專利名稱：測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件制造方法
測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件制造方法
本申請是申請日為2005年11月18日，申請?zhí)枮?00580038725.9的發(fā)明名稱為“位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、以及元件制造方法，更詳言之，是關(guān)于位置測量方法，用來測量以可拆裝方式裝載于移動體上的板件的位置資訊；利用該位置測量方法的位置控制方法；測量方法，用來測量搭載在移動體上，用以裝載物體的板件(形成有開口)的資訊；利用該測量方法的物體的裝載方法；利用該裝載方法的曝光方法及適于實施該各方法的曝光裝置；以及使用該曝光裝置或該曝光方法的元件制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有習知，在供制造半導體元件(集成電路)、液晶顯示元件等電子元件的微影步驟中，透過投影光學系統(tǒng)，將光罩或標線片(以下統(tǒng)稱為“標線片”)的圖案像轉(zhuǎn)印于涂布有光阻(感光劑)的晶圓或玻璃板件等感光性物體(以下稱為“晶圓”)上的復數(shù)個照射區(qū)域，主要是使用步進重復方式的縮小投影曝光裝置(步進機)或步進掃描方式的投影曝光裝置(掃描步進機(亦稱掃描機))等。
然而，隨著半導體元件的高集成化，電路圖案的微細化，為了謀求提高投影曝光裝置所具備的投影光學系統(tǒng)的解析度，曝光用光的波長(曝光波長)逐漸變短，并且，投影光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)逐漸增大。另一方面，由于該些曝光波長的變短及投影光學系統(tǒng)的NA增大(大NA)，而使焦點深度變小。曝光波長將來確實會更短,如此若焦點深度太小，則會產(chǎn)生曝光動作時聚焦裕度不足之虞。
因此，就實質(zhì)縮短曝光用波長，且與空氣中相較，增大(增廣)焦點深度的方法而言，最近利用液浸法的曝光裝置備受矚目。就利用此液浸法的曝光裝置而言，已知有以水或有機溶劑等液體局部填滿投影光學系統(tǒng)下面與晶圓表面之間的狀態(tài)下，進行曝光(例如，參照專利文獻I)。在記載于該專利文獻I的曝光裝置中，液體中的曝光用光波長，是利用空氣中的l/η倍(η是液體的折射率，通常為1.2 1.6左右)的特性來提高解析度，并且，與該解析度同樣的解析度與未利用液浸法所得到的投影光學系統(tǒng)(能制造此種投影光學系統(tǒng))相較，能擴大η倍焦點深度，亦即與空氣中相較，實質(zhì)上能擴大η倍焦點深度。
然而，最近提出，在曝光裝置的晶圓載臺，在保持于晶圓載臺的晶圓周圍，配置形成與晶圓大致呈一致的平坦部且能拆裝的板件。將此種能拆裝的板件使用在晶圓載臺的情形，必須正確了解板件的位置。
又，于晶圓載臺使用板件的情形，必須于該板件的中央部形成晶圓定位用的開口(例如，半導體晶圓的情形，使用圓形開口)，但例如，板件的圓形開口真圓度低，成為變形圓形或橢圓形的情形，晶圓外周面與開口內(nèi)周面間隙會變成不一樣，而產(chǎn)生晶圓與板件的開口內(nèi)壁面接觸、或在板件的開口內(nèi)無法插入晶圓等不良情況之虞。
又，因板件的開口與晶圓間的間隙非常窄，故裝載晶圓時，若晶圓與板件的相對位置未正確對位，則晶圓裝載動作變成不易進行。
又，使用液浸法的曝光裝置的情形，在板件的開口邊緣與晶圓外周邊緣之間隙寬的部分，會有液體滲入之虞。
(專利文獻I)國際公開第99/49504號文本發(fā)明內(nèi)容
從第I觀點來看，本發(fā)明的位置測量方法，是測量以可拆裝方式搭載于移動體上的既定形狀的板件的位置資訊，其包含:
外周邊緣位置取得步驟，是一邊以界定其移動座標系統(tǒng)的測量裝置測量該移動體的位置，一邊檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該測量裝置的測量結(jié)果，來取得該板件外周邊緣的位置資訊。
依此，能將移動體(以可拆裝方式搭載既定形狀的板件)的位置，以限定其移動座標系統(tǒng)的測量裝置來測量，且檢測該板件的一部分，根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該測量裝置的測量結(jié)果，來取得該板件外周邊緣的位置資訊。因此，在該測量裝置所界定的移動座標系統(tǒng)上，能管理板件外周邊緣的位置。
從第2觀點來看，本發(fā)明的位置控制方法，是用以控制以可拆裝方式搭載板件的移動體的位置；根據(jù)使用本發(fā)明的位置測量方法所測量的該板件外周邊緣的位置資訊，控制該移動體的位置。
依此，因根據(jù)使用本發(fā)明的位置測量方法所測量的該板件外周邊緣的位置資訊，控制該移動體位置，故能考量板件外周邊緣的位置，來管理移動體的位置。
如此，本發(fā)明的位置控制方法能使用于曝光裝置。因此，從第3觀點來看，本發(fā)明的第I曝光裝置，亦可使用本發(fā)明的位置控制方法。
從第4觀點來看，本發(fā)明的測量方法，是用以測量以可拆裝方式搭載于移動體上且形成有用以裝載物體的開口的板件的資訊，其包含:
內(nèi)周邊緣位置取得步驟，檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。
依此，檢測以可拆裝方式搭載于移動體上且形成有用以裝載物體的開口的板件的資訊，并根據(jù)其檢測結(jié)果來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。因此，能根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊，算出開口的位置或形狀等。
從第5觀點來看，本發(fā)明的裝載方法，是用以將物體裝載于移動體上，該移動體是以可拆裝方式搭載具有裝載物體用的開口的板件；根據(jù)使用本發(fā)明的測量方法所取得的該板件的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，將該物體裝載于該移動體上的該板件開口內(nèi)。
依此，根據(jù)使用本發(fā)明的測量方法所取得的該板件的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，將該物體裝載于該移動體上的該板件的開口內(nèi)。因此，容易將物體裝載于移動體上的板件的開口內(nèi)。
從第6觀點來看，本發(fā)明的第I曝光方法，是用以將物體曝光，其包含以下步驟:
使用本發(fā)明的第I裝載方法，將該物體裝載于該移動體上的該板件的開口內(nèi)；以及
將曝光用光束照射于該移動物體上所裝載的該物體上。
依此，使用本發(fā)明的第I裝載方法，將物體裝載于移動體上的板件的開口內(nèi)，將曝光用光束照射于該移動物體上所裝載的物體上，以進行曝光。
從第7觀點來看，本發(fā)明的第2裝載方法，是用以將被處理物體裝載于移動體上端部的凹部內(nèi)，其包含以下步驟:
將物體裝載于該移動體上的凹部內(nèi)；以及
取得步驟，是取得該凹部內(nèi)周邊緣與裝載于該凹部內(nèi)的該物體上的位置關(guān)系資τΗ ο
此處，“物體”亦包含被處理物體的概念。亦即，在裝載步驟中，亦可將被處理物體裝載于移動體的凹部內(nèi)，亦可載置其他物體，例如，以取得上述位置關(guān)系為目的的專用物體。
無論如何，取得步驟是取得凹部內(nèi)周邊緣與裝載于該凹部內(nèi)的該物體的位置關(guān)系資訊。因此，根據(jù)所取得的位置關(guān)系，能以期望的位置關(guān)系將物體裝載于移動體的凹部內(nèi)。
從第8觀點來看，本發(fā)明的第2曝光方法，是用以將被處理物體曝光，其包含以下步驟:
使用本發(fā)明的第2裝載方法，在該移動體上的凹部內(nèi)裝載該被處理物體；以及
將曝光用光束照射于該移動體的凹部內(nèi)所裝載的該被處理物體。
依此，使用本發(fā)明的第2裝載方法，在移動體上的凹部內(nèi)裝載被處理物體，將曝光用光束照射于該移動體的凹部內(nèi)所裝載的被處理物體上，以進行曝光。
從第9觀點來看，本發(fā)明的第2曝光裝置，是用以將曝光用光束照射于物體上，其具備:
第I載臺，以可拆裝方式搭載既定形狀的板件；
位置測量系統(tǒng)，供測量該第I載臺的位置；
檢測裝置，供檢測該第I載臺的一部分；以及
外周邊緣位置取得裝置，一邊使用該位置測量系統(tǒng)測量該第I載臺的位置，一邊使用該檢測裝置檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果，來取得該板件外周邊緣的位置資訊。
依此，利用外周邊緣位置取得裝置，使用位置測量系統(tǒng)，一邊測量以可拆裝方式搭載于既定形狀的板件的第I載臺位置，一邊使用檢測裝置檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果，來取得該板件外周邊緣的位置資訊。因此，在以該位置測量系統(tǒng)所界定的移動座標系統(tǒng)上，能管理搭載于第I載臺的板件外周邊緣的位置。
依第10觀點來看，本發(fā)明的第3曝光裝置，是用以將曝光用光束照射于物體上；其具備:
曝光用載臺，用以搭載形成有開口的既定形狀的板件，在該開口內(nèi)裝載物體；
位置測量系統(tǒng)，供測量該曝光用載臺的位置；
檢測裝置，可檢測該曝光用載臺的一部分；以及
內(nèi)周邊緣位置取得裝置，是一邊使用該位置測量系統(tǒng)測量該曝光用載臺的位置，一邊使用該檢測裝置檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果，來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。
依此，利用內(nèi)周邊緣位置取得裝置，一邊使用位置測量系統(tǒng)測量曝光用載臺位置，一邊使用檢測裝置檢測板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果，來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。因此，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊，能取得開口的位置或形狀等資訊。
在微影步驟中，使用本發(fā)明的第I 3曝光裝置，借此能于物體上精度良好地形成圖案，借此，能以高良率制造微元件。同樣地，在微影步驟中，使用本發(fā)明的第1、第2曝光方法，借此能在物體上精度良好地形成圖案，借此，能以高良率制造微元件。因此，進一步從另一觀點來看，本發(fā)明的元件制造方法，是使用第I 3曝光裝置中任一裝置，或第1、第2曝光方法中任一方法。


圖1是表示一實施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2是表示圖1的載臺裝置的立體圖。
圖3是表示圖1的測量用載臺的立體圖。
圖4是表示晶圓臺的俯視圖。
圖5是用以說明干涉計系統(tǒng)的構(gòu)成圖。
圖6是表示一實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成方塊圖。
圖7是表示朝晶圓臺的基準狀態(tài)復原動作時，主控制裝置(內(nèi)部CPU)的處理算法的流程圖。
圖8是用以說明以圖7的流程圖所示的處理算法開始條件的圖，表示其開始時的晶圓臺WTB位置一例的圖。
圖9㈧ ⑶是分別表示取得撥液板外周邊緣的位置資訊時，第I號、第2號、第3號、第4號的測量點定位于對準系統(tǒng)的攝影視野的狀態(tài)。
圖10(A)是表示依序測量撥液板的+Y側(cè)端部邊緣上復數(shù)處測量點的位置資訊時，晶圓臺WTB移動的狀態(tài)，圖10(B)是表示于4邊的邊緣皆設(shè)定3點測量點情形的狀態(tài)。
圖11是表示從晶圓臺上的撥液板交換到進行下一撥液板交換為止間進行一系列處理時，主控制裝置(內(nèi)部CPU)的處理算法的流程圖(其I)。
圖12是表示從晶圓臺上的撥液板交換到進行下一撥液板交換為止間進行一系列處理時，主控制裝置(內(nèi)部CPU)的處理算法的流程圖(其2)。
圖13是表示步驟222的子路徑的流程圖。
圖14是表示步驟236的子路徑的流程圖。
圖15(A) (D)是分別表示取得撥液板的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊時，第I號、第2號、第3號、第4號的測量點定位于對準系統(tǒng)的攝影視野的狀態(tài)。
圖16(A) (D)是分別表示取得撥液板的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊時，第5號、第6號、第7號、第8號的測量點定位于對準系統(tǒng)的攝影視野的狀態(tài)。
圖17(A)是表示取得開口內(nèi)周邊緣上8處攝影資料狀態(tài)的示意概念圖，圖17(B)是表示取得工具用晶圓外周邊緣上8處攝影資料狀態(tài)的示意概念圖。
圖18是表示撥液板邊緣部附近的放大側(cè)面圖。
圖19 (A) ⑶是用以說明變形例的圖(其一)。
圖20 (A) (C)是用以說明變形例的圖(其二)。
20:主控制裝置50:撥液板(板件) 50a:開口100:曝光裝置 118:千涉計系統(tǒng)132:液浸機構(gòu) ALG:對準系統(tǒng)(檢測裝置)FM:基準標記板區(qū)域(測量用構(gòu)件)
IL:照明光(曝光用光束)Lq:水(液體) MST:測量用載臺(第2載臺) W:晶圓(物體) WST:晶圓載臺(第I載臺、移動體) WTB:晶圓臺(曝光用載臺)具體實施方式
以下，根據(jù)圖1 圖17(B)，說明本發(fā)明的一實施形態(tài)。
圖1是表示本發(fā)明的位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法及曝光方法的實施，較佳的一實施形態(tài)的曝光裝置100的概略構(gòu)成。此曝光裝置100是步進掃描方式的投影曝光裝置，亦即掃描步進機(亦稱為掃描機)。此曝光裝置100具備:照明系統(tǒng)10、用來保持標線片R的標線片載臺RST、投影單元PU、載臺裝置150 (具有晶圓載臺WST及測量用載臺MST)、以及該些的控制系統(tǒng)。在晶圓載臺WST上裝載晶圓。
