多通道rf饋入裝置制造方法
【專利摘要】多通道RF饋入裝置。在一些例子中，多通道RF饋入裝置包括內(nèi)部部分和外部部分。該內(nèi)部部分包括頂面，在該頂面上形成第一跡線組和第二跡線組。每個(gè)跡線組被配置成用以承載電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道。該外部部分具有底面和頂面，在該底面上形成所述第一跡線組，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組。通路組連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組。
【專利說明】多通道RF饋入裝置
【背景技術(shù)】
[0001]高速光收發(fā)機(jī)模塊以例如40Gbps和IOOGbps的速度通信。用于高速模塊的多源協(xié)議(MSA)通常要求較小的封裝以及封裝內(nèi)的多個(gè)光電通信通道。高速模塊內(nèi)潛在的有問題的互連裝置是高速模塊的光學(xué)子組件中的RF饋入裝置。在封裝尺寸、帶寬、通道密度和可制造性方面滿足光學(xué)子組件的RF饋入裝置的MSA要求是十分困難的。
[0002]發(fā)明概述
[0003]本文所描述的技術(shù)主要涉及能用于各種應(yīng)用的多通道RF饋入裝置，其中各種應(yīng)用包括但不限于光電模塊的光學(xué)子組件。
[0004]在一些例子中，一種多通道RF饋入裝置包括內(nèi)部部分和外部部分。所述內(nèi)部部分具有頂面，在該頂面上形成第一跡線組和第二跡線組。每個(gè)跡線組被配置成用以承載電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道。所述外部部分具有底面和頂面，在該底面上形成所述第一跡線組，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組。通路組連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組。
[0005]在一些例子中，一種光學(xué)子組件(OSA)包括:外罩；位于該外罩內(nèi)的光換能器；限定于該外罩中的光端口，光數(shù)據(jù)信號(hào)能夠通過該光端口在所述光換能器和光纖之間傳送；以及形成于該外罩中的多通道RF饋入裝置。該多通道RF饋入裝置包括內(nèi)部部分和外部部分。該內(nèi)部部分具有頂面，在該頂面上形成第一跡線組和第二跡線組。每個(gè)跡線組被配置成用以向或從所述光換能器傳送電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道。所述外部部分具有底面和頂面，在該底面上形成所述第一跡線組，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組。通路組連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組。
[0006]在一些例子中，一種光電模塊包括:殼體；至少部分地位于該殼體內(nèi)部的印刷電路板；以及至少部分地位于該殼體內(nèi)部的OSA。所述OSA包括:外罩；位于該外罩內(nèi)的光換能器；限定于該外罩中的光端口，光數(shù)據(jù)信號(hào)能夠通過該光端口在所述光換能器和光纖之間傳送；以及形成于該外罩中的多通道RF饋入裝置。該多通道RF饋入裝置包括內(nèi)部部分和外部部分。該內(nèi)部部分具有頂面，在該頂面上形成第一跡線組、第二跡線組、第三跡線組和第四跡線組。每個(gè)跡線組被配置成用于在該光換能器和該印刷電路板之間傳送電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道。所述外部部分具有底面和頂面，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組和第三跡線組，在該底面上形成所述第一跡線組和第四跡線組。第一通路組和第二通路組分別連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組和第四跡線組。
[0007]上述發(fā)明概述只是示例性的，并不旨在以任何方式進(jìn)行限制。除了上述示例性的方面、實(shí)施方式和特征外，通過參考附圖和下面的詳細(xì)說明，進(jìn)一步的方面、實(shí)施方式和特征也將是顯而易見的。
