專利名稱：一種液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前，隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置對高透過率、寬視角等特性的要求越來越高。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvancedSuper Dimension Switch, AD-SDS,簡稱ADS),其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。如圖I所示，圖I為現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式的液晶
顯示裝置使用液晶模擬軟件2D mos模擬的電場分布示意圖。ADS模式的液晶顯示裝置中包括的公共電極I為板狀電極，而像素電極2為多條間隔分布的條形電極，公共電極I與像素電極2之間設(shè)有絕緣層3 ;各像素電極2之間不存在電壓差，而像素電極2與公共電極之間存在電壓差。使用液晶模擬軟件2D mos模擬上述ADS模式的液晶顯示裝置過程中，以具有下述參數(shù)的ADS模式顯示方式的液晶顯示裝置為例各像素電極2之間，像素電極2與公共電極之間等參數(shù)為W/L=2/4，其中，W表示像素電極的寬度，L表示相鄰像素電極狹縫寬度，像素電極2與公共電極I之間的電壓差為5. IV。由于各個像素電極2之間不存在電壓差，各個電極之間的電場是通過像素電極2與公共電極I之間的電壓差產(chǎn)生的，進入液晶層4內(nèi)的電場5內(nèi)水平方向的分量所占比例較低，從而導(dǎo)致液晶層4內(nèi)的液晶分子沿水平方向的形變量較低，影響液晶層4的透光率，由2D mos模擬可知，現(xiàn)有技術(shù)中的ADS模式的液晶顯示裝置的透光率為41%。因此，如何提供一種液晶顯示裝置，以在保證其寬視角特性的基礎(chǔ)上提高液晶層的透光率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，能夠在保證其寬視角特性的基礎(chǔ)上提高液晶層的透光率。為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案一種液晶顯示裝置，包括多個像素結(jié)構(gòu)，每一個所述像素結(jié)構(gòu)均包括第一基板；所述第一基板包括公共電極、多個具有條形結(jié)構(gòu)的像素電極、位于所述公共電極與所述像素電極之間的第一絕緣層；多個所述像素電極為多個交替分布的正電極和負電極。優(yōu)選地，垂直于所述像素電極的布線方向，所述正電極與所述負電極均勻分布，且所述正電極和所述公共電極之間的電壓差與所述公共電極與所述負電極之間的電壓差相坐寸O優(yōu)選地，所述公共電極為板狀電極。優(yōu)選地，所述公共電極位于每個像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分為多個條形公共電極，且所述條形公共電極的布線方向與所述像素電極的布線方向平行，每個所述條形公共電極與兩相鄰的所述像素電極之間的狹縫相對。優(yōu)選地，垂直于所述條形公共電極的布線方向，多個所述條形公共電極均勻分布，且所述條形公共電極的中心線與兩相鄰的所述像素電極之間狹縫的中心線重合。優(yōu)選地，所述第一基板設(shè)有第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述正電極通過第一晶體管與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述負電極通過第二晶體管與所述第二數(shù)據(jù)線電連接。本發(fā)明提供的液晶顯示裝置，包括多個像素結(jié)構(gòu)，每一個所述像素結(jié)構(gòu)均包括第一基板；所述第一基板包括公共電極、多個具有條形結(jié)構(gòu)的像素電極、位于所述公共電極與所述像素電極之間的第一絕緣層；多個所述像素電極為多個交替分布的正電極和負電極。本發(fā)明提供的液晶顯示裝置，由于在每一個像素結(jié)構(gòu)中，第一基板的像素電極為多個交替分布的正電極和負電極，因此，像素結(jié)構(gòu)在通電之后，除了像素電極與公共電極之間產(chǎn)生電場之外，像素電極中交替分布的正電極與負電極之間也產(chǎn)生電場，且正電極與負電極之間產(chǎn)生的電場中，水平方向上的電場分量所占比例較大，增加了液晶層內(nèi)電場中水平方向電場分量所占的比例，所以，當(dāng)正電極與負電極以及公共電極通電之后，位于每個像素結(jié)構(gòu)的第一基板和第二基板之間的液晶層內(nèi)的液晶分子沿水平方向的變形量較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的ADS模式的顯示方式較大，增強了液晶層的透光率。