陣列基板及其檢測方法和檢測裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，包括設置在基板上的待檢測結構，所述待檢測結構的下方設置有用于檢測待檢測結構是否斷開的附加層，所述附加層的顏色與待檢測結構的顏色不同并且圖案形狀一致。本發(fā)明還提供了一種用于上述陣列基板的檢測方法和檢測裝置。通過本發(fā)明的陣列基板及其檢測方法和檢測裝置，可以實現(xiàn)對陣列基板生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的斷開型不良的早期檢測，從而可以盡早實現(xiàn)不良原因的發(fā)現(xiàn)和消除，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。
【專利說明】陣列基板及其檢測方法和檢測裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術領域】；更具體地，涉及一種陣列基板及其檢測方法和檢測裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)因其體積小，功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板對盒形成。在陣列基板中相互交叉地配置限定像素區(qū)域的柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號線，并在各像素區(qū)域中配置像素電極和薄膜晶體管。
[0003]當前的TFT-1XD制造工藝中，亮線和亮點是制造過程中的主要不良。其中，亮線不良大部分是由于灰塵引起的柵極掃描線或者數(shù)據(jù)信號線斷開型不良，表現(xiàn)在顯示屏上就是不隨著屏幕色彩變化的亮線。亮點不良則有多種原因，例如灰塵，薄膜殘留等等。針對4-掩模(4-mask)技術而言,最主要的兩種不良是GT Bridge (Gray Tone Bridge,搭接導通)和溝道斷開，分別是由于溝道部分a-Si殘留和a-Si被刻蝕太多引起的亮點不良。這兩種不良在生產(chǎn)過程中很難發(fā)現(xiàn)，只有到了陣列測試(array test)階段，才可以實現(xiàn)對于GT Bridge的檢出。對于溝道斷開型的不良，如果溝道部分沒有完全斷開的話，它的充放電功能還可以完成，則在陣列測試階段也很難被發(fā)現(xiàn)。只有到了液晶盒測試階段，才會以條紋不良的形式表現(xiàn)出來。
[0004]綜上所述，所有這些不良最快也要在陣列測試階段才能被檢測出來，而溝道斷開型的不良一直到液晶盒測試階段才能檢出。這樣就造成設備調(diào)整時間的滯后，使得不良持續(xù)發(fā)生，產(chǎn)生大批相似的不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供陣列基板及其檢測方法和檢測裝置，可以實現(xiàn)對陣列基板生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的斷開型不良的早期檢測，從而可以盡早實現(xiàn)不良原因的發(fā)現(xiàn)和消除，提聞生廣效率和廣品良率。
[0006]一種陣列基板，包括設置在基板上的待檢測結構，所述待檢測結構的下方設置有用于檢測待檢測結構是否斷開的附加層，所述附加層的顏色與待檢測結構的顏色不同并且圖案形狀一致。
[0007]所述待檢測結構為下述結構的至少一種:柵極、柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線、有源層、源極、漏極。
[0008]所述附加層的上方還設置有透明保護層。
[0009]所述附加層為銅層、硅的氧化物層、硅的氮化物層和加有染色劑的聚酰亞胺層中的一種。
[0010]附加層和透明保護層的厚度均不大于5000人。
[0011]一種用于上述的陣列基板的檢測方法，包括:[0012]向形成有附加層的陣列基板上照射白光；
[0013]如果經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色有附加層的顏色，則對應所述附加層顏色的待檢測結構發(fā)生斷開型不良；如果經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色沒有附加層的顏色，則所述待檢測結構沒有發(fā)生斷開型不良；
[0014]在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
[0015]一種用于上述陣列基板的檢測裝置，包括:測試基臺、光源及濾光單元；所述測試基臺用于放置待檢測的陣列基板，所述光源為白光光源，用于向形成有附加層的陣列基板上照射白光，所述濾光單元用于過濾與所述附加層顏色不相同的光。
[0016]所述濾光單元為與所述附加層顏色相同的濾光片。