[0008]附圖簡(jiǎn)要說明
[0009]在附圖中:
[0010]圖1A是示例性光電模塊的頂部前側(cè)透視圖；
[0011]圖1B是圖1A中的示例性光電模塊的底部后側(cè)透視圖；[0012]圖1C是圖1A中的示例性光電模塊的頂部后側(cè)分解圖，包括分別具有示例性多通道RF饋入裝置的兩個(gè)示例性的光學(xué)子組件；
[0013]圖1D是圖1A中的示例性光電模塊的底部后側(cè)分解圖，包括兩個(gè)示例性光學(xué)子組件和圖1C中的示例性多通道RF饋入裝置；
[0014]圖2A是圖1C中的一個(gè)示例性多通道RF饋入裝置的透視圖；
[0015]圖2B是圖2A中的示例性多通道RF饋入裝置的頂視圖；
[0016]圖2C是圖2A中的示例性多通道RF饋入裝置的底視圖；
[0017]圖3A-3I是圖2A中的示例性多通道RF饋入裝置內(nèi)部的各種層和通路的一系列透視圖；
[0018]圖4是圖2A中的示例性多通道RF饋入裝置的示意性側(cè)視圖；
[0019]圖5是顯示了圖2A中的示例性多通道RF饋入裝置的各種模擬性能特性的圖表；
[0020]圖6A是第二示例性多通道RF饋入裝置的透視圖； [0021]圖6B是圖6A中的示例性多通道RF饋入裝置的頂視圖；
[0022]圖6C是圖6A中的示例性饋入裝置的底視圖；
[0023]圖7A-7I是圖6A中的示例性多通道RF饋入裝置內(nèi)部的各種層和通路的一系列透視圖；
[0024]圖8是圖6A中的示例性多通道RF饋入裝置的示意性側(cè)視圖；以及
[0025]圖9是顯示了圖6A中的示例性多通道RF饋入裝置的各種模擬性能特性的圖表.[0026]詳細(xì)說明
[0027]在下面的詳細(xì)說明中，參考了形成詳細(xì)說明一部分的附圖。在附圖中，相似的符號(hào)典型地標(biāo)識(shí)相似的部件，除非上下文另有指明。詳細(xì)說明、附圖和權(quán)利要求中所描述的示例性實(shí)施方式并不意在限制。在不脫離本文所提出的主題的精神或范圍的情況下，可以采用其他實(shí)施方式，并可作出其他變化。易于理解的是，本文大致描述以及附圖示例示出的多個(gè)方面能夠以多種多樣的不同配置進(jìn)行排列、替換、組合、分離和設(shè)計(jì)，所有這些都明確涵蓋在本文中。
[0028]本文所描述的一些實(shí)施方式主要涉及能用于各種應(yīng)用的多通道RF饋入裝置，其中各種應(yīng)用包括但不限于光電模塊中的光學(xué)子組件。更特別地，本文所公開的示例性多通道RF饋入裝置能夠用于光電發(fā)射機(jī)、接收機(jī)或收發(fā)機(jī)模塊中的一個(gè)或多個(gè)光學(xué)子組件。如本文所公開的，每個(gè)多通道RF饋入裝置主要包括在頂面和底面上連接多通道RF饋入裝置的外部部分上的跡線的雙側(cè)接入能力。與僅有單側(cè)接入能力的多通道RF饋入裝置相比，本文所公開的每個(gè)示例性多通道RF饋入裝置的雙側(cè)接入能力在保持相同的通道容量的同時(shí)能將多通道RF饋入裝置的外部部分的寬度減小一半。
[0029]圖1A-1D公開了示例性光電模塊100的各種視圖。特別是，圖1A是示例性光電模塊100的頂部前側(cè)透視圖，圖1B是示例性光電模塊100的底部后側(cè)透視圖，圖1C是示例性光電模塊100的頂部后側(cè)分解圖，圖1D是示例性光電模塊100的底部后側(cè)分解圖。一般而言，模塊100能用于傳送與主機(jī)裝置(未顯示)有關(guān)的光數(shù)據(jù)信號(hào)，主機(jī)裝置用于傳送相應(yīng)的電數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0030]模塊100可被配置為以多種不同的數(shù)據(jù)速率(包括但不限于1.25Gbps,
