專利名稱：一種廣視角液晶顯示器件及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器件，尤其涉及一種廣視角液晶顯示器件及其制作エ藝，可以有效地降低液晶顯示器件出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)。
背景技術(shù)：
目前,液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD),為平面超薄的顯示設(shè)備,它由一定數(shù)量的彩色或黒白像素組成，放置于光源或者反射面前方，其主要原理是以電流刺激液晶分子產(chǎn)生點(diǎn)、線、面配合背部燈管構(gòu)成畫面。廣視角液晶顯示器(如薄膜晶體管顯示器,Thin film transistor liquid crystal display,簡稱TFT-LCD)即從多角度都能清晰地看到顯示圖像，這種廣視角液晶顯示器產(chǎn)品市場需求廣闊，已成為掌上電腦、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品的主流配件。目前，客戶對(duì)廣視角液晶顯示器產(chǎn)品的性價(jià)比要求越來越高，市場競爭也越來越激烈，因而性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品必將受到市場的歡迎，而對(duì)于生產(chǎn)廠家來說， 高良品率、高性能、低成本無疑會(huì)提高產(chǎn)品競爭カ和核心競爭力。在使用液晶顯示器的時(shí)候，可能會(huì)發(fā)現(xiàn)畫面切換之時(shí)，前ー個(gè)畫面不會(huì)立刻消失，而是慢慢不見的現(xiàn)象，稱這種現(xiàn)象叫做液晶顯示器“殘影”現(xiàn)象。液晶顯示器件的高低溫(常溫)殘影現(xiàn)象，特別是高溫殘影現(xiàn)象，一直是困擾IXD制造行業(yè)的難點(diǎn)問題。因?yàn)椋袃?nèi)離子滲透到液晶內(nèi)，在長時(shí)間通電后，離子會(huì)在盒內(nèi)形成一個(gè)附加的弱電場；所以，在切換到灰階畫面后，該弱電場會(huì)對(duì)液晶分子施加作用，從而導(dǎo)致目視時(shí)可見前ー個(gè)固定點(diǎn)亮?xí)r的畫面，即殘影現(xiàn)象。殘影的出現(xiàn)，導(dǎo)致視覺效果變差，較大地影響了產(chǎn)品的性能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種廣視角液晶顯示器件及其制作エ藝，可以降低殘影發(fā)生的風(fēng)險(xiǎn)。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是，一種廣視角液晶顯示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之間封裝有液晶，所述上基板與液晶的接觸面之間和/或所述下基板與液晶的接觸面之間設(shè)置有一離子阻擋層。較優(yōu)地，所述離子阻擋層為OC材料離子阻擋層，所述OC材料離子阻擋層厚度為
I.Oum-3. Oum0較優(yōu)地，所述離子阻擋層為PI材料離子阻擋層，所述PI材料離子阻擋層厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。較優(yōu)地，所述離子阻擋層為SiO2材料離子阻擋層，所述Si02材料離子阻擋層厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明相應(yīng)提供一種廣視角液晶顯示器件制作エ藝，在其廣視角TFT-LCD制作エ藝中，在投入液晶盒單元之前，在下基板與液晶的接觸面和/或上基板與液晶的接觸面之間制作一離子阻擋層。較優(yōu)地，采用OC材料制作離子阻擋層，其厚度為I. Oum-3. Oum。
較優(yōu)地，采用OC材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過旋涂或線涂0C，然后依次進(jìn)行光刻膠的涂膠、顯影、刻蝕和剝離，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成OC圖案。較優(yōu)地，采用PI材料制作離子阻擋層，其厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。較優(yōu)地，采用PI材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過移印方式涂布PI，然后進(jìn)行預(yù)固化和主固化，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成PI。較優(yōu)地，采用SiO2材料制作離子阻擋層，其厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。較優(yōu)地，采用SiO2材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過移印方式涂布SiO2，然 后進(jìn)行預(yù)固化和主固化，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成SiO2圖案與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在基板與液晶之間增加了一層離子阻擋層，可以減少盒內(nèi)離子滲透入液晶中，從而減少液晶中離子的數(shù)量，由此大大降低LCD出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品的性能，具有較好的市場前景。


