基板、具有其的顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種基板、具有其的顯示裝置及其制造方法。該基板包括基材及圖案化電極。圖案化電極設(shè)于基材上，包括第一區(qū)域及第二區(qū)域，第一區(qū)域具有第一方位角區(qū)，第二區(qū)域具有第二方位角區(qū)。第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同。多個光反應(yīng)物設(shè)于圖案化電極上，用以使所接觸的液晶分子預(yù)傾。當未施加電壓時，第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
【專利說明】基板、具有其的顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種具有一圖案化電極的基板，且特別是有關(guān)于一種具有此種基板的顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，液晶顯示器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品的顯示屏幕。液晶顯示器有許多不同的形式，包括扭轉(zhuǎn)向列型(Twisted Nematic,TN),超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN),平面切換(In-Plane Switching, IPS),多區(qū)域垂直排列(Mult1-domain verticalalignment, MVA)等。當施加電壓時可以控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，并調(diào)變光的偏振方向，進而影響光通過量而造成亮態(tài)及暗態(tài)的反差作為顯示結(jié)果。
[0003]由于TN型顯示器及STN型顯示器具有視角不夠?qū)挼膯栴}，MVA (多區(qū)域垂直排列)形式的液晶顯示器因應(yīng)而生。MVA顯示器系考慮到廣視角的需求，所開發(fā)出來的一種廣視角顯示技術(shù)。借由不同的電極設(shè)計及區(qū)域分割，使得液晶分子可以有不同的預(yù)傾角。且不同區(qū)域的液晶受到電壓驅(qū)動后，各區(qū)域的液晶分子會分別朝不同方位角轉(zhuǎn)動。舉例來說，假設(shè)分割成四個區(qū)域，則四個區(qū)域的液晶分子會分別朝四個方位角轉(zhuǎn)動，使得顯示器的上下左右四個視角同時受到補償。
[0004]在無外加電場時，MVA液晶顯示器的液晶分子長軸在不像TN模式系平行于顯示屏幕，而是垂直于顯示屏幕。而凸起電極附近的液晶分子略有傾斜，光線此時無法穿過上下的偏光板。當外加電場以施加電壓至液晶時，液晶分子倒向不同的方向，凸起物附近的液晶分子迅速帶動其他液晶轉(zhuǎn)動以垂直于凸起物表面，使分子長軸傾斜于屏幕而提升光的穿透率，使得不同的方位角觀察顯示屏幕都可以獲得相應(yīng)方向的補償，改善了可視的角度。
[0005]然而，在未進行光學補償?shù)那疤嵯?，MVA模式對視角的改善僅限方位角，而其他極角(與屏幕的平面法向量所夾之角)仍然不理想，其他極角的觀察者可能會看到色偏(ColorShft)的現(xiàn)象。所謂的色偏，是指觀察者正對屏幕觀看與偏離屏幕側(cè)看時的顏色偏差。而且，以電性分割的方式對像素作區(qū)域分割需要額外布線，在追求高解析度的顯示品質(zhì)下，容易使得精密微小的像素又被分割得更小，使得像素的開口率下降，且布線(Layout)制程困難。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明是有關(guān)于一種基板、具有此種基板的顯示裝置及其制造方法?；寰哂幸粓D案化電極，此圖案化電極至少包括兩區(qū)，此兩區(qū)各具有一方位角區(qū)，兩方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且對液晶分子造成的預(yù)傾角不同。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種基板，用于一顯示裝置，基板包括基材及圖案化電極。圖案化電極設(shè)于基材上，包括第一區(qū)域及第二區(qū)域，第一區(qū)域具有第一方位角區(qū)，第二區(qū)域具有第二方位角區(qū)。第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同。多個光反應(yīng)物，設(shè)于圖案化電極上，用以使所接觸的液晶分子預(yù)傾。當未施加電壓時，第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種液晶分子顯示裝置，包括一第一基材及與第一基材相對而設(shè)的一第二基材、一液晶層、一圖案化電極及多個光反應(yīng)物。液晶層設(shè)于第一基材與第二基材之間。圖案化電極設(shè)于第一基材上，圖案化電極包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，第一區(qū)域具有一第一方位角區(qū)，第二區(qū)域具有一第二方位角區(qū)。光反應(yīng)物，設(shè)置于第一及第二基材之間，用以使此些液晶分子預(yù)傾。第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種液晶分子顯示裝置的制造方法，方法包括以下步驟。提供一第一基材。形成一圖案化電極于第一基材上，圖案化電極包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，第一區(qū)域具有一第一方位角區(qū)，第二區(qū)域具有一第二方位角區(qū)，第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同。提供一第二基材。對組第一基材與第二基材。形成一液晶層及多個光反應(yīng)物于第一基材及第二基材之間。對液晶層執(zhí)行一施加電壓的步驟。對液晶層及此些光反應(yīng)物執(zhí)行一曝光步驟，使得第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作詳細說明，其中:
[0011]圖1A繪示依照本發(fā)明一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
[0012]圖1B繪示依照如圖1A的顯示裝置的基板的俯視圖。
[0013]圖1C?IE繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。