2.125Gbps，2.5Gbps，4.25Gbps，8.5Gbps, 10.3Gbps, 10.5Gbps, 11.3Gbps, 14.025Gbps,40Gbps或lOOGbps，或更高)收發(fā)光數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，模塊100能被配置為以各種波長(zhǎng)(包括但不限于 850nm,1310nm,1470nm,1490nm,1510nm,1530nm,1550nm,1570nm, 1590nm 或1610nm)收發(fā)光數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，模塊100能被配置為支持各種通信協(xié)議，包括但不限于光快速以太網(wǎng)、光千兆以太網(wǎng)、10千兆以太網(wǎng)以及l(fā)x,2x，4x，8x和16x光纖通道。此外,雖然一個(gè)示例性模塊100被配置為具有與QSFP+MSA基本兼容的形狀因子，但模塊100也可以選擇性地被配置為與其他MSA (包括但不限于CFP MSA, CFP2MSA，CFP4MSA或QSFP MSA)基本兼容的多種不同的形狀因子。最后，雖然模塊100是一種可插拔的光電收發(fā)機(jī)模塊，但舉例來(lái)說，本文所公開的示例性多通道RF饋入裝置可選擇性地用于連接可插拔或不可插拔的光電發(fā)射機(jī)或接收機(jī)模塊或不可插拔的光電收發(fā)機(jī)模塊。
[0031]如圖1A和IB所示，示例性模塊100包括具有頂部殼體104和底部殼體106的殼體102。殼體102的底部殼體106包括開口，至少部分位于殼體102內(nèi)的印刷電路板(PCB)108通過該開口從底部殼體106的后側(cè)延伸。示例性模塊100還包括發(fā)送端口 110，光數(shù)據(jù)信號(hào)通過發(fā)送端口 110利用與發(fā)送端口 110連接的第一光纖(未顯示)從示例性模塊100發(fā)送。示例性模塊100進(jìn)一步包括接收端口 112，示例性模塊100通過接收端口 112利用與接收端口 112連接的第二光纖(未顯示)接收光數(shù)據(jù)信號(hào)。端口 110和112被配置為利用光纖和相應(yīng)的光纖連接器，例如LC或SC連接器(未顯示)，連接模塊100。
[0032]如圖1C和ID所示，示例性模塊100還包括一對(duì)光學(xué)子組件(0SA)，也就是發(fā)射機(jī)光學(xué)子組件(TOSA) 114和接收機(jī)光學(xué)子組件(ROSA) 116。TOSAl 14包括外罩118和限定在外罩118中的光端口 120。類似地，R0SA116包括外罩122和限定在外罩122中的光端口124。PCB108通過限定于T0SA114的外罩118中的第一多通道RF饋入裝置200以及柔性電接口 126與T0SA114電通信。PCB108還通過限定于R0SA116的外罩122中的第二多通道RF饋入裝置200以及柔性電接口 128與ROSAl 16電通信。
[0033]柔性電接口 126和128被配置為與多通道RF饋入裝置200的頂面(如圖1C所示)和底面(如圖1D所示)都連接，從而減小多通道RF饋入裝置200的寬度。多通道RF饋入裝置200在寬度上的這種減小有助于減小TOSA外罩118和ROSA外罩122的整體寬度，由此允許相應(yīng)地減小底部殼體106的整體寬度。
[0034]PCB108包括邊緣連接器130，其在底部殼體106的外部延伸且被配置為一旦將模塊100插入主機(jī)裝置(未顯示)的主機(jī)插槽(未顯示)時(shí)就與主機(jī)連接器(未顯示)電性耦合。T0SA114進(jìn)一步包括位于外罩118內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)光發(fā)射機(jī)，例如激光器(未顯示)。類似地，ROSAl 16進(jìn)一步包括位于外罩122內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)光接收機(jī)(未顯示)。
[0035]在操作時(shí)，來(lái)自主機(jī)裝置(未顯示)的電數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)過PCB108的邊緣連接器130、PCB108上的各種電路、柔性電接口 126以及第一多通道RF饋入裝置200進(jìn)入外罩118并進(jìn)入位于外罩118內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射機(jī)(未顯不)。