接的導線123的位置相對應(yīng)。凹穴109可增加容置槽152與第一基板110之間的打線高度，以容許有更大的彈性空間供引線焊接的導線123使用。此外，藉由凹穴109增加的打線高度，第一基板110與第二基板150間的距離可相對縮短，進而縮短光信號L的垂直光程，減少光號L損失。
[0070]第三實施例
[0071]接著，請參照圖6，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊102的示意圖。本實施例同樣利用上述介紹的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111所具有的第一溝槽113及第二溝槽115，使光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置相互對應(yīng)，也就是說，光波導層130與導光元件140中心的芯部141對齊或相互匹配，使得光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置的高度H大致上相等。相同的元件以相同的符號表示，在此不再詳述。
[0072]本實施例與上述實施例不同之處在于:光電模塊102包括一披覆層134,其形成于第一基板110的一預(yù)定深度的凹槽111’(請參照圖10A)中，以使凹槽111’具有階梯輪廓，并形成高度不同的第一水平面114與第二水平面118，也就是形成如上述所介紹的具有第一溝槽113與第二溝槽115的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111。
[0073]披覆層134例如是低折射率的介電材料，其材質(zhì)可以是二氧化硅或氮化硅。舉例來說:披覆層134的折射率為1.45，光波導層130的折射率為1.58，披覆層134的折射率小于光波導層130的折射率，但大于空氣的折射率。
[0074]第四實施例
[0075]接著，請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的光電模塊103的示意圖。本實施例與第二實施例的配置方式相同，即光電轉(zhuǎn)換元件120設(shè)置于與第一基板110相對的一第二基板150上，并與反射面112相對。相同的元件以相同的符號表示，在此不再詳述。
[0076]本實施例與第二實施例不同之處在于:光電模塊103包括一披覆層134,其形成于第一基板110的一預(yù)定深度的凹槽中，以使凹槽具有階梯輪廓，并形成高度不同的第一水平面114與第二水平面118，也就是形成如上述所介紹的具有第一溝槽113與第二溝槽115的階梯凹槽結(jié)構(gòu)111，使光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置相互對應(yīng)，也就是說，光波導層130與導光元件140中心的芯部141對齊或相互匹配，使得光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置的高度H大致上相等。
[0077]以下針對不同實施例的光電模塊的封裝工藝，進行詳細說明，實施例僅用以作為范例說明，并非用以限縮本發(fā)明欲保護的范圍。
[0078]請參照圖8A?圖8F及圖9A?圖9F，其繪示第一實施例中光電模塊100的封裝工藝的流程圖。首先，在圖8A及圖9A中，提供一第一基板110，例如是硅基板或其他半導體基板。接著，在圖8B及圖9B中，例如以濕蝕刻的方式，形成一預(yù)定深度的第一溝槽113于第一基板110中，并形成一傾斜的反射面112于第一溝槽113的一端。第一溝槽113的深度例如為20?40微米。接著，在圖8C及圖9C中，形成一預(yù)定深度的第二溝槽115于第一基板110中，也就是在二次蝕刻的位置上形成深度較深的第二溝槽115。第二溝槽115的深度例如為60?80微米。因此，可形成一階梯凹槽結(jié)構(gòu)111于第一基板110中。
[0079]在圖8C中，例如以干蝕刻的方式，形成一垂直面116于第一水平面114與第二水平面118之間?；蚴?，在圖9C中，例如以濕蝕刻的方式，形成一斜面116’于第一水平面114與第二水平面118之間。
[0080]接著，在圖8D及圖9D中，形成一光波導層130于第一溝槽113中。在圖8E及圖9E中，將一光電轉(zhuǎn)換兀件120設(shè)置于第一基板110上,并與反射面112相對?；蚴?在另一實施例中，可將光電轉(zhuǎn)換元件120配置于與第一基板110相對的一第二基板150上，并與反射面112相對，如第二實施例所述的光電模塊101。
[0081]接著，在圖8F及圖9F中，將一導光元件140設(shè)置于第二溝槽115中，其中光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位置相互對應(yīng)。
[0082]另外，在圖9F中，更可形成一膠層132于光波導層130與導光元件140之間的空隙中。
[0083]接著，請參照圖1OA?圖10E，其繪示第三實施例中光電模塊102的封裝工藝的流程圖。首先，在圖1OA中，例如以濕蝕刻的方式，形成一預(yù)定深度的凹槽111’于第一基板110中，并形成一反射面112于凹槽111’的一端。凹槽111’的深度例如為60?80微米。接著，在圖1OB中，形成一披覆層134于凹槽111’中，以使凹槽111’具有階梯輪廓，并將凹槽111’區(qū)分為深度不同的一第一溝槽113與一第二溝槽115。第一溝槽113的深度例如為20?40微米，而第二溝槽115的深度例如為60?80微米。因此，可形成階梯凹槽結(jié)構(gòu)111于第一基板110中。
