大功率金屬包層模式吸收器的制造方法
【專利摘要】包層吸收器單元設(shè)置在大功率光纖激光器系統(tǒng)的無(wú)源光纖上，并且操作為俘獲和去除沿?zé)o源光纖的包層傳播的高階模式。模式吸收器具有由一個(gè)或多個(gè)液態(tài)金屬及其合金制成的合成物，所述合成物被放置于在無(wú)源光纖的護(hù)套中形成的開(kāi)口中。所述合成物配置為從包層去除具有預(yù)定光功率的MM光，所述預(yù)定光功率在比損壞吸收器的閾值溫度低的溫度下加熱所述合成物。
【專利說(shuō)明】大功率金屬包層模式吸收器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及大功率光纖激光器系統(tǒng)。具體地，本公開(kāi)涉及包層模式剝離器/吸收器，其操作為俘獲和去除無(wú)源光纖中不需要的包層導(dǎo)引光。

【背景技術(shù)】
[0002]大功率單模光纖激光器系統(tǒng)(“HPSMFLS”)典型地配置有一個(gè)或多個(gè)放大級(jí)聯(lián)裝置，每一個(gè)放大級(jí)聯(lián)裝置包括通過(guò)多模(MM)泵浦光側(cè)面泵浦或者端面泵浦的有源雙包層光纖。沿光波導(dǎo)包層傳播的泵浦光沿有源光纖的長(zhǎng)度通常不會(huì)被完全吸收、并且最終耦合到SM無(wú)源光纖的包層中。此外，接頭處的功耗也對(duì)于沿聚合物保護(hù)護(hù)套下面的波導(dǎo)包層傳播的多模光負(fù)責(zé)。除此之外，來(lái)自將要激光處理的表面的背反射光也可以耦合到包層中。甚至在10-12dB之間變化的中等泵浦光吸收率下，包層引導(dǎo)光可以在最終放大級(jí)容易地達(dá)到300-600W。由于以下原因包層導(dǎo)引光是不需要的。
[0003]典型地，HPSMFLS的SM無(wú)源光纖被柔性聚合物保護(hù)護(hù)套包圍，所述柔性聚合物保護(hù)護(hù)套具有比包層區(qū)域的折射率低的折射率。在光纖彎曲或拼接連接處，可能會(huì)妨礙包層區(qū)域的全反射，導(dǎo)致包層導(dǎo)引光逃逸到保護(hù)護(hù)套中。因此，可能會(huì)使保護(hù)護(hù)套過(guò)熱或者損壞。另外，在包層中攜帶的MM輻射可能會(huì)損壞光纖的端面區(qū)域，所述光纖典型地是耦接在兩個(gè)增益模塊之間的無(wú)源SM傳輸光纖或SM無(wú)源光纖，這兩個(gè)增益模塊之一例如沿與信號(hào)傳播相反的方向進(jìn)行泵浦。最后，如果包層導(dǎo)引的MM輻射到達(dá)傳輸光纖的端面，透射的光信號(hào)光束質(zhì)量可能會(huì)被惡化，這可能不利地影響其他光部件和處理質(zhì)量。
[0004]配置用于去除包層光并且將光能轉(zhuǎn)換為熱能的裝置被稱為包層模式吸收器(“CMA”)。典型地，CMA是沿剝離覆蓋包層的保護(hù)護(hù)套的光纖的長(zhǎng)度設(shè)置的，并且配置為具有比包層折射率高的折射率的光導(dǎo)聚合物化合物。聚合物化合物吸收器典型地允許去耦合具有高至約I ((至約400W的功率的包層光。
[0005]已知的CMA的一些結(jié)構(gòu)限制包括對(duì)由光纖和CMA的不均勻熱依賴膨脹/收縮引起的低機(jī)械應(yīng)力阻力。典型地，機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致單模(“SM”)大模式面積(“LMA”)光纖中的微小彎曲損耗和對(duì)高階模式(“Η0Μ”)的激勵(lì)。
[0006]另外的限制與聚合物化合物的相對(duì)低的熱導(dǎo)率相關(guān)聯(lián)，導(dǎo)致了其較高的溫度。通常認(rèn)為110°c的溫度是臨界的，并且更高的溫度導(dǎo)致CMA的毀壞。在向光纖激光器系統(tǒng)供電時(shí)發(fā)生的突然溫度變化期間這種臨界溫度甚至可能更低。