每個(gè)光發(fā)射機(jī)被配置為將電數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的光數(shù)據(jù)信號(hào)并將光數(shù)據(jù)信號(hào)從外罩118經(jīng)過光端口 120和發(fā)送端口 110傳送到與發(fā)送端口 110相連的第一光纖(未顯示)。類似地，來(lái)自與接收端口 112相連的第二光纖(未顯示)的光數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)過接收端口 112和光端口 124傳送到外罩122并進(jìn)入位于外罩122內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)光接收機(jī)(未顯示)。每個(gè)光接收機(jī)被配置為將光數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電數(shù)據(jù)信號(hào)，電數(shù)據(jù)信號(hào)在外罩122外部通過第二多通道RF饋入裝置200進(jìn)行中繼，并經(jīng)過柔性電接口 128、PCB108上的各種電路以及邊緣連接器130進(jìn)入主機(jī)裝置(未顯示)。由于每個(gè)發(fā)射機(jī)和接收機(jī)都被配置為在光和電數(shù)據(jù)信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，因此每個(gè)發(fā)射機(jī)和接收機(jī)都是光換能器。
[0036]參照?qǐng)D1A-1D描述了特定的環(huán)境，但是可以理解的是，此特定的環(huán)境僅僅是可以應(yīng)用本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的無(wú)數(shù)結(jié)構(gòu)中的一種。本發(fā)明的保護(hù)范圍不應(yīng)受限于任何特定的環(huán)境。
[0037]圖2A-2C公開了圖1C和ID中的示例性多通道RF饋入裝置200的各種視圖。特別是，圖2A是示例性多通道RF饋入裝置200的透視圖，圖2B是示例性多通道RF饋入裝置200的頂視圖，圖2C是示例性多通道RF饋入裝置200的底視圖。
[0038]如圖2A和2B所示，饋入裝置200包括內(nèi)部部分202和外部部分204。內(nèi)部部分202可位于相應(yīng)的裝置外罩(例如圖1C中的TOSA外罩118)內(nèi)，外部部分204可位于相應(yīng)的裝置外罩外。內(nèi)部部分202包括頂面206，頂面206上形成第一、第二、第三和第四跡線組208，210，212和214。每個(gè)跡線組208，210，212和214可被配置成電通信通道以承載電數(shù)據(jù)信號(hào)。為了在電通信通道之間進(jìn)行區(qū)分，第一、第二、第三和第四跡線組208，210，212和214在本文中分別被指定為“通道1”、“通道2、“通道3”和“通道4”。
[0039]如圖2A-2C所示，外部部分204包括頂面216和底面218，頂面216上形成第二和第三跡線組210和212，底面218上形成第一和第四跡線組208和214。相應(yīng)地，外部部分204包括:頂面216上的通道2和3的跡線，如圖2B所示；以及底面218上的通道I和4的跡線，如圖2C所示。
[0040]外部部分204的頂面216上的通道2和3以及底面218上的通道I和4的接入能力可減小這四個(gè)通道的封裝寬度。特別是，外部部分204的頂面216和底面218上的跡線可需要大約0.6mm到大約Imm范圍的間距，從而正確地連接到對(duì)應(yīng)的柔性電接口(例如圖1C和ID中的柔性電接口 126)。與此相對(duì)照，內(nèi)部部分202的頂面206上的跡線可具有窄得多的間距(大約0.1mm到大約0.25mm的范圍),從而正確地連接到光換能器(未顯示)的對(duì)應(yīng)電接口。因此，外部部分204的頂面216和底面218上的跡線組中的跡線之間的間距可比內(nèi)部部分202的頂面206上的跡線組中的跡線之間的間距大。因此，對(duì)于示例性多通道RF饋入裝置200的外部部分204的頂面216和底面218上間隔更寬的跡線的雙側(cè)接入能力在相同數(shù)量通道的情況下可以減小一半的封裝寬度。