[0014]圖2A繪示依照本發(fā)明一實施例的基板的示意圖。
[0015]圖2B繪示依照本發(fā)明一實施例的液晶分子的預(yù)傾角與方位角關(guān)系的示意圖。
[0016]圖3繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。
[0017]圖4A?4B繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。
[0018]圖5A?5B繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。
[0019]圖6A?6B繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。
[0020]主要元件符號說明:
[0021]10、50:顯示裝置
[0022]100>200:基板
[0023]102、112:偏光片
[0024]104、114、204:基材
[0025]106、106-1 ?106-3、116、206、306、406-1 ?406_2、506、606:電極
[0026]106a ?106c、306a ?306c、406a ?406d、Gl ?G4:區(qū)域
[0027]406X、406Y:子電極
[0028]108、118、208:配向膜
[0029]209:光反應(yīng)物
[0030]110:液晶層[0031]110a、210a:液晶分子
[0032]G11、G12、G13、G14、G21、G22、G23、G24、G31、G32、G33、G34、G41、G42、G43、G44:方位角區(qū)
[0033]X、Y、+P、+K、-P、-K:軸
[0034]Ml?M8:光掩模
[0035]0 1:預(yù)傾角
[0036](]5:方位角
【具體實施方式】
[0037]第一實施例
[0038]請參考圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。如圖1A所示，顯示裝置10包括偏光片102、基材104、電極106、配向膜108、液晶層110、偏光片112、基材114、電極116及配向膜118。電極106可為全面電極或圖案化電極。電極116可為全面電極或圖案化電極。只要電極106或電極116其中的一有圖案化電極即可，并不限定均為圖案化電極。當尚未利用電場及紫外光固化光反應(yīng)物前，于無外加電場時，液晶分子(未繪示)系垂直于配向膜108。于此實施例中，液晶層110可以包括光反應(yīng)物(未繪示)摻雜。于另一實施例中，光反應(yīng)物亦可摻雜于配向膜108中。于另一實施例中，光反應(yīng)物亦可同時摻雜于配向膜108和液晶層110中。
[0039]于一實施例中，基板100可包括基材104、電極106及配向膜108。然而,于此為了簡化，僅繪示出電極106，并省略基材104及配向膜108。請參考圖1B，其繪示依照如圖1A的顯示裝置的基板100的俯視圖，圖1A的顯示器的剖面例如系沿圖1B的剖面線2-2作切害I]。如圖1B所示，電極106例如對應(yīng)至一像素區(qū)域，電極106包括區(qū)域106a、區(qū)域106b及區(qū)域106c。區(qū)域106a的部分放大圖系表示于虛線的圖框中，電極106a的排列方式例如系沿圖1B的+P軸及+K軸排列，并于施加驅(qū)電壓下，因各區(qū)域的液晶分子受電極排列方式的影響而分別沿+P軸及+K軸排列，且分別與X軸具有一夾角0，此時液晶分子與X軸所夾的夾角0即為液晶分子的方位角。因液晶分子排列的方位角系受電極排列方式的影響，故而后述均以電極排列的方位角描述同一方位角區(qū)的方位角角度。
[0040]于此實施例中，電極106的區(qū)域106a?區(qū)域106c，各包括四種不同的方位角區(qū)，分別沿+P軸、-P軸、+K軸及-K軸排列的方位角。如圖1B所示，電極106的區(qū)域106a具有方位角區(qū)Gll (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G12 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G13 (電極沿-P軸排列)、方位角區(qū)G14 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域106b具有方位角區(qū)G21 (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G22 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G23 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G24 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域106c具有方位角區(qū)G31 (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G32 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G33 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G34 (電極沿-K軸排列)。
[0041]考慮到制程公差的影響，電極排列的方位角度可以容許有些許的誤差范圍，因此于操作模式下，受電極排列影響的液晶分子亦會有一容許的方位角范圍。方位角區(qū)Gll的電極排列的方位角，實質(zhì)上等于方位角區(qū)G21的電極排列的方位角，且實質(zhì)上等于方位角區(qū)G31的電極排列的方位角。亦即，G11、G21及G31的電極排列的方位角差異不會超過20度。方位角區(qū)G12的電極排列的方位角，實質(zhì)上等于方位角區(qū)G22的電極排列的方位角，且實質(zhì)上等于方位角區(qū)G32的電極排列的方位角。亦即，G12、G22及G32的電極排列的方位角差異不會超過20度。同樣地，方位角區(qū)G13的電極排列的方位角，實質(zhì)上等于方位角區(qū)G23的電極排列的方位角，且實質(zhì)上等于方位角區(qū)G33的電極排列的方位角。亦即，G13、G23及G33的電極排列的方位角差異不會超過20度。方位角區(qū)G14的電極排列的方位角，實質(zhì)上等于方位角區(qū)G24的電極排列的方位角，且實質(zhì)上等于方位角區(qū)G34的電極排列的方位角。亦即，G14、G24及G34的電極排列的方位角差異不會超過20度。此角度差異系因制程變異而形成。