[0007]因此，需要一種配置有CMA的HPSMFLS，所述CMA的特征在于耐高溫和耐機(jī)械應(yīng)力的結(jié)構(gòu)。
[0008]還需要一種制造改進(jìn)的CMA的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]通過(guò)公開(kāi)的金屬光包層能量吸收器(“MLCA”)來(lái)滿足這些需求，所述金屬光包層能量吸收器配置為在忍受升高的溫度的同時(shí)吸收光，并且提供一種耐應(yīng)力結(jié)構(gòu)。
[0010]本公開(kāi)的一個(gè)方面涉及MLCA，與已知的基于聚合物化合物的吸收器相反，所述MLCA包括沿保護(hù)涂層的剝離區(qū)域設(shè)置的液態(tài)金屬及其合金的填充物。所述填充物被選擇為吸收光并且具有低熔化溫度、高熱導(dǎo)率、所需密度和對(duì)暴露的包層(石英)的良好粘附性。如下面將要公開(kāi)的，所公開(kāi)的吸收器可以忍受比已知的硅基吸收器高得多的輸入功率。
[0011]本公開(kāi)的另一方面涉及改進(jìn)所公開(kāi)的MLCA的應(yīng)力抵抗力。具體地，具有吸收器的光纖進(jìn)一步放置于熱沉中，所述熱沉配置為包圍填充物并且粘附到填充物的套筒(sleeve)。由于高熱導(dǎo)特性,吸收器操作為石英和金屬熱沉之間的有效排熱介質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是配置有所公開(kāi)的金屬光包層吸收器(“MLCA”)的大功率單模光纖激光器系統(tǒng)(“HPSMFLS”)的簡(jiǎn)圖。
[0013]圖1A是包括主振蕩器/功率放大器結(jié)構(gòu)(“ΜΟΡΑ”)的HPSMFLS的簡(jiǎn)圖，其中在所示系統(tǒng)的部件之間耦合的無(wú)源光纖上設(shè)置了所公開(kāi)金屬吸收器。
[0014]圖2是配置有所公開(kāi)的MLCEC的SM無(wú)源輸出光纖的簡(jiǎn)圖。
[0015]圖3是改進(jìn)的配置有所公開(kāi)的MLCEC的SM輸出光纖的簡(jiǎn)圖。
[0016]圖4是在熱沉中安裝的所公開(kāi)MLCA的分解視圖。
[0017]圖5是說(shuō)明了MLCEC的套筒的最大溫度與耗散功率的依賴性的曲線。

【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在將詳細(xì)參考所公開(kāi)的能量吸收器、合并了所述吸收器的大功率光纖激光器系統(tǒng)和制造吸收器的方法。在可能的情況下，在附圖和描述中使用同樣或類似的參考數(shù)字表示相同或類似的部件或步驟。附圖是簡(jiǎn)化形式并且沒(méi)有精確按比例繪制。只是為了方便和清楚的目的，可以相對(duì)于圖面的平面使用方向性術(shù)語(yǔ)，但不應(yīng)該解釋為限制范圍。除非另外定義，說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求中使用的所有詞語(yǔ)和短語(yǔ)具有由光纖激光器領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所理解的普通和慣常意義。
[0019]圖1說(shuō)明了典型的增益模塊10的簡(jiǎn)圖，所述增益模塊10單獨(dú)地或者與類似配置的增益模塊組合，可操作用于發(fā)射達(dá)到kW級(jí)別的基本為SM光束的輸出。然后通過(guò)傳輸單模(“SM”)無(wú)源光纖18將輸出光束傳輸至終點(diǎn)。傳輸單模無(wú)源光纖配置有由液態(tài)金屬(即具有低溫度熔點(diǎn)的金屬)或者液態(tài)金屬及其合金的組合物制成的包層模式吸收器20。因此，吸收器20可操作為俘獲和吸收沿光纖18的包層導(dǎo)引的不需要的模式。