[0041]圖3A-3I為示例性多通道RF饋入裝置200內(nèi)的各種層和通路的一系列透視圖。圖3A顯示了第一接地屏蔽層220，用于將OSA外罩(例如圖1C和ID中的TOSA外罩118)的底部部分與通過跡線組208和214 (見圖3B)傳送的電數(shù)據(jù)信號(hào)隔離。如圖3A和3B所示，第一接地屏蔽層220利用與接地跡線222連接的多個(gè)通路電性接地。如圖3B所示，接地跡線222構(gòu)成第一和第四跡線組208和214的一部分。如圖3C和3D所示，接地跡線222利用與第二接地屏蔽層224連接的多個(gè)通路電性接地。第二接地屏蔽層224位于外部部分204的頂面216和底面218之間(見圖2A)，并用于將第一和第四跡線組208和214 (見圖3B)與第二和第三跡線組210和212 (見圖3F)隔離。如圖3E和3F所示，第二接地屏蔽層224利用與接地跡線226連接的多個(gè)通路電性接地。如圖3F所示，接地跡線226構(gòu)成第二和第三跡線組210和212的多個(gè)部分。
[0042]圖3E和3F還公開了示例性多通道RF饋入裝置包括分別連接位于內(nèi)部部分202的頂面206和外部部分204的底面218之間(見圖2A)的第一和第四跡線組的第一和第二通路組228和230。
[0043]如圖3G和3H所示，接地跡線226利用與第三接地屏蔽層232連接的多個(gè)通路電性接地。第三接地屏蔽層232用于將OSA外罩(例如圖1C和ID中公開的TOSA外罩118或ROSA外罩122)的頂部部分與經(jīng)過第二和第三跡線組210和212傳送的電數(shù)據(jù)信號(hào)隔離。圖31公開了圍繞示例性多通道RF饋入裝置200的跡線、接地屏蔽層和通路而形成的絕緣結(jié)構(gòu)234的輪廓。
[0044]圖4為示例性多通道RF饋入裝置200的示意性側(cè)視圖。如圖4中所示，內(nèi)部部分202的頂面206上的第一、第二、第三和第四跡線組208，210，212和214的布置以及外部部分204的底面218上的第一和第四跡線組208和214及頂面216上的第二和第三跡線組210和212的分開布置需要通路228和230。因此，電數(shù)據(jù)信號(hào)可以利用通路228和230在從內(nèi)部部分202的頂面206到外部部分204的底面218的非共面路徑中在第一和第四跡線組208和214 (本文中也稱為通道I和4)上傳送。與此相對(duì)照，電數(shù)據(jù)信號(hào)可以在從內(nèi)部部分202的頂面206到外部部分204的頂面216的共面路徑中在第二和第三跡線組210和212 (本文中也稱為通道2和3)上傳送。
[0045]通路228和230的高度H1，也相當(dāng)于外部部分204的頂面216和底面218上的跡線之間的距離，可以根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)變化。例如，在至少一些實(shí)施方式中，高度Hl可以為約Imm0
[0046]圖5是顯示示例性多通道RF饋入裝置200的各種模擬性能特性的圖表500。如圖5中的模擬性能圖表500所示，下半部分曲線圖中的虛線是從組成通道I和通道2的跡線組208和210的內(nèi)部邊緣看到的反射(Sddll)，而實(shí)線是從跡線組208和210的外部邊緣看到的反射(Sdd22)。圖5中的模擬性能圖表500公開了沿著通道I的非共面路徑傳送的電數(shù)據(jù)信號(hào)在較低頻率時(shí)性能較好，但在較高的頻率時(shí)由于電感的影響而遭受性能惡化。特別是，圖5中的模擬結(jié)果顯示，與通道2相比，通道I中的反射從大約5GHz開始惡化。在大約15GHz之后，反射水平超出了 -15dB的標(biāo)準(zhǔn)。示例性多通道RF饋入裝置200中的通道之間的這種性能差異使得示例性多通道RF饋入裝置200更適于較低速率(例如，每個(gè)通道大約IOGbps至大約15Gbps或更低)的多通道應(yīng)用。
[0047]現(xiàn)在參照?qǐng)D6A-9，顯示了第二示例性多通道RF饋入裝置600。示例性多通道RF饋入裝置600可用于多種應(yīng)用，包括但不限于圖1C和ID公開的TOSAl 14和/或ROSAl 18。示例性多通道RF饋入裝置600在許多方面與示例性多通道RF饋入裝置200相似。因此，本文對(duì)示例性多通道RF饋入裝置600的討論主要限于示例性多通道RF饋入裝置600與示例性多通道RF饋入裝置200之間的不同之處。示例性多通道RF饋入裝置600具有均衡的通路分布從而形成具有均勻性能的通道。