照明系統(tǒng)10，例如，揭示于日本特開2001-313250號公報及對應此的美國專利申請公開第2003/0025890號等般，是由光源、包含光學積分器[復眼透鏡、棒型積分器(內(nèi)面反射型積分器)或繞射光學元件等]等的照度均一光學系統(tǒng)、分束器、中繼透鏡、可變NA濾光器、及標線片遮板等(皆未圖示)所構(gòu)成。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利申請公開說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。
此照明系統(tǒng)10，是利用作為曝光用光束的照明光(曝光用光)IL，以大致均一照度來照明標線片R上的標線 片遮板所界定的狹縫狀的照明區(qū)域部分。此處，作為照明光IL舉一例，能使用ArF準分子激光(波長為193nm)。
在該標線片載臺RST上，電路圖案等形成于其圖案面(圖1的下面)的標線片R，例如，是利用真空吸附來固定。標線片載臺RST，例如，是利用包含線性馬達等標線片載臺驅(qū)動部11 (圖1中未圖示，參照圖6)，在與照明系統(tǒng)10的光軸(與后述的投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX—致)垂直的XY平面內(nèi)能微驅(qū)動，并且，能以既定掃描方向(此處，是指圖1中的紙面內(nèi)左右方向的Y軸方向)所指定的掃描速度來驅(qū)動。
標線片載臺RST的載臺移動面內(nèi)的位置(包含繞Z軸周圍的旋轉(zhuǎn))是利用標線片激光干涉計(以下，稱為“標線片干涉計”)116，透過移動鏡15[實際上，設(shè)有Y移動鏡(具有與Y軸方向正交的反射面)與X移動鏡(具有與X軸方向正交的反射面)]，例如，以0.5 Inm左右的解析度持續(xù)檢測。此標線片干涉計116的測量值是傳送至主控制裝置20 (圖1未圖示，參照圖6)，主控制裝置20是依此標線片干涉計116的測量值，算出標線片載臺RST的X軸方向、Y軸方向、及ΘΖ方向(繞Z軸周圍的旋轉(zhuǎn)方向)的位置，并且，依此算出結(jié)果，控制標線片載臺驅(qū)動部11，借此控制標線片載臺RST的位置(及速度)。此外，亦可替代移動鏡15，鏡面加工標線片載臺RST的端面而形成反射面(相當于移動鏡15的反射面)。
在標線片R上方，以既定距離間隔朝X軸方向設(shè)置由TTR(Through TheReticle)對準系統(tǒng)所構(gòu)成的一對標線片對準檢測系統(tǒng)RAa、Rab;該TTR對準系統(tǒng)是使用曝光波長的光透過投影光學系統(tǒng)PL以同時觀察標線片R上的一對標線片對準標記與對應該些的測量用載臺MST上一對基準標記(以下，稱為“第I基準標記”)。作為該些標線片對準檢測系統(tǒng)RAa, RAb,例如，能使用與揭示于日本特開平7-176468號公報(對應美國專利第5，646，413號)等同樣的構(gòu)成者。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。
該投影單元是配置于標線片載臺RST的圖1中的下方。投影單元PU是由鏡筒40與投影光學系統(tǒng)PL (由以既定位置關(guān)系保持于該鏡筒40內(nèi)的復數(shù)個光學元件所構(gòu)成)所構(gòu)成。作為投影光學系統(tǒng)PL，能使用折射光學系統(tǒng)(由具有Z軸方向共通的光軸AX的復數(shù)個透鏡(透鏡元件)所構(gòu)成)。此投影光學系統(tǒng)PL，例如，是兩側(cè)遠心且具有既定的投影倍率(例如，1/4或1/5倍)。因此，利用來自照明系統(tǒng)10的照明光IL，來照明標線片R上的照明區(qū)域，利用透過此標線片R的照明光IL，透過投影光學系統(tǒng)PL(投影單元PU)，將該照明區(qū)域內(nèi)的標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案一部分的縮小像)，形成于與表面涂布有光阻(感光劑)的晶圓W上的該照明區(qū)域呈共軛的區(qū)域(曝光區(qū)域)。
此外，本實施形態(tài)的曝光裝置100，因使用液浸法來進行曝光，故隨著數(shù)值孔徑NA的實質(zhì)增大，標線片側(cè)的開口亦變大。因此，在僅由透鏡所構(gòu)成的折射光學系統(tǒng)中，不易滿足珀茲伐(Petzval)條件，投影光學系統(tǒng)會有大型化的傾向。為了避免該投影光學系統(tǒng)的大型化，亦可使用包含反射鏡與透鏡所構(gòu)成的反射折射系統(tǒng)。
又，本實施形態(tài)的曝光裝置100，因使用液浸法來進行曝光，故在構(gòu)成投影光學系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)?晶圓側(cè))的光學元件的透鏡(以下，亦稱為“前透鏡”)91的附近，設(shè)有液體供應嘴51A(構(gòu)成液浸機構(gòu)132)與液體回收嘴51B。
在該液體供應嘴51A，其一端是連接未圖示的供應管(連接于液體供應裝置88 (在圖1中未圖示，參照圖6))，該液體回收嘴51B，其一端是連接未圖示的回收管(連接于液體回收裝置92(在圖1中未圖示，參照圖6))。
該液體供應裝置88是由液體的儲存槽、加壓泵、溫度控制裝置、以及閥(對供應管用來控制液體的供應及停止)所構(gòu)成。就閥而言，例如，不僅能供應及停止液體，而且亦能調(diào)整流量，較佳是使用流量控制閥。該溫度控制裝置是將液體儲存槽內(nèi)的液體溫度調(diào)整為與收容曝光裝置本體的室(未圖示)內(nèi)的溫度相同的溫度。
此外，用來供應液體的儲存槽、加壓泵、溫度控制裝置、以及閥等不必全部具備于曝光裝置100，亦能以設(shè)置曝光裝置100的工廠等設(shè)備來代替至少一部分。
該液體回收裝置92是由液體的儲存槽、吸引泵、以及閥(通過回收管，用來控制液體的回收及停止)所構(gòu)成。就閥而言，較佳是對應該液體供應裝置88側(cè)的閥，使用流量控制閥。此外，用來回收液體的儲存槽、吸引泵、以及閥等不必全部具備于曝光裝置100，亦能以設(shè)置曝光裝置100的工廠等設(shè)備來代替至少一部分。作為上述液體，此處，能使用透過ArF準分子激光(波長為193nm)的超純水(以下，除了特別必要的情形外，簡稱為“水”)。超純水在半導體制造工廠等容易大量取得，并且具有對晶圓上的光阻或光學透鏡等無不良影響的優(yōu)點。水對ArF準分子激光的折射率η大致為1.44。該水中，照明光IL的波長被縮短為 193nmX 1/n =約 134nm。該液體供應裝置88及液體回收裝置92皆具備控制器，各控制器由主控制裝置20控制(參照圖6)。液體供應裝置88的控制器根據(jù)來自主控制裝置20的指示，以既定開度打開連接于供應管的閥，通過液體供應嘴51A，將水供應于前透鏡91與晶圓W(或后述的板件)之間。又，此時，液體回收裝置92的控制器根據(jù)來自主控制裝置20的指示，以既定開度打開連接于回收管的閥，通過液體回收嘴5IB，將水從前透鏡91與晶圓W間回收于液體回收裝置92 (液體的儲存槽)的內(nèi)部。此時，主控制裝置20，在前透鏡91與晶圓W之間，從液體供應嘴51A供應的水量與通過液體回收嘴51B所回收的水量以持續(xù)保持相等的方式，對液體供應裝置88的控制器及液體回收裝置92的控制器發(fā)出指令。因此，被保持于前透鏡91與晶圓W間的水Lq持續(xù)更新。由上述說明可知，本實施形態(tài)的液浸機構(gòu)132是由上述液體供應裝置88、液體回收裝置92、供應管、回收管、液體供應嘴51A、以及液體回收嘴51B等所構(gòu)成的局部液浸機構(gòu)，將晶圓W曝光的情形，于晶圓W上的一部分形成液浸區(qū)域。此外，在投影單元下方設(shè)有測量用載臺MST的情形，亦與上述同樣，在后述的測量用臺MTB與前透鏡91間亦能填滿水。此外，上述說明中，為了簡化其說明，雖分別設(shè)有液體供應嘴與液體回收嘴，但未限于此，例如，如揭示于國際公開第99/49504號小冊子般，亦可采用具有多數(shù)個嘴的構(gòu)成。主要是若能在構(gòu)成投影光學系統(tǒng)PL最下端的光學構(gòu)件(前透鏡)91與晶圓W間供應液體，則其構(gòu)成亦可任意者。例如，揭示于國際公開第2004/053955號說明書的液浸機構(gòu)，或揭示于歐洲專利公開第1420298號公報的液浸機構(gòu)亦能適用于本實施形態(tài)的曝光裝置。該載臺裝置150具備:框架FC、設(shè)于該框架FC上的底盤12、配置于該底盤12上面上方的晶圓載臺WST及測量用載臺MST、作為位置測量系統(tǒng)(包含作為測量該些載臺WST及MST位置的位置測量裝置的干涉計16、18)的干涉計系統(tǒng)118(參照圖6)、以及供驅(qū)動載臺WST、MST的載臺驅(qū)動部124 (參照圖6)。該框架FC，由以立體圖表示載臺裝置150的圖2可知，在其X側(cè)方向一側(cè)與另一側(cè)端部附近，把Y軸方向當作長邊方向，朝上方凸出的凸部FCa、FCb是由一體形成的大致平板狀的構(gòu)件所構(gòu)成。該底盤12是由稱為定盤的板狀構(gòu)件所構(gòu)成，配置于框架FC的該凸部FCa、FCb間的區(qū)域上。底盤12上面的平坦度被加工得非常高，作為晶圓載臺WST及測量用載臺MST移動時的導引面。該晶圓載臺WST是如圖2所不，具備:配置于底盤12上的晶圓載臺本體28 ；以及晶圓臺WTB，是通過未圖示的Z傾斜驅(qū)動機構(gòu)搭載于該晶圓載臺本體28上作為曝光用載臺。Z傾斜驅(qū)動機構(gòu)，實際上，是由以3點支撐晶圓臺WTB的3個致動器(例如，音圈馬達)等所構(gòu)成，能朝Z軸方向、θχ方向(繞X軸周圍的旋轉(zhuǎn)方向)、0y方向(繞Y軸周圍的旋轉(zhuǎn)方向)的3自由度方向微驅(qū)動。該晶圓載臺本體28是由以截面矩形框狀且朝X軸方向延伸的中空構(gòu)件所構(gòu)成。在此晶圓載臺本體28的下面，設(shè)有復數(shù)個例如4個未圖示的空氣靜壓軸承(例如，空氣軸承)，通過該些空氣軸承，晶圓載臺WST是通過數(shù)μ m左右之間隙以非接觸方式支撐于該導引面上方。在該框架FC的凸部FCa上方，如圖2所示，配置朝Y軸方向延伸的Y軸用固定構(gòu)件86。同樣地，在該框架FC的凸部FCb上方，配置朝Y軸方向延伸的Y軸用固定構(gòu)件87。該些Y軸用固定構(gòu)件86、87是利用設(shè)于各下面未圖示的空氣靜壓軸承(例如，空氣軸承)，通過既定間隙浮置支撐于凸部FCa、FCb的上方。Y軸用固定構(gòu)件86、87于本實施形態(tài)中是由沿Y軸方向以既定間隔配置的具有復數(shù)個永久磁鐵的磁極單元所構(gòu)成。在該晶圓載臺本體28的內(nèi)部設(shè)有可動構(gòu)件90，是由沿X軸方向以既定間隔配置的具有復數(shù)個永久磁鐵的截面U字形磁極單元所構(gòu)成。在可動構(gòu)件90的內(nèi)部空間，插入沿X軸方向的X軸用的固定構(gòu)件80。此X軸用的固定構(gòu)件80，是由沿X軸方向以既定間隔配置的內(nèi)設(shè)復數(shù)個電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。此種情形，利用由磁極單元所構(gòu)成的可動構(gòu)件90與由電樞單元所構(gòu)成的X軸用固定構(gòu)件80，構(gòu)成使晶圓載臺WST朝X軸方向驅(qū)動的動磁型的X軸線性馬達。以下，使用與該固定構(gòu)件(X軸用固定構(gòu)件)80同一符號，適當稱上述X軸線性馬達為X軸線性馬達80。亦可使用動圈型線性馬達。在該X軸用固定構(gòu)件80的長邊方向一側(cè)與另一側(cè)端部，分別固定可動構(gòu)件(例如，由沿Y軸方向以既定間隔配置的內(nèi)設(shè)復數(shù)個電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成)82、83。該些可動構(gòu)件82、83是分別從內(nèi)側(cè)插入前述的Y軸用固定構(gòu)件86、87。S卩，本實施形態(tài)，利用由電樞單元所構(gòu)成的可動構(gòu)件82、83與由磁極單元所構(gòu)成的Y軸用固定構(gòu)件86、87，構(gòu)成動圈型的2個Y軸線性馬達。以下，使用與各可動構(gòu)件82、83同一符號，適當稱上述2個Y軸線性馬達為Y軸線性馬達82、Y軸線性馬達83。此外，亦可使用動磁型線性馬達作為Y軸線性馬達82、83。即，晶圓載臺WST是利用X軸線性馬達80朝X軸方向驅(qū)動，并且，利用一對Y軸線性馬達82、83，與X軸線性馬達80—體朝Y軸方向驅(qū)動。又，晶圓載臺WST使Y軸線性馬達82、83所產(chǎn)生的Y軸方向的驅(qū)動力稍差異，借此亦能朝θ ζ方向旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。晶圓臺WSB，如圖4的俯視圖所示，是俯視呈大致正方形，在其上面，設(shè)有供保持晶圓W的夾頭方式的晶圓保持具WH以及板保持具ΡΗ。晶圓保持具WH是如圖4所示，具備:在晶圓臺WTB上面的中央部的既定面積圓形區(qū)域內(nèi)以既定間隔設(shè)置的復數(shù)個第I銷32(32、……)、第I邊緣部30 (由包圍配置該第I銷32、32、……的圓形區(qū)域的圓環(huán)狀凸部所構(gòu)成)、以及3個圓筒狀的第2邊緣部35Α、35Β、35C[分別凸設(shè)于與該圓形區(qū)域的中心(保持具中心)的距離相等的大致正方形的各頂點位置]。各第I銷32的前端、第I邊緣部30、以`及第2邊緣部35A、35B、35C的上端面是設(shè)定為大致同一高度。
