專利名稱:液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及ー種液晶顯示裝置,特別是涉及ー種有源矩陣型的液晶顯示裝置。
背景技術(shù):
近年來,液晶顯示裝置的性能提高,在3 4英寸的中小型液晶顯示裝置中也要求能夠進行800X480像素的WVGA顯示的產(chǎn)品。然而,在能夠進行WVGA顯示的中小型液晶顯示面板中,需要在有限的顯示區(qū)域內(nèi)形成多個顯示像素(以下稱為像素),因此ー個像素寬度成為30 y m左右。因此,要求開ロ率的進一步提聞、顯不ネ旲式效率的進一步提尚。作為使該顯示模式效率提高的液晶顯示裝置,例如存在專利文獻I所述的液晶顯示裝置。該專利文獻I所述的液晶顯示裝置具有以下結(jié)構(gòu)在像素區(qū)域的兩端形成成對的電極,對ー個電極(源電極)提供影像信號,對另ー個電極(公共電極)提供成為基準(zhǔn)的公共信號,由此產(chǎn)生與液晶顯示面板的主面平行的電場(所謂橫向電場),從而驅(qū)動液晶分子。特別是,在專利文獻I所述的液晶顯示裝置中,源電極和公共電極從第一基板的主面朝 向第二基板突出而形成,并且形成其延伸方相對第一基板的主面垂直地形成的壁狀的電極形狀。通過設(shè)為這種結(jié)構(gòu),在專利文獻I的液晶顯示裝置中構(gòu)成為,即使在從接近第一基板的區(qū)域至遠離第一基板的區(qū)域(接近第二基板的區(qū)域)中,也設(shè)為電カ線的密度相同,從而使顯不I旲式效率提聞。專利文獻I :日本特開平6-214244號公報
發(fā)明內(nèi)容
另ー方面,在能夠進行WVGA顯示的中小型的液晶顯示面板中,為了提高開ロ效率,相鄰的像素之間的間隔也變得非常窄,各像素的源電極與相鄰的像素的公共電極之間的間隔變得非常小。因此,在專利文獻I所述的液晶顯示裝置中,例如,在進行白色顯示的像素與進行黑色顯示的像素相鄰的區(qū)域內(nèi),進行白色顯示的像素的源電極與進行黑色顯示的像素的公共電極之間的間隔非常接近。其結(jié)果,從進行白色顯示的像素的源電極產(chǎn)生的電カ線朝向相同像素內(nèi)的公共電極,并且還朝向進行黑色顯示的相鄰像素的源電極。在該情況下,進行白色顯示的像素內(nèi)的源電極與公共電極之間的電カ線密度在呈壁狀形成的源電極和公共電極附近密集,在從各電極分離的部分中變得稀疏。即,像素區(qū)域內(nèi)的電場強度變得不均勻,從而有可能導(dǎo)致顯示模式效率降低。另外,產(chǎn)生從進行白色顯示的像素的源電極向相鄰的黑色顯示的像素的電極的電カ線,由該電カ線驅(qū)動黑色顯示的像素區(qū)域內(nèi)的液晶分子,從而還有可能導(dǎo)致黑色顯示時的透過率上升而動態(tài)范圍減小。進而,為了使開ロ率提高,還考慮在各電極的下層側(cè)形成漏極線等信號線,但是也有可能由朝向距各信號線接近的各電極的電カ線驅(qū)動液晶分子,從而使黒色顯示時的透過率上升。本發(fā)明是鑒于這些問題點而完成的,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠通過使像素內(nèi)的電場分布均勻來提高顯示模式效率的液晶顯示裝置。為了解決上述問題,液晶顯示裝置具有第一基板,其形成有第一電極和第二電扱;以及第二基板,其配置成經(jīng)由液晶層與上述第一基板相對置,其中,具有上述第一電極和上述第二電極的像素的區(qū)域被配置成矩陣狀,通過在上述第一電極與上述第二電極之間施加的上述第一基板的面內(nèi)方向的電場來驅(qū)動上述液晶層,在上述每個像素的區(qū)域內(nèi)在上述第一基板的相對側(cè)形成層差部,上述第一電極或者/以及上述第二電極具有形成于上述層差部的側(cè)壁面的壁狀電極以及從上述壁狀電極的邊緣部起沿上述第一基板的主面形成的平面電極,上述壁狀電極與上述平面電極進行電連接。根據(jù)本發(fā)明,能夠使液晶顯示裝置的各像素內(nèi)的電場分布均勻,能夠提高顯示模式效率。根據(jù)說明書整體的記載使本發(fā)明的其它效果變得明了。
圖I是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中像素電極與公共電極的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是用于說明本發(fā)明實施方式I的形成壁電極的平面電極寬度與最大顯示模式效率之間的關(guān)系、以及平面電極寬度與提供最大顯示模式效率的驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的圖。圖5是用于說明本發(fā)明實施方式I的像素中的電カ線的分布的圖。圖6是表示本發(fā)明實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中的平面電極長度與黑色顯示時的布線電位5V時的黑色透過率的關(guān)系的圖。圖7是表示本發(fā)明實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中的平面電極長度與相鄰像素的黑色透過率的關(guān)系的圖。圖8是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖9是表示由本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的每個遮蔽電極寬度的平面電極長度引起的顯示模式效率増加率的圖。圖10是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的壁電極與模擬壁電極之間的參數(shù)說明圖。圖11是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中每個遮蔽電極寬度的壁電極的平面電極的長度與黒色顯示時的透過率之間的關(guān)系的圖。圖12是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中每個遮蔽電極寬度的壁電極的平面電極的長度與相鄰像素的黒色透過率之間的關(guān)系的圖。圖13是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中遮蔽電極寬度與相鄰像素的黑色透過率之間的關(guān)系的圖。圖14是用于說明本發(fā)明實施方式3的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖15是用于說明本發(fā)明實施方式3的壁電極的詳細結(jié)構(gòu)的截面圖。