[0017]還包括光檢測單元，所述光檢測單元用于識別與所述附加層顏色相同的光。還包括外罩，所述光源和所述濾光單元分別位于所述測試基臺兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元位于所述濾光單元的上方，所述外罩位于整個檢測裝置的外側(cè)用于容納所述檢測裝置。
[0018]綜上所述，通過在陣列基板中形成與待檢測結構不同的顏色的附加層，并檢測陣列基板反射光線的顏色，可實現(xiàn)對于陣列基板圖形斷開型不良的早期檢測，及時發(fā)現(xiàn)陣列基板中的斷開型不良，從而能盡早調(diào)整設備，減少不良品的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為陣列基板結構中發(fā)生溝道斷開型不良的平面示意圖；
[0020]圖2為圖1中Al-Al向的剖面圖；
[0021]圖3為對應于圖2的正常陣列結構的剖面圖；
[0022]圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具有第二附加層的陣列基板結構的平面示意圖；
[0023]圖5為圖4中A2-A2向的剖面圖；
[0024]圖6為檢測陣列基板中斷開型不良的裝置的結構示意圖。
[0025]
[0026]附圖標記說明:
[0027]1-柵極；2_源/漏極；3_有源層；
[0028]5-像素電極；6_溝道下方有源層斷開型不良；7_數(shù)據(jù)信號線斷開型不良；
[0029]8-基板；9-柵絕緣層；10-鈍化層；
[0030]11-第二附加層；12-第二透明保護層；13-測試基臺；
[0031]14-陣列基板；15-光源；16-濾光單兀；
[0032] 17-光檢測單元；18-外罩。
【具體實施方式】
[0033]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]除非另作定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發(fā)明所屬領域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也相應地改變。
[0035]為了實現(xiàn)對陣列基板生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的斷開型不良的早期檢測，從而可以盡早實現(xiàn)不良原因的發(fā)現(xiàn)和消除，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括設置在基板上的待檢測結構，所述待檢測結構的下方設置有用于檢測待檢測結構是否斷開的附加層，所述附加層的顏色與待檢測結構的顏色不同并且圖案形狀一致。。
[0036]所述待檢測結構為下述結構的至少一種:柵極、柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線、有源層、源極、漏極。
[0037]為了保護附加層的結構，可以進一步的在所述附加層的上方設置有透明保護層，所述透明保護層材料可為常用的透明的保護層材料，例如與陣列基板中柵絕緣層相同的材料，優(yōu)選為硅的氮化物(SiNx)。
[0038]所述附加層的顏色只要與其上方的待檢測結構的顏色不同即可，不做限制，所述附加層可以為銅層、硅的氧化物層、硅的氮化物層和加有染色劑的聚酰亞胺層中的一種。
[0039]附加層和透明保護層應該盡量薄，以防止造成像素電容效應的增加和基板應力的變化。附加層和透明保護層各自的厚度均不大于5000A，優(yōu)選為10A-3000 A。
[0040]本發(fā)明還提供了一種用于上述的陣列基板的檢測方法，包括:
[0041]向形成有附加層的陣列基板上照射白光；
[0042]判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色，如果為附加層的顏色，則確定所述附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良，如果不是附加層的顏色或含有微量附加層的顏色，則確定所述附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良；
[0043]在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
[0044]本發(fā)明還提供了一種用于上述的陣列基板的檢測裝置，包括:測試基臺、光源及濾光單元；所述測試基臺用于放置待檢測的陣列基板，所述光源為白光光源，用于向形成有附加層的陣列基板上照射白光，所述濾光單元用于過濾與所述附加層顏色不相同的光。
[0045]所述濾光單元為與所述附加層顏色相同的濾光片。
[0046]進一步地，所述還包括光檢測單元，所述光檢測單元用于識別與所述附加層顏色相同的光。
[0047]更進一步地，所述光源和所述濾光單元分別位于所述測試基臺兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元位于所述濾光單元的上方。