[0020]圖1A說(shuō)明了兩個(gè)增益模塊10 (本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的MOPA的部件)包括主振蕩器MO和功率放大器PA。在這一不意圖中，作為傳輸光纖的補(bǔ)充或者替代，吸收器20可以設(shè)置在光學(xué)耦合MO和PA的無(wú)源光纖21上，如圖所示。光纖21可以接收未吸收的來(lái)自泵浦源I的泵浦信號(hào)，例如所述泵浦信號(hào)沿與光信號(hào)的正向傳播方向相反的方向耦合到PA中。
[0021]增益模塊10,例如功率放大器PA,包括:有源光纖12,即摻雜有一種或多種稀土兀素的離子的光纖，所述稀土元素例如是鐿、鉺、銩等；以及，單一的SM輸入和輸出無(wú)源光纖
14、16。有源光纖12配置有一個(gè)或多個(gè)包層和多模纖芯，如果需要所述纖芯配置為在所需波長(zhǎng)下支持實(shí)質(zhì)上的基模。泵浦單元15發(fā)射的多模泵浦光耦合到波導(dǎo)包層中，并且當(dāng)其沿波導(dǎo)包層傳播時(shí)逐漸被纖芯吸收。所有的泵浦光并沒(méi)被全部吸收，一些泵浦光仍然在包層中。未吸收的泵浦光和其他不同來(lái)源的不需要的模式被進(jìn)一步導(dǎo)引通過(guò)無(wú)源輸出光纖16的包層，并且進(jìn)一步沿傳輸光纖21的包層傳播。包層光的存在由于先前討論的多種原因是非常不理想的，以及應(yīng)該將其最小化并且期望最終消除。注意:盡管以上討論了單模系統(tǒng)和光纖，所公開(kāi)的吸收器可以與多模光纖相結(jié)合來(lái)使用。
[0022]參考圖2，除了纖芯22和包層24之外，光纖18或21還配置有保護(hù)聚合物保護(hù)膜(其被剝離并且因此未示出)，保護(hù)膜的折射系數(shù)小于包層的折射系數(shù)。為了產(chǎn)生用于吸收包層傳播模式的條件，沿光纖18、21的所需軸區(qū)域剝離所述膜，暴露出一段包層24，該段包層可以浸沒(méi)到由液態(tài)基金屬和/或其合金30制成的吸收器20中。與聚合物化合物相反，金屬具有優(yōu)秀的反射特性。包層光以及具體地沿金屬涂層和石英之間的邊界傳播的那些模式周期性地撞擊到金屬涂層上。入射到金屬30上的大部分的光被吸收；其余光繼續(xù)傳播，并且最終大大減小或完全消失。金屬吸收器20可以忍受較高的機(jī)械應(yīng)力、較高的溫度，并且盡管吸收仍然是有限的，但其比傳統(tǒng)的聚合物化合物分布地更好?；谡麄€(gè)光纖系統(tǒng)的已知參數(shù)和所需位置來(lái)選擇吸收器20的最優(yōu)組成提供了具有最大可能光功率的包層光去除，該去除包層光的最大可能光功率可以在比已知的將損壞系統(tǒng)的吸收器20和其他光學(xué)部件的閾值溫度低的溫度下加熱合成物。
[0023]盡管可以將液態(tài)金屬簡(jiǎn)單地施加和粘附到石英，但是因?yàn)橐簯B(tài)金屬與石英的非理想粘附性，表面應(yīng)力可能仍然相當(dāng)高。因此，將石英的表面紋理化，使其不再光滑，而是具有精微結(jié)構(gòu)，所述精微結(jié)構(gòu)改進(jìn)了石英/包層和金屬吸收器之間的結(jié)合。同樣，選擇金屬吸收器的熱膨脹系數(shù)接近硅的熱膨脹系數(shù)，這也減小了機(jī)械應(yīng)力。
[0024]液態(tài)金屬及其相應(yīng)合金在室溫或者室溫附近以液相存在，并且可以包括鎵(“Ga”)及其合金，例如鎵銦錫合金。鎵銦錫合金是68%的Ga(鎵)、21.5%的In (銦)和10%的Sn(錫)的合成物，并且具有約-15°的凝固點(diǎn)，在所述凝固點(diǎn)之后這種材料趨向于膨脹。像其他液態(tài)金屬和合金一樣，鎵銦錫合金具有較高的熱導(dǎo)率，所述較高的熱導(dǎo)率優(yōu)于聚合物化合物，因此具有優(yōu)秀的熱傳導(dǎo)和散熱特性。測(cè)試示出了由這種合金制成的能量吸收器可以安全地耗散大于600瓦特的包層導(dǎo)引光的光功率?？梢愿幕衔锏某煞忠阅褪苓_(dá)到kW級(jí)別的更高功率。具體地，可控地調(diào)節(jié)合金成分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，使得從包層去除的MM光的最大可能光功率在比已知將損壞包層的閾值溫度低的溫度下加熱合金。