圖16是用于說明本發(fā)明實施方式3的其它液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖17是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖18是用于說明本發(fā)明實施方式4的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖19是用于說明本發(fā)明實施方式5的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖20是用于說明本發(fā)明實施方式5的其它液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖21是用于說明本發(fā)明實施方式6的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖22是用于說明本發(fā)明實施方式6的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖23是用于說明本發(fā)明實施方式7的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖24是用于說明本發(fā)明實施方式7的其它液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。、
圖25是用于說明本發(fā)明實施方式8的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖26是用于說明本發(fā)明實施方式8的其它液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖27是用于說明本發(fā)明實施方式的液晶顯示裝置中其它像素結(jié)構(gòu)與公共電極的結(jié)構(gòu)的俯視圖。附圖標(biāo)記的說明PNL液晶顯示面板SUBl 第一基板SUB2 第二基板FPC撓性印刷基板AR顯示區(qū)域TFT薄膜晶體管DL漏極線CL公共線GL柵極線SL密封材料CT公共電極(模擬公共電極)CT1、CT2 線狀電極DR驅(qū)動電路CT3公共壁電極CT4壁狀電極CT5、CT6 平面電極PX像素電極(壁電極)PXl壁狀電極PX2、PX3 平面電極PX4線狀電極PASl 3絕緣膜P0L1、P0L2 偏振板ORI取向膜CF濾色器LC液晶層CE遮蔽電極
BM黑矩陣LF、LF1、LF2、LF1’、LF2’ 電カ線
具體實施例方式以下,使用
應(yīng)用了本發(fā)明的實施方式。但是,在以下說明中,對同一結(jié)構(gòu)要素附加同一附圖標(biāo)記而省略反復(fù)的說明。另外,X、Y、Z分別表示X軸、Y軸、Z軸。<實施方式1><整體結(jié)構(gòu)>圖I是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的圖,以下,根據(jù)圖I來說明實施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)。此外,在本申請的說明書中,將消除由濾色器CF、偏振板P0L1、P0L2等的吸收的影響、開ロ率的影響的透過率設(shè)為顯示模式效率。因而,將在從背光單元側(cè)的偏振板POLl射出的直線偏振光的振動方向入射到顯示面?zhèn)鹊钠?振板P0L2時旋轉(zhuǎn)90度的情況下的顯示模式效率設(shè)為100%。如圖I所示,實施方式I的液晶顯示裝置具有第一基板SUB1,其形成像素電極(第一電極)PX、薄膜晶體管TFT ;第二基板SUB2,其形成與第一基板SUBl相對置地配置的濾色器等;以及液晶顯示面板PNL,其由第一基板SUBl與第二基板SUB2所夾持的液晶層構(gòu)成。通過對該液晶顯示面板PNL與成為該液晶顯示面板PNL的光源的未圖示的背光単元(背光裝置)進行組合來構(gòu)成液晶顯示裝置。第一基板SUBl與第二基板SUB2之間的固定 以及液晶的密封構(gòu)成為由在第二基板的周邊部環(huán)狀地涂敷的密封材料SL進行固定,液晶也被密封。在實施方式I的液晶顯示裝置中,在液晶被密封的區(qū)域內(nèi)形成顯示像素(以下簡稱為像素)的區(qū)域成為顯示區(qū)域AR。因而,即使在液晶被密封的區(qū)域內(nèi),沒有形成像素而與顯示無關(guān)的區(qū)域不成為顯示區(qū)域AR。另外,第二基板SUB2的面積小于第一基板SUBl,第二基板SUB2使第一基板SUBl的圖中下側(cè)的邊部露出。在該第一基板SUBl的邊部中搭載了由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路DR。該驅(qū)動電路DR驅(qū)動配置在顯示區(qū)域AR內(nèi)的各像素。此外,在以下說明中,即使在液晶顯示面板PNL的說明中也有時稱為液晶顯示裝置。另外,作為第一基板SUBl和第二基板SUB2,例如通常將公知的玻璃基板作為基材而使用,但是也可以是樹脂性的透明絕緣基板。在實施方式I的液晶顯示裝置中,在第一基板SUBl的液晶側(cè)一面即顯示區(qū)域AR內(nèi)形成有掃描信號線(柵極線)GL,該掃描信號線(柵極線)GL在圖I中在X方向上延伸而在Y方向上并行設(shè)置,從驅(qū)動電路DR提供掃描信號。另外,形成有影像信號線(漏極線)DL,該影像信號線(漏極線)DL在圖I中在Y方向上延伸而在X方向上并行設(shè)置,從驅(qū)動電路提供影像信號(灰度信號)。由相鄰的兩個漏極線DL和相鄰的兩個柵極線GL包圍的區(qū)域構(gòu)成像素,多個像素沿漏極線DL和柵極線GL在顯示區(qū)域AR內(nèi)被配置成矩陣狀。例如圖I所示,各像素具備薄膜晶體管TFT,其根據(jù)來自柵極線GL的掃描信號被導(dǎo)通和截止驅(qū)動;像素電極PX,其通過被導(dǎo)通的該薄膜晶體管TFT從漏極線DL提供影像信號;以及公共電極(第二電極)CT,其通過公共線CL對影像信號的電位提供具有成為基準(zhǔn)的電位的公共信號。在圖I中,示意性地線狀地記載了像素電極PX和公共電極CT,后面詳細說明實施方式I的像素電極PX和公共電極CT的結(jié)構(gòu)。此外,在實施方式I的薄膜晶體管TFT中,通過施加其偏置電壓而以交替的方式驅(qū)動漏電極與源電極,但是在本說明書中,為了方便起見,將與漏極線DL相連接ー側(cè)稱為漏電極,將與像素電極PX相連接ー側(cè)稱為源電極。在像素電極PX與公共電極CT之間產(chǎn)生具有與第一基板SUBl的主面平行的成分的電場,通過該電場來驅(qū)動液晶分子。這種液晶顯示裝置作為能夠進行所謂大視場角度顯示而公知,根據(jù)向液晶施加電場的特性,被稱為IPS方式或者橫向電場方式。另外,在具有這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中,在不對液晶施加電場的情況下將光透過率設(shè)為最小(黑色顯示),在通過施加電場來使光透過率提高的常態(tài)黑色顯示方式下進行顯示。