在該第2邊緣部35A、35B、35C的內(nèi)周，分別形成俯視圓形的貫穿孔39，在各貫穿孔的內(nèi)部具有圓柱形狀，在上下方向(圖4中與紙面正交方向)分別設(shè)有可動的上下移動銷(中心凸部)34a、34b、34c。該些3個中心凸部34a 34c是通過構(gòu)成載臺驅(qū)動部124 (參照圖6)的未圖示的上下移動機構(gòu)，在上下方向(在圖4中與紙面正交的Z軸方向)，同時僅以同一量，使升降(上下移動)。裝載晶圓及卸載晶圓時，中心凸部34a 34c利用上下移動機構(gòu)來驅(qū)動，借此利用中心凸部34a 34c，從下方支撐晶圓W，能以該狀態(tài)使晶圓W上下移動。在被晶圓臺WTB上面的該第I邊緣部30包圍的圓形區(qū)域，如圖4所示，復數(shù)個排氣口 36從該圓形區(qū)域的中心(保持具中心)以既定間隔形成輻射狀(具有大致120°的中心角間隔的3條半徑線方向)。該些排氣口 36形成于與第I銷32未干涉的位置。各排氣口 36分別通過該些正下方的配管，分別連接于形成于晶圓臺WTB內(nèi)部的排氣路38A、38B、38C，該些排氣路38A、38B、38C分別通過真空排氣管41a、41b、41c，連接于第I真空排氣機構(gòu)44 (參照圖6)。本實施形態(tài)，晶圓W被裝載于晶圓臺WTB的晶圓保持具WH上，當利用主控制裝置20，通過第I真空排氣機構(gòu)44開始真空排氣動作時，被該晶圓W與第I邊緣部30與3個第2邊緣部35A、35B、35C包圍的空間內(nèi)部會成為負壓狀態(tài)，該晶圓W被吸附保持于復數(shù)個第I邊緣部32與第I邊緣部30與3個第2邊緣部35A、35B、35C。在晶圓臺WTB上面的該第I邊緣部30的外側(cè)，凸設(shè)由與該第I邊緣部30同心的圓環(huán)狀凸部所構(gòu)成的第3邊緣部45。在第3邊緣部45的外側(cè)，形成其內(nèi)側(cè)被第3邊緣部45區(qū)隔、外側(cè)被晶圓臺WTB的外部隔壁48包圍的凹部49。在凹部49的內(nèi)部底面，以既定間隔設(shè)有復數(shù)個第2銷53，其前端的高度與第3邊緣部45及外部隔壁48同一高度。此種情形，第3邊緣部45及外部隔壁48上端面的高度是設(shè)定成較第I隔壁若干低。在如此構(gòu)成的第3邊緣部45及外部隔壁48以及復數(shù)個第2銷53上，以可拆裝方式搭載中央部具有圓形開口 50a的大致正方形的板件的撥液板(例如撥水板)50。此撥液板50，擴及周圍全體，外周面是以較晶圓臺WTB外部隔壁48的外面朝外側(cè)稍凸出的狀態(tài)，搭載于晶圓臺WTB上。亦即，包含晶圓臺WTB上面的第3邊緣部45及外部隔壁48及復數(shù)個第2銷53，構(gòu)成用以保持撥液板50的夾頭方式的板保持具PH。此處，在設(shè)有構(gòu)成該板保持具PH的被第3邊緣部45與外部隔壁48區(qū)隔的復數(shù)個第2銷53的區(qū)域，亦與上述晶圓保持具WH同樣，以既定間隔形成復數(shù)個排氣口(未圖示)，各排氣口分別通過該些正下方的配管，分別連接于晶圓臺WTB內(nèi)部所形成的未圖示的排氣路，該些排氣路分別通過未圖示的真空排氣管，連接于圖6所示的第2真空排器氣機構(gòu)56。本實施形態(tài)，利用主控制裝置20，通過上述第2真空排氣機構(gòu)56，撥液板50與第3邊緣部45與外部隔壁48包圍的空間(凹部49的內(nèi)部空間)內(nèi)部被真空吸引，撥液板50被吸附保持于板保持具PH。此處，例如，由于容易拆卸撥液板50，因此于上述空間內(nèi)部，設(shè)有與前述中心凸部34a 34c同樣的上下移動銷，主控制裝置20亦可控制該上下移動銷的驅(qū)動機構(gòu)。本實施形態(tài)，在被上述板保持具PH吸附保持的撥液板50的上面與被吸附保持于晶圓保持具WH的晶圓W的表面以使其大致位于同一高度的方式(參照圖1)，來設(shè)定構(gòu)成晶圓保持具WH及板保持具PH的各部高度。又，在保持于板保持具PH的狀態(tài)下，撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣是與第3邊緣部45內(nèi)周壁大致一致。亦即，本實施形態(tài)，在第3邊緣部45與撥液板50的開口 50a內(nèi)壁面的內(nèi)側(cè)，形成用以裝載晶圓W的凹部140，在該凹部140內(nèi)設(shè)有晶圓保持具WH。又，晶圓W的外周邊緣與撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣間之間隙例如以0.1 0.4_左右的值，來設(shè)定開口 50a的形狀及大小。又，晶圓W以保持于晶圓保持具WH的狀態(tài)，在晶圓臺WTB的上面，外觀上形成全平坦面。此外，晶圓臺WTB是由熱膨脹率低的材料(例如，陶瓷等具有某種程度彈性材料)所形成，將整體呈大致正方形的陶瓷等材料表面蝕刻，借此，第I邊緣部30、第2邊緣部35A、35B、35C、第3邊緣部45、復數(shù)個第I銷32、以及復數(shù)個第2銷53等一體形成。在該撥液板50的表面，施以使用氟系材料等的撥液處理(此處，進行撥液涂層等撥液處理)，形成撥液面(撥水面)。撥液板50的撥液(撥水)面，一般不能承受遠紫外域或真空紫外域的光，由于該曝光用光的照射，使得撥液(撥水)性能劣化。又，在撥液板50的上面，因亦有形成液體附著痕跡(水痕等)之虞，故使撥液板50能易于拆裝(更換)。此夕卜，撥液板50的保持不僅能以真空吸附方式來進行，亦能以靜電吸附等另一方式來進行。又，在晶圓W的表面涂布有光阻(感光劑)。本實施形態(tài)，舉一例作為感光劑是使用ArF準分子激光用感光劑，且具有撥液性(撥水性，接觸角為80° 85° )者。當然，亦可于該感光劑的上層，涂布具有撥液性(與液體的接觸角為90° 120° )的頂涂布層的形成材料。此外，晶圓W的表面，亦可未必具有撥液性，亦可使用與液體的接觸角為60° 80°左右的光阻。又，亦可于晶圓W的側(cè)面及背面的至少一部分施以撥液處理。同樣地，亦可于晶圓保持具WH、板保持具PH的至少一部分施以撥液處理。上述方式所構(gòu)成的晶圓臺WTB位置是利用干涉計系統(tǒng)118(參照圖6)進行測量，關(guān)于此點進行后述。該測量系統(tǒng)MST是如圖2所示，由把X軸方向當作長邊方向的Y載臺81等復數(shù)個構(gòu)件的組合所構(gòu)成，通過設(shè)于其最下面(最接近底盤12的構(gòu)件的下面)的復數(shù)個空氣靜壓軸承(例如，空氣軸承)，在底盤12的上面(導引面)上方，通過數(shù)ym左右的間隙，以非接觸方式支撐。測量用載臺MST，由圖3的立體圖可知，具備:Y載臺81，是具有分別固定于朝X軸方向細長的長方形的板狀測量用載臺本體81c與該測量用載臺本體81c上面的X軸方向的一側(cè)、另一側(cè)的一對凸出部81a、81b ;調(diào)平用臺52，是配置于該測量系統(tǒng)本體81c的上面上方；以及測量用臺MTB，是設(shè)于該調(diào)平用臺52上。在構(gòu)成該Y載臺81的測量用載臺本體81c的X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)端面，分別固定由電樞單元(內(nèi)設(shè)沿Y軸方向，以既定間隔配置的復數(shù)個電樞線圈)所構(gòu)成的可動構(gòu)件84、85。該些可動構(gòu)件84、85皆分別從內(nèi)側(cè)插入前述的Y軸用的固定構(gòu)件86、87。亦即，本實施形態(tài)，利用由電樞單元所構(gòu)成的可動構(gòu)件84、85與由該可動構(gòu)件84、85皆插入的磁極單元所構(gòu)成的Y軸用固定構(gòu)件86、87，構(gòu)成二個動圈型Y軸線性馬達。以下，使用與各可動構(gòu)件84、85相同的符號，將上述二個Y軸線性馬達亦分別適當稱為Y軸線性馬達84、Y軸線性馬達85。本實施形態(tài)，利用該些Y軸線性馬達84、85，使測量用載臺MST全體朝Y軸方向驅(qū)動。此外，亦能把此Y軸線性馬達84、85作為動磁型線性馬達。在該測量用載臺本體81c的底面，設(shè)有前述的復數(shù)個空氣靜壓軸承。在此測量用載臺本體81c上面的X軸方向一側(cè)、另一側(cè)的+Y側(cè)端部附近，該一對凸出部81a、81b是以相互對向的方式固定。在該些凸出部81a、81b相互間，在XY面內(nèi)，分別朝X軸方向延伸的固定構(gòu)件61、固定構(gòu)件63，以隔既定間隔架設(shè)于Z軸方向(上下)。在該調(diào)平用臺52的+X側(cè)端面，設(shè)有X音圈馬達54a的可動構(gòu)件，該X音圈馬達54a的固定構(gòu)件是固定于測量用載臺本體81c的上面。又，在該調(diào)平用臺52的-Y側(cè)端面，分別設(shè)有Y音圈馬達54b、54c的可動構(gòu)件，該些Y音圈馬達54b、54c的固定構(gòu)件是固定于測量用載臺本體81c的上面。該X音圈馬達54a是由，例如由磁極單元所構(gòu)成的可動構(gòu)件與由電樞單元所構(gòu)成的固定構(gòu)件所構(gòu)成，利用該些間電磁相互作用，產(chǎn)生X軸方向的驅(qū)動力。又，該Y音圈馬達54b、54c亦同樣構(gòu)成，產(chǎn)生Y軸方向的驅(qū)動力。亦即，調(diào)平用臺52是利用X音圈馬達54a，使Y載臺81朝X軸方向驅(qū)動，利用Y音圈馬達54b、54c，使Y載臺81朝Y軸方向驅(qū)動。又，使Y音圈馬達54b、54c所產(chǎn)生的驅(qū)動力不同，借此能將調(diào)平用臺52使Y載臺81朝繞Z軸周圍旋轉(zhuǎn)方向(θ ζ方向)驅(qū)動。在該調(diào)平用臺52的內(nèi)部，分別配置產(chǎn)生Z軸方向驅(qū)動力的3個Z音圈馬達(省略圖示)。亦即，調(diào)平用臺52利用前述的X音圈馬達54a、Y音圈馬達54b、54c、以及配置于內(nèi)部未圖示的Z音圈馬達，能以非接觸方式，微幅驅(qū)動于6自由度方向(Χ、Υ、Ζ、θχ、0y、θ ζ)。返回圖3，該測量用臺MTB具備:測量用臺本體59 ;以及可動構(gòu)件62、64，是把上下并排固定于該測量用臺本體59的+Y側(cè)面的X軸方向當作長邊方向，截面大致呈U字形。該可動構(gòu)件62具備.XL截面大致呈U字形的可動構(gòu)件軛；以及永久磁鐵組，是由沿X軸方向以既定間隔，且交互配置于該可動構(gòu)件軛內(nèi)面(上下面)的N極永久磁鐵與S極永久磁鐵的復數(shù)組所構(gòu)成；且成為卡合于該固定構(gòu)件61的狀態(tài)。在可動構(gòu)件62的可動構(gòu)件軛的內(nèi)部空間，沿X軸方向，形成交替磁場。該固定構(gòu)件61是由電樞單元(例如，內(nèi)設(shè)沿X軸方向，以既定間隔配置的復數(shù)個電樞線圈)所構(gòu)成。亦即，利用固定構(gòu)件61與可動構(gòu)件62，構(gòu)成使測量用臺MTB朝X軸方向驅(qū)動的動磁型的X軸線性馬達LX。該可動構(gòu)件64具備.XL截面大致呈U字形的可動構(gòu)件軛；以及設(shè)于該可動構(gòu)件軛內(nèi)面(上下面)各一個N極永久磁鐵與S極永久磁鐵,形成卡合于前述固定構(gòu)件63的狀態(tài)。在可動構(gòu)件64的可動構(gòu)件軛的內(nèi)部空間，形成+Z方向或-Z方向的磁場。該固定構(gòu)件63具備:電樞線圈，是配置成利用N極磁鐵與S極磁鐵,形成于其內(nèi)部的磁場中，以僅于X軸方向上使電流流動。亦即，利用可動構(gòu)件64與固定構(gòu)件63，構(gòu)成使測量用臺MTB朝Y軸方向驅(qū)動的動磁型的Y音圈馬達VY。由上述說明可知,本實施形態(tài)是利用Y軸線性馬達82 85及X軸線性馬達80、供驅(qū)動晶圓臺WTB的未圖示的Z傾斜驅(qū)動機構(gòu)、測量用載臺上的上述各馬達(54a 54c、LX、VY>以及未圖示的Z音圈馬達)，構(gòu)成圖6所示的載臺驅(qū)動部124。構(gòu)成此載臺驅(qū)動部124的各種驅(qū)動機構(gòu)是由圖6所示的主控制裝置20控制。該測量用臺MTB進一步具備:用以進行與曝光相關(guān)的各種測量的測量器類。進一步詳述此，是在測量用臺本體59的上面,例如,設(shè)有由Zerodur (Schott公司的商品名)或石英玻璃等玻璃材料所構(gòu)成的板件101。在此板件101上，大致全面涂布鉻，在各處設(shè)有測量器用區(qū)域，或標線片透射率的測量等時所使用的高低基準反射面區(qū)域，或基準標記區(qū)域FM[形成有日本特開平5-21314號公報(對應美國專利第5，243，195號)或日本特開平10-050600號公報(對應美國專利第6，243，158號)等所揭示的復數(shù)個基準標記]。該基準標記區(qū)域構(gòu)成測量構(gòu)件。板件101的表面為平坦面。又，只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述各公報及對應的各美國專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。在該測量器用區(qū)域施以圖案化，且各種測量用開口圖案。作為此測量用開口圖案，例如，形成空間像測量用開口圖案(例如狹縫狀開口圖案)、照明不均測量用針孔開口圖案、照度測量用開口圖案、以及波面像差測量用開口圖案等。在該空間像測量用開口圖案下方的測量用臺本體59內(nèi)部設(shè)有受光系統(tǒng)，其透過該空間像測量用開口圖案，接收透過投影光學系統(tǒng)PL及水照射于板件101的曝光用光，借此構(gòu)成例如日本特開2002-14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所揭示的空間像測量器，測量被投影光學系統(tǒng)PL投影的圖案空間像(投影像)的光強度。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利申請公開說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。又，在照明不均測量用針孔開口圖案下方的測量用臺本體59內(nèi)部，設(shè)有包含受光元件的受光系統(tǒng)，借此構(gòu)成照度不均測量器[例如揭示于日本特開昭57-117238號公報(對應美國專利第4，465，368號)等]，其具有在投影光學系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的針孔狀受光部。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。又，于照度測量用開口圖案下方的測量用臺本體59內(nèi)部，例如，設(shè)有包含受光元件的受光系統(tǒng)，借此構(gòu)成照度監(jiān)控器[例如在日本特開平11-16816號公報(對應美國專利申請公開第2002/0061469號說明書)等所揭示者]，其具有在投影光學系統(tǒng)PL的像面上透過水接收照明光IL的既定面積的受光部。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利申請公開說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。又，在波面像差測量用開口圖案下方的測量用臺本體59內(nèi)部，例如，設(shè)有包含微透鏡陣列的受光系統(tǒng)，借此構(gòu)成波面像差測量器[例如，揭示在國際公開第99/60361號小冊子說明書(對應歐洲專利第1，079，223號說明書)等]。