[0025]參考圖3，為了減小包層導(dǎo)引MM光的大功率密度并且在一定程度減輕吸收器20上的熱負(fù)荷，優(yōu)選地，無(wú)源光纖18、21可以具有雙瓶頸形狀橫截面，也稱作雙瓶(“TB”)光纖。在與本申請(qǐng)公共轉(zhuǎn)讓的未決申請(qǐng)US12/559，284和US12/630，545中詳細(xì)地公開(kāi)了 TB幾何形狀，將上述申請(qǐng)全部合并在此作為參考。因此，TB光纖18或21的結(jié)構(gòu)包括間隔開(kāi)的相對(duì)均勻的小直徑末端區(qū)域28、相對(duì)均勻的大直徑中心區(qū)域34以及在相應(yīng)的末端區(qū)域和中心區(qū)域之間的過(guò)渡區(qū)域32，所述過(guò)渡區(qū)域允許導(dǎo)引光的絕熱膨脹?；谇笆隹紤]，優(yōu)選地但不是必需的，吸收器20沿功率密度相對(duì)較低的中心區(qū)域34設(shè)置。吸收器20的直徑可以與聚合物護(hù)套或膜31的外徑相同，或者大于聚合物護(hù)套或膜31的外徑。TB光纖18、21還可以具有位于吸收器20下游的由聚合物化合物制成的另一個(gè)吸收器36。光纖18的中心區(qū)域34可以配置有約300微米的直徑。
[0026]現(xiàn)在參考圖4，大光功率可能要求由延展性材料制成的熱沉，例如銅、銅鎢合金以及配置有良好熱導(dǎo)率和防止光纖應(yīng)力的最小熱膨脹的其他材料。優(yōu)選的護(hù)套材料不與金屬合金反應(yīng)。熱沉包括通過(guò)扣件42彼此可拆卸地耦合的第一部分38和第二部分40 (圖中只示出了扣件42之一)，并且所述部分配置為封入一段長(zhǎng)度的無(wú)源光纖18、21。該長(zhǎng)度的無(wú)源光纖的長(zhǎng)度放置于填充有吸收器20并且設(shè)置在部分38中的凹槽44中。凹槽44中的光纖段的相對(duì)末端通過(guò)諸如硅凝膠之類的粘合劑耦合至部分38。粘合劑也涂覆到吸收器20和在光纖18上設(shè)置的任意其他剝離器，所述剝離器也可以位于凹槽44中以便生成所述結(jié)構(gòu)密封。為了防止覆蓋整個(gè)單元的外殼部分40過(guò)熱，并且為了進(jìn)一步改進(jìn)單元的氣密性，可以由例如Al制成的箔46填充在光纖長(zhǎng)度和部分40之間。可替代地，硅凝膠、UV膠水或環(huán)氧樹(shù)脂可以完全覆蓋吸收器20，而不使用部分40。這些材料是柔性的，并且有效地補(bǔ)償了金屬的熱膨脹。
[0027]圖5說(shuō)明了利用所公開(kāi)的吸收器包封光纖18的長(zhǎng)度的熱沉和外殼的溫度與耗散功率的關(guān)系。即使功率達(dá)到800W，吸收器仍然保持其結(jié)構(gòu)完整性。
[0028]所公開(kāi)的吸收器在大功率光纖激光器系統(tǒng)的場(chǎng)景下特別有利。盡管上述主要提到吸收器20對(duì)正向傳播光的剝離能力，但是其也用作背向反射光的濾波器。同樣，盡管以上公開(kāi)的結(jié)構(gòu)是在SM系統(tǒng)的場(chǎng)景中描述的，但是所公開(kāi)的吸收器也可以有效地用于MM系統(tǒng)中。例如，所公開(kāi)的吸收器可以設(shè)置在MM傳輸光纖中以便最小化背反射。另外，所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)既可以用于連續(xù)波激光器結(jié)構(gòu)也可以用于脈沖激光器結(jié)構(gòu)。