各漏極線DL和各柵極線GL在其端部中分別超過密封材料SL而延伸,與驅(qū)動電路DR相連接,該驅(qū)動電路DR根據(jù)從外部系統(tǒng)通過 撓性印刷基板FPC輸入的輸入信號來生成影像信號、掃描信號等的驅(qū)動信號。但是,在實施方式I的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為使用半導(dǎo)體芯片形成驅(qū)動電路DR而將驅(qū)動電路DR搭載于第一基板SUBl,但是也可以設(shè)為以下結(jié)構(gòu)將輸出影像信號的影像信號驅(qū)動電路以及輸出掃描信號的掃描信號驅(qū)動電路中的任一個或者其兩者的驅(qū)動電路通過帶式載體方式、C0F(Chip On Film:晶粒軟膜構(gòu)裝)方式搭載于撓性印刷基板FPC,從而與第一基板SUBl相連接。〈像素的詳細結(jié)構(gòu)〉圖2是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,圖3是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中的像素電極與公共電極的結(jié)構(gòu)的俯視圖。但是,在以下說明中,說明將像素電極PX設(shè)為壁狀的電極形狀而將公共電極CT設(shè)為由ー對線狀電極形成的模擬的壁狀電極的情況,但是也可以設(shè)為將公共電極CT設(shè)為壁狀電極而將像素電極PX設(shè)為模擬的壁狀電極的結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖3示出的一個像素量的壁電極(第一電極)PX與線狀電極(第二電極)CT1、CT2之間的位置關(guān)系可知,實施方式I的液晶顯示裝置中的像素PXL具有具備由形成于像素PXL的周緣部中的像素電極(壁電極)PX以及由形成于該壁電極PX之間的區(qū)域內(nèi)的一對線狀電極CT1、CT2形成的公共電極的結(jié)構(gòu)。壁電極PX形成為沿與用兩點劃線表示的相鄰像素之間的邊界即像素PXL的周緣部包圍像素PXL的區(qū)域。線狀電極CT1、CT2形成為沿像素PXL的長度方向(圖中Y方向)。特別是,在實施方式I的液晶顯示裝置中,形成在用兩點劃線表示的像素邊界部中凸?fàn)畹匦纬傻慕^緣膜PAS3,通過該結(jié)構(gòu)形成沿像素PXL的周緣部的臺階。在該臺階的側(cè)壁面即絕緣膜SPA3的側(cè)壁面上形成壁狀電極PX1,從該壁狀電極PXl起連續(xù)地形成沿第一基板SUBl的主面的平面電極(第一平面電極)PX2,由壁狀電極PXl與平面電極PX2形成壁電極PX。通過該結(jié)構(gòu),構(gòu)成為形成相對于第一基板SUBl的主面立設(shè)(傾斜)的、即朝向配置第二基板SUB2 —側(cè)相對于該第一基板SUBl的主面立設(shè)的圓環(huán)狀的壁狀電極PXl,壁電極PX被配置成沿像素PXL的周緣部包圍該像素PXL的區(qū)域。此外,該絕緣膜PAS3形成于與相鄰的像素PXL之間的邊界部分,因此并不限定于具有透光性的絕緣材料,后面詳細說明那樣,也可以由遮光性的絕緣膜材料形成。此時,如圖2的截面圖所示,以跨過用兩點劃線表示的像素邊界部的方式形成壁狀的絕緣膜PAS3,從形成于其側(cè)面的壁狀電極PXl的基板面?zhèn)鹊亩瞬?邊緣部)起在第一基板SUBl的主面的面內(nèi)方向上延伸而構(gòu)成平面電極PX2。另外,在圖2中示出的像素PXL的兩端配置的壁電極PX之間的區(qū)域內(nèi)以通過液晶層LC重疊的方式形成了形成公共電極CT的ー對線狀電極CT1、CT2。S卩,在實施方式I的液晶顯示面板中,在作為第一基板SUBl的一表面的相對面?zhèn)刃纬捎糜趯Ρ∧ぞw管的柵極絕緣膜、柵極線和漏極線進行絕緣的絕緣膜PAS1,在該絕緣膜PASl的上層形成有漏極線DL。在漏極線DL的上層形成有用于保護漏極線DL的絕緣膜PAS2,在該絕緣膜PAS2的上層形成有向液晶層LC側(cè)突出的凸?fàn)畹慕^緣膜PAS3。此時,薄膜晶體管TFT構(gòu)成為形成于絕緣膜PAS3的形成 區(qū)域即與壁電極PX的形成區(qū)域重疊的區(qū)域TA,由此在被黑矩陣(遮光膜)BM遮擋的區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管TFT,使像素的開ロ率提高。但是,薄膜晶體管TFT的形成位置并不限定于此,也可以是其它位置。另外,構(gòu)成作為像素電極的壁電極PX—部分的平面電極PX2形成于絕緣膜PAS2的上層。該平面電極PX2環(huán)狀地形成于絕緣膜PAS2的液晶面?zhèn)?,特別是,構(gòu)成為平面電極PX2的外緣部與壁狀電極PXl的下方側(cè)的周緣部一體地進行連接。即,在實施方式I的壁電極PX中,構(gòu)成為圓環(huán)狀地形成的壁狀電極PXl的下方側(cè)的周緣部在絕緣膜PAS2的上表面以規(guī)定寬度LI延伸而形成平面電極PX2。通過該結(jié)構(gòu),能夠防止從圓環(huán)狀地形成的壁狀電極PXl的下方側(cè)起的電カ線在絕緣膜PAS3的下方側(cè)即第一基板SUBl側(cè)迂回而朝向相鄰的像素PXL的壁電極PX。后面詳細進行說明。另外,在絕緣膜PAS2的上表面在像素PXL的圖中X方向的中間形成有在圖中Y方向上延伸的線狀電極CT1。另外,在第二基板SUB2側(cè)形成有與線狀電極CTl成對的線狀電極CT2。該線狀電極CTl與線狀電極CT2從液晶顯示面板的面內(nèi)方向即顯示面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)扔^察形成為至少一部分重疊,通過液晶層LC進行相對配置。通過該結(jié)構(gòu),將施加到被由一對線狀電極CTl與線狀電極CT2夾持的區(qū)域內(nèi)的液晶層LC的電位保持為同電位,形成將形成該壁狀的同電位的區(qū)域設(shè)為模擬的壁電極的公共電極(模擬壁電極)CT。此時,在成為模擬壁電極CT的區(qū)域即線狀電極CT1、CT2重疊的區(qū)域內(nèi)能夠驅(qū)動液晶分子,因此能夠防止在模擬壁電極CT的區(qū)域內(nèi)顯示模式效率降低。此外,后面詳細進行說明。另ー方面,在通過液晶層LC與第一基板SUBl相對配置的第二基板SUB2的表面內(nèi)、作為液晶層LC側(cè)的相對面?zhèn)壬闲纬捎凶鳛檎诠饽さ暮诰仃嘊M。該黑矩陣BM與以往同樣地形成于與相鄰像素PXL之間的區(qū)域內(nèi),沿各像素PXL的周緣部在X方向和Y方向上形成。但是,黑矩陣BM也可以是作為漏極線DL的延伸方向的Y方向等。另外,在第二基板SUB2的相對面?zhèn)劝疵總€像素PXL來形成有R(紅)、G(綠)、B (藍)中的任一個濾色器CF,根據(jù)RGB的像素PXL形成彩色顯示用的単位像素。