專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
在TFT-1XD (薄膜晶體管-液晶顯示器)陣列基板的制備工藝中，過孔形成是一項很重要的內(nèi)容，需要通過過孔將不同層的金屬連接在一起，或?qū)⑼粚咏饘龠B接在一起，過孔工藝的優(yōu)劣直接影響到陣列基板的良率以及最終顯示裝置的顯示效果?，F(xiàn)有的制備工藝中，都是利用構(gòu)圖工藝一次形成過 孔，然后再在形成有過孔的陣列基板上沉積導(dǎo)電層以連接不同層的金屬，當(dāng)過孔的深度比較大時，某些特定位置過孔處的金屬連接狀況會不夠理想，容易出現(xiàn)斷路或電阻過大等不良，影響陣列基板的生產(chǎn)良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠避免出現(xiàn)過孔連接斷路或電阻過大等不良，提升陣列基板的生產(chǎn)良率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下一方面，提供一種陣列基板的制造方法，在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地，所述過孔包括柵金屬層過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成柵金屬層的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)柵金屬層過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地,所述制造方法具體包括提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠；經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)柵金屬層過孔位置處的光刻膠；經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述柵金屬層過孔的位置形成凸起；在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層；在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述柵金屬層過孔與所述凸起連接。進(jìn)一步地，所述過孔包括公共電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成公共電極的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)公共電極過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地,所述制造方法具體包括提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠；經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)公共電極過孔位置處的光刻膠；經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述公共電極過孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層；在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述公共電極過孔與所述凸起連接。進(jìn)一步地，所述過孔包括像素電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成數(shù)據(jù)金屬層的圖形時，利用數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地，所述制造方法具體包括 提供一基板，在所述基板上形成柵電極和柵線；在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層的圖形；在形成有所述有源層的圖形的基板上形成由數(shù)據(jù)金屬層組成的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形，并利用所述數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起；在形成有所述凸起的基板上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成由透明導(dǎo)電層組成的像素電極，所述像素電極通過所述像素過孔與所述凸起連接。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種以上述方法制造的陣列基板，所述陣列基板的金屬層圖形包括形成在對應(yīng)過孔位置的凸起。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果上述方案中，在對應(yīng)過孔位置制備相應(yīng)的凸起，這樣在通過過孔連接不同層或者同一層的金屬層時，可以利用該凸起完成導(dǎo)電連接，該凸起能夠優(yōu)化過孔處的金屬連接狀況，可有效的預(yù)防過孔斷路及電阻過大等不良的出現(xiàn)，使整個陣列基板的生產(chǎn)良率以及最終顯示裝置的性能得到有效提升。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一在基板上沉積柵金屬層和光刻膠之后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一進(jìn)行第一次曝光顯影和刻蝕之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一進(jìn)行光刻膠灰化之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一進(jìn)行第二次刻蝕之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例一沉積柵絕緣層之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一沉積有源層之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一沉積數(shù)據(jù)金屬層之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例一沉積鈍化層之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例一形成過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例一沉積透明導(dǎo)電層之后的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記I基板2柵金屬層3柵絕緣層4有源層
5數(shù)據(jù)金屬層6鈍化層7透明導(dǎo)電層8光刻膠9凸起10過孔