[0048]下面的實施例結合各待檢測結構、陣列基板的檢測方法和檢測裝置，對本發(fā)明進行進一步說明。需要說明的是，本發(fā)明的實施例均以其中一個待檢測結構為例進行說明，且附加層的上方優(yōu)選設置有透明保護層?？梢岳斫獾氖?，本發(fā)明中的實施例可以以任何一種方式進行組合。
[0049]實施例一[0050]本發(fā)明實施例中待檢測結構為數(shù)據(jù)信號線。
[0051]參見圖1，在陣列基板中，在每一幀中，柵極掃描線用來對每一行柵極施加開啟電壓。當選中的行開啟之后，數(shù)據(jù)信號線對該行的像素進行電信號的寫入。電信號經(jīng)過溝道下方的有源層3之后，通過漏極傳輸?shù)较袼仉姌O5上面。
[0052]當數(shù)據(jù)信號線由于灰塵等原因產(chǎn)生斷開型不良7的時候，數(shù)據(jù)信號線從該部分斷開，電信號不能施加到相應的像素電極上，像素電極上的液晶分子也不會產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)現(xiàn)象。因此，在常白模式下，光會一直透過該不良部分的像素，形成亮線型不良。
[0053]因此，在所述數(shù)據(jù)信號線的下方設置有第一附加層，第一附加層的主要作用是作為不良發(fā)生的標識物，所述第一附加層的顏色與數(shù)據(jù)信號線的顏色不相同并且圖案形狀一致。其中，所述數(shù)據(jù)信號線一般采用化學性質(zhì)比較穩(wěn)定的電阻率比較高的Ta、Cr、Mo等金屬或是其合金作為金屬電極的材料，現(xiàn)在還出現(xiàn)了應用低電阻金屬Cu作為數(shù)據(jù)信號線的材料。當所述數(shù)據(jù)信號線為Mo時，所述待檢測結構為黑色，此時第一附加層可以選擇加有紅色染色劑的聚酰亞胺層。當然數(shù)據(jù)線號線可以采用其他材料，只要附加層與待檢測結構的顏色不同即可，在此不再一一說明。
[0054]本實施例中所述陣列基板的檢測方法，向形成有第一附加層的陣列基板上照射白光；此時，形成有第一附加層的陣列基板上一定有數(shù)據(jù)信號線結構，可以有柵極掃描線、柵極、源漏極等結構，但是數(shù)據(jù)信號線上方不應設置有其他結構，否則會影響對斷開型不良的判斷，判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色，如果為紅色，則確定所述附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良，如果不是紅色，則確定所述附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良；在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
[0055]本實施例中所述陣列基板的檢測裝置，包括:測試基臺、光源及濾光單元；所述測試基臺用于放置待檢測的陣列基板，所述光源為白光光源，用于向形成有附加層的陣列基板上照射白光，所述濾光單元用于過濾與所述附加層顏色不相同的光。所述濾光單元為與所述附加層顏色相同的濾光片。在本實施例中，所述濾光單元為紅色濾光片，紅色濾光片的功能在于吸收除紅光以外的其他光，只讓紅光通過。
[0056]此檢測裝置還包括光檢測單元，所述光檢測單元用于識別與所述附加層顏色相同的光。光檢測單元可以為定性檢測或定量檢測，其基本原理為，能通過紅色濾光片的只有紅光，當附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良時，當白光照射到加有紅色染色劑的聚酰亞胺層上，通過紅色濾光片之后，光檢測單元識別出的只能是紅色，如果附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良，當白光照射在黑色的數(shù)據(jù)信號線上，通過紅色濾光片之后，光檢測單元識別不出紅色或識別出微量的紅色，此時可以在光檢測單元中增加定量檢測單元，以更加精確的判斷是否發(fā)生斷開型不良。
[0057]更進一步，上述檢測裝置中所述光源和所述濾光單元分別位于所述測試基臺兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元位于所述濾光單元的上方。當白光照射在陣列基板上發(fā)生反射，經(jīng)過濾光單元后，光到達光檢測單元，此種裝置簡單易行，可以方便、快速的檢測陣列基板上的待檢測結構是否發(fā)生斷開型不良。
[0058]實施例二
[0059]本實施例中的待檢測結構為有源層、源漏極、數(shù)據(jù)信號線的至少一種。[0060]如圖2和圖3所示，當溝道下方的有源層3發(fā)生過度刻蝕現(xiàn)象引起的斷開型不良6時，溝道下方的有源層3被部分刻蝕掉，露出下面的柵絕緣層9時，該部分像素的充放電功能和正常像素相比就會有所差異。開啟電流Im和關斷電流Itjff以及閾值電壓Vth都會產(chǎn)生變化，從而形成亮點和波紋(mura)不良。該類型的不良通常要到測試階段才能發(fā)現(xiàn)，而不能在各個工序之后即時發(fā)現(xiàn)并采取解決方法，這樣就延誤了解決的時機，造成不良修改更加困難或無法修復。
