專利名稱：一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此有 一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因為如上所述液晶顯示裝置不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖I所示，上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。在陣列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT) 114、陣列子像素111、掃描線110、信號線112等。信號線112連接到TFT的漏極，像素電極108連接到源級，掃描線110連接到柵極。背光源113發(fā)出的光線經(jīng)過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應(yīng)的彩膜102后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片101，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場強度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過的光強不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示五顏六色的圖像。近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早，但是其均一性差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優(yōu)點在于氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術(shù)，節(jié)省工藝步驟，提高了均勻率和合格率；工藝簡單，采用傳統(tǒng)的濺射和濕刻工藝就可以，不需要采用等離子增強化學(xué)氣相沉積和干刻技術(shù)。另外，目前的激光晶化技術(shù)還達不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶體管因為不需要激光晶化，則沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優(yōu)勢，金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關(guān)注，成為近幾年研究的熱點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝的金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法。本發(fā)明提供一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線；信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上；第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上；第三絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極及像素電極之上。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，包括掃描線，位于頂層；信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與柵格狀像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層；共通電極；共通電極線，位于所述共通電極線電性連接；第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上；第二絕緣層，覆蓋在信號線 、掃描線及共通電極線之上。第三絕緣層，覆蓋在信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線與TFT柵極的圖案；第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線、源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第四步在第二絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線；第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層，并共通電極線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第六步在第三絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線上的接觸孔連接?xùn)鸥駹罟餐姌O與共通電極線。本發(fā)明又提供一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案；第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在共通電極線40’的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第四步在第二絕緣層上形成共通電極圖形，該共通電極通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線和源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形；第六步在第三絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的柵格狀像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。


圖I為現(xiàn)有液晶顯不(IXD)裝置的結(jié)構(gòu)不意
圖2為本發(fā)明液晶顯示面板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖I所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖3為圖I所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖3A為圖3所示在A-A’方向的剖視圖；圖4為圖I所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖4A為圖4所示在A-A’方向的剖視圖；圖5為圖I所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖5A為圖5所示在A-A’方向的剖視圖；圖6為圖I所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖6A為圖6所示在A-A’方向的剖視圖；圖7為圖I所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖7A為圖7所示在A-A’方向的剖視圖；圖8為圖I所示液晶顯示面板的第六步制造方法的示意圖；圖8A為圖8所示在A-A’方向的剖視圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示面板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9A為圖9所示液晶顯示面板在A-A’方向的剖視圖；圖10為圖9所示液晶顯示面板的第一步制造方法的示意圖；圖IOA為圖10所示在A-A’方向的剖視圖；圖11為圖9所示液晶顯示面板的第二步制造方法的示意圖；圖IlA為圖11所示在A-A’方向的剖視圖；圖12為圖9所示液晶顯示面板的第三步制造方法的示意圖；圖12A為圖12所示在A-A’方向的剖視圖；圖13為圖9所示液晶顯示面板的第四步制造方法的示意圖；圖13A為圖13所示在A-A’方向的剖視圖；圖14為圖9所示液晶顯示面板的第五步制造方法的示意圖；圖14A為圖14所示在A-A’方向的剖視圖；圖15為圖9所不液晶顯不面板的第TK步制造方法的不意圖；圖15A為圖15所示在A-A’方向的剖視圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明是一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，邊緣場開關(guān)型FFS(FringeFiled Switching)技術(shù)是一種通過TFT基板上的頂層條狀像素電極和底層面COM電極之間的邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。 