[0042]舉例來說，于方位角區(qū)Gll的電極排列的方位角例如系45° ±10° ,于方位角區(qū)G12的電極排列的方位角例如系135° ±10°，于方位角區(qū)G13的電極排列的方位角例如系225° ±10° ,于方位角區(qū)G14的電極排列的方位角例如系315° ±10°。亦即，Gll的電極排列的方位角設(shè)定為45度，但因制程上變異影響，而會造成不同的區(qū)域或像素間的Gll區(qū)的電極排列的方位角可能有正負10度的誤差變異范圍(也就是正和負間差異為20度)。G12、G13及G14也會有同樣的情況。同樣地，于方位角區(qū)G21的電極排列的方位角例如系45° ±10°，于方位角區(qū)G22的電極排列的方位角例如系135° ±10°，于方位角區(qū)G23的電極排列的方位角例如系225° ±10°，于方位角區(qū)G24的電極排列的方位角例如系315° ±10°。并且，于方位角區(qū)G31的電極排列的方位角例如系45° ±10°，于方位角區(qū)G32的電極排列的方位角例如系135° ±10°，于方位角區(qū)G33的電極排列的方位角例如系225° ±10° ,于方位角區(qū)G34的電極排列的方位角例如系315° ±10°。所以，Gil、G21及G31的方位角實質(zhì)上相同，但因制程誤差而有正負10度的變異，但誤差不會超過20度。G12、G22及G32的方位角誤差也不會超過20度。其他實質(zhì)上相同的方位角亦以此類推。
[0043]于此實施例中，系以四個方位角區(qū)為例。于另一實施例中，亦可視設(shè)計需求而采取兩個方位角區(qū)的電極設(shè)計方式，例如兩個方位角度可于互相補償左右視角的顯示畫面即可。
[0044]于一實施例中，可以利用電場及紫外光固化的方式使液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾。液晶層110(繪示于圖1A)包括光反應(yīng)物。首先,對液晶層110執(zhí)行施加電壓及曝光步驟,先施加一電壓以調(diào)控液晶分子排列方向。接著，照射一紫外光，可以將光反應(yīng)物固化(curing)并聚合于配向膜(繪示于圖1A)表面形成多個光反應(yīng)物209 (繪示于圖2A)。當曝光步驟完成后，即便在未受到電壓控制時，液晶分子的初始位置即會受到配向膜表面的聚合后的光反應(yīng)物的影響而與配向膜表面間排列為具一預(yù)傾角的方向，以下將配合圖式作說明。于本實施例中，多個光反應(yīng)物結(jié)構(gòu)分別位于于上下兩側(cè)基板。但于另一實施例中，亦可調(diào)整UV光的焦距位置，令光反應(yīng)物較為集中形成于其中一側(cè)的基板上，而另一側(cè)基板形成的比例較少。
[0045]圖1C?IE繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的流程圖。請參考圖1C，施加一第一電壓Vl至電極106-1，使得區(qū)域106a至區(qū)域106c的液晶分子，受到第一電壓Vl的電場作用而排列。設(shè)置一光掩模Ml至電極106-1,光掩模Ml系遮蔽區(qū)域106b及區(qū)域106c。接著，執(zhí)行一曝光步驟，此時僅有未受到光掩模Ml遮蔽的區(qū)域106a受到紫外光照射，使得區(qū)域106a的液晶層110中或配向膜中的光反應(yīng)物作用后聚合于配向膜表面。最后，除去第一電壓Vl施加及紫外光的照射后。此時，區(qū)域106a中方位角區(qū)G11、方位角區(qū)G12、方位角區(qū)G13及方位角區(qū)G14的液晶分子具有一第一預(yù)傾角。[0046]請接著參考圖1D，當區(qū)域106a的液晶分子聚合完成后，施加一第二電壓V2至電極106-2，并設(shè)置一光掩模M2至電極106-2，光掩模M2系遮蔽區(qū)域106a及區(qū)域106c。對基板100 (繪示于圖1A)執(zhí)行一施加電壓及曝光的步驟，使得區(qū)域106b的方位角區(qū)G21、方位角區(qū)G22、方位角區(qū)G23及方位角區(qū)G24的液晶分子具有一第二預(yù)傾角。
[0047]請參考圖1E，施加一第三電壓V3至電極106-3，并設(shè)置一光掩模M3至電極106-3，光掩模M3系遮蔽區(qū)域106a及區(qū)域106b。對基板100 (繪不于圖1A)執(zhí)行一施加電壓及曝光的步驟，使得區(qū)域106c的方位角區(qū)G31、方位角區(qū)G32、方位角區(qū)G33及方位角區(qū)G34的液晶分子具有一第三預(yù)傾角。即完成區(qū)域106a?區(qū)域106c的區(qū)域分割。此外，于所有區(qū)域的光反應(yīng)物的聚合步驟完成后，可于不施加電壓至電極的前提下，再次執(zhí)行一次曝光步驟，例如系以慢速曝光的方式將殘余的光反應(yīng)物聚合，使得未完全反應(yīng)的光反應(yīng)物可以均勻形成在所有的區(qū)域。
[0048]于此實施例中，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c彼此電性連接而不分離。當于顯示畫面的操作模式下，驅(qū)動電路(未繪示出)提供驅(qū)動電壓時，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c系接受相同驅(qū)動電壓而受驅(qū)動。
[0049]于另一實施例中，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c彼此亦可以是電性分離，當于固化步驟而施加電壓時時，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c獨立接收相同或不同電壓。因此，于施加電壓及曝光步驟中，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c可以分別接收不同的電壓并分區(qū)曝光。此時，可以獨立調(diào)控第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c個別施加的電壓值及分區(qū)曝光的不同曝光強度，來調(diào)整液晶分子于第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c的預(yù)傾角度。
[0050]于此實施例中，因各區(qū)域分別接收不同的電壓并分區(qū)曝光，所以在顯示畫面的操作模式下，驅(qū)動電路(未繪示出)提供驅(qū)動電壓時，第一區(qū)域106a、第二區(qū)域106b及第三區(qū)域106c系可接受相同或不同驅(qū)動電壓而受驅(qū)動。