圖I是本發(fā)明廣視角液晶顯示器件較優(yōu)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明廣視角液晶顯示器件制作エ藝較優(yōu)實(shí)施例的流程圖。圖I 圖2中，有關(guān)附圖標(biāo)記如下I、偏光片;2、ITO層；3、玻璃基板;4、RGB層;5、0/C層;6、PI層;7、BM層；8、離子阻擋層；9、支撐物；10、液晶；11、環(huán)氧框；12、離子阻擋層；13、PI層；14、驅(qū)動(dòng)IC ；15 ;玻璃基板；16、偏光片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明較優(yōu)實(shí)施例的基本構(gòu)思是，在廣視角液晶顯示器(如TFT-LCD)的制作流程增加離子阻擋層，以減少盒內(nèi)離子滲透入液晶中，從而減少液晶中離子的量，大大降低LCD出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)。為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步的詳細(xì)說明。參見圖1，表示本發(fā)明廣視角液晶顯示器件較優(yōu)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該廣視角液晶顯示器件從上至下看，主要包括偏光片I、ITO層2、玻璃基板3、RGB層4、0/C層5、PI層6、BM層7、離子阻擋層8、Photo spacer (支撐物)9、液晶10、環(huán)氧框11、離子阻擋層12、PI層13、驅(qū)動(dòng)IC 14、玻璃基板15及偏光片16等部件，其中部件I 8位于CF側(cè)(彩色濾光片側(cè))，即上基板(CF板)ー側(cè)；部件12 16位于TFT側(cè)(薄膜晶體管側(cè))，即下基板一側(cè)(ARRAY板，陣列板)。如圖I所示，所述部件I 16中的主要部件功能為PI層6、13主要起到液晶定向功能；環(huán)氧框11 (或其它封裝膠)密封功能；BM層(擋光層)7主要其防止漏光功能；CF/TFT偏光片I、16主要產(chǎn)生偏光功能；CF/TFT玻璃基板3、15作用為提供附著平臺(tái)；RGB層4產(chǎn)生顏色；ΙΤ0層2防止靜電；Photo spacer 9起到支撐盒厚作用；液晶10控制光線；0/C層5増加平坦性；離子阻擋層8、12可為0C、PI和SiO2，目的是阻擋離子進(jìn)入液晶層5內(nèi)。較優(yōu)地，該OC材料離子阻擋層厚度為I. Oum-3. Oum ；PI材料或SiO2離子阻擋層材料厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。該實(shí)施例中，在上、下基板與液晶之間增加了一層離子阻擋層，由此可以減少盒內(nèi)離子滲透入液晶中，從而減少液晶中離子的數(shù)量，由此大大降低LCD出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品的性能，具有較好的市場前景。以上對(duì)本發(fā)明廣視角液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳盡的說明。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例相應(yīng)提供一種廣視角液晶顯示器件制作エ藝，可以有效降低LCD出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)，以下具體描述。參見圖2，表示本發(fā)明廣視角液晶顯示器件制作エ藝較優(yōu)實(shí)施例的流程圖，該制作エ藝主要沿用傳統(tǒng)的廣視角TFT-LCD的制作流程。在該廣視角TFT-LCD的制作流程中在投入CELL (液晶盒單元)前，在下基板(ARRAY板)和/或上基板(CF板)上先制作ー層離子阻擋層(步驟S201);然后，投入液晶盒單元，完成后續(xù)廣視角TFT-LCD制作流程(步驟
該廣視角液晶顯示器件制作エ藝中，離子阻擋層的具體制作過程應(yīng)遵照以下要求(I)エ藝步驟OC主要是通過Spin (旋涂)或Slit (線涂)涂布0C，然后依次進(jìn)行光刻膠的涂膠、顯影、刻蝕和剝離，在單個(gè)PANEL (面板)的對(duì)應(yīng)位置形成OC圖案；PI和SiO2則是通過移印方式進(jìn)行涂布，然后進(jìn)行預(yù)固化和主固化，在單個(gè)PANEL的對(duì)應(yīng)位置形成PI和SiO2圖案。(2)エ藝參數(shù)0C膜厚一般要求在I. Oum-3. Oum的范圍內(nèi)；PI和SiO2的膜厚一般要求在500A-1500A的范圍內(nèi)，位置要求覆蓋整個(gè)AA區(qū)(基板與液晶的接觸面)。本實(shí)施例中，在基板與液晶之間增加了一層離子阻擋層，該離子阻擋層包括但不限于0C，PI和SiO2材料。