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明的實(shí)施例針對現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)過孔的深度比較大時，某些特定位置過孔處的金屬連接狀況會不夠理想，容易出現(xiàn)斷路或電阻過大等不良 ，影響陣列基板的生產(chǎn)良率的問題，提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠避免出現(xiàn)過孔連接斷路或電阻過大等不良，提升陣列基板的生產(chǎn)良率。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地，所述過孔包括柵金屬層過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成柵金屬層的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)柵金屬層過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地,上述制造方法具體包括提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠；經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)柵金屬層過孔位置處的光刻膠；經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述柵金屬層過孔的位置形成凸起；在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層；在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述柵金屬層過孔與所述凸起連接。進(jìn)一步地，所述過孔包括公共電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成公共電極的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)公共電極過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地,上述制造方法具體包括提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠；經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)公共電極過孔位置處的光刻膠；經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述公共電極過孔的位置形成凸起；在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層；在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述公共電極過孔與所述凸起連接。進(jìn)一步地，所述過孔包括像素電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括在形成數(shù)據(jù)金屬層的圖形時，利用數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起。
進(jìn)一步地,上述制造方法具體包括提供一基板，在所述基板上形成柵電極和柵線；在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層的圖形；在形成有所述有源層的圖形的基板上形成由數(shù)據(jù)金屬層組成的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形，并利用所述數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起；在形成有所述凸起的基板上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成由透明導(dǎo)電層組成的像素電極，所述像素電極通過所述像素過孔與所述凸起連接。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種以上述方法制造的陣列基板，所述陣列基板的金屬層圖形包括形成在對應(yīng)過孔位置的凸起。本發(fā)明的陣列基板及其制造方法，在對應(yīng)過孔位置制備相應(yīng)的凸起，這樣在通過過孔連接不同層或者同一層的金屬層時，可以利用該凸起完成導(dǎo)電連接，該凸起能夠優(yōu)化過孔處的金屬連接狀況，可有效的預(yù)防過孔斷路及電阻過大等不良的出現(xiàn)，使整個陣列基板的生產(chǎn)良率以及最終顯示裝置的性能得到有效提升。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明的陣列基板及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)介紹實(shí)施例一陣列基板的邊角區(qū)域往往容易積累靜電，因此在陣列基板的邊角區(qū)域需要設(shè)置ESD (Electro-Static discharge)結(jié)構(gòu)，以釋放積累的靜電。在ESD結(jié)構(gòu)中，需要利用透明導(dǎo)電層通過柵金屬層過孔將柵金屬層和數(shù)據(jù)金屬層連接起來，在陣列基板中，柵金屬層和透明導(dǎo)電層間隔有柵絕緣層和鈍化層，因此，柵金屬層過孔的深度比較大，如果采用現(xiàn)有的陣列基板制備工藝，柵金屬層過孔處的金屬連接狀況可能會不夠理想，容易出現(xiàn)斷路或電阻過大等不良。為了解決上述問題，本實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括在形成柵金屬層的圖形時，利用構(gòu)圖工藝在對應(yīng)柵金屬層過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地，如圖f圖10所示，本實(shí)施例的陣列基板的制造方法包括以下步驟步驟a :提供一基板1，如圖1所示，在基板I上依次沉積柵金屬層2和光刻膠8 ；步驟b :如圖2所示，在曝光之后，經(jīng)過第一次刻蝕形成柵金屬層2的圖形，具體地，該步驟的刻蝕方式為濕刻；步驟c :如圖3所示，對光刻膠8進(jìn)行灰化；步驟d :如圖4所示，經(jīng)過第二次刻蝕利用柵金屬層2在對應(yīng)柵金屬層過孔的位置形成凸起9，具體地，該步驟的刻蝕方式為濕刻；步驟e :如圖5所示，在經(jīng)過步驟d的基板I上沉積柵絕緣層3 ；步驟f :如圖6所示,在經(jīng)過步驟e的基板I上沉積有源層4 ；步驟g :如圖7所示，在經(jīng)過步驟f的基板I上沉積數(shù)據(jù)金屬層5 ；步驟h :如圖8所示，在經(jīng)過步驟g的基板I上沉積鈍化層6 ；步驟1:如圖9所示，在經(jīng)過步驟h的基板I經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層過孔10，由圖8可以看出，柵金屬層過孔10形成在與凸起9對應(yīng)的位置。具體地，該步驟的刻蝕方式為干刻；步驟j :如圖10所示，在經(jīng)過步驟i的基板I上沉積透明導(dǎo)電層7，通過透明導(dǎo)電層7可以使得柵金屬層2和數(shù)據(jù)金屬層5之間連接起來，形成ESD結(jié)構(gòu)，其中，透明導(dǎo)電層7可以采用ITO或IZO。經(jīng)過上述步驟a j之后形成的結(jié)構(gòu)如圖10所示，在基板I上形成有柵金屬層2的圖形，柵金屬層2的圖形包括有對應(yīng)過孔的凸起9，透明導(dǎo)電層7可以通過該凸起9完成柵金屬層2和數(shù)據(jù)金屬層5之間的連接，優(yōu)化過孔處的金屬連接狀況。本實(shí)施例通過在柵金屬層過孔位置制備出相應(yīng)的凸起，在透明導(dǎo)電層連接時可有效的預(yù)防過孔斷路及電阻過大等不良的出現(xiàn)，使整個陣列基板的生產(chǎn)良率以及最終顯示裝置的性能得到有效提升。實(shí)施例二在陣列基板中，為了使公共電壓信號更加穩(wěn)定，往往需要形成公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)，即利用透明導(dǎo)電層通過公共電極過孔將不同像素的公 共電極連接起來。在水平電場模式的陣列基板中，公共電極一般由柵金屬層形成，柵金屬層和透明導(dǎo)電層間隔有柵絕緣層和鈍化層，因此，過孔的深度比較大，如果采用現(xiàn)有的陣列基板制備工藝，過孔處的金屬連接狀況可能會不夠理想，容易出現(xiàn)斷路或電阻過大等不良。