[0061]此時，在所述有源層下方設置有第二附加層，所述第二附加層設置于柵絕緣層與有源層之間，第二附加層的主要作用是作為不良發(fā)生的標識物，所述第二附加層的顏色與有源層顏色不相同并且圖案形狀一致。其中，所述有源層一般采用a-si或IGZ0(ndiumgallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)等氧化物半導體。當所述有源層采用a_si時,所述待檢測結構為棕紅色，此時第一附加層可以選擇加有綠色染色劑的聚酰亞胺層。當然有源層可以采用其他材料，只要附加層與待檢測結構的顏色不同即可，在此不再一一說明。
[0062]本實施例中所述陣列基板的檢測方法，向形成有第一附加層的陣列基板上照射白光；此時，形成有第一附加層的陣列基板上一定有有源層結構，可以有柵極掃描線、柵極、源漏極等結構，但是有源層的上方不應設置有其他結構，否則會影響對斷開型不良的判斷，判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色，如果為綠色，則確定所述附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良，如果不是綠色，則確定所述附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良；在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
[0063]本實施例中所述陣列基板的檢測裝置，包括:測試基臺、光源及濾光單元；所述測試基臺用于放置待檢測的陣列基板，所述光源為白光光源，用于向形成有附加層的陣列基板上照射白光，所述濾光單元用于過濾與所述附加層顏色不相同的光。所述濾光單元為與所述附加層顏色相同的濾光片。在本實施例中，所述濾光單元為綠色濾光片，綠色濾光片的功能在于吸收除綠光以外的其他光，只讓綠光通過。
[0064]此檢測裝置還包括光檢測單元，所述光檢測單元用于識別與所述附加層顏色相同的光。光檢測單元可以為定性檢測或定量檢測，其基本原理為，能通過綠色濾光片的只有綠色，當附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良時，當白光照射到加有綠色染色劑的聚酰亞胺層上，通過綠色濾光片之后，光檢測單元識別出的只能是綠色，如果附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良，當白光照射在棕紅色的有源層上，通過綠色濾光片之后，光檢測單元識別不出綠色或識別出微量的綠色，此時可以在光檢測單元中增加定量檢測單元，以更加精確的判斷是否發(fā)生斷開型不良。
[0065]更進一步，上述檢測裝置中所述光源和所述濾光單元分別位于所述測試基臺兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元位于所述濾光單元的上方。當白光照射在陣列基板上發(fā)生反射，經(jīng)過濾光單元后，光到達光檢測單元，此種裝置簡單易行，可以方便、快速的檢測陣列基板上的待檢測結構是否發(fā)生斷開型不良。
[0066]圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的陣列基板的一個像素單元的平面圖，圖5為圖4中A2-A2向的剖面圖。如圖4和圖5所示，根據(jù)該實施例的陣列基板包括基板8，依次形成在基板8上的柵極掃描線和柵極1、柵絕緣層9、第二附加層11、第二透明保護層12、數(shù)據(jù)信號線、源/漏極2、溝道下方的有源層3、鈍化層10以及像素電極5。[0067]上述基板可為本領域中常用基板，例如玻璃基板，或透明度高、穩(wěn)定性好的塑料基板。
[0068]第二附加層11的主要作用是作為不良發(fā)生位置的標識物，其材料可以是具有與有源層3不同的顏色，并能經(jīng)受陣列基板后續(xù)制作流程的溫度的材料。
[0069]形成上述第二附加層11的材料實例可為金屬(例如銅)，絕緣材料(例如硅的氧化物、硅的氮化物)，和高分子材料(例如加有染色劑的聚酰亞胺樹脂)。
[0070]第一附加層11可根據(jù)所用材料通過本領域常用的薄膜形成方式形成層。例如，當?shù)谝桓郊訉?1為金屬層時，可采用磁控濺射法形成層；為高分子材料層時，可采用旋轉(zhuǎn)涂覆、印刷或噴墨等方法形成層；為絕緣材料層時，可采用沉積法形成層；然后上述材料的層分別經(jīng)過刻蝕，或曝光、顯影形成所需圖形。
[0071]可選地，在第二附加層11上形成第二透明保護層12。第二透明保護層12的材料可為常用的透明的保護層材料，例如與柵絕緣層9的材料相同，優(yōu)選為硅的氮化物(SiNx),并可用本領域常用的薄膜形成方法，例如沉積法形成。