該離子阻擋層可有效阻擋TFT-IXD盒內(nèi)離子滲透到液晶中，從而能有效解決了 TFT-IXD的高低溫(常溫)殘影問題。經(jīng)已有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，通過本發(fā)明廣視角液晶顯示器件制作エ藝的應(yīng)用，可將廣視角TFT-IXD提高到70°C，8小吋，點(diǎn)亮固定棋盤格畫面，無殘影現(xiàn)象的水平。以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種廣視角液晶顯示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之間封裝有液晶，其特征在于，所述上基板與液晶的接觸面之間和/或所述下基板與液晶的接觸面之間設(shè)置有一離子阻擋層。
2.如權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器件，其特征在于，所述離子阻擋層為OC材料離子阻擋層，所述OC材料離子阻擋層厚度為I. Oum-3. Oum。
3.如權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器件，其特征在于，所述離子阻擋層為PI材料離子阻擋層，所述PI材料離子阻擋層厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。
4.如權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器件，其特征在于，所述離子阻擋層為SiO2材料離子阻擋層，所述Si02材料離子阻擋層厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。
5.—種廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，在其廣視角TFT-IXD制作エ藝中，在投入液晶盒單元之前，在下基板與液晶的接觸面和/或上基板與液晶的接觸面之間制作離子阻擋層。
6.如權(quán)利要求5所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用OC材料制作離子阻擋層，其厚度為I. Oum-3. Oum。
7.如權(quán)利要求6所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用OC材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過旋涂或線涂0C，然后依次進(jìn)行光刻膠的涂膠、顯影、刻蝕和剝離，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成OC圖案。
8.如權(quán)利要求5所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用PI材料制作離子阻擋層，其厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。
9.如權(quán)利要求8所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用PI材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過移印方式涂布PI，然后進(jìn)行預(yù)固化和主固化，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成PI。
10.如權(quán)利要求5所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用SiO2材料制作離子阻擋層，其厚度為500A-1500A，并覆蓋基板與液晶的接觸面。
11.如權(quán)利要求8所述的廣視角液晶顯示器件制作エ藝，其特征在于，采用SiO2材料制作離子阻擋層的具體步驟為通過移印方式涂布SiO2，然后進(jìn)行預(yù)固化和主固化，再在單個(gè)面板的對(duì)應(yīng)位置形成SiO2圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種廣視角液晶顯示器件及其制作工藝。該廣視角液晶顯示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之間封裝有液晶，其特征在于，所述上基板與液晶的接觸面之間和/或所述下基板與液晶的接觸面之間設(shè)置有一離子阻擋層。該廣視角液晶顯示器件制作工藝在其廣視角TFT-LCD制作工藝中，在投入液晶盒單元之前，在下基板與液晶的接觸面和/或上基板與液晶的接觸面之間制作一離子阻擋層。本發(fā)明在基板與液晶之間增加離子阻擋層，可減少盒內(nèi)離子滲透入液晶中，減少液晶中離子的數(shù)量，降低LCD出現(xiàn)殘影的風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK102692751SQ20121018385
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月5日
發(fā)明者于春崎, 何基強(qiáng), 李建華, 胡君文, 謝凡, 譚曉彬 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司