只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述國際公開小冊子及對應的歐洲專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。此外，圖6中，上述空間像測量器、照度不均測量器、照度監(jiān)控器、以及波面像差測量器是以測量器組43來表示。此外，本實施形態(tài)是透過投影光學系統(tǒng)PL與水，利用曝光用光(照明用光)IL，進行將晶圓W曝光的液浸曝光，使用照明光IL的測量所使用的上述照度監(jiān)控器、照度不均測量器、空間像測量器、以及波面像差測量器等是透過投影光學系統(tǒng)PL及水，來接收照明光IL0因此，亦可于板件101的表面施以撥水涂層。又，上述各測量器，例如，亦可僅光學系統(tǒng)等的一部分搭載于測量用載臺MST，亦可將測量器全體配置于測量用載臺MST。又，上述空間像測量器、照度不均測量器、照度監(jiān)控器、以及波面像差測量器未必具備其全部，亦可視需要，僅搭載一部分。上述方式構(gòu)成的測量用載臺MST (測量用臺MTB)的位置是利用后述的干涉計系統(tǒng)118(參照圖6)來測量。又，本實施形態(tài)的曝光裝置100，在供保持投影單元的保持構(gòu)件，設(shè)有作為圖1所示的離軸對準系統(tǒng)(以下，簡稱為“對準系統(tǒng)”ALG)。作為此對準系統(tǒng)ALG，能使用影像處理方式的FIA(場像對準:Field Image Alignment)系統(tǒng)的感測器,例如,揭示于日本特開2001-257157號公報(對應美國專利申請公開第2001/0023918號)或日本特開平8-213306號公報(對應美國專利申請公開第2001/0023918號)或日本特開平8-213306號公報(對應美國專利第5，783，833號)等，將未使晶圓上的光阻感光的寬帶的檢測用光束照射于對象標記，利用來自該對象標記的反射光，使用攝影元件(CCD等)拍攝成像于受光面的對象標記像與未圖示的指標(設(shè)于對準系統(tǒng)ALG內(nèi)的指標板上的指標圖案)的像，并輸出該攝影訊號。來自對準系統(tǒng)ALG的攝影訊號是供應至圖6的主控制裝置20。又，只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述各公報及對應的美國專利申請公開說明書、或美國專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。此外，作為對準系統(tǒng)ALG，未限于FIA系統(tǒng)，當然能單獨或適當組合對準感測器，將相干(coherrent)的檢測光照射于對象標記，檢測從該對象標記產(chǎn)生的散射光或繞射光，或使從該對象標記所產(chǎn)生的兩個繞射光(例如，同次數(shù)的繞射光，或朝同方向繞射的繞射光)干涉而檢測。此外，保持對準系統(tǒng)ALG的光學元件或光學元件的保持構(gòu)件等，亦可配置于晶圓臺WTB的移動面附近，在擔心因液體飛散而附著液體的構(gòu)件設(shè)置撥水性蓋。又，光學元件與供保持該光學元件的保持構(gòu)件的間隙等，在擔心液體朝對準系統(tǒng)ALG滲入的間隙配置O形環(huán)等密封構(gòu)件。進而，對準系統(tǒng)ALG的終端的光學元件表面或固定于對準系統(tǒng)ALG的干涉計用的反射鏡表面等，配置于晶圓臺WTB移動面附近的光學構(gòu)件表面是以撥液性材料加以被膜，不僅能防止附著水，而且即使附著水，操作者等作業(yè)者亦能輕易擦去。進而，本實施形態(tài)的曝光裝置100，圖1中雖省略圖示，其設(shè)有包含照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b(參照圖6)的例如與日本特開平6-283403號公報(對應美國專利第5，448，332號)等所揭示者同樣的斜入射方式的多點焦點檢測系統(tǒng)。本實施形態(tài)，舉一例，照射系統(tǒng)90a是在投影單元的-X側(cè)，以懸吊方式支撐于供保持投影單元的保持構(gòu)件，受光系統(tǒng)90b是在投影單元的+X側(cè)，以懸吊方式支撐于保持構(gòu)件的下方。亦即，照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b、與投影光學系統(tǒng)PL是安裝于同一構(gòu)件,兩者的位置關(guān)系維持一定。又，只要在本國際申請案所指定的指定國(或所選擇的選擇國)的國內(nèi)法令許可下，援用上述公報及對應的美國專利說明書中的揭示作為本說明書的記載的一部分。其次，說明干涉計系統(tǒng)118的構(gòu)成及作用。在該晶圓臺WTB的-X側(cè)端面及-Y側(cè)端面，施以鏡面加工，如圖2所示，分別形成反射面17X、17Y。又，在該測量用臺MTB的-X側(cè)端面、+Y側(cè)的端面、以及-Y側(cè)端面，施以鏡面加工，分別形成反射面117XU17YP117Y”干涉計系統(tǒng)118是如圖5所示，由Y軸干涉計16、18、78以及X軸干涉計46、66、76所構(gòu)成。Y軸干涉計16、18皆具有，連結(jié)投影光學系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX)以及對準系統(tǒng)ALG的檢測中心的與Y軸平行的測長軸。該些Y軸干涉計16、18皆是具有至少3條光軸的多軸干涉計，各光軸的輸出值能獨立測量。又，X軸干涉計46，是具有在Y軸干涉計16、18的測長軸與投影光學系統(tǒng)PL的投影中心垂直交叉的測長軸。該些X軸干涉計46、66皆是具有至少2條光軸的多軸干涉計，各光軸的輸出值能獨立測量。上述4個干涉計16、18、46,66的輸出值(測量值)是供應至圖6所示的主控制裝置20。例如，圖5的狀態(tài)，來自Y軸干涉計16的干涉計光束(測長光束)是投射于測量用臺WTB的反射面IHY1，來自Y軸干涉計18的干涉計光束(測長光束)是投射于測量用臺WTB的反射面17Y，來自X軸干涉計46的干涉計光束(測長光束)是投射于測量用臺WTB的反射面117X，來自X軸干涉計66的干涉計光束(測長光束)是投射于測量用臺WTB的反射面17X。干涉計16、18、46、66是分別接收來自各光軸測長光束的該各反射面的反射光，借此，在每一光軸，測量從各反射面的基準位置(一般，于投影單元PU側(cè)面或離軸對準系統(tǒng)ALG(參照圖6、圖5等)的側(cè)面配置固定反射鏡，把此當作基準面)的測量方向的位移。圖5的情形，主控制裝置20是根據(jù)來自Y軸干涉計18的輸出值，不僅測量晶圓臺WTB的Y軸方向的位置(Y位置)，亦測量繞X軸周圍的旋轉(zhuǎn)量(縱轉(zhuǎn)量)及繞Z軸周圍的旋轉(zhuǎn)量(偏轉(zhuǎn)量)。又，主控制裝置20是根據(jù)來自Y軸干涉計16的輸出量，不僅測量測量用臺MTB的Y軸方向位置(Y位置)，亦測量繞X軸周圍的旋轉(zhuǎn)量(縱轉(zhuǎn)量)及繞Z軸周圍的旋轉(zhuǎn)量(偏轉(zhuǎn)量)。又，主控制裝置20是根據(jù)來自X軸干涉計66的輸出值(測量值)，不僅測量晶圓臺WTB的X軸方向位置(X位置)，亦測量繞Y軸周圍的旋轉(zhuǎn)量(橫轉(zhuǎn)量)。又，主控制裝置20是根據(jù)來自X軸干涉計46的輸出值(測量值)，測量測量用臺MTB的X位置以及橫轉(zhuǎn)量。由圖5可知，本實施形態(tài)，來自Y軸干涉計18的干涉計光束是在晶圓載臺WST的對準時及曝光時的移轉(zhuǎn)范圍的全區(qū)域，持續(xù)投影至移動鏡17Y，來自Y軸干涉計16的干涉計光束是在測量用載臺MST的移轉(zhuǎn)范圍的全區(qū)域，持續(xù)投影至移動鏡117Ylt)因此，針對Y軸方向，除了晶圓載臺WST移動至以二點鏈線表示于圖5中的晶圓交換位置的情形等外，載臺WST, MST的Y位置是由主控制裝置20根據(jù)Y軸干涉計18、16的測量值進行管理。另一方面，亦由圖2及圖5可知，主控制裝置20，僅來自X軸干涉計46的干涉計光束，在反射面17X所照射的范圍，根據(jù)X軸干涉計46的輸出值，管理晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的X位置，并且，僅來自X軸干涉計46的干涉計光束，在反射面117X所照射的范圍，根據(jù)X軸干涉計46的輸出值，管理測量用臺MTB (測量用載臺MST)的X位置。又，主控制裝置20，來自X軸干涉計46及X軸干涉計66的干涉計光束是同時包含反射面17X所照射的范圍，晶圓對準時，晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)的X位置是使用X軸干涉計66進行管理，曝光時的晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)的X位置是使用X軸干涉計46進行管理。借此，即使于晶圓對準時及曝光時，亦無阿貝(Abbe)誤差，而能管理晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的X位置。剩余的X軸干涉計76、Y軸干涉計78，是當位于以干涉計46、66、18無法管理的晶圓交換位置附近時用以管理晶圓載臺WST位置的干涉計。根據(jù)該些干涉計76、78的測量值，主控制裝置20是根據(jù)干涉計46、66、18的輸出值，管理無法管理X位置期間的晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)的位置。又，測量用載臺MST由圖5的狀態(tài)進一步位于+Y側(cè)的待機位置時，X軸干涉計66，當然，來自X軸干涉計46的干涉計光束亦未照射至反射面117Χ。由此狀態(tài)將測量用載臺MST移動至-Y方向時，主控制裝置20，來自X軸干涉計46的干涉計光束是由未照射至反射面117X的狀態(tài)，在開始照射反射面117X后的時點，重置當時無法用來控制的X軸干涉計46，然后，使用X軸干涉計46，管理測量用臺MTB(測量用載臺MST)的X位置。其他的干涉計能進行使用鄰接的干涉計的輸出(測量值)的重置(連結(jié)重置)動作。亦即，在各干涉計的重置前時點，來自鄰接的兩臺干涉計的測長光束是在同時照射至反射面的時點，在其之前，仍舊使用晶圓載臺WST或測量用載臺MST的位置控制所使用的X軸干涉計或Y軸干涉計的測定值，將重置對象的干涉計重置(預設(shè))，借此，能無妨礙地使用其重置后的干涉計，能管理晶圓載臺WST或測量用載臺MST的位置。當然，測量用臺MTB位于待機位置時，亦可追加供測量測量用臺MTB的X軸方向位置的干涉計。進而，本實施形態(tài)的曝光裝置100，晶圓交換位置(裝載位置)能定位于晶圓載臺WST可移動范圍的+X側(cè)端部附近且-Y側(cè)端部附近的位置，在此晶圓交換位置有晶圓載臺WST時，進行標線片對準及對準系統(tǒng)ALG的基線測量。于此晶圓交換位置有晶圓載臺WST時，因來自Y軸干涉計18的干涉計光束(測長光束)照射至測量用臺MTB的反射面117Y2，故首先，主控制裝置20重置該Y軸干涉計18的測量值。接著，主控制裝置20使用該重置后的Y軸干涉計18與X軸干涉計46，管理測量用臺MTB的位置，并開始標線片對準及對準系統(tǒng)ALG的基線測量的一系列動作。此是因為晶圓對準時及曝光時，使用晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的位置測量所使用的Y軸干涉計18，管理測量用臺MTB的位置，并使用測量用臺MTB上的前述基準標記區(qū)域FM測量基線，使用其所測量的基線，進行曝光時的晶圓臺WTB的位置控制，借此防止產(chǎn)生因控制所使用的干涉計的差異所造成的位置誤差之故。本實施形態(tài)，標線片對準時，利用主控制裝置20，液浸機構(gòu)132的液體供應裝置88及液體回收裝置92的各閥的開閉控制是如前述般進行，在投影光學系統(tǒng)PL的前透鏡91與測量用臺WTB的基準標記區(qū)域FM之間，持續(xù)填滿水。接著，借由主控制裝置20，使用標線片對準檢測系統(tǒng)RAa、RAb，檢測出與標線片R上的至少一對標線片對準標記的基準標記區(qū)域FM上的至少一對第I基準標記的相對位置(第I相對位置)，然后，測量用臺WTB根據(jù)基線的設(shè)計值，使基準標記區(qū)域FM移動至位于對準系統(tǒng)ALG的正下方位置，以水Lq未存在于基準標記區(qū)域FM上的狀態(tài)，使用對準系統(tǒng)ALG，檢測出基準標記區(qū)域FM上的第2基準標記，檢測出該對準系統(tǒng)ALG的檢測中心與第2基準的相對位置(第2相對位置)。接著，主控制裝置20根據(jù)上述第I相對位置與第2相對位置與基線的設(shè)計值與一對第I基準標記與第2基準標記的位置關(guān)系，算出對準系統(tǒng)ALG的基線。本實施形態(tài)，利用三個Y軸干涉計16、18、78與三個X軸干涉計46、66、76，構(gòu)成圖6的干涉計系統(tǒng)118，但此種干涉計系統(tǒng)的構(gòu)成只是一例，當然，本發(fā)明未限定于此。回到圖1，于曝光裝置100，設(shè)有將晶圓搬送至晶圓載臺WST的搬送臂70。此搬送臂70較佳是在檢測出晶圓中心位置及旋轉(zhuǎn)角的未圖示的預對準裝置與位于晶圓交換的晶圓載臺WST之間搬送晶圓者，亦可使用滑動方式的臂，亦可使用水平多關(guān)節(jié)型的機器人手臂等。本實施形態(tài)包含:此搬送臂70、未圖示的預對準裝置、以及對該預對準裝置從外部搬送的搬送部，而構(gòu)成用以搬送晶圓至晶圓載臺WST的搬送系統(tǒng)72 (參照圖6)。圖6是表示曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)是以主控制裝置20 [由綜合控制全體裝置的微電腦(或工作站)所構(gòu)成]構(gòu)成。又，晶圓臺WTB、測量用臺MTB的XY面內(nèi)的位置是如上述，能用干涉計系統(tǒng)118的各干涉計，以0.5 Inm左右的解析度來測量，但因于本實施形態(tài)的撥液板50未存在位置測量基準的標記等，故例如，來自所有Y軸干涉計或所有X軸干涉計的干涉計光束未照射晶圓臺WTB的反射面后，至少重置一臺干涉計后，不易將晶圓臺WTB恢復基準狀態(tài)(或最后干涉計光束關(guān)閉前的狀態(tài))。又，本實施形態(tài)中，撥液板50的周圍是從晶圓臺WTB (反射面)朝外側(cè)伸出，故為避免撥液板50的外周邊緣碰撞，不易進行晶圓臺WTB的位置控制。