[0072]通過上述方法形成的第二附加層11和第二透明保護層12與溝道下方有源層圖案形狀一致。
[0073]第二附加層11和第二透明保護層12應該盡量薄，以防止造成像素電容效應的增加和基板應力的變化。第一附加層11和第一透明保護層12各自的厚度通常不大于5()00人,優(yōu)選為10至3000 A。
[0074]另外，如果第二附加層11是可以防止刻蝕的硅的氧化物層或硅的氮化物層，則第一透明保護層12可以省略，即直接在第一附加層11上形成有源層以及源漏極。
[0075]本實施例中的待檢測結構可以為有源層與數(shù)據(jù)信號線，此時附加層的顏色應該為與有源層與數(shù)據(jù)信號線顏色都不相同，由于原理相同，在此不作贅述。
[0076]本實施例中的待檢測結構可以為源漏極與有源層，此時附加層的顏色應該為與有源層與源漏極顏色都不相同，由于原理相同，在此不作贅述。
[0077]本實施例中的待檢測結構可以為源漏極，此時附加層的顏色應該為與源漏極顏色不相同，由于原理相同，在此不作贅述。
[0078]本實施例中的待檢測結構有源層、源漏極、數(shù)據(jù)信號線可以以任意一種方式進行組合，由于原理相同，在此不作贅述。
[0079]實施例三
[0080]本實施例中的待檢測結構為柵極及柵極掃描線的至少一種。
[0081]本發(fā)明的陣列基板中，還可以在柵極I和基板8之間形成第三附加層和直接位于第三附加層上的第三透明保護層(未示出)。柵極和柵極掃描線可以選用Cr、W、Cu、T1、Ta、Mo、等金屬或合金，由多層金屬組成的金屬層也能滿足需要。第三附加層和第三透明保護層與柵極和/或柵極掃描線的圖案形狀一致，其形成方法和材料與如以上關于第二附加層和第二透明保護層所述相同。
[0082]相似地，當在柵極I上發(fā)生上述斷開型不良時，下面的第三透明保護層(例如SiNx層)以及第三附加層也會暴露出來并顯示相應的顏色。
[0083]盡管上述實施例是以TN模式為例，但上述涉及附加層的結構也同樣適用于ADS模式。ADS模式是平面電場寬視角核心技術，其核心技術特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的開關技術可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。針對不同應用，ADS技術的改進技術有高透過率1-ADS技術、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術等。
[0084]實施例四
[0085]參見圖6，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的陣列基板檢測裝置包括:測試基臺13、發(fā)白光的光源15、濾光單元16和光檢測單元17，以及外罩18。所述光源15和所述濾光單元16分別位于所述測試基臺13兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元17位于所述濾光單元16的上方，所述外罩18位于整個檢測裝置的外側(cè)用于容納所述檢測裝置。
[0086]其中，上述濾光單元16用于過濾與所述附加層顏色不相同的光；上述光源15發(fā)出的白光經(jīng)放置在測試基臺13上的陣列基板14反射后通過濾光單元16到達光檢測單元17 ；且上述光檢測單元17用于識別與所述附加層顏色相同的光。
[0087]進一步地，測試基臺13可為能吸收光源15發(fā)出的光線的顏色(例如黑色等)和材料(例如大理石等)，以防止雜散光影響測試結果。光源15可為發(fā)白光的任何光源，優(yōu)選方向性強的LED。濾光單元16為與所述附加層顏色相同的濾光片。外罩18可為任何不透明材料，以使該裝置內(nèi)形成一個封閉的黑箱結構，從而更利于判斷過濾后光線的顏色。
[0088]實施例五
[0089]本發(fā)明的實施例提供了一種陣列基板檢測方法。該包括:
[0090]向形成有附加層的陣列基板上照射白光；
[0091]判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色，如果為附加層的顏色，則確定所述附加層上方的結構發(fā)生斷開型不良，如果不是附加層的顏色或含有微量附加層的顏色，則確定所述附加層上方的結構沒有發(fā)生斷開型不良。其中所述判斷可經(jīng)過人眼或光檢測單元進行判斷；
[0092]在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
[0093]具體地，在如圖6所示的裝置中，將陣列基板14放到測試基臺13上，其中測試基臺13為黑色大理石基臺。調(diào)整光源15 (LED光源)的位置，使LED光源15發(fā)出的白光由陣列基板14反射至濾光單元16，經(jīng)過濾后到達光檢測單元17。如果光檢測單元17檢測的顏色與附加層的顏色相同，則陣列基板14中的相關待檢測結構發(fā)生斷開型不良。如果光檢測單元17檢測到顏色不是附加層的顏色或含有微量的附加層顏色，則陣列基板14中的相關待檢測結構沒有發(fā)生斷開型不良。