另外,在濾色器CF的上層形成線狀電極CT2,線狀電極CT2形成于通過液晶層L與第一基板SUBl側(cè)的線狀電極CTl相対的位置。在濾色器CF的上層形成有公知的取向膜ORI從而覆蓋黑矩陣BM、濾色器CF以及線狀電極CT2。在由該結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式I的液晶顯示面板PNL的背面?zhèn)燃幢彻鈫卧獋?cè)粘貼偏振板POLl,并且在顯示面?zhèn)日迟N偏振板P0L2。此外,在本實施方式I中,設(shè)為將形成壁電極PX的平面電極PX2和線狀電極CTl形成于同一層的結(jié)構(gòu),但是,例如也可以是在線狀電極CTl的上層形成絕緣膜而在該絕緣膜的上層形成包括平面電極PX2的壁電極ST等的其它結(jié)構(gòu)。另外,形成成為像素電極的壁電極PX的壁狀電極PX1、平面電極PX2以及用于形成成為公共電極的模擬壁電極CT的線狀電極CT1、CT2例如能夠使用作為透明導(dǎo)電膜材料的IT0(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物)、氧化鋒類的 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide :氧化招鋒)以及 GZO(Gallium-doped ZincOxide :氧化鋅鎵)等。<壁電極的詳細效果>接著,圖4是用于說明本發(fā)明實施方式I的形成壁電極的平面電極寬度與最大顯示模式效率之間的關(guān)系以及平面電極寬度與提供最大顯示模式效率的驅(qū)動電壓之間的關(guān)系的圖,圖5是用于說明本發(fā)明的實施方式I的像素中的電カ線的分布的圖,以下,根據(jù)圖4以及圖5來詳細說明實施方式I的壁電極。但是,在圖5中,圖5的(a)示出不具有平面電極PX2即僅使用壁狀電極PXl形成壁電極PX的情況下的電カ線的分布,圖5的(b)示出具有平面電極PX2即使用壁狀電極PXl和平面電極PX2形成壁電極PX的情況下的電カ線的分布。此外,在實施方式I的液晶顯示面板PXL中,說明了將像素PXL的兩端的壁電極PX設(shè)為像素電極而將模擬壁電極CT設(shè)為公共電極的情況,但是也可以是將像素PXL的兩端的壁電極設(shè)為公共電極而將模擬壁電極設(shè)為像素電極的結(jié)構(gòu)。通過設(shè)為該結(jié)構(gòu),比將像素PXL的兩端的壁電極使用于像素電極的情況還能夠進一歩抑制后述的相鄰像素的黒色透過率。、
圖4示出的顯示模式效率是交替地排列白色顯示像素與黑色顯示像素時的ー個白色顯示像素的值,特別是,為消除由濾色器CF、偏振板P0L1、P0L2等的吸收的影響、開ロ率的影響的透過率。因而,在從背光單元側(cè)的偏振板POLl出射的直線偏振光的振動方向在入射到其相反側(cè)(顯示面?zhèn)?的偏振板P0L2時旋轉(zhuǎn)90度的情況下,顯示模式效率成為100%。根據(jù)表示圖4示出的平面電極寬度與最大顯示模式效率之間的關(guān)系的曲線圖rl可知,對于構(gòu)成實施方式I的壁電極PX的平面電極PX2的電極寬度LI存在最大顯示模式效率的最大值。即,在實施方式I的壁電極PX的結(jié)構(gòu)中,在不設(shè)置平面電極PX2的情況下的平面電極寬度LI為LI = 0 y m的情況下最大顯示模式效率為86 %,與此相対,在LI =2um的情況下最大顯示模式效率為最大值的88%。另外,在平面電極寬度LI為大于LI =
的LI = 3 iim的情況下,最大顯示模式效率下降到86%。因而,從曲線圖rl中平面電極寬度LI由LI = 0. 5 2. 8 ii m形成,由此能夠提高最大顯示模式效率,特別是優(yōu)選LI =
2レm0另外,根據(jù)表示平面電極寬度與提供最大顯示模式效率的驅(qū)動電壓(以下,稱為Vmax)之間的關(guān)系的曲線圖r2可知,通過加寬(擴大)平面電極PX2的電極寬度LI,使驅(qū)動電壓Vmax依次降低。這是由于,與増加平面電極寬度LI以及縮短壁電極PX與模擬壁電極CT之間的距離等效,能夠增加對壁電極PX與模擬壁電極CT之間施加的電場強度。因而,平面電極PX2能夠有助于液晶分子的驅(qū)動電壓的低電壓化。根據(jù)以上情況,在實施方式I的液晶顯示面板PNL中,將構(gòu)成壁電極PX的平面電極PX2的電極寬度LI形成為LI = 0. 5 2. 8 ii m,由此ー邊提高最大顯示模式效率ー邊能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動電壓的低電壓化。優(yōu)選將平面電極PX2的電極寬度LI形成為LI = 2 2. 8 ii m,由此ー邊使驅(qū)動電壓大幅地低電壓化ー邊能夠提高最大顯示模式效率。另外,如圖5的(a)所示,在不對像素兩端的壁電極PX設(shè)置平面電極、即壁電極PX僅使用壁狀電極PXl形成的情況下,成為像素電極的壁電極PX從模擬壁電極CT接近相鄰像素PXL的壁狀電極PX1,由此例如從圖5的(a)中左側(cè)的壁電極PX的下側(cè)(第一基板側(cè))邊部產(chǎn)生的電カ線LFl、LF2以及從圖5的(a)中右側(cè)的壁電極PX的下側(cè)邊部產(chǎn)生的電カ線LF1’、LF2’分別朝向相鄰像素的電極(壁電極PX)。其結(jié)果,作為像素電極的壁狀電極PXl與作為公共電極的模擬壁電極CT之間的電カ線LF的密度在壁電極PX附近變得密集(圖5的(a)中用DA表示),從壁電極PX分離的部位即模擬壁電極CT附近變得稀疏(圖5的(a)中用SA表示)。由此引起,各像素PXL內(nèi)的電極間的電場強度變得不均勻,從而導(dǎo)致顯示模式效率降低。另ー方面,如圖5的(b)所示,在壁電極PX中設(shè)置平面電極PX2即壁電極PX由壁狀電極PXl和平面電極PX2形成的情況下,能夠使壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電力線LF的密度均勻化。即,作為像素電極的壁狀電極PX與作為公共電極的模擬壁電極CT之間的電カ線LF的密度在壁電極PX附近變得密集(圖5的(b)中用DA表示),并且在從壁電極PX分離的區(qū)域即模擬壁電極CT附近也變得密集。該理由考慮兩個方面。其一,如上所述,由于在壁狀電極PXl中設(shè)置平面電極PX2而與模擬壁電極CT之間的距離變得狹窄,從而電カ線LF的密度的不均勻性得到抑制(理由I)。其ニ,電カ線LF從電極(壁狀電極PX1、平面電極PX2)垂直地產(chǎn)生以及兩個以上不 會交叉,由此從平面電極PX2的上表面(液晶層LC側(cè))產(chǎn)生的多個電カ線LF由于從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電カ線LF而向模擬壁電極CT的方向急劇彎曲。該電カ線(例如,電カ線LFl、LF2、LF1’、LF2’)通過平面電極PX2與模擬壁電極CT之間不朝向相鄰像素的電極而到達模擬壁電極CT,從而有助于抑制壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電カ線LF的密度的變化。因而,通過使用壁狀電極PXl和平面電極PX2形成壁電極PX,來能夠抑制不設(shè)置平面電極PX2的情況下的電場強度的不均勻性(理由2)。根據(jù)該理由1、2,通過對壁電極PX設(shè)置平面電極PX2,認為能夠抑制由像素PXL內(nèi)的電場強度不均勻引起的顯示模式效率的降低。即,通過形成平面電極PX2,能夠使各像素內(nèi)的全部區(qū)域內(nèi)的電カ線LF密集,能夠有效地驅(qū)動液晶分子,因此能夠提高顯示模式效率。此時,如圖4所示,最大顯示模式效率在平面電極PX2的長度(電極寬度)LI為