特別是，撥液板50交換后等，亦不易控制晶圓臺WTB的位置。鑒于該點，本實施形態(tài)的曝光裝置100是利用主控制裝置20，如下述般測量撥液板50的位置，依此測量結(jié)果，進行晶圓臺WTB的位置管理。圖7是表示，舉一例，交換撥液板50后，恢復為所執(zhí)行的晶圓臺WTB的基準狀態(tài)動作時，主控制裝置20 (內(nèi)部CPU)的處理算法流程圖。開始此處理算法，是指重置干涉計18的測量值后，將晶圓載臺WST移動至圖8所示的位置時者。此時，晶圓臺WTB的位置是根據(jù)干涉計18、76的測量值，由主控制裝置20管理。此外，晶圓臺WTB本身的θζ方向的旋轉(zhuǎn)誤差小到能予以忽視程度者。又，如前述，晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)等移動時，雖執(zhí)行前述的干涉計的測量值的連結(jié)預設(shè)，但在以下的處理算法說明中，為了簡化其說明，省略關(guān)于干涉計的測量值的連結(jié)預設(shè)的說明等，在以干涉計系統(tǒng)118的測長軸所界定的載臺座標系統(tǒng)(Χ，Υ)上，管理晶圓載臺WST(晶圓臺WTB)的位置者。考量由于以連結(jié)預設(shè)將所鄰接的X軸干涉計的測量值、Y干涉計的測量值依序接替，故即使如此假定亦不會有特別的問題。首先，圖7的步驟202中，將表示撥液板50外周邊緣測量點號碼的第I計數(shù)器的計數(shù)值η初始化為I (η — I)。此處，作為測量對象的區(qū)域是限定為N個，此處為4個區(qū)域，亦即，限定撥液板50的上下左右各邊緣的中央點者。在其次的步驟204中，使用干涉計系統(tǒng)118，測量晶圓臺WTB的位置，并移動用以將撥液板50外周邊緣上的第η號(此處為第I號)的測量點定位于對準系統(tǒng)ALG正下方的晶圓載臺WST。圖9㈧是表示晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)上的撥液板50外周邊緣上的第I號測量點定位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野時的情況。此外，圖9(A) 圖9(D)中，符號ALG’是表示對準系統(tǒng)ALG的攝影視野。回到圖7，步驟206中，使用對準系統(tǒng)ALG，拍攝該外周邊緣上第η號(此處，指第I號)的測量點，取入其攝影資料(攝影訊號)，并且，取入此時的干涉計系統(tǒng)118的測定值，于未圖示的記憶體內(nèi)對應兩者加以儲存。其次的步驟208中，判斷第I計數(shù)器的計數(shù)值η是否達到Ν(此處，Ν = 4)，此時，因η = 1，故此處的判斷為否定，移至步驟210，將第I計數(shù)器的計數(shù)值η加I后，回到步驟204。以后，步驟208中的判斷為肯定前，重復步驟204 — 206 — 208 — 210的環(huán)路處理。借此，從圖9 (A)的位置，于分別表示于圖9(B)、圖9(C)、圖9(D)的位置，依序定位晶圓臺位置，在各定位位置，使用對準系統(tǒng)ALG拍攝撥液板50的外周邊緣，將與該攝影資料的晶圓臺WTB的位置資訊儲存于記憶體內(nèi)。接著，當圖9(D)所示的撥液板50的-X側(cè)的邊緣攝影的取入完成，步驟208中的判斷為肯定，移至步驟212。步驟212中，根據(jù)儲存于記憶體內(nèi)的各邊緣的攝影資料(攝影結(jié)果)與對應的干涉計系統(tǒng)118的測量結(jié)果，利用影像處理方法，取得撥液板50的第I號 第N號(此處為第4號)的外周邊緣測量點的位置資訊。其次的步驟214中，根據(jù)所獲得的N處(此處為4處)的外周邊緣的位置資訊，算出撥液板50的位置資訊，例如，算出撥液板50既定基準點(例如中心點)的載臺座標系統(tǒng)(X，Y)上的位置資訊等后，視需要，進行步驟216的處理后，圖7的流程圖所示的處理便告完成。根據(jù)如此所測量的撥液板50外周邊緣的位置資訊或撥液板50的位置資訊，其后的晶圓臺WTB的位置管理是由主控制裝置20進行，例如，主控制裝置20，俾避免使搭載于晶圓臺WTB的撥液板50的外周邊緣與測量用載臺WST碰撞，根據(jù)撥液板50外周邊緣的位置資訊或撥液板50的位置資訊，控制晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的位置與測量用載臺MST的位置的至少一方。此處，例如，進行上述步驟216處理的情形，與前述的撥液板50的位置資訊同樣，取得晶圓保持具一部分的位置資訊，根據(jù)其位置資訊與上述步驟212或214所取得的撥液板50的位置資訊，算出晶圓保持具WH(晶圓臺WTB)與撥液板的位置關(guān)系。此處，例如，亦測量撥液板50的Θ z旋轉(zhuǎn)的情形，將撥液板50外周邊緣的測量預先設(shè)定復數(shù)處(亦即，合計5處以上)于至少一個邊緣上，較佳是依照與前述圖7同樣的流程圖來進行處理。第10(A)圖是表示依序測量+Y側(cè)端部邊緣上的復數(shù)處測量點的位置資訊時的晶圓臺WTB的移動情形。接著，此時，前述的步驟214中，作為撥液板50的位置資訊，較佳是包含上述基準點的位置資訊，根據(jù)其復數(shù)處測量對象區(qū)域所設(shè)定的邊緣上的至少2點位置資訊，亦算出其邊緣的θ ζ旋轉(zhuǎn)(亦即，對撥液板50的載臺座標系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)角)。此種情形中，亦可撥液板50的四邊邊緣皆設(shè)定復數(shù)個測量點，求出各邊緣的θ ζ旋轉(zhuǎn)。例如，如第10(B)圖的示意圖所示，亦可于四邊的邊緣皆設(shè)定3點測量點，算出所獲得的各邊緣的θζ旋轉(zhuǎn)的平均值。此外，實際上，雖對準系統(tǒng)ALG的攝影視野ALG’固定，晶圓臺WTB移動，但圖10⑶中，為了方便起見，相對于固定的晶圓載臺WTB，攝影視野ALG’呈移動般表示。此外，本實施形態(tài)中，在包含對撥液板50的大致中心對稱的2處的復數(shù)處，拍攝撥液板50的外周邊緣，但攝影處未限定于此，亦可對撥液板50的大致中心非對稱的2處。例如，亦可在包含撥液板50 —邊的外周邊緣一處及與該一邊相對的另一邊外周邊緣一處的復數(shù)處，拍攝外周邊緣。此種情形，因至少能取得相對的二邊外周邊緣的大致對稱影像，故能算出撥液板50的位置資訊(例如中心位置)。其次，關(guān)于以本實施形態(tài)的曝光裝置100來進行，從晶圓臺WTB上的撥液板交換，到進行下一撥液板的交換前之間的一系列處理，是根據(jù)表示主控制裝置20(內(nèi)部CPU)的處理算法的圖11、圖12的流程圖進行說明。以下處理算法的說明中，關(guān)于前述干涉計測量值的連結(jié)預設(shè)的說明等予以省略者，以干涉計系統(tǒng)118的測長軸所界定的載臺座標系統(tǒng)(X，Y)上，管理晶圓載臺WST (晶圓載臺WTB)的位置。首先，圖11的步驟222中，執(zhí)行測量撥液板的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊的子路徑的處理。此步驟222的子路徑中，首先，圖13的步驟302中，將表示撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的測量點順序的第2計數(shù)器的計數(shù)值m初始化為I (m — I)。此處，作為測量點限定M個，此處為8個，亦即，限定從撥液板50的開口 50a的中心，包含上下左右方向的中心角45°的8方向輻射狀延伸的8條線與內(nèi)周邊緣的交點的8點。其次的步驟304中，使用干涉計系統(tǒng)118測量晶圓臺WTB的位置，并將撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣上的第m號(此處為第I號)的測量點定位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野的正下方，移動晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)。圖15㈧是表示第I號的測量點定位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野時的情況。此外，圖15(A) 圖15(D)、圖16(A) 圖16⑶中，符號ALG’是表示對準系統(tǒng)ALG的攝影視野。其次的步驟306中，使用對準系統(tǒng)ALG，拍攝開口 50a內(nèi)周邊緣上的第m號(此處為第I號)的測量點，取入其攝影資料(攝影訊號)，并且，取入此時的干涉計系統(tǒng)118的測量值，于未圖示的記憶體內(nèi)對應兩者加以儲存。其次的步驟308中，判斷第2計數(shù)器的計數(shù)值m是否達到M(此處，M = 8 )，此時，因m = 1，故此處的判斷為否定，移至步驟310，將第2計數(shù)器的計數(shù)值m加I后，回到步驟304。以后，步驟308中的判斷為肯定前，重復步驟304 — 306 — 308 — 310的環(huán)路處理。借此，從第15 (A)圖的位置，于分別表示于圖15⑶、圖15 (C)、圖15⑶、圖16 (A)、圖16⑶、圖16(C)、圖16(D)的位置，依序定位晶圓臺WTB，在各定位位置，使用對準系統(tǒng)ALG，拍攝撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣，將與該攝影資料的晶圓臺WTB的位置資訊儲存于記憶體內(nèi)。接著，當圖16(D)所示的開口 50a內(nèi)周邊緣上的第8號測量點的攝影資料的取入完成，步驟308中的判斷為肯定，移至步驟314。以此時點，如圖17(A)的示意圖所示，開口50a內(nèi)周邊緣上8處的攝影資料及所對應的晶圓臺WTB的位置資訊資料儲存于記憶體內(nèi)。此外，實際上，雖對準系統(tǒng)ALG的攝影視野ALG’固定，晶圓臺WTB移動，但圖17(A)中，為了方便起見，相對于固定的晶圓臺WTB，攝影視野ALG’呈移動般表示。步驟314中，根據(jù)儲存于記憶體內(nèi)的開口 50a內(nèi)周邊緣上的M處(此處為8處)的攝影資料(攝影結(jié)果)與對應的干涉計系統(tǒng)118的測量結(jié)果，利用影像處理方法，取得撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣上的第I號 第M號(此處為第8號)的測量點的位置資訊后，完成此子路徑處理，返回主路徑的步驟224(參照圖11)。步驟224中，根據(jù)所獲得的M處(此處為8處)的開口 50a內(nèi)周邊緣的位置資訊，例如，以最小平方法等算出撥液板50的開口 50a的位置資訊，例如，算出開口 50a既定基準點(例如中心點)的載臺座標系統(tǒng)(X，Y)上的位置資訊后(亦即，根據(jù)內(nèi)周邊緣的位置資訊，決定被干涉計系統(tǒng)118所界定的載臺座標系統(tǒng)與開口 50a的位置關(guān)系)，移至步驟226。
步驟226中，根據(jù)上述M處(此處為8處)的開口 50a內(nèi)周邊緣的位置資訊，利用既定運算，算出撥液板50a的形狀資訊(此形狀資訊中至少包含開口 50a的真圓度)。此處，所謂真圓度是表示根據(jù)開口 50a的理想真圓表示偏差的評價量，能以對開口 50a的輪廓的開口 50a中心的最大半徑與最小半徑的差來界定。此處,成為此真圓度基準的圓的中心,亦可是以其次的一 a. d.中任一種方法所算出的中心。a.最小區(qū)域中心法(MZC):以兩個同心圓隔開口輪廓時，同心圓的半徑差為最小的中心，b.最小平方中心法(LSC):最小平方平均圓(離基準圓的偏差的平方和成為最小的圓)的中心，c.最小外切圓中心法(MCC):以最小外切開口輪廓的圓的中心，d.最大內(nèi)切圓中心法(MIC):以最大內(nèi)切開口輪廓的圓的中心。其次的步驟228中，判斷以上述步驟226所算出的真圓度是否小于第I閾值。此處，第I閾值是限定作為撥液板使用容許的極限值。據(jù)此，此步驟228中的判斷為否定的情形，此撥液板50，因該曝光裝置以無法使用的程度，形成真圓度不充分的開口的板件，故移至圖12的步驟264，例如，在未圖示的顯示器上，等于表示“撥液板不良(需要交換)”等，把撥液板不良通知操作者后，完成本程序處理。然后，確認此通知(顯示)，借此，操作者，停止曝光裝置100的運轉(zhuǎn)，用手動執(zhí)行撥液板50的交換。此外，具備用來交換撥液板50的機器人等的情形，主控制裝置20，將交換時期顯示于顯示器上，并且停止裝置的運轉(zhuǎn)，使用該機器人等亦能進行撥液板的交換。另一方面，上述步驟228中的判斷為肯定的情形，移至其次的步驟230，判斷上述步驟226所算出的真圓度是否小于第2閾值。接著，此判斷為否定的情形，移至步驟234，使用搬送系統(tǒng)72的搬送臂70與前述的中心凸部34a 34c，在撥液板50的開口 50a內(nèi)部的晶圓保持具WH上，裝載作為工具用基板的工具晶圓Wl(參照第17(B)圖)后，移至進行步驟236的開口內(nèi)的物體外周邊緣的位置資訊測量的子路徑。此處，工具晶圓Wl與作為元件制造所使用的被處理物體的晶圓W相較，具有一小直徑周圍(外徑)的工具晶圓。與上述相反，步驟230的判斷為肯定的情形，移至步驟232，使用搬送系統(tǒng)72的搬送臂70與前述的中心凸部34a 34c，于撥液板50的開口 50a內(nèi)部的晶圓保持具WH上，裝載該晶圓W后，移至上述步驟236的子路徑。此處，此裝載時，首先，根據(jù)以步驟222所取得的開口 50a內(nèi)周邊緣的位置資訊或以步驟224所取得的開口 50a的位置資訊，控制晶圓臺WTB及搬送臂70的至少一方位置。因此，第2閾值是以選擇將工具晶圓W1、晶圓W中任一個的分開來限定。開口 50a的真圓度高的情形，其開口 50a與直徑僅稍不同，能以不妨礙的方式將元件制造用的晶圓W裝載于開口 50a內(nèi)部的晶圓保持具WH上，但開口 50a的真圓度低的情形，若將晶圓W裝載于其開口 50a內(nèi)部的晶圓保持具WH上時，該晶圓W與開口 50a內(nèi)周邊緣的接觸可能性變高，會有不易裝載之虞。因此，后者的情形，將較晶圓W直徑小的工具晶圓Wl裝載于晶圓保持具WH上。步驟236的子路徑中，首先，圖14的步驟322中，把表示開口 50a內(nèi)的物體(工具晶圓Wl或晶圓W，以下，適當作為代表性的晶圓Wl者)的外周邊緣的測量點號碼的第3計數(shù)器的計數(shù)值k初始化為I (k — I)。此處，作為測量點限定K個，此處為8個，亦即從工具晶圓Wl的中心，在包含上下左右方向的中心角45°的8個方向輻射狀延伸的8條線與工具晶圓Wl外周邊緣交點的8點。