[0094]通常，在陣列基板的制作流程中，溝道下方的有源層的斷開型不良都是集中發(fā)生的，其它部分則很少有相應的不良發(fā)生，所以在光檢測單元17所接受到的從特定部分反射的過濾后的光也會比較強，從而易于檢出該類型的不良。
[0095]另外，也可以將待測的陣列基板14放在上述測試基臺13上，通過光源15照射陣列基板14，然后測試人員使用帶有濾光功能的眼鏡(相當于濾光單元16)等工具觀測，該眼鏡只透過和附加層相同顏色的光線，這樣就可以簡便的觀測到陣列基板表面的不良發(fā)生位置。相比于上面所述的檢測方法，更能節(jié)省檢測時間。
[0096]本發(fā)明提供了一種檢測陣列基板中斷開型不良的方法以及相應的裝置，以及陣列基板，由此實現(xiàn)了對陣列基板中斷開型不良的早期檢測。從而，在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)斷開型不良時，可以盡早發(fā)現(xiàn)該不良，并及時實現(xiàn)設備的調(diào)整，消除不良發(fā)生的原因。該方法解決了設備調(diào)整滯后的問題，使得不良及時得到改善，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。
[0097]本發(fā)明實施例所述的陣列基板，可應用于顯示裝置中，顯示裝置可以為:比如液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、電子紙、數(shù)碼相框、手機、有機發(fā)光二極管顯示裝置等。
[0098]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括設置在基板上的待檢測結構，其特征在于，所述待檢測結構的下方設置有用于檢測待檢測結構是否斷開的附加層，所述附加層的顏色與待檢測結構的顏色不同并且圖案形狀一致。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述待檢測結構為下述結構的至少一種:柵極、柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線、有源層、源極、漏極。
3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述附加層的上方還設置有透明保護層。
4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述附加層為銅層、硅的氧化物層、硅的氮化物層和加有染色劑的聚酰亞胺層中的一種。
5.根據(jù)權利要求1-4任一所述的陣列基板，其特征在于，附加層和透明保護層的厚度均不大于5000 A。
6.一種用于權利要求1所述的陣列基板的檢測方法，包括: 向形成有附加層的陣列基板上照射白光； 如果經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色有附加層的顏色，則對應所述附加層顏色的待檢測結構發(fā)生斷開型不良；如果經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色沒有附加層的顏色，則所述待檢測結構沒有發(fā)生斷開型不良； 在判斷反射光的顏色時，在反射光的光路上設置一與所述附加層顏色相同的濾光單元，通過透過濾光單元的光來判斷經(jīng)過所述陣列基板反射后的光線的顏色。
7.一種用于權利要求1所述的陣列基板的檢測裝置，其特征在于，包括:測試基臺、光源及濾光單元；所述測試基臺用于放置待檢測的陣列基板，所述光源為白光光源，用于向形成有附加層的陣列基板上照射白光，所述濾光單元用于過濾與所述附加層顏色不相同的光。
8.根據(jù)權利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，所述濾光單元為與所述附加層顏色相同的濾光片。
9.根據(jù)權利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，還包括光檢測單元，所述光檢測單元用于識別與所述附加層顏色相同的光。
10.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，還包括外罩，所述光源和所述濾光單元分別位于所述測試基臺兩側(cè)的上方，且所述光檢測單元位于所述濾光單元的上方，所述外罩位于整個檢測裝置的外側(cè)用于容納所述檢測裝置。
【文檔編號】G02F1/13GK103969853SQ201310046771
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月5日 優(yōu)先權日:2013年2月5日
【發(fā)明者】冀新友, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司