[0048]圖6A-6C公開了第二示例性多通道RF饋入裝置600的各種視圖。特別是，圖6A是示例性多通道RF饋入裝置600的透視圖，圖6B是示例性多通道RF饋入裝置600的頂視圖，圖6C是示例性多通道RF饋入裝置600的底視圖。如圖6A-6C所示，示例性多通道RF饋入裝置600包括具有頂面606的內(nèi)部部分602，具有頂面616和底面618的外部部分604，以及第一、第二、第三和第四跡線組608，610，612和614 (本文中也分別稱為“通道1”、“通道2”、“通道3”和“通道4”)。但與圖2A中的頂面202和216不同的是，頂面606和616不共面。[0049]圖7A-7I是示例性多通道RF饋入裝置600內(nèi)的各種層和通路的一系列透視圖。如圖7A-7I所示，示例性多通道RF饋入裝置600包括:用于將相應(yīng)的裝置外罩(未顯示)的底部部分與通過第一和第四跡線組608和614傳送的電通信號(hào)隔離的第一接地屏蔽層620 ；構(gòu)成第一和第四跡線組608和614的一部分的接地跡線622 ;以及位于內(nèi)部部分602的頂面606和接地跡線622之間且用于將第一和第四跡線組608和614與內(nèi)部部分602中的第二和第三跡線組610和612隔離的第二接地屏蔽層624。
[0050]示例性多通道RF饋入裝置600還包括接地跡線和屏蔽層626，其中屏蔽層626構(gòu)成第一、第二、第三和第四跡線組608，610，612和614的一部分，并且還用于將第一和第四跡線組608和614與外部部分604中的第二和第二跡線組610和612隔尚。不例性多通道RF饋入裝置600還包括接地跡線632，其構(gòu)成第二和第三跡線組610和612的一部分。每個(gè)屏蔽層和接地跡線都利用多個(gè)通路電性接地且互相連接。
[0051]如圖7D-7F及71中所示，示例性多通道RF饋入裝置600還包括分別連接位于內(nèi)部部分602的頂面606和外部部分604的底面618之間的第一和第四跡線組608和614的第一和第二通路組628和630。類似地，如圖7G-7I中所示，示例性多通道RF饋入裝置600還包括分別連接位于內(nèi)部部分602的頂面606和外部部分604的頂面616之間的第二和第三跡線組610和612的第三和第四通路組636和638。圖71還顯示了圍繞示例性多通道RF饋入裝置600的跡線、接地屏蔽層和通路而形成的絕緣結(jié)構(gòu)634的輪廓。
[0052]圖8是示例性多通道RF饋入裝置600的示意性側(cè)視圖。如圖8所示，內(nèi)部部分602的頂面606所在的平面位于外部部分604的頂面616和底面618的平面之間的大致中間位置。這些表面的非共面布置需要通路628和630以及通路636和638。因此，電數(shù)據(jù)信號(hào)利用通路628和630能夠在從內(nèi)部部分602的頂面606到外部部分604的底面618的非共面路徑中在第一和第四跡線組608和614 (本文中也稱為通道I和4)上傳送。類似地，電數(shù)據(jù)信號(hào)利用通路636和638能夠在從內(nèi)部部分602的頂面606到外部部分604的頂面616的非共面路徑中在第二和第三跡線組610和612 (本文中也稱為通道2和3)上傳送。
[0053]通路628和630的高度H2，也相當(dāng)于內(nèi)部部分602的頂面606和外部部分604的底面618上的跡線之間的距離，能夠根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)而變化。類似地，通路636和638的高度H3，也相當(dāng)于內(nèi)部部分602的頂面606和外部部分604的頂面616上的跡線之間的距離，也能夠根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)而變化。在至少一些示例性實(shí)施方式中，高度H2和H3可大致相等。例如，在至少一些示例性實(shí)施方式中，高度H2和H3都可以為大約0.5mm,從而實(shí)現(xiàn)均衡的通路分布。在這些示例性實(shí)施方式中，外部部分604的頂面616和底面618上的跡線之間的距離Dl約為1mm。
