專(zhuān)利名稱(chēng)：一種待檢測(cè)tft陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種待檢測(cè)TFT陣列基板。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器的制造過(guò)程中，尤其是在對(duì)盒工藝中，ESD (Electro-StaticDischarge，靜電放電)會(huì)對(duì)TFT陣列基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成破壞。通常的做法是在整塊TFT陣列基板上的各個(gè)單元基板內(nèi)，分別將各條柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)連通，以實(shí)現(xiàn)單元基板上的某一根柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)上的ESD能夠在整個(gè)單元基板的各條柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)上擴(kuò)散。如圖1所示，整塊待檢測(cè)TFT陣列基板1中的各個(gè)單元基板2的各條柵線(xiàn)5由柵連通線(xiàn)6連通，以實(shí)現(xiàn)單元基板2內(nèi)的ESD擴(kuò)散，以防止局部高電壓對(duì)測(cè)試中的TFT陣列基板1的破壞。但上述的擴(kuò)散方式僅對(duì)于發(fā)生低電壓ESD比較有效，一旦發(fā)生高電壓ESD，則電流不能在單元基板內(nèi)迅速擴(kuò)散形成等電位，因此仍會(huì)對(duì)絕緣膜造成破壞，導(dǎo)致產(chǎn)品良品率底下。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種待檢測(cè)TFT陣列基板，能夠減小高電壓ESD破壞，提
尚廣品良品率。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種待檢測(cè)TFT陣列基板，包括至少兩個(gè)單元基板，所述單元基板包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)和公共電極線(xiàn)，所述各個(gè)單元基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)及公共電極線(xiàn)為電連接在一起。進(jìn)一步的，電連接在一起的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)和公共電極線(xiàn)與接地點(diǎn)或外部金屬電連接。優(yōu)選的，所述單元基板的所有數(shù)據(jù)線(xiàn)與數(shù)據(jù)連通線(xiàn)電連接；單元基板的所有柵線(xiàn)與柵連通線(xiàn)電連接；單元基板的公共電極線(xiàn)與公共電極連通線(xiàn)電連接；單元基板的數(shù)據(jù)連通線(xiàn)、柵連通線(xiàn)、公共電極連通線(xiàn)分別與一導(dǎo)電帶電連接；所述導(dǎo)電帶與接地點(diǎn)或外部金屬電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的待檢測(cè)TFT陣列基板，包括至少兩個(gè)單元基板，每個(gè)單元基板包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)和公共電極線(xiàn)，其中，各個(gè)單元基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)、公共電極線(xiàn)電連接在一起。與現(xiàn)有的待檢測(cè)TFT陣列基板相比，將各個(gè)單元基板中間產(chǎn)品的數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)、公共電極線(xiàn)電連接在一起，在對(duì)盒工藝中，當(dāng)發(fā)生高電壓ESD時(shí)，電流不再是在一個(gè)單元基板內(nèi)擴(kuò)散，而是在整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板內(nèi)部擴(kuò)散形成等電位，從而減小ESD對(duì)絕緣膜的破壞，提高了產(chǎn)品的良品率。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中待檢測(cè)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的待檢測(cè)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中導(dǎo)電帶的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明1-待檢測(cè)TFT陣列基板，2-單元基板，3-數(shù)據(jù)線(xiàn)，4-數(shù)據(jù)連通線(xiàn)，5-柵線(xiàn)，6-柵連通線(xiàn)，7-導(dǎo)電帶，8-公共電極聯(lián)通線(xiàn)，9-數(shù)據(jù)連通線(xiàn)區(qū)，10-柵線(xiàn)連通區(qū)，11-公共電極連通線(xiàn)區(qū)，12-外部接地線(xiàn)。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的待檢測(cè)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。在整個(gè)待檢測(cè) TFT陣列基板1上設(shè)置有至少兩單元基板2 (本實(shí)施例中整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板1上設(shè)有兩個(gè)單元基板2，每個(gè)單元基板2由多條橫向柵線(xiàn)5和多條縱向數(shù)據(jù)線(xiàn)3交叉排列，公共電極線(xiàn)(圖2中未表示)與柵線(xiàn)同層，分布在整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板1上。