為了解決上述問題，本實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括在形成柵金屬層的圖形時，利用構(gòu)圖工藝在對應(yīng)公共電極過孔的位置形成凸起。進(jìn)一步地，本實(shí)施例的陣列基板的制造方法包括以下步驟步驟a :提供一基板，在基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠；步驟b :在曝光之后，經(jīng)過第一次刻蝕形成柵金屬層的圖形，該柵金屬層的圖形包括有公共電極。具體地，該步驟的刻蝕方式為濕刻；步驟c :對光刻膠進(jìn)行灰化；步驟d :經(jīng)過第二次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)公共電極過孔的位置形成凸起，具體地，該步驟的刻蝕方式為濕刻；步驟e :在經(jīng)過步驟d的基板上沉積柵絕緣層；步驟f :在經(jīng)過步驟e的基板上沉積有源層；步驟g :在經(jīng)過步驟f的基板上沉積數(shù)據(jù)金屬層；步驟h :在經(jīng)過步驟g的基板上沉積鈍化層；步驟1:在經(jīng)過步驟的基板經(jīng)過刻蝕形成公共電極過孔，公共電極過孔對應(yīng)公共電極設(shè)置，形成在與凸起對應(yīng)的位置。具體地，該步驟的刻蝕方式為干刻；步驟j :在經(jīng)過步驟i的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過透明導(dǎo)電層可以使得不同像素的公共電極連接起來，形成公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)，其中，透明導(dǎo)電層可以采用ITO或ΙΖ0。本實(shí)施例通過在公共電極過孔位置制備出相應(yīng)的凸起，這樣在通過公共電極過孔連接不同的公共電極時，可以利用該凸起完成導(dǎo)電連接，優(yōu)化過孔處的金屬連接狀況，在透明導(dǎo)電層連接時可有效的預(yù)防過孔斷路及電阻過大等不良的出現(xiàn)，使整個陣列基板的生產(chǎn)良率以及最終顯示裝置的性能得到有效提升。當(dāng)過孔的深度比較大時，均可以利用本發(fā)明的技術(shù)方案在對應(yīng)過孔的位置利用金屬層形成凸起，進(jìn)一步地，當(dāng)過孔的深度不是很大的時候，也可以利用本發(fā)明的技術(shù)方案來優(yōu)化過孔處的金屬連接狀況，比如在陣列基板中，像素電極通過像素電極過孔與漏電極連接，可以利用數(shù)據(jù)金屬層在形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線的同時，在對應(yīng)像素電極過孔的位置由數(shù)據(jù)金屬層形成凸起，這樣在形成像素電極時，可以利用該凸起完成像素電極與漏電極之間的連接，可有效的預(yù)防過孔斷路及電阻過大等不良的出現(xiàn)，使整個陣列基板的生產(chǎn)良率以及最終顯示裝置的性能得到有效提升。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯 示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述過孔包括柵金屬層過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括 在形成柵金屬層的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)柵金屬層過孔的位置形成凸起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具體包括 提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠； 經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)柵金屬層過孔位置處的光刻膠； 經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述柵金屬層過孔的位置形成凸起； 在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層； 在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述柵金屬層過孔與所述凸起連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述過孔包括公共電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括 在形成公共電極的圖形時，利用柵金屬層在對應(yīng)公共電極過孔的位置形成凸起。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具體包括 提供一基板，在所述基板上依次沉積柵金屬層和光刻膠； 經(jīng)過刻蝕形成柵金屬層的圖形，對光刻膠進(jìn)行灰化，保留對應(yīng)公共電極過孔位置處的光刻膠； 經(jīng)過再次刻蝕利用柵金屬層在對應(yīng)所述公共電極過孔的位置形成凸起； 在形成有所述凸起的基板上依次形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)金屬層和鈍化層； 在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述公共電極過孔與所述凸起連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述過孔包括像素電極過孔，所述在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起包括 在形成數(shù)據(jù)金屬層的圖形時，利用數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具體包括 提供一基板，在所述基板上形成柵電極和柵線； 在形成有所述柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有源層的圖形； 在形成有所述有源層的圖形的基板上形成由數(shù)據(jù)金屬層組成的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形，并利用所述數(shù)據(jù)金屬層在對應(yīng)像素電極過孔的位置形成凸起； 在形成有所述凸起的基板上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成由透明導(dǎo)電層組成的像素電極，所述像素電極通過所述像素過孔與所述凸起連接。
8.一種以權(quán)利要求1-7中任一項所述方法制造的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的金屬層圖形包括形成在對應(yīng)過孔位置的凸起。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于液晶顯示領(lǐng)域。其中，該陣列基板的制造方法中，在形成金屬層的圖形時，利用金屬層在對應(yīng)過孔的位置形成凸起。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠避免出現(xiàn)過孔連接斷路或電阻過大等不良，提升陣列基板的生產(chǎn)良率。
文檔編號G02F1/1362GK103021940SQ20121053712
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者封賓 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司