[0051]經(jīng)過圖1C?IE的制程步驟后，區(qū)域106a、區(qū)域106b及區(qū)域106c分別受到紫外光照射時所接受的電壓V1、電壓V2及電壓V3皆不相同，使得光反應(yīng)物聚合后影響液晶分子的預(yù)傾角度亦不相同。換句話說，相同區(qū)域內(nèi)的液晶分子的預(yù)傾角相同，但不同區(qū)域間的液晶分子預(yù)傾角不同。亦即，第一區(qū)域106a的方位角區(qū)G11、第二區(qū)域106b的方位角區(qū)G21及第三區(qū)域106c的方位角區(qū)G31的電極排列的方位角實質(zhì)相同(差異角度不超過20度)，但是方位角區(qū)G11、方位角區(qū)G21及方位角區(qū)G31的液晶分子的預(yù)傾角不同；第一區(qū)域106a的方位角區(qū)G12、第二區(qū)域106b的方位角區(qū)G22及第三區(qū)域106c的方位角區(qū)G32的電極排列的方位角實質(zhì)相同(差異角度不超過20度)，但是方位角區(qū)G12、方位角區(qū)G22及方位角區(qū)G32的液晶分子的預(yù)傾角不同；G13、G23、G33間角度關(guān)系以及G14、G24、G34間的角度關(guān)系亦如是。
[0052]如此一來，除了區(qū)域106a?區(qū)域106c原本就個別具有四種不同的方位角，再搭配施加三種不同電壓至此三個區(qū)域及分區(qū)曝光的方式，可以達到12域(Domains)分割的效果。當然，分區(qū)曝光的區(qū)域數(shù)目可以依照電極的圖案不同有所調(diào)整，且分區(qū)曝光需要配合于每一區(qū)域施加不同電壓以達到更多域分割的效果，使得各域的液晶分子皆有不同預(yù)傾角。
[0053]于一實施例中，也可以于施加一電壓于電極后，調(diào)控區(qū)域106a、區(qū)域106b及區(qū)域106c的曝光時間，借由直接控制一般曝光機臺以不同秒數(shù)照射來控制曝光時間，或使用掃描式曝光機臺執(zhí)行曝光步驟來控制曝光時間，來達到光反應(yīng)物的不同的聚合程度，亦即指光反應(yīng)物形成于各基板上的粗糙度不同，以調(diào)整液晶分子的預(yù)傾角的角度。
[0054]圖2A繪示依照本發(fā)明一實施例的基板的微觀示意圖。請參考圖2A,基板200包括基材204、電極206及配向膜208，配向膜208上具有已聚合的光反應(yīng)物209分布于其上。于本圖中僅繪不單一側(cè)基板，另一對向基板省略。于另一實施例中，對向基板上也可以有配向膜208和光反應(yīng)物209。如圖2A所示，液晶分子210a會受到已經(jīng)聚合的光反應(yīng)物209的影響而排列。此時，液晶分子210a具有一預(yù)傾角0 1。于此所定義的預(yù)傾角0 1，可以是液晶分子長軸與配向膜表面的法線向量的夾角。于此為了方便說明，并未依照正常的比例關(guān)系繪示光反應(yīng)物與液晶分子，僅繪示光學等效上的性質(zhì)形狀。此外，基板200表面的光反應(yīng)物209的粗糙度不同，會影響液晶分子210a的預(yù)傾角。光反應(yīng)物209的粗糙度系與光反應(yīng)物209固化于配向膜208表面后，光反應(yīng)物209的尺寸、高度、數(shù)量、密集度及其與配向膜208表面的角度有關(guān)。
[0055]圖2B繪示依照本發(fā)明一實施例的液晶分子的預(yù)傾角與方位角關(guān)系的示意圖。請參考圖2B，X軸與Y軸所構(gòu)成的平面例如系圖2A的電極206所設(shè)置的平面。電極排列所沿的軸向方向與X軸的夾角系方位角$，液晶分子210a與X-Y平面的法向量n的夾角系液晶分子的預(yù)傾角0 I。
[0056]第二實施例
[0057]于一實施例中，基板可包括基材、電極及配向膜，于此為了簡化說明，僅繪示出電極306，并省略基材及配向膜。請參考圖3，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的多域分割的方法流程圖。請參考圖3，電極306例如對應(yīng)至一像素區(qū)域，電極306包括區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c，三個區(qū)域的電極排列方式例如系沿P軸及K軸排列。
[0058]于此實施例中，區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c各包括四種不同的方位角區(qū)，此四種不同的方位角區(qū)所對應(yīng)的電極排列方式，具有不同的方位角。進一步來說，電極306的圖案分別具有沿+P軸、-P軸、+K軸及-K軸排列的方位角。舉例來說，電極306的區(qū)域306a具有方位角區(qū)Gll (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G12 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G13 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G14 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域306b具有方位角區(qū)G21 (電極沿+P軸排列)及方位角區(qū)G22 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G23 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G24 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域306c具有方位角區(qū)G31 (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G32 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G33 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G34 (電極沿-K軸排列)。電極306對應(yīng)各方位角區(qū)的排列方式及方位角，與圖1B的電極106相同，于此不再贅述。
[0059]于此實施例中，可以利用電場及紫外光固化的方式使光反應(yīng)物形成于配向膜上令液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾，以達到多域分割的效果。首先，對液晶層執(zhí)行施加電壓及曝光步驟，先施加一電壓以調(diào)控液晶分子排列方向，光反應(yīng)物會隨著液晶分子作排列。接著，照射一紫外光，可以將光反應(yīng)物固化(curing)并聚合于配向膜表面。如此，在未受到電壓控制時，液晶分子的初始位置即會受到配向膜表面光反應(yīng)物的影響而與配向膜表面間排列為具一預(yù)傾角的方向。