其次的步驟324中，使用干涉計系統(tǒng)118測量晶圓臺WTB的位置，并將撥液板50的開口 50a內(nèi)的工具晶圓Wl外周邊緣上第k號(此處為第I號)的測量點定位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野正下方，移動晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)。其次的步驟326中，使用對準系統(tǒng)ALG，拍攝工具晶圓Wl外周邊緣上第k號(此處為第I號)的測量點，取入其攝影資料(攝影訊號)，并且，取入此時的干涉計系統(tǒng)118的測量值，在未圖示的記憶體內(nèi)對應兩者加以儲存。其次的步驟328中，判斷第3計數(shù)器的計數(shù)值k是否達到K (此處，K = 8)，此時，因k = I，故此處的判斷為否定，移至步驟330，將第3計數(shù)器的計數(shù)值k加I后，回到步驟324。以后，步驟328中的判斷為肯定前，重復步驟324 — 326 — 328 — 330的環(huán)路處理。借此，如圖17⑶所示，在8個測量點分別位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野ALG’內(nèi)的位置，依序定位晶圓臺WTB，在各定位位置，使用對準系統(tǒng)ALG，拍攝工具晶圓Wl的外周邊緣，將與該攝影資料對應的晶圓臺WTB的位置資訊儲存于記憶體內(nèi)。接著，當外周邊緣上第8號測量點的攝影資料的取入完成，步驟328中的判斷為肯定，移至步驟332。步驟332中，根據(jù)儲存于記憶體內(nèi)的開口 50a內(nèi)的物體(工具晶圓Wl(或晶圓W))外周邊緣上的K處(此處為8處)的攝影資料(攝影結(jié)果)與對應的干涉計系統(tǒng)118的測量結(jié)果，利用影像處理方法，取得開口 50a內(nèi)的物體外周邊緣上第I號 第K號(此處為第8號)的測量點的位置資訊后，完成此子路徑處理，返回主路徑的步驟240 (參照圖12)。步驟240中，取得開口 50a內(nèi)周邊緣與開口 50a內(nèi)物體的位置關(guān)系。具體而言，根據(jù)開口 50a內(nèi)的物體外周邊緣上的上述K處(此處為8處)的位置資訊，例如，根據(jù)以最小平方法等，算出的物體位置資訊(例如，該物體中心的載臺座標系統(tǒng)(X，Y)上的位置資訊)與前述的步驟224中所獲得的撥液板50的開口 50a的位置資訊(例如，開口 50a中心點的載臺座標系統(tǒng)(X，Y)上的位置資訊，利用運算取得開口 50a內(nèi)周邊緣與開口 50a內(nèi)物體的位置關(guān)系，例如，開口 50a中心與物體(工具晶圓Wl或晶圓W)的中心偏差的資訊。其次的步驟242中，使晶圓載臺WST移動至晶圓交換位置，使用搬送系統(tǒng)72的搬送臂70與中心凸部34a 34c，從晶圓保持具WH上，卸載物體(工具晶圓Wl或晶圓W)。從其次的步驟244，開始I批(既定片數(shù)晶圓)的曝光。步驟244中，以構(gòu)成搬送系統(tǒng)72的未圖示的預對準裝置，使用搬送臂70，將作為進行預對準(對中心及旋轉(zhuǎn)調(diào)整)的第I片被曝光基板的晶圓W搬送至位于晶圓交換位置的晶圓載臺WST上方為止，考量上述步驟204所取得的開口 50a的內(nèi)周邊緣與開口 50a內(nèi)物體的位置關(guān)系的資訊，例如，前述的偏差資訊，調(diào)整搬送臂70與晶圓載臺WST的位置關(guān)系，將晶圓W從搬送臂70裝載至設(shè)于晶圓臺WTB上的晶圓保持具WH上。此處，搬送臂70與晶圓載臺WST的位置關(guān)系的調(diào)整是借由調(diào)整搬送臂70與晶圓載臺WST雙方或一方的位置能實現(xiàn)。因此，裝載晶圓W時，調(diào)整搬送臂70與晶圓載臺WST的位置關(guān)系后，裝載晶圓W，通常，以避免晶圓W的外周邊緣與撥液板50a的內(nèi)周邊緣(晶圓臺WTB上面的凹部140的內(nèi)周邊緣)接觸、且晶圓W的外周邊緣與開口 50a的內(nèi)周邊緣的間隔較既定值例如較0.3mm左右為小的方式，能將晶圓W裝載于晶圓臺WTB上方的撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的內(nèi)部(晶圓臺WTB上面凹部的內(nèi)部)的晶圓保持具WH上。其次的步驟246中，將晶圓載臺WST移動至對準系統(tǒng)ALG的下方。其次的步驟248中，擴及晶圓W的全周，使用對準系統(tǒng)ALG，以與前述晶圓W等外周邊緣的位置資訊的測量同樣的步驟，來執(zhí)行撥液板50的開口 50a的內(nèi)周邊緣與晶圓W(的外周邊緣)的間隔。此時，特別是，測量前述晶圓的外周邊緣或開口的內(nèi)周邊緣時，至少設(shè)定復數(shù)組與離晶圓中心的8個方向不同方向的測量點極為重要。接著，其次的步驟250中，根據(jù)上述步驟248的測量結(jié)果，判斷上述間隔是否晶圓全周在容許范圍內(nèi)。通常，如上述說明，以避免晶圓W的外周邊緣與撥液板50a的內(nèi)周邊緣(晶圓臺WTB上面的凹部140的內(nèi)周邊緣)接觸、且晶圓W的外周邊緣與開口 50a的內(nèi)周邊緣的間隔例如較0.3mm左右為小的方式，能將晶圓W裝載于晶圓保持具WH上，故此步驟250的判斷為肯定，移至其次的步驟252。
另一方面，根據(jù)因晶圓W外徑誤差等所造成，步驟248的測量結(jié)果，進行步驟250的判斷后的結(jié)果，有時此判斷結(jié)果為否定。因此，此步驟250的判斷為否定的情形，移至前述步驟242，將第I片晶圓W從晶圓保持具上卸載。接著，關(guān)于第2片晶圓W，與前述同樣，執(zhí)行步驟244、步驟246、步驟248、步驟250的動作。此種情形，步驟244中，把第2片晶圓W裝載于晶圓載臺(晶圓保持具)上時，考量關(guān)于第I片晶圓W的步驟248的測量結(jié)果，調(diào)整搬送臂與晶圓載臺的位置關(guān)系。關(guān)于第2片晶圓W的步驟250的判斷為肯定的情形，移至其次的步驟252。步驟252中，使用對準系統(tǒng)ALG，檢測出晶圓W上的對準標記，根據(jù)其檢測結(jié)果與其檢測時的干涉計系統(tǒng)118的測量值，檢測出該對準標記的位置資訊，借此進行晶圓對準，例如，進行增強型全晶圓對準(EGA)等晶圓對準。其次的步驟254中，根據(jù)作為上述晶圓對準的結(jié)果所獲得的晶圓W上的復數(shù)個照射區(qū)域的位置資訊與最新的對準系統(tǒng)ALG基線的測量結(jié)果等，重復晶圓載臺WST朝晶圓W上用以曝光各照射區(qū)域的掃描開始位置(加速開始位置)的照射間移動動作，與以掃描曝光方式轉(zhuǎn)印形成于對各照射區(qū)域的標線片R的圖案的掃描曝光動作，借此以步進掃描方式將晶圓W上的復數(shù)個照射區(qū)域曝光。此外，此曝光時，于投影光學系統(tǒng)PL的前透鏡91正下方持續(xù)填滿水。其次的步驟256中，判斷一批所有晶圓是否曝光完成。接著，此判斷為否定的情形，移至步驟262，保持于晶圓臺WTB上的晶圓保持具WH的曝光完成的晶圓W與新的晶圓進行晶圓交換后，移至步驟252，以后，步驟256的判斷為肯定前，重復步驟252 — 254 — 256 — 262 的環(huán)路處理。另一方面，上述步驟256的判斷為肯定的情形，移至步驟258。其次的步驟258中，例如，參照照明光IL的照射經(jīng)歷等，判斷撥液板的交換時期是否來到。此處，本實施形態(tài)，利用預先實驗，求出撥液板50表面的撥水涂層的劣化與照射于撥液板50表面的積算能量的關(guān)系，根據(jù)其關(guān)系與照明光IL的照射經(jīng)歷，在撥水涂層劣化前，判斷撥液板50的交換時期來到。接著，判斷交換時期來到的情形，移至前述步驟264，判斷交換時期未來到的情形，移至下一批的處理。據(jù)此，執(zhí)行從撥液板的交換到下一交換為止間一系列的處理。由以上說明可知，本實施形態(tài)，主控制裝置20為了更正確利用該主控制裝置20內(nèi)部的CPU與借由該CPU所執(zhí)行的軟件，能實現(xiàn)外周邊緣位置取得裝置、內(nèi)周邊緣取得裝置、決定裝置形狀算出裝置、物體外周邊緣位置取得裝置、間隔測量裝置、載臺控制裝置、以及控制裝置。然而，當然亦可借由硬件構(gòu)成于借該些軟件所實現(xiàn)的構(gòu)成部分的至少一部分構(gòu)成一部分。如以上說明，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，利用作為外周邊緣位置取得裝置功能的主控制裝置20，使用干涉計系統(tǒng)118測量以可拆裝方式搭載于撥液板50的晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)的位置，并使用對準系統(tǒng)ALG檢測出撥液板50的一部分，根據(jù)其檢測結(jié)果與對應干涉計系統(tǒng)118的測量結(jié)果，來取得撥液板50的外周邊緣的位置資訊(步驟204 210)。因此如本實施形態(tài)般，即使于晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)上不存在位置測量用的標記等，根據(jù)撥液板50的外周邊緣的位置資料，在干涉計系統(tǒng)所界定的移動座標系統(tǒng)(載臺座標系統(tǒng))上能管理撥液板50的位置，亦即晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的位置。又，如本實施形態(tài)，撥液板50的外周從晶圓臺WTB伸出外側(cè)的情形，為避免撥液板50的外周邊緣與另一構(gòu)件(例如，測量載臺MST)碰撞，能控制晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)的位置。此外，在晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)或撥液板50設(shè)有位置測量用的標記的情形，或撥液板50的外周未從晶圓臺WTB伸出外側(cè)的情形，亦如上述，當然亦能取得撥液板50外周邊緣的位置資訊。 又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，利用作為內(nèi)周邊緣位置取得裝置功能的主控制裝置20，使用干涉計系統(tǒng)118來測量晶圓臺WTB的位置，并使用對準系統(tǒng)ALG，檢測出撥液板50的一部分，根據(jù)其檢測結(jié)果與對應干涉計系統(tǒng)118的測量結(jié)果，來取得撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的位置資訊(步驟222)。因此，根據(jù)此內(nèi)周邊緣的位置資訊，能算出開口50a的位置或形狀等(參照步驟224、226)。又，本實施形態(tài)的曝光裝置100，作為載臺控制裝置功能的主控制裝置20，例如，真圓度小于第2閾值的情形，根據(jù)撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的位置資訊，透過搬送系統(tǒng)72，將晶圓W裝載于晶圓載臺WST (晶圓臺WTB)上的撥液板50的開口 50a內(nèi)的晶圓保持具WH上(步驟232)。因此，與未考量關(guān)于撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的資訊的情形相較，易于將晶圓W裝載于晶圓載臺WST上的撥液板50的開口 50a內(nèi)。又，本實施形態(tài)的曝光裝置100，取得開口 50a的內(nèi)周邊緣與開口 50a內(nèi)的物體(工具晶圓Wl或晶圓W)的位置關(guān)系的情形(參照步驟240)，作為載臺控制裝置功能的主控制裝置20，利用搬送系統(tǒng)72，將晶圓W搬送至晶圓臺WTB時，考量上述位置關(guān)系的資訊，控制晶圓臺WTB與搬送系統(tǒng)72的搬送臂70的至少一方，調(diào)整搬送臂70與晶圓臺的位置以裝載晶圓(參照步驟244)。因此，根據(jù)此所取得的位置關(guān)系，能以期望的位置關(guān)系，將晶圓裝載于晶圓臺WTB的凹部140內(nèi)(亦即，撥液板50的開口 50a的內(nèi)周邊緣內(nèi)部)。此種情形，以避免晶圓W的外周邊緣與撥液板50的開口 50a的內(nèi)周邊緣(晶圓臺WTB上面的凹部內(nèi)周邊緣)接觸、且晶圓W的外周邊緣與開口 50a的內(nèi)周邊緣的間隔較既定值(例如，0.3mm)為小的方式，將晶圓W裝載于晶圓臺WTB上方的撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的內(nèi)部(晶圓臺WTB上面的凹部內(nèi))的晶圓保持具WH上。此外，在圖11及圖12所說明的動作中，對開口 50a的形狀(真圓度)，設(shè)有第I閾值與第2閾值，將工具晶圓Wl裝載于晶圓保持具上，但亦可僅使用一閾值，判斷是否裝載工具晶圓Wl。此種情形，作為工具晶圓Wl，亦可是較被曝光晶圓W直徑為小的晶圓，亦可是與被曝光晶圓W直徑大致相同的晶圓。又，在圖11及圖12所說明的動作中，取得開口 50a的形狀資訊后，將工具晶圓Wl裝載于晶圓保持具上，但亦可省略形狀資訊的取得。此種情形，作為工具晶圓W1，亦可是較被曝光晶圓W直徑為小的晶圓，亦可是與被曝光晶圓W直徑大致相同的晶圓。又，在圖11及圖12所說明的動作中，求出開口 50a的位置資訊與形狀資訊后，將工具晶圓Wl裝載于晶圓保持具上，但亦可省略開口 50a的位置資訊與形狀資訊的取得，將工具晶圓Wl裝載于晶圓保持具上后，亦能取得開口的位置資訊及開口內(nèi)周邊緣與工具晶圓Wl外周邊緣的位置關(guān)系(包含間隔)。當然，視需要，亦能取得開口 50a的形狀資訊。此種情形，作為工具晶圓W1，雖較佳是較被曝光晶圓W直徑為小的晶圓，但亦可是與被曝光晶圓W直徑大致相同的晶圓。又，在圖11及圖12所說明的動作中，作為第I片被曝光基板的晶圓W裝載于晶圓保持具上時，測量開口 50a的內(nèi)周邊緣與晶圓W的位置關(guān)系(間隔)，但根據(jù)使用工具晶圓Wl所獲得的資訊，能將作為被曝光基板的晶圓W裝載于開口 50a內(nèi)既定位置的情形，亦可省略其測量動作(步驟246、248、250)。又，在圖11及圖12所說明的動作中，在步驟258中，判斷一批曝光處理完成后，是否交換撥液板50，但亦可省略步驟258，在每一既定時間進行判斷，未進行是否交換的判斷，亦可經(jīng)過既定時間后，進行交換撥液板。