2時變?yōu)轫旤c,變得更長時降低。這是由于,當(dāng)平面電極PX2變長時液晶層厚度方向(Z方向)的電カ線LF的成分的比例増加,因此形成液晶層LF的液晶分子的傾斜角増大,從而無法得到所需的相位差。因而,需要適當(dāng)?shù)剡x擇壁電極PX的平面電極PX2的長度使得像素PXL內(nèi)的電場不會變得過于成為縱向電場。接著,圖6是表示本發(fā)明實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中的平面電極長度與黒色顯示時的布線電位5V時的黑色透過率的關(guān)系的圖,圖7是表示本發(fā)明的實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中的平面電極長度與相鄰像素的黒色透過率的關(guān)系的圖,以下,根據(jù)圖6以及圖7,說明抑制由實施方式I的壁電極引起的黑色顯示時對于布線電位的黒色透過率增加的效果。此外,圖6以及圖7示出的測量結(jié)果是對于漏極線DL的結(jié)果。在布線中存在漏極線DL和柵極線GL,這些布線電位成為使液晶取向充分變化的電位,在實施方式I中從布線產(chǎn)生的電カ線也有可能使黒色顯示時的透過率(以下稱為黑色透過率)增加。根據(jù)圖6的曲線圖r3可知,在壁電極中不設(shè)置平面電極的情況即LI = 0(零)的情況下,黒色透過率大約成為0. 5%,與此相対,平面電極PX2的長度LI為LI = 0. 5 ii m且黒色透過率成為0. 1%以下,在平面電極PX的長度LI為LI = Ium以上的情況下黑色透過率成為0.06%以下。根據(jù)該曲線圖r3,優(yōu)選平面電極PX2的長度LI為LI = 0. 5iim以上,更優(yōu)選LI = I ii m以上。根據(jù)該結(jié)果,在壁電極PX中不設(shè)置平面電極PX2的情況下,從布線產(chǎn)生的電カ線通過液晶層到達與該布線接近的壁狀電極PX1,因此液晶容易工作而使黑色顯示模式效率增加。另ー方面,當(dāng)對壁電極PX設(shè)置平面電極PX2吋,從布線產(chǎn)生的電カ線在平面電極PX2的下表面被遮蔽,因此能夠減少到達液晶的電カ線的個數(shù)。其結(jié)果,能夠通過延長平面電極PX2來遮蔽更多的電カ線,從而能夠抑制由布線電位引起的黒色透過率的増加。另外,根據(jù)圖7的曲線圖r4可知,平面電極PX2也對與白色顯示像素相鄰的黑色顯示像素的黒色透過率的抑制產(chǎn)生效果。即,如圖7所示,在壁電極PX中不設(shè)置平面電極PX2的情況即平面電極PX2的長度LI為LI =0(零)的情況 下,相鄰像素的黒色透過率大約成為3.4%,與此相對,平面電極?乂2的長度LI為LI = 0. 5 iim以上的情況下,相鄰像素的黒色透過率能夠減小到LI = 0 y m時即不設(shè)置平面電極PX2時的一半以下的I. 5%以下。并且,在平面電極PX的長度LI為LI = Ium的情況下,相鄰像素的黒色透過率能夠減小到LI = Oiim時的1/4左右的0.9%。根據(jù)該曲線圖r4,優(yōu)選平面電極PX2的長度LI為LI =0. 5 u m以上,更優(yōu)選LI = I y m以上。根據(jù)該結(jié)果,在壁電極PX中不設(shè)置平面電極PX2的情況下,從白色顯示像素的壁電極PX產(chǎn)生的電カ線從該壁電極PX的第二基板SUB2側(cè)以及第一基板SUBl側(cè)的邊部兩者迂回而到達相鄰像素PXL的壁電極PX,從而相鄰像素PXL的液晶(液晶分子)容易工作而使黒色透過率增加。另ー方面,能夠遮蔽通過形成該平面電極PX2的第一基板SUBl到達相鄰像素PXL的電カ線,因此能夠減小相鄰像素PXL的黒色透過率。根據(jù)這些情況,通過對壁電極PX設(shè)置平面電極PX2,對于相鄰像素PXL的黒色透過率的増加也起到抑制效果。如上所述,通過對壁狀電極PX設(shè)置平面電極PX2,起到液晶的低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黒色透過率增加以及抑制相鄰像素的黒色透過率的増加的效果。<模擬壁電極的詳細效果>如上所述,實施方式I的液晶顯示裝置中的模擬壁電極CT相對于像素PXL的寬度方向(圖2、3中的X方向)被配置于設(shè)置在像素PXL的兩端的壁電極PX之間,由在像素PXL的長度方向(圖2、3中的Y方向)上延伸的線狀電極CT1、CT2形成。即,實施方式I的模擬壁電極CT具有以下結(jié)構(gòu)對通過液晶層LC相對配置的第一基板SUBl與第二基板SUB2中設(shè)置同電位的線狀電極CT1、CT2,由此在重疊區(qū)域內(nèi)作為模擬的壁電極而起作用,對像素PXL的兩端的壁電極PX與模擬壁電極CT之間容易施加橫向電場。通過該結(jié)構(gòu),得到以下效果,即能夠抑制壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電場強度的不均勻性,能夠提高顯示模式效率。例如,在像素PXL的兩端設(shè)置像素電極和公共電極的情況下、即將實施方式I的壁電極PX內(nèi)的ー個壁電極PX設(shè)為像素電極而將另ー個壁電極PX設(shè)為公共電極的情況下,在ー對壁電極PX的間隔窄的情況下,能夠使電極間具有均勻的電場強度,但是在電極間隔大的情況下,電極間的電場強度變得不均勻。與此相對,在實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中,構(gòu)成為將形成于像素PXL的兩端的壁電極PX均設(shè)為像素電極,將在該壁電極PX之間的區(qū)域內(nèi)形成模擬壁電極CT的該模擬壁電極CT設(shè)為公共電極,因此與使像素電極與公共電極之間的電極間距離縮短的情形變得等效,從而能夠抑制在作為像素電極的壁電極PX與作為公共電極的模擬壁電極CT之間產(chǎn)生的電場強度的不均勻性。