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式的液晶顯示裝置使用液晶模擬軟件2D mos模擬的電場分布不意圖；圖2為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置中一個像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置通過液晶模擬軟件2D mos模擬的電場分布示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參考圖2和圖3，其中，圖2為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置中一個像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提供的液晶顯示裝置，包括多個像素結(jié)構(gòu)，每一個像素結(jié)構(gòu)包括第一基板；第一基板包括公共電極70、多個具有條形結(jié)構(gòu)的像素電極50、位于公共電極70與像素電極50之間的第一絕緣層40 ;多個像素電極50為多個交替分布的正電極51和負電極52。本發(fā)明提供的液晶顯示裝置，每一個像素結(jié)構(gòu)均包括第一基板和第二基板20、以及位于第一基板10和第二基板20之間的液晶層80其中，第一基板包括玻璃基板10，玻璃基板10的內(nèi)側(cè)覆蓋有第二絕緣層30，公共電極70位于第一絕緣層40和第二絕緣層30之間，第一絕緣層40位于公共電極70與像素電極50之間,像素電極50上覆蓋有一層取向?qū)?0。由于每一個像素結(jié)構(gòu)中，第一基板的像素電極50為多個交替分布的正電極51和負電極52，像素結(jié)構(gòu)在通電之后，除了像素電極50與公共電極70之間產(chǎn)生電場之外，像素電極50中交替分布的正電極51與負電極52之間也產(chǎn)生電場,且正電極51與負電極52之間產(chǎn)生的電場中，水平方向上的電場分量所占比例較大，增加了液晶層80內(nèi)電場中水平方向電場分量所占的比例，所以，當(dāng)正電極51與負電極52以及公共電極70通電之后，液晶層80內(nèi)的液晶分子沿水平方向的變形量較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的ADS模式的顯示方式較大，增強了液晶層80的透光率。所以，本發(fā)明提供的液晶顯示裝置中，由于像素電極50中正電極51和負電極52的設(shè)置，提高了液晶層的透光率。進一步地，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，為了增加像素電極50中正電極51和負電極52之間產(chǎn)生的電場的均勻性,優(yōu)選地,垂直于像素電極50的布線方向，正電極51與負電極52均勻分布,且正電極51和公共電極70之間的電壓差與公共電極70與負電極52之間的
電壓差相等。具體的，上述技術(shù)方案中提到的公共電極70可以具有板狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，為了避免公共電極70與像素電極50的正電極51以及負電極52之間產(chǎn)生寄生電容，如圖2和圖3所示，公共電極70位于每個像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分為多個條形公共電極，且條形公共電極的布線方向與像素電極50的布線方向平行，每個條形公共電極與兩相鄰的像素電極50之間的狹縫相對。這樣，公共電極70與像素電極50之間不存在相互交疊的現(xiàn)象，從而避免了公共電極70與像素電極50之間產(chǎn)生寄生電容，提高了液晶顯示裝置的顯示效果。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，如圖2所示，為了進一步提高像素結(jié)構(gòu)通電時產(chǎn)生電場的均勻性，優(yōu)選地，垂直于條形公共電極的布線方向，多個條形公共電極均勻分布，且條形公共電極的中心線與兩相鄰的像素電極50之間狹縫的中心線重合。如圖3所示，本發(fā)明提供的液晶顯示裝置，在每一個像素結(jié)構(gòu)中均采用雙數(shù)據(jù)線驅(qū)動，分別為像素電極50中的正電極51提供正電壓，為負電極52提供負電壓；具體的，第一基板設(shè)有第一數(shù)據(jù)線91和第二數(shù)據(jù)線93，正電極51通過第一晶體管92與第一數(shù)據(jù)線91電連接，負電極52通過第二晶體管94與第二數(shù)據(jù)線93電連接。綜上所述，在本發(fā)明提供的液晶顯示裝置的最優(yōu)選實施例中，每一個像素結(jié)構(gòu)中，像素電極50包括交替分布的正電極51和負電極52，而公共電極70位于每個像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分為多個條形公共電極，且條形公共電極的布線方向與像素電極50的布線方向平行，每個條形公共電極與兩相鄰的像素電極50之間的狹縫相對。