[0060]請參考圖3，施加一第一電壓Vl至電極306，使得區(qū)域306a至區(qū)域306c的液晶分子，受到第一電壓Vl的電場作用而排列。設(shè)置一光掩模M4至電極306,光掩模M4例如系一灰度、半調(diào)(half-tone)光掩模，光掩模M4在區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c的遮蔽程度均不相同。舉例來說，光掩模M4對區(qū)域306a不具遮蔽效果，對區(qū)域306b具有25%的遮蔽效果，且對區(qū)域106c具有50%的遮蔽效果。
[0061]接著，執(zhí)行一曝光步驟，此時區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c的紫外光穿透分別系100%穿透率、75%穿透及50%穿透。由于區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c受到紫外光照射的強度不同，使得光反應(yīng)物聚合于配向膜的程度亦有所不同。結(jié)果，液晶分子在區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c中的預(yù)傾角亦不相同，達到多域分割的效果。于所有區(qū)域都聚合完成后，可于不施加電壓至電極的前提下，再次執(zhí)行一次曝光步驟，例如系以慢速曝光的方式將殘余的光反應(yīng)物聚合，使得未完全反應(yīng)的光反應(yīng)物可以均勻形成在所有的區(qū)域。
[0062]值得注意的是，于此實施例中，施加電壓的步驟及設(shè)置光掩模的步驟執(zhí)行于紫外光曝光步驟之前即可，施加電壓的步驟及設(shè)置光掩模的步驟的順序系可以互換。
[0063]如此一來，除了區(qū)域306a?區(qū)域306c原本就個別具有四種不同的方位角，再搭配施加電壓至此三個區(qū)域及灰度曝光的方式，可以達到12域(Domains)分割的效果。當然，灰度曝光的光掩模灰度數(shù)目及灰度區(qū)域的排列方式，可以依照電極的圖案與制程需求不同有所調(diào)整。利用灰度、半調(diào)光掩模，僅需要在電極306施加單一電壓后，以紫外光曝光一次，即可以達到多域分割的效果，使得各域的液晶分子皆有不同預(yù)傾角，制程上相當簡便。
[0064]于此實施例中，第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c彼此電性連接而不分離，當于操作模式下，驅(qū)動電路(未繪示出)提供驅(qū)動電壓時，第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c系接受相同驅(qū)動電壓而受驅(qū)動。第一區(qū)域306a的方位角區(qū)Gl 1，與第二區(qū)域306b的方位角區(qū)G21及第三區(qū)域306c的方位角區(qū)G31的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。此時，可以調(diào)控分區(qū)曝光時所分別施加的電壓值及分區(qū)曝光的曝光強度，來調(diào)整液晶分子于第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c的預(yù)傾角。
[0065]于另一實施例中，第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c彼此亦可以是電性分離，當于操作模式下，驅(qū)動電路(未繪示出)提供驅(qū)動電壓時，第一區(qū)域306a?第三區(qū)域306c彼此獨立接收驅(qū)動電壓而受驅(qū)動。因此，使用UV光固化光反應(yīng)物時，于施加電壓及曝光步驟中，第一區(qū)域306a?第三區(qū)域306c可以分別接收不同的電壓并分區(qū)曝光。此時，可以獨立調(diào)控第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c所個別施加的電壓值及分區(qū)曝光的曝光強度，來調(diào)整液晶分子于第一區(qū)域306a、第二區(qū)域306b及第三區(qū)域306c的預(yù)傾角度。
[0066]于一實施例中，也可以于施加一電壓于電極306后,調(diào)控區(qū)域306a、區(qū)域306b及區(qū)域306c的曝光時間，可以直接控制一般曝光機臺以不同秒數(shù)照射來控制曝光時間，亦可以使用掃描式曝光機臺執(zhí)行曝光步驟來控制曝光時間。借由不同的曝光時間，達到光反應(yīng)物的不同的聚合程度。
[0067]第三實施例
[0068]于一實施例中，基板可包括基材、電極及配向膜，于此為了簡化說明，僅繪示出電極，并省略基材及配向膜。圖4A?4B繪示依照本發(fā)明一實施例的電極結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。請參考圖4A，電極406-1包括子電極406X及子電極406Y，子電極406X及子電極406Y分別對應(yīng)至一子像素區(qū)域。子電極406X包括區(qū)域406a及區(qū)域406b，子電極406Y包括區(qū)域406c及區(qū)域406d。于另一實施例中，子電極406X及子電極406Y的位置可互換。[0069]于此實施例中，電極406-1的區(qū)域406a?區(qū)域406d包括四種不同的方位角區(qū)，分別沿+P軸、+K軸、-P軸及-K軸排列的方位角。舉例來說，電極406-1的區(qū)域406a具有方位角區(qū)Gll (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G12 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G13 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G14 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域406b具有方位角區(qū)G21 (電極沿+P軸排列)及方位角區(qū)G22 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G23 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G24(電極沿-K軸排列)。區(qū)域406c具有方位角區(qū)G31 (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G32 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G33 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G34 (電極沿-K軸排列)。區(qū)域406d具有方位角區(qū)G41 (電極沿+P軸排列)、方位角區(qū)G42 (電極沿+K軸排列)、方位角區(qū)G43 (電極沿-P軸排列)及方位角區(qū)G44 (電極沿-K軸排列)。電極406-1對應(yīng)各方位角區(qū)的排列方式及方位角度，與圖1B的電極106相同，于此不再贅述。