并且,還對模擬壁電極CT上的液晶(液晶分子)即線狀電極CTl與線狀電極CT2重疊的區(qū)域的液晶分子施加電場,因此模擬壁電極CT上的液晶即線狀電極CTl與線狀電極CT2重疊的區(qū)域的液晶分子也能夠動作(驅(qū)動),從而能夠有助于圖像顯示。因而,能夠在像素整體中實現(xiàn)高顯示模式效率。另外,模擬壁電極CT的寬度越窄則該模擬壁電極CT附近的電場強度越強,因此能夠容易地使模擬壁電極CT上的液晶動作。因而,通過縮小模擬壁電極CT的寬度,來能夠提高像素整體的顯示模式效率。關(guān)于該效果,即使模擬壁電極CT的第二基板SUB2側(cè)的線狀電極CT2的電極寬度W2與第一基板SUBl側(cè)的線狀電極CTl的電極寬度Wl不同也得到的相同的效果。這是由干,即使電極的寬度Wl、W2不同,電カ線也通過模擬壁電極CT上的液晶。但是,當(dāng)模擬壁電極CT的寬度W1、W2過于寬時,電カ線無法通過模擬壁電極CT上的液晶,因此液晶不進行動作,從而使顯示模式效率降低。根據(jù)該情況,第二基板SUB2側(cè)和第一基板SUBl側(cè)的線狀電極CT1、CT2需要選擇能夠使模擬壁電極CT上的液晶進行動作的范圍 內(nèi)的寬度W1、W2。特別是,優(yōu)選將線狀電極CT2的電極寬度W2形成為大于線狀電極CTl的電極寬度W1。壁電極PX附近的電場由于從壁狀電極PXl產(chǎn)生的橫向方向的電カ線以及從平面電極PX2產(chǎn)生的縱向方向的電カ線從附圖觀察容易朝向右上方向,因此為了使壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電場均勻化,還需要將模擬壁電極CT附近的電場設(shè)定為在右上方向上產(chǎn)生。將模擬壁電極CT2的電極寬度W2設(shè)定為大于Wl有效地使模擬壁電極CT附近的電場在右上方向上產(chǎn)生。通過將模擬壁電極CT2的W2設(shè)定為大于Wl,模擬壁電極CT附近的電場容易地在右上方向上產(chǎn)生,因此壁電極PX與模擬壁電極CT附近的橫向電場成分變得均勻化。因而,能夠得到高顯示模式效率。另ー方面,當(dāng)將模擬壁電極CTl的電極寬度Wl設(shè)定為大于W2時,模擬壁電極CT附近的電場容易地在右下方向上產(chǎn)生,因此壁電極PX附近與模擬壁電極CT之間的橫向電場成分變得不均勻。因而,顯示模式效率降低。根據(jù)以上情況,優(yōu)選將線狀電極CT2的電極寬度W2形成為大于線狀電極CTl的電極寬度Wl。設(shè)為上述實施方式I的壁電極PX由透明導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu),但是并不限定于透明導(dǎo)電膜。例如,在像素PXL的兩端的壁電極PX被由黑矩陣BM隱藏的情況下,在壁電極PX的電極材料中能夠使用金屬材料。關(guān)于使用于透明電極的ITO膜,膜的大部分為非晶質(zhì),但是其一部分結(jié)晶化。這樣,當(dāng)ITO膜的一部分產(chǎn)生結(jié)晶化的部分吋,該部分的蝕刻速度小于非晶質(zhì)的部分兩位數(shù)左右,因此在之后進行蝕刻時,作為所謂蝕刻殘渣而保留。與此相對,在壁電極PX的材料為金屬電極的情況下,金屬的膜質(zhì)變得均勻,因此能夠使膜內(nèi)的蝕刻速度均勻。因此,不易產(chǎn)生蝕刻殘渣,不易產(chǎn)生布線短路等問題。因而,液晶顯示器的成品率提高,而使低成本化。然而,金屬電極的透過率大致為0%,因此當(dāng)對像素PXL的開ロ部配置金屬電極時透過率降低。因而,在將金屬電極應(yīng)用于壁電極PX的材料中的情況下,優(yōu)選壁電極PX的寬度L2比黑矩陣的寬度L3窄。即,優(yōu)選壁電極的寬度L2為0 < L2彡L3的范圍內(nèi)。如上所述,在實施方式I的液晶顯示裝置中,在通過液晶層LC相對配置的第一基板SUBl和第二基板SUB2內(nèi),在第一基板SUBl的液晶層LC側(cè)(相對面?zhèn)?形成像素電極PX和線狀電極CT1,在第二基板SUB2的液晶層LC側(cè)形成線狀電極CT2。該線狀電極CT1、CT2通過液晶層LC被重疊配置,形成模擬的壁狀的公共電極。另外,具有以下結(jié)構(gòu)在第一基板SUBl的相對面?zhèn)妊叵袼貐^(qū)域的至少相對的ー對邊緣部而形成凸?fàn)畹呐_階,在該臺階的側(cè)壁面形成壁狀電極,并且在從該側(cè)壁面延伸的平面部分中形成平面電極而形成像素電極,通過對該像素電極與公共電極之間施加的電場來驅(qū)動液晶層的液晶分子,因此能夠提高顯示模式效率(最大顯示模式效率)。此外,在實施方式I的結(jié)構(gòu)中,設(shè)為形成壁電極PX的壁狀電極PXl在與第二基板SUB2的相對面之間具有規(guī)定的間隔的結(jié)構(gòu),但是并不限定于此。例如,也可以是以下結(jié)構(gòu)絕緣膜PAS3形成柱狀間隔物,在該絕緣膜PAS3的側(cè)壁面形成壁狀電極PXl的情況等那樣,壁狀電極PXl到達第二基板SUB2?!磳嵤┓绞?>圖8是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,以下,根據(jù)圖8說明實施方式2的液晶顯示裝置。但是,在實施方式2的液晶顯示裝置中,僅是在作為布線的漏極線DL的下層即第一基板SUBl側(cè)形成遮蔽電極CE的結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置不同,其它結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置相同。因而,在以下說明中,詳細說明遮蔽電極CE。此外,在以下說明中,說明在作為布線的漏極線DL的下層形成遮蔽電極CE的情況,但是也可以在柵極線的下層形成遮蔽電極CE的結(jié)構(gòu)。并且,也可以與漏極線DL—起在柵極線的下層形成遮蔽電極CE。另外,在以下說明中,說明對遮蔽電極CE施加0(零)V的電壓的情況,但是也可以施加其它電壓。如圖8所示,在實施方式2的液晶顯示裝置中,通過液晶層LC與第一基板SUBl相對配置的第二基板SUB2具有與實施方式I示出的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。另ー方面,在第一基板SUBl中,在形成于像素區(qū)域內(nèi)的作為布線的漏極線DL的下層通過絕緣膜PASl配置有遮蔽電極CE。此時,遮蔽電極CE沿漏極線DL而形成,與漏極線DL同樣地,在顯示區(qū)域內(nèi)在Y方向上延伸而在X方向上并行設(shè)置。即,成為在形成壁電極PX的壁狀電極PXl所形成的絕緣膜PAS3與遮蔽電極CE之間的區(qū)域內(nèi)形成布線(漏極線DL、柵極線GL)的結(jié)構(gòu)。S卩,在實施方式2的液晶顯示裝置中,在第一基板SUB I的上表面?zhèn)?相對面?zhèn)?