[0054]示例性多通道RF饋入裝置600中所采用的均衡的通路分布可以使外部部分604的頂面616上的通道2和3與底面618上的通道I和4之間的RF性能均勻。通過減小示例性多通道RF饋入裝置600中的頂部通道與底部通道之間的性能差異，示例性多通道RF饋入裝置600可以為較高數(shù)據(jù)速率的應(yīng)用提供均勻的多通道互連。
[0055]圖9是顯示示例性多通道RF饋入裝置600的各種模擬性能特性的圖表900。如圖9中的模擬性能圖表900所示，沿著示例性多通道RF饋入裝置600的通道I和通道2的非共面路徑傳送的電數(shù)據(jù)信號(hào)在較高頻率時(shí)性能較好。特別地，圖9所示的模擬性能顯示了示例性多通道RF饋入裝置600從40Gbps (4*10Gbps)到IOOGbps (4*25Gbps)延伸的數(shù)據(jù)速率。圖9顯示了通道I和通道2的發(fā)射與反射的對(duì)比。通道I的反射水平被改善了大約5至大約IOdB并且在跨25GHz帶寬的情況下滿足_15dB的要求。示例性多通道RF饋入裝置600在這些通道之間的RF性能比示例性多通道RF饋入裝置200更均勻。
[0056]雖然本文所公開的示例性多通道RF饋入裝置僅包括具有地-信號(hào)-信號(hào)-地(GSSG)配置的跡線組，但應(yīng)當(dāng)理解的是，其他示例性多通道RF饋入裝置可以包括具有其他配置例如地-信號(hào)-地(GSG)或地-信號(hào)-地-信號(hào)-地(GSGSG)的跡線組。此外，雖然本文所公開的示例性多通道RF饋入裝置都包括四個(gè)電通信通道(通道1-4)，但應(yīng)理解的是，其他示例性多通道RF饋入裝置可包括兩個(gè)或更多個(gè)電通信通道，例如兩個(gè)，三個(gè)，五個(gè)，六個(gè)，七個(gè)，八個(gè)或更多個(gè)電通信通道。當(dāng)在多通道RF饋入裝置中存在偶數(shù)個(gè)電通信通道時(shí)，可以在外部部分的頂面上形成一半電通信通道，在底面上形成另一半，從而使外部部分的寬度最小化。當(dāng)存在奇數(shù)個(gè)電通信通道時(shí)，可以在外部部分的頂面和底面之間盡可能均勻地劃分電通信通道，從而使外部部分的寬度最小化(例如，當(dāng)存在七個(gè)電通信通道時(shí)，可以在頂面上形成三個(gè)，在底面上形成四個(gè)，反之亦然)。
[0057]本文所公開的示例性實(shí)施方式也可以按照其他具體形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此本文所公開的示例性實(shí)施方式被認(rèn)為在所有方面都僅是示例性的而非限制性的。
【權(quán)利要求】
1.一種多通道RF饋入裝置，包括: 具有頂面的內(nèi)部部分，在該頂面上形成第一跡線組和第二跡線組，每個(gè)跡線組被配置成用以承載電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道； 具有底面和頂面的外部部分，在該底面上形成所述第一跡線組，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組；以及 通路組，所述通路組連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組。
2.如權(quán)利要求1所述的多通道RF饋入裝置，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面共面。
3.如權(quán)利要求2所述的多通道RF饋入裝置，還包括位于該外部部分的頂面和底面之間的接地屏蔽層。
4.如權(quán)利要求1所述的多通道RF饋入裝置，還包括連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的頂面之間的第二跡線組的第二通路組，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面不共面，且該內(nèi)部部分的頂面位于該外部部分的頂面和底面之間的大致中間位置。
5.如權(quán)利要求4所述的多通道RF饋入裝置，其中所述通路組和第二通路組具有均衡的分布。
6.如權(quán)利要求1所述的多通道RF饋入裝置，其中在該外部部分的頂面和底面上的跡線組中的跡線之間的間距比 在該內(nèi)部部分的頂面上的跡線組中的跡線之間的間距大。