這樣，像素結(jié)構(gòu)在通電之后，除了像素電極50與公共電極70之間產(chǎn)生電場之外，像素電極50中交替分布的正電極51與負電極52之間也產(chǎn)生電場，且正電極51與負電極52之間產(chǎn)生的電場中，水平方向上的電場分量所占比例較大，增加了液晶層80內(nèi)電場中水平方向電場分量所占的比例，液晶層80內(nèi)的液晶分子沿水平方向的變形量較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的ADS模式的顯示方式較大，增強了液晶層80的透光率，且公共電極70與像素電極50之間不存在相互交疊的現(xiàn)象，從而避免了公共電極70與像素電極50之間產(chǎn)生寄生電容，提高了液晶顯示裝置的顯示效果。本發(fā)明提供的液晶顯示裝置的最優(yōu)實施例通過液晶模擬軟件2D mos模擬的電場分布圖如圖4所示，圖4為本發(fā)明提供的液晶顯示裝置通過液晶模擬軟件2D mos模擬的電場分布示意圖。經(jīng)液晶模擬軟件2D mos模擬結(jié)果分析，本發(fā)明提供的液晶顯示裝置在像素電極50以及公共電極70的參數(shù)為W/L=2/5，其中，W表示像素電極50的寬度，L表示相鄰的像素電極50之間的狹縫寬度且正電極51與條形公共電極之間的電壓差為3V，條形公共電極與負電極52之間的電壓差為3V時，液晶顯示裝置的透光率為44%，高于現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式顯示的液晶顯示裝置。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)
明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示裝置，包括多個像素結(jié)構(gòu)，每ー個所述像素結(jié)構(gòu)均包括第一基板；所述第一基板包括公共電極、多個具有條形結(jié)構(gòu)的像素電極、位于所述公共電極與所述像素電極之間的第一絕緣層；其特征在于，多個所述像素電極為多個交替分布的正電極和負電扱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，垂直于所述像素電極的布線方向，所述正電極與所述負電極均勻分布，且所述正電極和所述公共電極之間的電壓差與所述公共電極與所述負電極之間的電壓差相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述公共電極為板狀電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在干，所述公共電極位于每個像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的部分為多個條形公共電極，且所述條形公共電極的布線方向與所述像素電極的布線方向平行，每個所述條形公共電極與兩相鄰的所述像素電極之間的狹縫相対。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，垂直于所述條形公共電極的布線方向，多個所述條形公共電極均勻分布，且所述條形公共電極的中心線與兩相鄰的所述像素電極之間狹縫的中心線重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一基板設(shè)有第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述正電極通過第一晶體管與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述負電極通過第二晶體管與所述第二數(shù)據(jù)線電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置，包括多個像素結(jié)構(gòu)，每一個像素結(jié)構(gòu)均包括第一基板；第一基板包括公共電極、多個具有條形結(jié)構(gòu)的像素電極、位于公共電極與像素電極之間的第一絕緣層；多個像素電極為多個交替分布的正電極和負電極。像素結(jié)構(gòu)在通電之后，像素電極與公共電極之間產(chǎn)生電場，像素電極包括的正電極與負電極之間也產(chǎn)生電場，且正電極與負電極之間產(chǎn)生的電場中，水平方向上的電場分量所占比例很大，增加了液晶層內(nèi)電場中水平方向電場分量所占的比例，位于每個像素結(jié)構(gòu)的第一基板和第二基板之間的液晶層內(nèi)的液晶分子沿水平方向的變形量較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的多維電場模式的顯示方式較大，增強了液晶層的透光率。
文檔編號G02F1/1345GK102854671SQ201210288959
公開日2013年1月2日 申請日期2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月14日
發(fā)明者徐智強, 崔賢植, 嚴允晟, 李會 申請人:京東方科技集團股份有限公司