接著，根據(jù)曝光裝置100，則如上述，在裝載于晶圓臺WTB上方的撥液板50的開口50a內(nèi)周邊緣的內(nèi)部(晶圓臺WTB上面的凹部內(nèi))的晶圓W上照射照明光，以進行曝光(步驟254)。因此，曝光動作中，能防止液體(水)Lq從晶圓W與撥液板50間的泄漏，利用液浸曝光，進行高解析度且較空氣中為大焦點深度的曝光，借此，能將標線片R的圖案精度良好地轉(zhuǎn)印于晶圓上，例如，能以ArF準分子激光，作為元件規(guī)格而實現(xiàn)45 IOOnm程度的微細圖案的轉(zhuǎn)印。根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，在晶圓載臺WST(晶圓臺WTB)進行晶圓曝光時，成為必要的最低限度構(gòu)成構(gòu)件，例如，可僅設(shè)有晶圓保持具等，故能實現(xiàn)晶圓載臺WST的小型及輕量化，能減低驅(qū)動晶圓載臺的驅(qū)動機構(gòu)(馬達)的小型化及馬達所產(chǎn)生的發(fā)熱量，能極力抑制晶圓載臺WST的熱變形或曝光精度的降低。此外，上述實施形態(tài)是針對于撥液板50的外周邊緣設(shè)定復數(shù)個測量點，取得此復數(shù)個測量點位置資訊的情形加以說明，但未限于此，例如，亦可于較撥液板50上面外周邊緣的位置為內(nèi)側(cè)的位置，與其外周邊緣的位置關(guān)系形成已知記號，例如，從外周邊緣，在既定距離(假設(shè)D)的位置，形成與外周邊緣平行的線狀記號，在此記號上至少設(shè)定一個測量點，測量其測量點的位置資訊，根據(jù)其測量結(jié)果與上述距離D，取得外周邊緣的位置。在撥液板50上，如圖18所示，在其邊緣附近大多存在寬度為d，高度為h的曲面(或斜面)，其高度h為0.1mm左右，故對準系統(tǒng)ALG的焦點深度小的情形，考量邊緣影像模糊的情形。此種情形，亦可將上述的線狀記號設(shè)于D>d的位置，以對準系統(tǒng)ALG拍攝此線狀的記號。當然，記號未限于上述的線狀，與外周邊緣的位置關(guān)系若為已知，則不論形狀如何。同樣地，關(guān)于撥液板50的開口 50a的內(nèi)周邊緣，亦可事先形成已知與其內(nèi)周邊緣的位置關(guān)系的記號，取得其記號上至少一個測量點的位置資訊。例如，在開口 50a內(nèi)周邊緣的既定距離外側(cè)，亦可把與開口 50a同心的圓形線作為記號來形成。又，檢測出撥液板50外周邊緣等位置資訊時，較佳是使用具有對準系統(tǒng)ALG的焦點檢測系統(tǒng)，但具有對準系統(tǒng)ALG的焦點檢測系統(tǒng)的檢測用光束從撥液板50偏差的情形，以其檢測用光束能照射于撥液板50表面的位置，一旦進行對焦后，較佳是仍舊維持其聚焦狀態(tài)，進行所謂的將測量點定位于對準系統(tǒng)ALG的攝影視野的聚焦位移動作。又，上述實施形態(tài)，是針對使用由FIA系統(tǒng)的感測器所構(gòu)成的對準系統(tǒng)ALG，拍攝撥液板50外周邊緣、開口 50a內(nèi)周邊緣、工具晶圓Wl或晶圓W外周邊緣，使用其攝影結(jié)果，利用影像處理方法，取得各測量點位置資訊的情形加以說明，但作為檢測裝置，亦可使用FIA系統(tǒng)以外的感測器，例如，使用檢測出反射光或散射光的裝置。又，使用FIA系統(tǒng)的情形，當然亦可利用下射照明，檢測出來自對象物的反射光的方式，但亦可采用從下方照明撥液板50的邊緣，以撥液板50的上方檢測出其透射光的方式。此外，上述實施形態(tài)中，撥液板50的交換作業(yè)及撥液板50的各種測量的至少一方，亦可于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，以無液體Lq的狀態(tài)來進行，亦可于測量用臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL間以保持液體Lq的狀態(tài)來進行。在測量用臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL間持續(xù)保持液體Lq的情形，因能維持投影光學系統(tǒng)PL的前端面沾濕的狀態(tài)，故不僅能防止發(fā)生水痕等，而且能省略液體Lq的全回收及再供應的作業(yè)。又，上述實施形態(tài)，晶圓臺WTB構(gòu)成第I載臺(及移動體)(以可拆裝方式搭載檢測出其外周的位置資訊的板件)，測量用載臺MST是針對構(gòu)成第2載臺的情形加以說明，但未限于此，測量用臺MTB亦可構(gòu)成第I載臺(及移動體)。亦即，亦能取得以可拆裝方式搭載于測量用臺MTB的板件外周邊緣的位置資訊。此情形，根據(jù)其外周邊緣的位置資訊，能控制測量用臺MTB的移動。此情形，測量用臺MTB的板件交換作業(yè)及板件的各種測量的至少一方，亦可于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葻o液體Lq的狀態(tài)來進行。此外，亦可于測量用臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL間，以保持液體Lq的狀態(tài)來執(zhí)行。亦即，在晶圓臺WTB側(cè)交換撥液板50時，如圖19㈧所示，使液體Lq位于測量用臺MTB上，控制測量用臺MTB的位置。接著，撥液板50的交換完成后，如圖19(B)所示，使用對準系統(tǒng)ALG，測量撥液板50的測量用臺MTB (測量用載臺MST)側(cè)(+Y側(cè))的外周邊緣。借此，能使晶圓臺WTB (晶圓載臺WST)靠近測量用臺MTB (測量用載臺MST)。其次，如圖19 (C)、圖19⑶所示，使用對準系統(tǒng)ALG，依序測量撥液板50的-X側(cè)外周邊緣、撥液板50的+X側(cè)外周邊緣。根據(jù)如此所測量的撥液板50外周邊緣的3處位置資訊或由此所求出的撥液板50的位置資訊，其后的晶圓臺WTB(晶圓載臺WST)的位置管理是由主控制裝置20進行。測量上述撥液板 50外周邊緣的位置資訊后，例如，以維持使晶圓臺WTB (的撥液板50)與測量用臺MTB接觸(或接近)的狀態(tài)，以一體方式移動兩載臺151\1^1'，如圖20(八)所示，使用對準系統(tǒng)ALG，測量撥液板50的開口 50a的+Y側(cè)內(nèi)周邊緣。其次，以維持使晶圓臺WTB(的撥液板50)與測量用臺MTB接觸(或接近)的狀態(tài)，依序以一體方式移動兩載臺WST、MST，如圖20 (B)、圖20 (C)所示，使用對準系統(tǒng)ALG，依序測量撥液板50的開口50a的-X側(cè)內(nèi)周邊緣、+X內(nèi)周邊緣。此情形，因于晶圓臺WTB上未裝載晶圓，故于裝載晶圓的部分無法定位液體Lq，故如圖20(A) 圖20(C)所示，因能測量內(nèi)周邊緣，故根據(jù)此測量結(jié)果，與上述實施形態(tài)同樣，能將晶圓裝載于晶圓保持具WH上。如上述，在測量用臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL間，以保持液體Lq的狀態(tài)來執(zhí)行晶圓臺WTB的撥液板50的交換動作或撥液板50外周邊緣及撥液板50的開口 50a內(nèi)周邊緣的測量動作，借此不需要液體的回收動作及供應動作，不需要該些動作所需時間，能提高該部分曝光步驟的產(chǎn)能。此外，如上述,測量撥液板50的外周邊緣、開口 50a的內(nèi)周邊緣,將晶圓裝載于晶圓保持具WH上后，以使裝載該晶圓的晶圓載臺WST(晶圓臺WTB)的撥液板50與測量用載臺WST接觸的狀態(tài)，擴大移動范圍。亦即，能于晶圓臺WST的全面配置液體Lq。據(jù)此，亦可使用沿上述實施形態(tài)所說明的圖7、圖11、以及圖12的流程圖的測量方法，再度進行測量。借此，能進行更高精度的測量。又,上述實施形態(tài),針對撥液板50外周邊緣、開口 50a內(nèi)周邊緣、工具晶圓Wl或晶圓W外周邊緣，在與中心對稱的復數(shù)對處設(shè)定位置資訊的測量點加以說明，但此，例如，算出各中心點位置時，只不過是期待借由平均化效果來提高測量精度，當然未限定于此。又，上述實施形態(tài)，是說明撥液板50的形狀大致為正方形，開口 50a為圓形的情形，但板件的形狀亦可圓形、多角形、其他形狀。較佳是開口亦按照被處理物體的形狀。例如，把液晶顯示元件等作為被處理物體的情形，較佳是按被處理物體(玻璃板的形狀)，開口作成矩形。又，上述實施形態(tài)中，說明板件50能拆裝于晶圓臺WTB的情形，但亦可與晶圓臺WTB—體形成板件50。此情形，亦例如，如圖11或圖13所示，能檢測出為了將晶圓W裝載于晶圓臺WTB所形成的凹部內(nèi)周邊緣的位置資訊。又，上述的實施形態(tài)中，包含使用圖7所說明的板件外周邊緣的位置資訊測量的一系列動作，與包含使用圖11所說明的板件的開口的內(nèi)周邊緣位置資訊的測量的一系列動作，未必一起進行，亦可進行任一方或僅一方。此外，上述實施形態(tài)，說明本發(fā)明適用于液浸曝光裝置的情形，但本發(fā)明的適用范圍未限定于此，本發(fā)明亦能適用于非液浸型的一般步進機等。此情形，能使用于其表面未形成撥液面的板件，來替代撥液板。又，上述實施形態(tài)，說明載臺裝置具備一個晶圓載臺，具備一個測量用載臺的情形，但未限于此，亦可未具備測量用載臺，至少設(shè)有一個保持晶圓的晶圓載臺。此外，具備復數(shù)個晶圓載臺的情形，亦可以一方的晶圓載臺，進行板件的交換作業(yè)及板件的各種測量作業(yè)的至少一方，是以于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葻o液體Lq的狀態(tài)來執(zhí)行，亦可將另一方晶圓載臺配置于投影光學系統(tǒng)PL的下方(像面?zhèn)?，以于投影光學系統(tǒng)與另一方晶圓載臺間保持液體Lq的狀態(tài)來執(zhí)行。又，上述實施形態(tài)，說明采用調(diào)平用臺52具有6自由度，測量用臺MTB具有3自由度構(gòu)成的情形，但未限于此，亦可采用調(diào)平用臺52具有3自由度，測量用臺MTB具有3自由度構(gòu)成。又，亦可采用未設(shè)調(diào)平用臺52，測量用臺MTB具有6自由度構(gòu)成。此外，上述實施形態(tài)，作為液體雖使用超純水(水)者，但當然本發(fā)明未限定于此。作為液體，亦可使用化學性穩(wěn)定，照明光IL的透射率高且安全的液體，例如，鹵素是惰性液體。作為此鹵素是惰性液體，例如，能使用Fluorinert(美國3M公司的商品名)。此鹵素是惰性液體于冷卻效果之點亦為優(yōu)異。又，作為液體，亦能使用對照明光IL具有透射性，折射率盡量高，又，對投影光學系統(tǒng)或涂布于晶圓表面的光阻穩(wěn)定者(例如，洋杉油等)。又，把F2激光作為光源的情形，較佳是選擇豐布林油(Fomblin oil)。又，上述實施形態(tài)，亦可再利用回收液體，此情形，較佳是事先將過濾器(從所回收的液體去除雜質(zhì))設(shè)于液體回收裝置或回收管等。此外，上述實施形態(tài)，投影光學系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)鹊墓鈱W元件是作為前透鏡者，但該光學元件未限于透鏡者，亦可是投影光學系統(tǒng)PL的光學特性，例如，像差(球面像差、彗形像差)的調(diào)整所使用的光學板(平行平面板等)，亦可僅蓋玻璃。投影光學系統(tǒng)PL最像面?zhèn)鹊墓鈱W元件(上述各實施形態(tài)為前透鏡91)，由于被照明光IL照射，從光阻所產(chǎn)生的飛散粒子或液體中的雜質(zhì)附著等所造成，與液體(上述各實施形態(tài)為水)，會有污染其表面的情形。據(jù)此，該光學元件，亦能以可拆裝(交換)的方式固定于鏡筒40的最下部，能定期交換。
此種情形，若與液體接觸的光學元件是透鏡，則該交換元件的成本變高，且交換所需時間變長，導致維護成本(運轉(zhuǎn)成本)上升及產(chǎn)能降低。因此，亦可將與液體接觸的光學元件，例如，作為較透鏡91廉價的平行平面板。又，上述實施形態(tài)是說明本發(fā)明適用于步進掃描方式等掃描型曝光裝置的情形，但本發(fā)明的適用范圍當然未限定于此。亦即，本發(fā)明亦能適用于步進縫合方式的曝光裝置，或接近方式的曝光裝置等。作為曝光裝置的用途，未限定于半導體制造用的曝光裝置，例如，亦能廣泛適用于將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印于角型玻璃板的液晶用曝光裝置，或用以制造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(C⑶等)、微機器、以及DNA晶片等曝光裝置。又，本發(fā)明能適用于用來制造半導體元件等微元件，且用以制造光曝光裝置、RUV曝光裝置、X線曝光裝置、以及電子線曝光裝置等所使用的標線片或光罩，將電路圖案轉(zhuǎn)印于硅晶圓等的曝光裝置。此外，上述實施形態(tài)的曝光裝置光源，未限于ArF準分子激光，亦能使用KrF準分子激光(輸出波長為248nm)、F2激光(輸出波長為157nm)、Ar2激光(輸出波長為126nm)、Kr2激光(輸出波長為146nm)等脈沖激光光源，或產(chǎn)生g線(波長為436nm)、i線(波長為365nm)等光線的超高壓水銀燈等。又，亦能使用YAG激光的高次諧波產(chǎn)生裝置等。其他，亦可使用，例如，以摻入鉺(或鉺與鐿兩者)的摻入光纖放大器，放大從DFB半導體激光或光纖激光所振蕩的紅外域，或可視域的單一波長激光，使用非線性光學結(jié)晶，波長轉(zhuǎn)換為紫外光的高次諧波。又，投影光學系統(tǒng)亦可僅縮小系統(tǒng)，亦可等倍及放大系統(tǒng)中的任一系統(tǒng)。又，上述實施形態(tài)，雖針對使用將既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)形成于光透過性基板上而構(gòu)成的光透過型光罩(標線片)的曝光裝置予以說明，但，亦可取代該標線片，例如美國專利第6，778，257號公報所揭示般，使用根據(jù)待曝光的圖案的電子資料，以形成透過圖案或反射圖案、或是發(fā)光圖案的電子光罩(可變成形光罩)的曝光裝置，亦可適用本發(fā)明。又，如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示般，將干涉條紋形成于晶圓W上，借此在晶圓W上形成等間隔線(line and space)圖案的曝光裝置(微影系統(tǒng))，亦可適用本發(fā)明。此外，上述實施形態(tài)，雖說明本發(fā)明的位置測量方法、測量方法、以及裝載方法等適用于曝光裝置的情形，但未限于此，若既定形狀的板件是具備以可拆裝方式搭載于移動體上的移動體，本發(fā)明的位置測量方法亦能適用，若裝置具備形成有裝載物體用開口的板件是以可拆裝方式搭載的移動體，則本發(fā)明的測量方法及裝載方法等能適用。此外，半導體元件是經(jīng)由以下步驟來制造，該步驟包含:進行元件功能及性能設(shè)計的步驟、依此設(shè)計步驟制作標線片的步驟、由硅材料制作晶圓的步驟、微影步驟(利用前述調(diào)整方法調(diào)整圖案轉(zhuǎn)印特性的上述實施形態(tài)的曝光裝置，將形成于光罩的圖案轉(zhuǎn)印于感光物體上)、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、以及檢查步驟等。此情形，因在微影步驟使用上述實施形態(tài)的曝光裝置及其曝光方法，故能實現(xiàn)長期高精度的曝光。因此，能提高形成微細圖案的高集積度的微元件的生產(chǎn)性。如以上說明，本發(fā)明的位置測量方法適用于以可拆裝方式搭載于移動體上的板件的位置測量。又，本發(fā)明的位置控制方法適用于測量關(guān)于形成有開口(用以裝載物體)的板件的資訊。又，本發(fā)明的裝載方法適用于將物體裝載于上述移動物體上。又，本發(fā)明的曝光方法及曝光裝置，以及元件制造方法適用于制造半導體元件等的微元件。