[0070]于此實施例中，液晶層包括光反應(yīng)物，利用電場及紫外光固化的方式使液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾。首先，對液晶層執(zhí)行施加電壓及曝光步驟，先施加第一電壓Vl至電極406-1，以調(diào)控液晶分子排列方向，使光反應(yīng)物隨著液晶分子作排列。設(shè)置一光掩模M5于電極406-1上，光掩模系遮蔽區(qū)域406b及區(qū)域406d。接著，照射一紫外光以將區(qū)域406a及區(qū)域406c的光反應(yīng)物聚合于配向膜表面。
[0071]請接著參考圖4B，施加第二電壓V2至電極406-2，以調(diào)控液晶分子排列方向，使光反應(yīng)物隨著液晶分子作排列。設(shè)置一光掩模M6于電極406-2上,光掩模系遮蔽區(qū)域406a及區(qū)域406c。接著，照射一紫外光以將區(qū)域406b及區(qū)域406d的光反應(yīng)物聚合于配向膜表面。
[0072]由于子電極406X的區(qū)域406a及區(qū)域406b受到紫外光固化時的施加電壓不同，且子電極406Y的區(qū)域406c及區(qū)域406d受到紫外光固化時的施加電壓不同，使得光反應(yīng)物聚合于配向膜的尺寸、高度、數(shù)量、密集度等亦有所不同，亦即粗糙度會有所不同。結(jié)果，液晶分子在區(qū)域406a及區(qū)域406b的預(yù)傾角不相同，且區(qū)域406c及區(qū)域406d中的預(yù)傾角亦不相同。于所有區(qū)域的光反應(yīng)物聚合步驟完成后，可于不施加電壓至電極的前提下，再次執(zhí)行一次曝光步驟，例如系以慢速曝光的方式將殘余的光反應(yīng)物聚合，使得未完全反應(yīng)的光反應(yīng)物可以均勻形成在所有的區(qū)域。
[0073]如此一來，電極406X及406Y的區(qū)域406a?區(qū)域406d，除了原本就個別具有四種不同的方位角，再搭配施加兩種不同電壓及分區(qū)曝光的方式，可以達到16域(Domains)分割的效果。當然，分區(qū)曝光的光掩模區(qū)域數(shù)目及電極分割以輸入電壓的方式，可以依照電極的圖案與制程需求不同有所調(diào)整。
[0074]于此實施例中，子電極406X及子電極406Y的電性分離，但子電極406X的區(qū)域406a及區(qū)域406b彼此電性連接而不分離，子電極406Y的區(qū)域406c及區(qū)域406d彼此電性連接而不分離，區(qū)域406a及區(qū)域406b接受相同電壓，區(qū)域406c及區(qū)域406d接受相同電壓，調(diào)控分區(qū)曝光時的曝光強度，來調(diào)整液晶分子于第一區(qū)域406a、第二區(qū)域406b、第三區(qū)域406c及第四區(qū)域406d的預(yù)傾角。于此實施例中，區(qū)域406a的方位角區(qū)Gll的方位角，與區(qū)域406b的方位角區(qū)G21的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。而且，區(qū)域406c的方位角區(qū)G31的方位角與區(qū)域406d的方位角區(qū)G41的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。區(qū)域406a的方位角區(qū)G12的方位角，與區(qū)域406b的方位角區(qū)G22的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。而且，區(qū)域406c的方位角區(qū)G32的方位角與區(qū)域406d的方位角區(qū)G42的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。
[0075]同樣地，區(qū)域406a的方位角區(qū)G13的方位角，與區(qū)域406b的方位角區(qū)G23的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。而且，區(qū)域406c的方位角區(qū)G33的方位角與區(qū)域406d的方位角區(qū)G43的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。區(qū)域406a的方位角區(qū)G14的方位角，與區(qū)域406b的方位角區(qū)G24的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。而且，區(qū)域406c的方位角區(qū)G34的方位角與區(qū)域406d的方位角區(qū)G44的方位角實質(zhì)相同，但是液晶分子的預(yù)傾角不同。
[0076]于另一實施例中，第一區(qū)域406a及第二區(qū)域406b彼此亦可以電性分離，且第三區(qū)域406c及第四區(qū)域406d彼此亦可以電性分離。當驅(qū)動電路(未繪示出)提供驅(qū)動電壓時，第一區(qū)域406a?第四區(qū)域406d彼此獨立接收驅(qū)動電壓而受驅(qū)動。因此，于施加電壓及曝光步驟中，第一區(qū)域406a?第四區(qū)域406d可以分別接收不同的電壓并分區(qū)曝光。此時，可以獨立調(diào)控第一區(qū)域406a、第二區(qū)域406b、第三區(qū)域406c及第四區(qū)域406d所個別施加的電壓值及分區(qū)曝光的曝光強度，來調(diào)整液晶分子于第一區(qū)域406a、第二區(qū)域406b、第三區(qū)域406c及第四區(qū)域406d的預(yù)傾角度，達成多域分割的效果。
[0077]值得注意的是，于此實施例中，施加電壓的步驟及設(shè)置光掩模的步驟執(zhí)行于紫外光曝光步驟之前即可，施加電壓的步驟及設(shè)置光掩模的步驟的順序系可以互換。
[0078]于一實施例中，也可以于施加一電壓于電極406后，調(diào)控區(qū)域406a、區(qū)域406b、區(qū)域406c及區(qū)域406d的曝光時間，達到光反應(yīng)物的不同的聚合程度。