[0084]接著，在圖1OC中，形成一光波導層130于披覆層134上。在圖1OE中，將一導光元件140設(shè)置于第二溝槽115中，其中光波導層130的中心位置與導光元件140的中心位
置相互對應(yīng)。
[0085]此外，在圖1OD中，將一光電轉(zhuǎn)換元件120設(shè)置于第一基板110上，并與反射面112相對?；蚴牵诹硪粚嵤├?，可將光電轉(zhuǎn)換元件120配置于與第一基板110相對的一第二基板150上，并與反射面112相對，如第四實施例所述的光電模塊103。
[0086]本發(fā)明上述實施例所揭露的光電模塊及其封裝工藝，是利用階梯凹槽結(jié)構(gòu)所具有的第一溝槽及第二溝槽，使光波導層與導光元件的中心位置的高度相等。因此，在光信號傳送的過程中可保持光信號的強度，提高光耦合效率，并且維持光信號的正確性，進而提高光通訊的品質(zhì)。
[0087]當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光電模塊，其特征在于，包括: 一第一基板，具有至少一階梯凹槽結(jié)構(gòu)，該階梯凹槽結(jié)構(gòu)包括: 一第一溝槽，具有一第一深度； 一第二溝槽，具有一大于該第一深度的第二深度；以及 一反射面，位于該第一溝槽的一端； 一光電轉(zhuǎn)換元件，用以發(fā)射一光信號至該反射面或經(jīng)由該反射面接收一光信號； 一光波導層，設(shè)置于該第一溝槽中；以及 一導光兀件，配置于該第二溝槽中，其中該光波導層與該導光兀件用以傳輸該光信號，且該光波導層的中心位置與該導光元件的中心位置相互對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，該光波導層的中心位置與該導光元件的中心位置的高度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換元件設(shè)置于該第一基板上或與該第一基板相 對的一第二基板上，且該光電轉(zhuǎn)換元件與該反射面相對。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電模塊,其特征在于,該光電轉(zhuǎn)換兀件配置于該第二基板的一容置槽中，該第一基板相對于該容置槽設(shè)有一凹穴，該凹穴的位置與引線焊接該光電轉(zhuǎn)換元件的一導線的位置相對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，該光波導層具有一第一端面，該導光元件的中心具有一芯部，且該芯部具有一第二端面，該第一端面鄰近于該第二端面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電模塊，其特征在于，該第一端面的面積小于或等于該第二端面的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，該階梯凹槽結(jié)構(gòu)具有一階梯輪廓，該階梯輪廓包括一連接該反射面的第一水平面、一第二水平面以及位于該第一水平面及該第二水平面之間的一垂直面或一斜面，該第一水平面高于該第二水平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，更包括一披覆層，形成于該第一基板的一凹槽中，以使該凹槽具有一階梯輪廓，并將該凹槽區(qū)分為深度不同的該第一溝槽與該第二溝槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，該第一溝槽與該第二溝槽為梯形槽、V形槽、弧形槽或矩形槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，多個條狀的階梯凹槽結(jié)構(gòu)形成于該第一基板上，且彼此平行排列。
11.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光電模塊，其特征在于，該第一溝槽的寬度相對小于或等于該第二溝槽的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，更包括一介電材料層，形成于該第一溝槽，且填入該第一基板與該光波導層之間的空隙中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊，其特征在于，更包括一膠層，填入于該光波導層與該導光元件之間的空隙中。
14.一種光電模塊的封裝工藝，其特征在于，包括: 第一次蝕刻一第一基板，以形成一第一溝槽于該第一基板中，該第一溝槽具有一第一深度；第二次蝕刻該第一基板，以于二次蝕刻的位置上形成第二溝槽，該第二溝槽具有一大于該第一深度的第二深度； 形成一光波導層于該第一溝槽中； 將一導光元件設(shè)置于該第二溝槽中；以及 提供一光電轉(zhuǎn)換元件，用以發(fā)射或接收一光信號，其中該光波導層與該導光元件用以傳輸該光信號，且該光波導層的中心位置與該導光兀件的中心位置相互對應(yīng)。
15.一種光電模塊的封裝工藝，其特征在于，包括: 蝕刻一第一基板，以形成一凹槽于該第一基板中； 形成一披覆層于該凹槽中，以使該凹槽具有一階梯輪廓，并將該凹槽區(qū)分為深度不同的一第一溝槽與一第二溝槽； 形成一光波導層于該披覆層上，且位于該第一溝槽中； 將一導光元件設(shè)置于該第二溝槽中；以及 提供一光電轉(zhuǎn)換元件，用以發(fā)射或接收一光信號，其中該光波導層與該導光元件用以傳輸該光信號，且該光波導層的中心位置與該導光兀件的中心位置相互對應(yīng)。
【文檔編號】G02B6/42GK103984062SQ201310050110
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】蕭旭良 申請人:源杰科技股份有限公司