7.一種光學(xué)子組件(OSA)，包括: 外罩； 位于該外罩內(nèi)的光換能器； 限定于該外罩中的光端口，光數(shù)據(jù)信號(hào)能夠通過該光端口在所述光換能器和光纖之間傳送；以及 形成于該外罩中的多通道RF饋入裝置，該多通道RF饋入裝置包括: 具有頂面的內(nèi)部部分，在該頂面上形成第一跡線組和第二跡線組，每個(gè)跡線組被配置成用以向或從所述光換能器傳送電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道； 具有底面和頂面的外部部分，在該底面上形成所述第一跡線組，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組；以及 通路組，所述通路組連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組。
8.如權(quán)利要求7所述的OSA，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面共面。
9.如權(quán)利要求8所述的OSA，其中該多通道RF饋入裝置還包括位于該外部部分的頂面和底面之間的接地屏蔽層，該接地屏蔽層電性接地至所述第一跡線組和第二跡線組中的接地跡線。
10.如權(quán)利要求6所述的OSA，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面不共面。
11.如權(quán)利要求10所述的OSA，其中該內(nèi)部部分的頂面位于該外部部分的頂面和底面之間的大致中間位置。
12.如權(quán)利要求11所述的OSA，其中該多通道RF饋入裝置還包括連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的頂面之間的第二跡線組的第二通路組，且其中所述通路組和第二通路組具有均衡的分布。
13.如權(quán)利要求12所述的OSA，其中所述通路組和第二通路組中的每個(gè)通路的長(zhǎng)度為約0.5臟。
14.如權(quán)利要求7所述的OSA，其中該外部部分的頂面和底面之間的距離為約1_。
15.如權(quán)利要求7所述的OSA，其中在該外部部分的頂面和底面上的跡線組中的跡線之間的間距比在該內(nèi)部部分的頂面上的跡線組中的跡線之間的間距大。
16.—種光電模塊,包括: 殼體； 至少部分地位于該殼體內(nèi)部的印刷電路板；以及 至少部分地位于該殼體內(nèi)部的OSA，所述OSA包括: 外罩； 位于該外罩內(nèi)的光換能器； 限定于該外罩中的光端口，光數(shù)據(jù)信號(hào)能夠通過該光端口在所述光換能器和光纖之間傳送；以及 形成于該外罩中的多通道RF饋入裝置，該多通道RF饋入裝置包括: 具有頂面的內(nèi)部部分，在該頂面上形成第一跡線組、第二跡線組、第三跡線組和第四跡線組，每個(gè)跡線組被配置成用于在該光換能器和該印刷電路板之間傳送電數(shù)據(jù)信號(hào)的電通信通道； 具有底面和頂面的外部部分，在該外部部分的頂面上形成所述第二跡線組和第三跡線組，在該底面上形成所述第一跡線組和第四跡線組；以及 第一通路組和第二通路組，所述第一通路組和第二通路組分別連接位于該內(nèi)部部分的頂面和該外部部分的底面之間的第一跡線組和第四跡線組。
17.如權(quán)利要求16所述的光電模塊，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面共面。
18.如權(quán)利要求17所述的光電模塊，其中該多通道RF饋入裝置還包括位于該外部部分的頂面和底面之間的接地屏蔽層，該接地屏蔽層電性接地至所述第一跡線組、第二跡線組、第三跡線組和第四跡線組中的接地跡線。
19.如權(quán)利要求16所述的光電模塊，其中該內(nèi)部部分的頂面與該外部部分的頂面不共面，且該內(nèi)部部分的頂面位于該外部部分的頂面和底面之間的大致中間位置。
20.如權(quán)利要求16所述的光電模塊，其中在該外部部分的頂面和底面上的跡線組中的跡線之間的間距比在該內(nèi)部部分的頂面上的跡線組中的跡線之間的間距大。
【文檔編號(hào)】G02B6/38GK103703396SQ201280036203
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月29日
【發(fā)明者】趙艷陽(yáng), 貝恩·許伯納, 騰賈·杜, 李玉衡 申請(qǐng)人:菲尼薩公司