[0029]在不脫離本發(fā)明精神和實(shí)質(zhì)性特征的情況下，可以對(duì)公開(kāi)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行多種改變。因此，意欲將以上描述中包含的所有事物解釋為只是說(shuō)明性的而不是限制性的，本公開(kāi)的范圍由所附權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種包層模式吸收器單元“CMA”，包括: 無(wú)源光纖，配置有纖芯、包圍纖芯并且能夠支持不需要的多?！癕M”包層光的包層、以及在包層上涂覆的聚合物護(hù)套，所述護(hù)套具有不連續(xù)的表面，所述不連續(xù)的表面限定了終止于包層平面中的開(kāi)口 ；以及 吸收器，覆蓋所述開(kāi)口內(nèi)包層的暴露部分、并且具有從液態(tài)金屬、液態(tài)金屬合金及其組合組成的組中選擇的合成物，所述合成物配置為去除MM光，去除MM光的最佳光功率在比將損壞吸收器的閾值溫度低的溫度下加熱所述合成物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，其中所述吸收器由鎵、銦及其合金組成的材料構(gòu)成，并且麗光的功率達(dá)到了 kW級(jí)別。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，其中所述吸收器由包括Ga(鎵)、In (銦)和Sn成分的GalistanO合金配置，其中Ga、In和Sn中的每一種的質(zhì)量分?jǐn)?shù)被可控地改變以去除預(yù)定的光功率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，還包括熱沉，所述熱沉配置有彼此可拆除地耦合的第一和第二部分，所述第一部分配置有容納一段具有吸收器的無(wú)源光纖的凹槽，其中吸收器封閉在熱沉中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CMA單元，其中熱沉包括金屬底座和耦合至底座的頂部，從由一種或多種延展性金屬和硅凝膠組成的組中選擇所述頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，其中將包層的暴露部分紋理化，以便改進(jìn)吸收器與包層的粘附性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，其中吸收器配置為使得吸收器的熱膨脹系數(shù)選擇為與包層的熱膨脹系數(shù)相匹配。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMA單元，其中無(wú)源光纖包括纖芯，纖芯被包層包圍并且配置為導(dǎo)引功率達(dá)到一個(gè)或幾個(gè)kW的SM光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMA單元，其中纖芯和包層均具有瓶頸形狀橫截面，所述瓶頸形狀橫截面包括具有均勻直徑的輸入末端區(qū)域、具有比末端區(qū)域的直徑大的均勻直徑的中心區(qū)域、以及橋接末端區(qū)域和中心區(qū)域的截頭錐形過(guò)渡區(qū)域，所述吸收器在中心區(qū)域的至少一部分上延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMA單元，其中纖芯和包層均具有雙瓶頸形狀橫截面，所述雙瓶頸形狀橫截面包括間隔開(kāi)的具有均勻直徑的輸入末端區(qū)域、具有比末端區(qū)域的直徑大的均勻直徑的中心區(qū)域、以及將中心區(qū)域的相對(duì)末端與相應(yīng)的末端區(qū)域相橋接的截頭錐形區(qū)域，所述吸收器在中心區(qū)域的至少一部分上延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMA單元，其中纖芯和包層均具有雙瓶頸形狀橫截面，所述雙瓶頸形狀橫截面包括間隔開(kāi)的具有均勻直徑的輸入末端區(qū)域、具有比末端區(qū)域的直徑大的均勻直徑的中心區(qū)域、以及將中心區(qū)域的相應(yīng)的相對(duì)末端與末端區(qū)域相橋接的截頭錐形區(qū)域，所述過(guò)渡區(qū)域之一比另一個(gè)長(zhǎng)，所述吸收器與相應(yīng)的中心區(qū)域和最長(zhǎng)的截頭錐形區(qū)域的部分重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMA單元，其中所述無(wú)源光纖還配置有與金屬吸收器間隔開(kāi)的、由聚合物化合物制成的至少一個(gè)附加吸收器。