圖2至圖8A是本發(fā)明第一實施例的示意圖。如圖2和圖2A，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板包括信號線30、與信號線30縱橫交錯的掃描線30、由信號線30和掃描線50交叉限定的多個像素單元、與掃描線50平行的共通電極線40、柵格狀共通電極120、第一絕緣層20、第二絕緣層60、以及第三絕緣層110。每個像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的像素電極80。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線50連接的TFT柵極51、與信號線30電性連接的TFT源極11、與像素電極80電性連接的TFT漏極12，所述TFT源極11與TFT漏極12之間設(shè)有TFT溝道區(qū)10，所述TFT源極11、TFT漏極12及像素電極80位于第二絕緣層60上，所述TFT溝道區(qū)10位于底層。所述柵格狀共通電極120通過開設(shè)在第三絕緣層110上的第七接觸孔111與共通電極線40電性連接，該柵格狀共通電極100為本液晶顯示面板的COM電極，通過柵格狀共通電極100與像素電極80之間產(chǎn)生邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。所述信號線30包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線70，該信號線連接線70與像素電極80、TFT源極11、以及TFT漏極12四者同時制成，該四者都是均由透明ITO形成。所述信號線30、掃描線50、TFT柵極51、以及共通電極線40均位于第一絕緣層20上，所述柵格狀共通電極120位于第三絕緣層110上，且由于本液晶顯示面板的柵極51不是位于底層，故，本液晶顯示面板是頂柵結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。本發(fā)明液晶顯示面板的制造步驟如下第一步如圖3和圖3A，在玻璃基板(圖未示)上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線10，再形成第一絕緣層20，所述源漏極連接線10形成TFT溝道區(qū)。金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第一絕緣層20的材料是SiNx或SiO2,厚度為1500-2500埃，最好為2000埃。第二步如圖4和圖4A，在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線30、掃描線50、共通電極線40與TFT柵極51的圖案。所述金屬材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃，最好為4000埃。第三步如圖5和圖5A，在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層60，并在信號線30、掃描線50、共通電極線40、源漏極連接線10的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形，具體為在信號線30的兩端形成第一接觸孔61和第二接觸孔62，在共通電極線40的端部形成第三接觸孔63，在掃描線50的端部形成第四接觸孔64，在源漏極連接線10的兩端形成第五接觸孔65和第六接觸孔66。第二絕緣層60的材料是SiNx或SiO2,厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第四步如圖6和圖6A，在第二絕緣層60以透明ITO層形成信號線連接線70、與信號線連接線70連接的TFT源極11、TFT漏極12、與TFT漏極12連接的像素電極80、與共通電極線40連接的共通電極線端子連接線90、以及與掃描線50連接的掃描線端子連接線100，具體形成方式為信號線連接線70由透明ITO層連接在信號線30及相鄰像素單元的信號線30的第一接觸孔61和第二接觸孔62之間形成的；TFT源極11由透明ITO層連接在信號線30的第二接觸孔62與源漏極連接線10的第五接觸孔65之間形成的；像素電極80由透明ITO層在像素區(qū)域內(nèi)形成的；TFT漏極12由透明ITO層連接在源漏極連接線10的第六接觸孔66與像素電極80之間形成的；共通電極線端子連接線90由透明ITO層連接第三接觸孔63形成的；掃描線端子連接線100由透明ITO層連接第四接觸孔64形成的。透明ITO層厚度為450-550埃，最好為500埃。第五步如圖7和圖7A，在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層110，并共通電極線40的相應(yīng)位置上形成第七接觸孔111圖形。第三絕緣層110的材料可以是SiNx或SiO2，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第六步如圖8和圖8A，在第三絕緣層110上形成柵格狀共通電極120圖形，通過共通電極線40上的第七接觸孔111連接?xùn)鸥駹罟餐姌O120與共通電極線40。柵格狀共通電極120的材料是IT0，厚度為450-550埃，最好為500埃。圖9至圖15A是本發(fā)明第二實施例的示意圖。 本發(fā)明的第二實施例與上述第一實施例主要區(qū)別是第一實施例的最頂層為柵格狀共通電極120，信號線連接線70’、TFT源極11’、TFT漏極12’、以及柵格狀像素電極80’位于第二絕緣層60上；而本第二實施例最頂層為信號線連接線70’、TFT源極11’、TFT漏極12’、以及柵格狀像素電極80’，柵格狀共通電極120’第二絕緣層60’上。如圖9圖9，本發(fā)明金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板包括信號線30’、與信號線30’縱橫交錯的掃描線30’、由信號線30’和掃描線50’交叉限定的多個像素單元、與掃描線50’平行的共通電極線40’、共通電極120’、第一絕緣層20’、第二絕緣層60’、以及第三絕緣層110’。每個像素單元包括薄膜晶體管單元、與薄膜晶體管單元連接的柵格狀像素電極80，。其中，薄膜晶體管單元包括與掃描線50’連接的TFT柵極51’、與信號線30’電性連接的TFT源極11’、與柵格狀像素電極80 ’電性連接的TFT漏極12 ’，所述TFT源極11’與TFT漏極12’之間設(shè)有TFT溝道區(qū)10’，所述TFT源極11’、TFT漏極12’及柵格狀像素電極80’位于頂層，所述TFT溝道區(qū)10位于底層。所述共通電極120’通過開設(shè)在第二絕緣層60’上的第一接觸孔61’與共通電極線40’電性連接，該共通電極120’為本液晶顯示面板的COM電極，通過共通電極120’與頂層的柵格狀像素電極80’之間產(chǎn)生邊緣電場，使電極之間及電極正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上發(fā)生轉(zhuǎn)動的技術(shù)。所述信號線30’包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線70’，該信號線連接線70’與像素電極80’、TFT源極11’、以及TFT漏極12’四者同時制成，該四者都是均由透明ITO形成。所述信號線30’、掃描線50’、TFT柵極51’、以及共通電極線40’均位于第一絕緣層20’上，所述共通電極120’位于第二絕緣層60’上，且由于本液晶顯示面板的柵極51’不是位于底層，故，本液晶顯示面板是頂柵結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。以下為本發(fā)明液晶顯示面板第二實施例的制造步驟如下第一步如圖10和圖10A，在玻璃基板(圖未示)上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線10’，再形成第一絕緣層20’，所述源漏極連接線10’形成TFT溝道區(qū)。金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第一絕緣層20的材料是SiNx或SiO2,厚度為1500-2500埃，最好為2000埃。第二步如圖11和圖11A，在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線30’、掃描 線50’、共通電極線40’、以及與掃描線50’連接的TFT柵極51’的圖案。所述金屬材料是Cr、或Al、或Cu，厚度為3500-4500埃，最好為4000埃。