形成成為遮蔽電極CE的導(dǎo)電性薄膜,在包括該遮蔽電極CE的上層的第一基板SUBl上表面形成有絕緣膜PASl。在絕緣膜PASl的上表面形成漏極線DL,在其上表面形成有絕緣膜PAS2使得覆蓋第一基板SUBl的相對面?zhèn)?。在絕緣膜PAS2的上層中,在漏極線DL的上層沿像素PXL的區(qū)域而形成凸?fàn)畹慕^緣膜PAS3,在該絕緣膜PAS3的側(cè)壁面形成有相鄰像素的壁狀電極PX1。此時,在絕緣膜PAS2的上表面沿壁狀電極PXl的第一基板SUBl側(cè)的邊緣部而形成平面電極PX2,由壁狀電極PXl和平面電極PX2形成本申請的發(fā)明的壁電極PX。另外,絕緣膜PAS2的上表面形成線狀電極CT1,由形成于第二基板SUB2的線狀電極CT2和線狀電極CTl形成成為公共電極的模擬壁電極CT。另外,在第一基板SUBl的表面形成取向膜ORI使得覆蓋壁電極PX和線狀電極CT1,成為對在與第二基板SUB2之間夾持的液晶層LC的初始取向進行控制的結(jié)構(gòu)。接著,圖9是表示由本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的每個遮蔽電極的寬度的平面電極長度引起的顯示模式效率増加率的圖,圖10是表示本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置中的壁電極與模擬壁電極之間的參數(shù)說明圖,以下,根據(jù)圖9以及圖10,說明實施方式2的液晶顯示裝置。但是,圖9示出的基準(zhǔn)值(100%)是遮蔽電極寬度Xl和平面電極的長度LI分別為O y m即沒有設(shè)置遮蔽電極寬度Xl和平面電極PX2的情況,曲線圖r5是在遮蔽電極寬度Xl為Xl = O y m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的顯示模式效率增加率,曲線圖r6是在遮蔽電極寬度Xl為Xl = 2 ii m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的顯示模式效率増加率,曲線圖r7是在遮蔽電極寬度Xl為Xl = m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的顯示模式效率増加率。如圖10所示,在以下說明 中,將形成于漏極線DL下層的遮蔽電極CE的電極寬度(X方向的寬度)設(shè)為XI,將與壁電極PX的形成區(qū)域重疊形成的黑矩陣BM的寬度(X方向的寬度)設(shè)為L3。另外,將從平面電極PX2的液晶面?zhèn)戎恋诙錝UB2的距離即液晶層LC的厚度設(shè)為d。并且,將由壁狀電極PXl與平面電極PX2構(gòu)成的壁電極PX中的、從由分別形成于ー個凸?fàn)铙w(絕緣膜3)的側(cè)壁面上的相鄰像素中的壁狀電極PXl與平面電極PX2構(gòu)成的一側(cè)的像素的壁電極PX的端部至另ー側(cè)的像素的壁電極PX的端部為止的距離設(shè)為壁電極PX的電極寬度L2,其中,上述壁狀電極PXl形成于在與相鄰像素之間形成的凸?fàn)铙w即絕緣膜PAS3的側(cè)壁面。即,本說明書中的壁電極PX的電極寬度L2是從形成于ー個絕緣膜PAS3的一個相鄰像素的平面電極PX2的內(nèi)側(cè)邊緣部至另ー個相鄰像素的平面電極PX2的內(nèi)側(cè)邊緣部為止的間隔。根據(jù)圖9可知,在平面電極PX2的電極長度LI為0 ii m而遮蔽電極CE的電極寬度Xl為(曲線圖r6)以及4pm(曲線圖r7)的情況下,顯示模式效率増加率相對于基準(zhǔn)值成為95. 7 %、89. 8 %,大幅下降。這是由于,當(dāng)增加遮蔽電極CE的寬度Xl時壁電極PX與遮蔽電極CE之間的距離(間隔)接近,從壁電極PX產(chǎn)生的電カ線LF容易到達遮蔽電極CE。其結(jié)果,從壁電極PX朝向模擬壁電極CT的電カ線LF減少,壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電場強度變得不均勻。另ー方面,根據(jù)曲線圖r6、r7可知,在遮蔽電極CE的電極寬度Xl為的情況下,在平面電極長度LI分別為2 y m、3 y m中顯示模式效率變得最大,相對于基準(zhǔn)值能夠改善到99. 5%、97. 9%。該理由考慮以下情況。從平面電極PX2的上表面產(chǎn)生的多個電カ線LF由于從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電カ線LF而急劇彎曲到達模擬壁電極CT。該電カ線LF通過平面電極PX2與模擬壁電極CT之間不朝向相鄰像素PXL的電極,就能夠使壁電極PX與模擬壁電極CT之間的電カ線LF的密度分布均勻化,因此認為能夠抑制電場強度的不均勻性。此外,如曲線圖r5所示,在遮蔽電極CE的電極寬度Xl為X1 = 0(零)即不設(shè)置遮蔽電極CE的情況下,在平面電極長度LI為2 ii m時模式效率始終為最大。即,通過對壁電極PX設(shè)置平面電極PX2,能夠抑制由遮蔽電極CE引起的顯示模式效率的降低。然而,當(dāng)平面電極PX2比液晶層厚度d過于長時顯示模式效率降低。其理由考慮兩種情況。其一,如實施方式I所述,當(dāng)平面電極PX2過長時對平面電極PX2上的液晶施加縱向電場,液晶層LC的液晶分子的傾斜角増大,從而存在無法得到所需的相位差這種問題。其ニ,當(dāng)平面電極PX2比壁狀電極PXl過于長時,從平面電極PX2產(chǎn)生的電カ線LF變得多于從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電カ線LF,對壁電極PX與模擬壁電極CT之間施加的橫向電場成分變小。當(dāng)考慮形成液晶面板PNL的第二基板SUB2與第一基板SUB I之間的粘貼エ序吋,壁狀電極PXl的高度變?yōu)橐壕覮C的厚度d以下,因此在壁電極PX的高度ロ液晶層厚度d的情況下,平面電極PX2的長度LI為成為液晶層厚度d以下的范圍LI彡d。另外,根據(jù)上述實施方式I可知,優(yōu)選將平面電極PX2的長度LI設(shè)為0. 5 彡LI。根據(jù)上述情況,在壁電極PX的高度彡液晶層厚度d的情況下,平面電極PX2的長度LI優(yōu)選為0. 5彡LI彡d(iim)的范圍內(nèi)。另ー方面,在壁電極的高度Hl變得大于液晶層厚度d的情況下,當(dāng)平面電極PX2變得比壁狀電極PXl短時,從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電カ線LF變得多于從平面電極PX2產(chǎn)生的電カ線LF,對壁電極PX與模擬壁電極CT之間施加的橫向電場成分變大。另一方面,當(dāng)平面電極PX2的長度變得大于壁電極的高度Hl時,與上述理由同樣地,對平面電極PX2上的液晶施加縱向電場,液晶層LC的液晶分子的傾斜角増大,從而存在無法得到所需的相位差這種問題,因此顯示模式效率降低。