13.—種制造包層模式吸收器的方法，所述包層模式吸收器配置為從無(wú)源光纖的包層去除MM包層光，其中包層夾在纖芯和保護(hù)聚合物護(hù)套之間，所述方法包括: 從所需的包層位置去除一段護(hù)套以便暴露出預(yù)定長(zhǎng)度的包層，從而在護(hù)套中形成開(kāi)口 ；以及 用包括液態(tài)金屬或者液態(tài)金屬合金或者其組合的合成物填充所述開(kāi)口，從而覆蓋包層的所述長(zhǎng)度以便去除最佳量的MM光，所述最佳量的MM光具有預(yù)定的光能量，所述預(yù)定的光能量在比將損壞吸收器的臨界溫度低的期望溫度下加熱所述合成物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述吸收器由鎵、銦及其合金組成的材料構(gòu)成，并且所述吸收器的熱膨脹系數(shù)基本上與所述包層的熱膨脹系數(shù)相匹配。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述吸收器由包括約68%的Ga(鎵)、約21.5%的In (銦)和約10%的Sn構(gòu)成的合成物的GalistanO合金配置，其中所述合成物具有-19°的凝固點(diǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 提供由延展性金屬制成的、具有凹槽的第一半外殼； 用模式吸收器填充凹槽； 將包括開(kāi)口的一段無(wú)源光纖放置到模式吸收器中，從而覆蓋包層的暴露長(zhǎng)度；以及將由延展性金屬制成的第二半外殼可拆卸地耦合至第一半外殼，從而用吸收器密封該段無(wú)源光纖。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括利用聚合物化合物將該段光纖的相對(duì)末端粘附至第一半外殼。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在應(yīng)用模式吸收器之前將暴露的包層的表面紋理化。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中無(wú)源光纖具有包括瓶頸形狀橫截面或雙瓶頸形狀橫截面的結(jié)構(gòu)。
20.一種大功率光纖激光器系統(tǒng),包括: 多個(gè)增益模塊，沿光路間隔開(kāi)并且均具有有源光纖； 至少一個(gè)泵浦單元，配置為將多模泵浦光發(fā)射和耦合到有源光纖中，其中MM泵浦光的一部分在有源光纖的纖芯中沒(méi)被吸收； 多個(gè)無(wú)源光纖，光學(xué)地耦合至相應(yīng)的有源光纖、并且均具有夾在纖芯和聚合物護(hù)套之間的包層，至少一個(gè)無(wú)源光纖的聚合物護(hù)套具有不連續(xù)表面，所述不連續(xù)表面限定了暴露出預(yù)定長(zhǎng)度的包層的開(kāi)口 ；以及 包層模式吸收器，設(shè)置在開(kāi)口中、并且具有從液態(tài)金屬或液態(tài)金屬合金或其組合選擇的合成物，所述合成物配置為移除具有預(yù)定光功率的至少一部分未吸收的光，所述預(yù)定光功率在比將損壞吸收器的閾值溫度低的溫度下沿所述預(yù)定長(zhǎng)度加熱所述合成物。
【文檔編號(hào)】G02B6/02GK104185931SQ201280067650
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月19日
【發(fā)明者】瓦倫丁·蓋龐特瑟夫, 瓦倫丁·弗明, 米哈伊爾·阿布拉莫夫, 安東·費(fèi)林 申請(qǐng)人:Ipg光子公司