兩個(gè)單元基板 2上的數(shù)據(jù)線(xiàn)3、柵線(xiàn)5及公共電極線(xiàn)電連接在一起，并與接地點(diǎn)或外部金屬電連接。具體的，每個(gè)單元基板2的所有數(shù)據(jù)線(xiàn)3由數(shù)據(jù)連通線(xiàn)4電連接，每個(gè)單元基板2 的所有柵線(xiàn)5由柵連通線(xiàn)6電連接；每個(gè)單元基板2的公共電極線(xiàn)由公共電極連通線(xiàn)(圖 2中未表示)電連接。每個(gè)單元基板2的數(shù)據(jù)連通線(xiàn)4、柵連通線(xiàn)6和公共電極連通線(xiàn)分別與導(dǎo)電帶7電連接。進(jìn)一步地，導(dǎo)電帶7還可以通過(guò)外部接地線(xiàn)12與接地點(diǎn)電連接，或者與外部金屬電連接。這樣，將整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板1上的數(shù)據(jù)連通線(xiàn)4、柵連通線(xiàn)6和公共電極連通線(xiàn)連接到導(dǎo)電帶7上。在進(jìn)行對(duì)盒工藝過(guò)程中，當(dāng)發(fā)生高壓ESD時(shí)，某一單元基板2上的柵線(xiàn)5或數(shù)據(jù)線(xiàn)3產(chǎn)生的ESD可以通過(guò)數(shù)據(jù)連通線(xiàn)4、柵連通線(xiàn)6和公共電極連通線(xiàn)擴(kuò)散到導(dǎo)電帶7，進(jìn)而擴(kuò)散到整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板1，在整個(gè)待檢測(cè)TFT陣列基板1內(nèi)部形成等電位，減小高壓ESD對(duì)絕緣膜的破壞，提高了產(chǎn)品的良品率。此外，當(dāng)導(dǎo)電帶7與外部接地線(xiàn)12或外部金屬電連接相連接時(shí)，可以更有效地實(shí)現(xiàn)靜電擴(kuò)散。當(dāng)對(duì)盒工藝完成后，去掉外部接地線(xiàn)12，進(jìn)行后續(xù)的工藝制造過(guò)程。圖3為圖2中導(dǎo)電帶7的結(jié)構(gòu)示意圖，該導(dǎo)電帶7為長(zhǎng)方形，也可以是正方形、圓形、橢圓形等規(guī)則幾何形狀或其它不規(guī)則的幾何形狀。導(dǎo)電帶7中從左至右依次排列公共電極連通線(xiàn)區(qū)11、數(shù)據(jù)連通線(xiàn)區(qū)9和柵線(xiàn)連通區(qū)10，各個(gè)單元基板2內(nèi)的所有公共電極連通線(xiàn)8在公共電極連通線(xiàn)區(qū)11內(nèi)電連接，所有數(shù)據(jù)連通線(xiàn)4在數(shù)據(jù)連通線(xiàn)區(qū)9內(nèi)電連接， 所有柵連通線(xiàn)6在柵線(xiàn)連通區(qū)10內(nèi)電連接。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種待檢測(cè)TFT陣列基板，包括有單元基板O)，所述單元基板( 包括數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)、 柵線(xiàn)(5)和公共電極線(xiàn)，其特征在于，所述單元基板(2)上的數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)、柵線(xiàn)(5)及公共電極線(xiàn)為電連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的待檢測(cè)TFT陣列基板，其特征在于，電連接在一起的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)、柵線(xiàn)(5)和公共電極線(xiàn)與接地點(diǎn)或外部金屬電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的待檢測(cè)TFT陣列基板，其特征在于，該單元基板(2)至少為兩個(gè)，所述單元基板( 的所有數(shù)據(jù)線(xiàn)( 與數(shù)據(jù)連通線(xiàn)(4)電連接；單元基板( 的所有柵線(xiàn)(5)與柵連通線(xiàn)(6)電連接；單元基板O)的公共電極線(xiàn)與公共電極連通線(xiàn)(8)電連接；單元基板O)的數(shù)據(jù)連通線(xiàn)G)、柵連通線(xiàn)(6)、公共電極連通線(xiàn)(8)分別與一導(dǎo)電帶 (7)電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的待檢測(cè)TFT陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電帶(7)與接地點(diǎn)或外部金屬電連接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種待檢測(cè)TFT陣列基板，屬于液晶顯示器制造領(lǐng)域，能夠減小高電壓ESD破壞，提高產(chǎn)品良品率。該待檢測(cè)TFT陣列基板包括至少兩個(gè)單元基板，每個(gè)單元基板包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)和公共電極線(xiàn)，所述各個(gè)單元基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵線(xiàn)、公共電極線(xiàn)電連接在一起。本實(shí)用新型實(shí)施例用于TFT陣列基板制造。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202306074SQ20112037305
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者樸相鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司