第三步如圖12和圖12A，在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層60’，并在共通電極線40’的相應(yīng)位置上形成第一接觸孔61’圖形。第二絕緣層60’的材料是SiNx或SiO2，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第四步如圖13和圖13A，在第二絕緣層60’上形成共通電極120’圖形，該共通電極120’通過共通電極線40’上的第一接觸孔61’連接共通電極120’與共通電極線40’。共通電極120’的材料是ΙΤ0，厚度為450-550埃，最好為500埃。第五步如圖14和圖14A，在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層110’，并在信號線30’、掃描線50’、共通電極線40’和源漏極連接線10’的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形，具體為在信號線30’的兩端形成第二接觸孔111’和第三接觸孔112’，在共通電極線40’的端部形成第四接觸孔113’，在掃描線50’的端部形成第五接觸孔114’，在源漏極連接線10’的兩端形成第六接觸孔115’和第七接觸孔116’。第三絕緣層110’的材料是SiNx或SiO2，厚度為500-1500埃，最好為1000埃。第六步如圖15和圖15A，在第三絕緣層110’以透明ITO層形成信號線連接線70’、與信號線連接線70’連接的TFT源極11’、TFT漏極12’、與TFT漏極12’連接的柵格狀像素電極80’、與共通電極線40’連接的共通電極線端子連接線90’、以及與掃描線50’連接的掃描線端子連接線100’，具體形成方式為信號線連接線70’由透明ITO層連接在信號線30’及相鄰像素單元的信號線30’的第二接觸孔111’和第三接觸孔112’之間形成的；TFT源極11’由透明ITO層連接在信號線30’的第三接觸孔112’與源漏極連接線10’的第六接觸孔115’之間形成的；柵格狀像素電極80’由透明ITO層在像素區(qū)域內(nèi)形成的；TFT漏極12’由透明ITO層連接在源漏極連接線10’的第七接觸孔116’與柵格狀像素電極80’之間形成的；共通電極線端子連接線90’由透明ITO層連接第四接觸孔113’形成的；掃描線端子連接線100’由透明ITO層連接第五接觸孔114’形成的。透明ITO層厚度為450-550埃，最好為500埃。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線； 信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線； 像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層； 柵格狀共通電極，位于頂層； 共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接； 第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上； 第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上； 第三絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極及像素電極之上。
2.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于，包括 掃描線，位于頂層； 信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線； 像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、與柵格狀像素電極電性連接的TFT漏極、以及TFT溝道區(qū)，所述TFT溝道區(qū)位于底層； 共通電極； 共通電極線，位于所述共通電極線電性連接； 第一絕緣層，覆蓋在TFT溝道區(qū)之上； 第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線及共通電極線之上。
第三絕緣層，覆蓋在信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于所述TFT溝道區(qū)由金屬氧化物制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板，其特征在于所述像素電極、TFT源極、以及TFT漏極由透明ITO制成的。
5.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線與TFT柵極的圖案； 第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線、源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形； 第四步在第二絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線；第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層，并共通電極線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形； 第六步在第三絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線上的接觸孔連接?xùn)鸥駹罟餐姌O與共通電極線。
6.一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步在基板上以底層金屬氧化物層先形成源漏極連接線，再形成第一絕緣層；第二步在形成第一步圖案的基礎(chǔ)以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案； 第三步在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上形成第二絕緣層，并在共通電極線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形； 第四步在第二絕緣層上形成共通電極圖形，該共通電極通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線； 第五步在形成第四步圖案的基礎(chǔ)上形成第三絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線和源漏極連接線的相應(yīng)位置上形成接觸孔圖形； 第六步在第三絕緣層以透明ITO層形成信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT漏極、與TFT漏極連接的柵格狀像素電極、與共通電極線連接的共通電極線端子連接線、以及與掃描線連接的掃描線端子連接線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于所述絕緣層圖形的材料是SiNx或Si02。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于信號線、掃描線、共通電極線是Cr、或Al、或Cu。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于金屬氧化物的材料是IZO或IGZ0。
全文摘要
本發(fā)明提出一種金屬氧化物邊緣場開關(guān)型液晶顯示面板及其制造方法，包括掃描線；信號線，與掃描線縱橫交叉，像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與TFT柵極、TFT源極、以及TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；柵格狀共通電極，位于頂層；第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上；共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上。本發(fā)明以金屬氧化物作為TFT溝道半導(dǎo)體、源漏電極、柵格狀像素電極或柵格狀共通電極使用，可以提高TFT驅(qū)動能力和簡化工藝。
文檔編號G02F1/1368GK102854686SQ201210364179
公開日2013年1月2日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者焦峰 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司