[0079]其他電極形式的應(yīng)用
[0080]本發(fā)明前述的實施例，皆系以米字型圖案的電極為例作說明，當然，本發(fā)明利用電壓及紫外光曝光來分割區(qū)域的方式并不限用于前述列舉的米字型電極，尚可以應(yīng)用于其他規(guī)則或不規(guī)則圖案的電極，例如系拉長的米字型電極或〈字型電極。
[0081]圖5A?5B繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。如圖5B所示，以拉長的米字型電極506為例作說明，光掩模M7的遮蔽區(qū)例如系設(shè)置在電極的中央，如此一來，分區(qū)曝光制程可以將拉長的米字型電極劃分為外圍區(qū)域及中間區(qū)域。
[0082]圖6A?6B繪示依照本發(fā)明一實施例的多域分割的方法流程圖。如圖6B所示，以<字型電極606為例作說明，、字型電極的曝光光掩模M8具有對應(yīng)的圖案，光掩模M8例如系遮蔽〈字型以右的部分，以將〈字型電極分為左右兩部分作曝光，使區(qū)域Gl和G2有不同的預(yù)傾角，而區(qū)域G3和G4有不同的預(yù)傾角。
[0083]圖5A的拉長的米字型電極與圖6A的、字型電極在曝光時，需要使用對應(yīng)圖案的光掩模作遮蔽。當然，于此僅以光掩模M7及光掩模M8作說明，實際的制程可以依照需求來設(shè)計光掩模的形式，并不作限制。
[0084]借由不同的光掩模設(shè)計，可以將電極以不同方式分區(qū)曝光。
[0085]綜上所述，本發(fā)明上述實施例的基板、具此基板的顯示裝置及其制造方法，利用電壓提供的電場及紫外光曝光的方式，可以提供有別于時間分割或電性分割以外的多域分割方式。由于不需要額外布線即可切割像素區(qū)域，在追求高解析度的顯示品質(zhì)下，可以維持像素的開口率，不需要繁復(fù)的制程，即可使液晶分子在各域之間具有多種預(yù)傾角，可以降低觀察者在偏離正看時的不同極角所看到色偏的情況，提供顯示裝置更廣的視角方向補償。若配合時間分割或空間分割，還可以提供更多的分割數(shù)目以加強視角補償?shù)男Ч0086]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書所界定的為準。
【權(quán)利要求】
1.一種基板，用于一顯示裝置，該基板包括: 一基材； 一圖案化電極，設(shè)于該基材上，該圖案化電極包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，該第一區(qū)域具有一第一方位角區(qū)，該第二區(qū)域具有一第二方位角區(qū)，且該第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同；以及 多個光反應(yīng)物，設(shè)于圖案化電極上，用以使所接觸的液晶分子預(yù)傾，其中: 當未施加電壓時，該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，還包括: 一配向膜，設(shè)置于該圖案化電極上。
3.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第三方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第三方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
4.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域是位于一單一像素區(qū)域中或位于一單一子像素區(qū)域中，當該第一區(qū)域及該第二區(qū)域位于該單一子像素區(qū)域中時，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域及一第四區(qū)域位于一另一單一子像素中，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該第四區(qū)域具有一第四方位角區(qū)，其中 該第三方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第四方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且該第三方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第四方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
5.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域電性連接且接受相同的驅(qū)動電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域電性不連接且接受不同的驅(qū)動電壓。
7.一種液晶分子顯示裝置，包括: 一第一基材及與該第一基材相對而設(shè)的一第二基材； 一液晶層，設(shè)于該第一基材與該第二基材之間； 一圖案化電極，設(shè)于該第一基材上，該圖案化電極包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，該第一區(qū)域具有一第一方位角區(qū)，該第二區(qū)域具有一第二方位角區(qū)；以及 多個光反應(yīng)物，設(shè)置于該第一及該第二基材之間，用以使所述液晶分子預(yù)傾，其中:該第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，還包括: 一配向膜，設(shè)置于該圖案化電極上。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，其中: 該第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第三方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第三方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
