專利名稱：電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件，以及具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前用作圖像曝光單元的半導(dǎo)體激光器的振蕩波長是相對長的且在650nm至·820nm之間，因此進(jìn)行努力以開發(fā)對如此長波長的光高度感光性的電子照相感光構(gòu)件。此夕卜，考慮到高分辨率，還進(jìn)行努力以開發(fā)對振蕩波長短的半導(dǎo)體激光器的光高度感光性的電子照相感光構(gòu)件。已知偶氮顏料和酞菁顏料作為表示對于如此長的波長區(qū)域的光以及還對于短波長區(qū)域的光高度感光性的電荷產(chǎn)生物質(zhì)。因此，通過使用偶氮顏料或酞菁顏料形成的電子照相感光構(gòu)件具有優(yōu)良的感光度特性。然而，另一方面，通過此類電子照相感光構(gòu)件產(chǎn)生的光載流子易于殘留在感光層中，并由于該構(gòu)件作為一種存儲器(memory)運(yùn)行而引起產(chǎn)生電位波動的問題例如重影現(xiàn)象。日本專利申請?zhí)亻_H02-298951、H06-273953和H05-142813公開了用于電子照相感光構(gòu)件的二苯甲酮化合物的用途。使用二苯甲酮化合物的優(yōu)點(diǎn)包括抑制由于紫外線導(dǎo)致的電荷輸送物質(zhì)的劣化(日本專利申請?zhí)亻_H02-298951)，防止電荷產(chǎn)生物質(zhì)的光氧化和抑制殘余電位升高(日本專利申請?zhí)亻_H06-273953),以及敏化(sensitization)卩比咯并批咯化合物(日本專利申請?zhí)亻_H05-142813)。然而，這些專利申請中都未公開具有一種或多種氨基作為取代基的二苯甲酮化合物。作為使用具有一個或多個氨基作為取代基的二苯甲酮化合物的實(shí)例，日本專利申請?zhí)亻_S52-23351公開了一種電子照相感光構(gòu)件，其包含具有咔唑環(huán)作為側(cè)鏈的高分子化合物和堿性化合物作為主成分。所提及發(fā)明的目的在于改進(jìn)低電荷輸送能力和賦予電子照相感光構(gòu)件以用于改進(jìn)作為聚乙烯基咔唑的缺陷的不良膜成形性的塑性。因此，迄今為止已進(jìn)行各種嘗試以獲得改進(jìn)的電子照相感光構(gòu)件。然而，從實(shí)現(xiàn)更高圖像品質(zhì)的觀點(diǎn)，近年來存在并且仍然是對于改進(jìn)由于在各種環(huán)境下能夠發(fā)生的重影現(xiàn)象導(dǎo)致的圖像品質(zhì)劣化問題的強(qiáng)烈需求。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決上述指出的問題和提供能夠輸出以下圖像的電子照相感光構(gòu)件，以及具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備，所述圖像不僅在常溫常濕環(huán)境下而且還在低溫低濕的苛刻環(huán)境下實(shí)際上沒有歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷或者具有很少的歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷。在本發(fā)明的一方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體、和形成在所述支承體上的電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層，其中，所述電荷產(chǎn)生層包括電荷產(chǎn)生物質(zhì)和由下式(I)表示的胺化合物
權(quán)利要求
1.一種電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體、和形成在所述支承體上的電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層，其中，所述電荷產(chǎn)生層包括電荷產(chǎn)生物質(zhì)和由下式(I)表不的胺化合物
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述R1-Rki中的至少之一表示所述由取代或未取代的烷基取代的氨基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述由取代或未取代的烷基取代的氣基中的取代或未取代的燒基為由燒氧基取代的燒基、由芳基取代的燒基或者未取代的燒基。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述由取代或未取代的烷基取代的氨基為二烷氨基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述二烷氨基為二甲氨基或二乙氨基。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述R1-Rki中的至少之一表示所述取代或未取代的環(huán)氨基。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述取代或未取代的環(huán)氨基為嗎啉基或哌啶基。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述電荷產(chǎn)生物質(zhì)為酞菁顏料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述酞菁顏料為鎵酞菁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述鎵酞菁為在CuKaX-射線衍射的布拉格角2Θ為7. 4° ±0.3°和28. 2° ±0. 3°處具有強(qiáng)峰的晶體形式的羥基鎵酞菁晶體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在所述電荷產(chǎn)生層中所述胺化合物的含量比為不小于O. I質(zhì)量％且不大于20質(zhì)量％，相對于所述電荷產(chǎn)生物質(zhì)。
12.一種處理盒，其一體化支承根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件和選自由以下組成的組中的至少一種單元充電單元，其用于使所述電子照相感光構(gòu)件的表面充電；顯影單元，其用于通過調(diào)色劑使在所述電子照相感光構(gòu)件表面上形成的靜電潛像顯影，從而形成調(diào)色劑圖像；和清潔單元，其用于在所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料上后除去在所述電子照相感光構(gòu)件表面上的調(diào)色劑；以及所述處理盒可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備的主體上。
13.一種電子照相設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件；充電單元，其用于使所述電子照相感光構(gòu)件表面充電；圖像曝光單元，其用于照射圖像曝光光至所述充電的電子照相感光構(gòu)件表面，從而形成靜電潛像；顯影單元，其用于通過調(diào)色劑使在所述電子照相感光構(gòu)件表面上形成的靜電潛像顯影，從而形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，其用于將在所述電子照相感光構(gòu)件表面上形成的所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料上。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。使得電子照相感光構(gòu)件的電荷產(chǎn)生層包含特定的胺化合物，以提供能夠輸出以下圖像的電子照相感光構(gòu)件，以及具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備，所述圖像在低溫低濕環(huán)境下實(shí)際上沒有歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷或者具有很少的歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷。
文檔編號G03G15/00GK102929113SQ201210401288
公開日2013年2月13日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者田中正人, 野中正樹 申請人:佳能株式會社