權(quán)利要求
1.一種測量方法，是用以測量以可拆裝方式搭載于移動體上且形成有用以裝載物體的開口的板件的資訊，其特征在于包含: 內(nèi)周邊緣位置取得步驟，檢測該板件的一部分，并根據(jù)其檢測結(jié)果來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的測量方法，其特征在于其進一步包含位置算出步驟，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊算出該開口的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的測量方法，其特征在于其進一步包含形狀算出步驟，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊算出該開口的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的測量方法，其特征在于其中，該開口是呈圓形； 該形狀算出步驟，至少進行該開口的真圓度的算出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的測量方法，其特征在于其中，在該內(nèi)周邊緣位置取得步驟中，該板件的一部分的檢測，是一邊以界定其移動座標系統(tǒng)的測量裝置測量該移動體的位置一邊進行，并根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該測量裝置的測量結(jié)果，來取得該開口的內(nèi)周邊緣復數(shù)處的位置資訊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的測量方法，其特征在于其中，該移動體具有反射面；該測量裝置包含干涉計系統(tǒng)，其利用該移動體的反射面來測量該移動體的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的測量方法，其特征在于其中，該內(nèi)周邊緣位置取得步驟包含: 攝影步驟，是攝影該板件的該開口內(nèi)周邊緣及與該內(nèi)周邊緣的位置關(guān)系為已知的該板件上記號的至少一方；以及 影像處理步驟，根據(jù)該攝影結(jié)果，利用影像處理方法來取得該內(nèi)周邊緣的位置資訊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的測量方法，其特征在于其中，該攝影步驟是在包含以該開口中心為基準呈大致對稱的至少2處的復數(shù)處，攝影該內(nèi)周邊緣及該記號的至少一方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的測量方法，其特征在于其中，該板件是于該移動體上形成撥液面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的測量方法，其特征在于其中，在該移動體上形成液浸區(qū)域。
11.一種裝載方法，是用以將物體裝載于移動體上，該移動體以可拆裝方式搭載具有裝載物體用的開口的板件，其特征在于: 根據(jù)使用權(quán)利要求1至10中任一項的測量方法所取得的該板件的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，將該物體裝載于該移動體上的該板件的開口內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的裝載方法，其特征在于其中，以避免該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣接觸、且使該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣的間隔較既定值為小的方式，根據(jù)該板件的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，將該物體裝載于該移動體上的該板件的開口內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的裝載方法，其特征在于其中，在該物體的裝載中，根據(jù)該板件的開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，調(diào)整搬送該物體的搬送臂與該移動體的位置關(guān)系。
14.一種曝光方法，是用以將物體曝光，其特征在于包含以下步驟: 使用權(quán)利要求11的裝載方法，將該物體裝載于該移動體上的該板件的開口內(nèi)；以及 將曝光用光束照射于該移動物體上所裝載的該物體上。
15.一種元件制造方法，其特征在于包含:微影步驟，是使用權(quán)利要求14的曝光方法。
16.一種裝載方法，是用 以將物體裝載于移動體上，其特征在于包含:內(nèi)周邊緣位置取得步驟，用以取得形成于該移動體上面的開口的內(nèi)周邊緣的位置資訊； 根據(jù)該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，調(diào)整搬送該物體的搬送臂與該移動體的位置關(guān)系，將以該搬送臂搬送的該物體裝載于該移動體上的開口內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的裝載方法，其特征在于其中，調(diào)整該搬送臂與該移動體的該位置關(guān)系，以避免該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣接觸、且使該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣的間隔較既定值小的方式，裝載該物體。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的裝載方法，其特征在于其中，在該內(nèi)周邊緣位置取得步驟，取得該開口的內(nèi)周邊緣的復數(shù)處的位置資訊； 根據(jù)復數(shù)處的該內(nèi)周邊緣的位置資訊算出該開口的中心位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的裝載方法，其特征在于其中，該內(nèi)周邊緣位置取得步驟，是攝影該開口的內(nèi)周邊緣及與該內(nèi)周邊緣的位置關(guān)系為已知的該移動體上的記號的至少一方，根據(jù)該攝影結(jié)果，取得該內(nèi)周邊緣的位置資訊。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的裝載方法，其特征在于其中，該移動體的上面是與保持于該移動體的物體表面大致位于同一高度。
21.根據(jù) 權(quán)利要求20的裝載方法，其特征在于其中，該移動體的上面是撥液面。
22.—種曝光方法，是用以將物體曝光，其特征在于包含以下步驟: 使用權(quán)利要求16至21中任一項的裝載方法，在該移動體上的開口內(nèi)裝載該物體；以及 將曝光用光束照射于該移動體上所裝載的該物體。
23.—種元件制造方法，其特征在于包含:微影步驟，是使用權(quán)利要求22的曝光方法。
24.一種曝光裝置，是用以將曝光用光束照射于物體上，其特征在于具備: 曝光用載臺，用以搭載形成有開口的既定形狀的板件，在該開口內(nèi)裝載物體； 位置測量系統(tǒng)，測量該曝光用載臺的位置； 檢測裝置，可檢測該曝光用載臺的一部分；以及 內(nèi)周邊緣位置取得裝置，是一邊使用該位置測量系統(tǒng)測量該曝光用載臺的位置，一邊使用該檢測裝置檢測該板件的一部分，并根據(jù)該檢測結(jié)果與對應的該位置測量系統(tǒng)的測量結(jié)果，來取得該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其進一步具備決定裝置，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊，來決定該位置測量系統(tǒng)所界定的座標系統(tǒng)與該開口的位置關(guān)系。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其進一步具備形狀算出裝置，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊，求出該開口的形狀。
27.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其進一步具備: 搬送系統(tǒng)，用以將物體搬送至該曝光用載臺；以及 載臺控制裝置，利用該搬送系統(tǒng)將物體搬送至該曝光用載臺時，根據(jù)該內(nèi)周邊緣的位置資訊，控制該曝光用載臺與該搬送系統(tǒng)的至少一方。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的曝光裝置，其特征在于其中，該載臺控制裝置是控制該曝光用載臺與該搬送系統(tǒng)的至少一方，以避免該開口內(nèi)的周邊緣與該物體的外周邊緣接觸，且使該開口的內(nèi)周邊緣與該物體的外周邊緣的間隔較既定值小。
29.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其進一步具備液浸機構(gòu)，用以將液體供應至該曝光用載臺上以形成液浸區(qū)域； 透過由該液浸機構(gòu)所供應的液體，將曝光用光束照射于該物體； 利用該板件，于該曝光用載臺的表面形成撥液面。
30.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其中，裝載于該曝光用載臺上的物體表面與裝載于該曝光用載臺的板件表面大致位于同一高度。
31.根據(jù)權(quán)利要求24的曝光裝置，其特征在于其中，該檢測裝置亦使用于該物體上的對準標記的檢測。
32.—種曝光裝置，是用以將曝光用光束照射于物體上，其特征在于具備: 移動體，供裝載該物體； 搬送系統(tǒng)，將該物體搬送至配置在該物體的交換位置的該移動體上方； 控制裝置，控制該移動體與該搬送系統(tǒng)的位置；以及 內(nèi)周邊緣位置取得裝置，是取得形成于該移動體上面的開口的內(nèi)周邊緣的位置資訊； 該控制裝置，根據(jù)該開口內(nèi)周邊緣的位置資訊，調(diào)整搬送該物體的該搬送系統(tǒng)與該移動體的位置關(guān)系，以將以該搬送系統(tǒng)搬送的該物體裝載于該移動體上的開口內(nèi)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的曝光裝置，其特征在于其中，該搬送系統(tǒng)與該移動體的該位置關(guān)系，在該裝載中被調(diào) 整為該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣不接觸、且該物體的外周邊緣與該開口的內(nèi)周邊緣的間隔較既定值小。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的曝光裝置，其特征在于其中，該內(nèi)周邊緣位置取得裝置，取得該開口的內(nèi)周邊緣的復數(shù)處的位置資訊，根據(jù)復數(shù)處的該內(nèi)周邊緣的位置資訊算出該開口的中心位置。
35.根據(jù)權(quán)利要求33的曝光裝置，其特征在于其中，該內(nèi)周邊緣位置取得裝置，是攝影該開口的內(nèi)周邊緣及與該內(nèi)周邊緣的位置關(guān)系為已知的該移動體上的記號的至少一方，根據(jù)該攝影結(jié)果，取得該內(nèi)周邊緣的位置資訊。
36.根據(jù)權(quán)利要求33的曝光裝置，其特征在于其中，該移動體的上面是與保持于該移動體的物體表面大致位于同一高度。
37.根據(jù)權(quán)利要求36的曝光裝置，其特征在于其中，該移動體的上面是撥液面。
38.一種元件制造方法，其特征在于包含:微影步驟，是使用權(quán)利要求24至37中任一項的曝光裝置。
全文摘要
能管理位置測量用標記未存在的移動體的位置。將以可拆裝方式搭載既定形狀的板件(50)的移動體(WST)的位置，以供界定其移動座標系統(tǒng)的測量裝置(18等)來測量，并以對準系統(tǒng)(ALG)檢測板件(50)的一部分，根據(jù)其檢測結(jié)果與對應的該測量裝置的測量結(jié)果，來取得板件(50)外周邊緣的位置資訊。據(jù)此，即使于該移動體(WST)上位置測量用的標記(基準標記)等未存在，仍可根據(jù)板件外周邊緣的位置資訊，在以該測量裝置所界定的移動座標系統(tǒng)上管理板件的位置，亦即移動體的位置。
文檔編號G03F7/20GK103186057SQ20131002024
公開日2013年7月3日 申請日期2005年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月18日
發(fā)明者安田雅彥, 杉原太郎 申請人:尼康股份有限公司