10.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域電性連接且接受相同驅(qū)動電壓，或該第一區(qū)域及該第二區(qū)域電性不連接且接受不相同的驅(qū)動電壓。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域是位于一單一像素區(qū)域中或位于一單一子像素區(qū)域中，當該第一區(qū)域及該第二區(qū)域是位于該單一子像素區(qū)域中時，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域及一第四區(qū)域位于一另一單一子像素中，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該第四區(qū)域具有一第四方位角區(qū)，其中 該第三方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第四方位角區(qū)的電極排列的方位角相同，且該第三方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第四方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
12.一種液晶分子顯示裝置的制造方法，該方法包括: 提供一第一基材； 形成一圖案化電極于該第一基材上，該圖案化電極包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，該第一區(qū)域具有一第一方位角區(qū)，該第二區(qū)域具有一第二方位角區(qū)，該第一方位角區(qū)的電極排列的方位角與該第二方位角區(qū)的電極排列的方位角相同； 提供一第二基材； 對組該第一基材與該第二基材； 形成一液晶層及多個光反應(yīng)物于該第一基材及該第二基材之間； 對該液晶層執(zhí)行一施加電壓的步驟；以及 對該液晶層及所述光反應(yīng)物執(zhí)行一曝光步驟，使得該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，對組該第一基材與該第二基材之前，還包括形成一配向膜于該圖案化電極上。
14.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該施加電壓及該曝光的步驟包括: 施加第一電壓于該第一區(qū)域，且同時曝光該第一區(qū)域，使得該第一方位角區(qū)的液晶分子具有該第一預(yù)傾角；以及 施加一第二電壓于該第二區(qū)域，且同時曝光該第二區(qū)域，使該第三方位角區(qū)的液晶分子具有該第二預(yù)傾角。
15.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該曝光及施加電壓的步驟包括: 執(zhí)行一施加電壓的步驟，使該第一區(qū)域的液晶分子及該第二區(qū)域的液晶分子受到一相同的電壓作用而產(chǎn)生預(yù)傾；以及 提供一灰度光掩模于該圖案化電極上，且同時執(zhí)行該曝光步驟，其中該灰度光掩模對應(yīng)該第一區(qū)域及該第二區(qū)域具有不同的透光度，使該第一區(qū)域及該第二區(qū)域的液晶分子接收到不同能量強度的紫外光而使液晶分子產(chǎn)生不同的預(yù)傾角。
16.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該第一區(qū)域及該第二區(qū)域是位于一單一子像素中，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域及一第四區(qū)域位于一另一單一子像素中，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該第四區(qū)域具有一第四方位角區(qū)，該施加電壓及該曝光的步驟包括: 施加一第一電壓于該第一區(qū)域及該第三區(qū)域，且同時曝光該第一區(qū)域及該第三區(qū)域；以及施加一第二電壓于該第二區(qū)域及該第四區(qū)域，且同時曝光該第二區(qū)域及該第四區(qū)域。
17.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該曝光及施加電壓的步驟包括: 施加第一電壓于該第一區(qū)域，且同時曝光該第一區(qū)域； 施加第二電壓于該第二區(qū)域，且同時曝光該第二區(qū)域；以及 施加第三電壓于該第三區(qū)域，且同時曝光該第三區(qū)域，使得該第一方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角、該第二方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角與該第三方位角區(qū)的液晶分子的預(yù)傾角不同。
18.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該圖案化電極還包括一第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有一第三方位角區(qū)，該第一區(qū)域、該第二區(qū)域及該第三區(qū)域電性連接且接受相同驅(qū)動電壓，該曝光及施加電壓的步驟包括: 執(zhí)行一施加電壓的步驟，使該第一區(qū)域的液晶分子、該第二區(qū)域的液晶分子及該第三區(qū)域的液晶分子預(yù)傾；以及 提供一灰度光掩模于該圖案化電極上，且同時執(zhí)行一曝光制程，其中該灰度光掩模對應(yīng)該第一區(qū)域、該第二區(qū)域及該第三區(qū)域具有不同的透光度，使該第一區(qū)域的液晶分子、該第二區(qū)域的液晶分子及該第三區(qū)域的液晶分子接收到不同能量強度的紫外光而產(chǎn)生不同的預(yù)傾角。
19.如權(quán)利要求12所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，該曝光及施加電壓的步驟包括: 施加一電壓于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域；以及 曝光該第一區(qū)域及該第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域及該第二區(qū)域的曝光時間不同。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶分子顯示裝置的制造方法，其特征在于，曝光該第一區(qū)域及該第二區(qū)域的步驟是由一掃描式曝光機臺所執(zhí)行，借由不同的掃描時間以調(diào)控該第一區(qū)域及該第二區(qū)域的曝光時間。
【文檔編號】G02F1/1337GK103513472SQ201210212934
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月26日
【發(fā)明者】陳建宏 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司