因而,在壁電極的高度Hl>液晶層厚度d的情況下,平面電極PX2的長度LI為成為壁電極的高度Hl以下的范圍LI <H1。另外,根據(jù)上述實施方式I可知,優(yōu)選將平面電極PX2的長度LI設(shè)為0. 5 y m < LI。根據(jù)上述情況,在壁電極的高度Hl>液晶層厚度d的情況下,平面電極PX2的長度L I優(yōu)選為0. 5 < LI < Hl的范圍內(nèi)。另外,在實施方式2的液晶顯示裝置中,形成壁電極PX的平面電極PX2也起到抑制由黒色顯示時的布線(漏極線DL等)的電位引起的黒色透過率增加的效果。圖11是表、示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的每個遮蔽電極寬度的壁電極的平面電極的長度與黒色顯示時的透過率之間的關(guān)系的圖。但是,圖11示出的黒色透過率是黒色顯示時的漏極線DL的布線電位為5 (V)時的黑色透過率的測量值。另外,在圖I示出的黒色透過率中,曲線圖r8是遮蔽電極寬度Xl為0 y m即沒有設(shè)置遮蔽電極的情況,曲線圖r9示出在遮蔽電極寬度Xl為0. 5 ii m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的黑色透過率,曲線圖rlO示出在遮蔽電極寬度Xl為2 ii m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的黒色透過率,曲線圖rll示出在遮蔽電極寬度Xl為4 的情況下對于平面電極PX2的長度LI的黒色透過率。根據(jù)圖11可知,即使在平面電極PX2的長度LI為Oiim即沒有設(shè)置平面電極PX2的情況下,根據(jù)曲線圖r9 曲線圖rll可知,在遮蔽電極寬度Xl為0. 5iim時黑色透過率為0. 09%左右,在Xl = 2iim時黑色透過率為0. 06%左右,在Xl = 4iim時黑色透過率為0.03%左右。另ー方面,在遮蔽電極寬度Xl為Oiim即沒有設(shè)置遮蔽電極CE的情況下,LI=0時的透過率為0. 48%,因此通過設(shè)置遮蔽電極CE能夠抑制即減小黒色透過率。另外,根據(jù)曲線圖r9 曲線圖rll可知,在形成平面電極PX2而其電極長度LI為LI = 0. 5um以上的情況下,在增加電極長度LI的情況下,與平面電極長度L的增加一起黑色透過率減小,逐漸接近遮蔽電極寬度Xl為m時的黑色透過率。因而,當(dāng)根據(jù)與實施方式I相同的理由來延長平面電極PX2的長度LI時,能夠抑制由布線電位(漏極線DL的電位)的影響引起的黒色透過率增加。另ー方面,當(dāng)設(shè)置于布線下面的遮蔽電極CE的電極寬度Xl擴大(變大)時,能夠進一歩抑制由布線電位的影響引起的黒色透過率增加。這是由于,在不設(shè)置遮蔽電極CE的情況下,從布線的下表面(第一基板SUBl側(cè))產(chǎn)生的電カ線LF到達壁電極PX而液晶進行動作,因此黑色透過率增加,與此相對,在設(shè)置遮蔽電極CE的情況下,從布線的下表面產(chǎn)生的電カ線LF被由遮蔽電極CE遮蔽,從而能夠抑制到達液晶的電カ線LF。因而,遮蔽電極CE起到能夠抑制由布線電位引起的黒色透過率的效果。并且,在實施方式2的液晶顯示裝置中,也與實施方式I同樣地,相鄰像素也具備抑制黑色顯示時的黑色透過率增加的效果。以下,圖12是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯、示裝置中的每個遮蔽電極寬度的壁電極的平面電極的長度與相鄰像素的黑色透過率之間的關(guān)系的圖,圖13是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中的遮蔽電極寬度與相鄰像素的黑色透過率之間的關(guān)系的圖,說明實施方式2的液晶顯示裝置中的相鄰像素抑制黑色顯示時的黑色透過率增加的抑制效果。在圖12示出的曲線圖中,曲線圖rl2是遮蔽電極寬度Xl為Oiim即沒有設(shè)置遮蔽電極的情況,曲線圖rl3示出在遮蔽電極寬度Xl為0. 5 的情況下對于平面電極PX2的長度LI的相鄰像素的黑色透過率,曲線圖rl4示出在遮蔽電極寬度Xl為2 y m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的相鄰像素的黑色透過率,曲線圖rl5示出在遮蔽電極寬度Xl為m的情況下對于平面電極PX2的長度LI的相鄰像素的黑色透過率。另外,圖13示出的曲線圖rl6示出構(gòu)成壁電極PX的平面電極PX2的電極長度LI為LI = 2 ii m的情況下的遮蔽電極寬度Xl與相鄰像素的黑色透過率之間的關(guān)系。根據(jù)圖12可知,即使在平面電極PX2的長度LI為Oiim即沒有設(shè)置平面電極PX2的情況下,根據(jù)曲線圖rl3 曲線圖rl5可知,在遮蔽電極寬度Xl為0. 5 y m時相鄰像素的黑色透過率為0.9%左右,在Xl = 2 iim時相鄰像素的黑色透過率為0. 19%左右,在X2 =4um時相鄰像素的黑色透過率為0. 03%左右。另一方面,在遮蔽電極寬度Xl為0 ii m時即 沒有設(shè)置遮蔽電極CE的情況下,LI = 0時的相鄰像素的透過率為I. 2%,因此通過設(shè)置遮蔽電極CE來能夠抑制即減小相鄰像素的黑色透過率。特別是,根據(jù)圖12的曲線圖rl3 曲線圖rl5可知,在形成電極長度LI為0. 5iim以上的平面電極PX2而進一步延長其長度LI的情況下,與平面電極長度L的增加一起相鄰像素的黑色透過率減小,逐漸接近遮蔽電極寬度Xl為4 ii m時的相鄰像素的黑色透過率。這樣,在實施方式2的液晶顯示裝置中,也與實施方式I同樣地,當(dāng)平面電極PX2延長時,壁電極PX與模擬壁電極CT之間的距離縮短,由平面電極PX2對到達形成相鄰像素的液晶層LC的電力線LF進行遮蔽,因此,能夠抑制相鄰像素的黑色透過率的增加,優(yōu)選將平面電極PX2的電極長度LI設(shè)為0. 5iim以上。另外,根據(jù)圖13的曲線圖r 16可知,在壁電極的平面電極為2 iim的情況下的遮蔽電極CE的電極寬度Xl與相鄰像素的黑色透過率之間的關(guān)系中,與延長上述平面電極PX2的長度LI的情況同樣地,如上所述當(dāng)使遮蔽電極CE的電極寬度Xl擴大時能夠使相鄰像素的黑色透過率減小。根據(jù)該情況,即使是最小寬度,僅通過設(shè)置遮蔽電極CE,也能夠得到其效果。然而,考慮當(dāng)使遮蔽電極CE的電極寬度Xl擴大時顯示模式效率大幅降低。該現(xiàn)象是由于,當(dāng)遮蔽電極CE的電極寬度Xl比壁電極PX的電極寬度L2長時變得明顯,在平面電極PX2與遮蔽電極CE之間容易產(chǎn)生縱向方向(傾斜方向)的電場即邊緣電場,因此在壁電極PX與模擬壁電極CT之間難以施加電場。根據(jù)該情況,期望遮蔽電極寬度Xl為比壁電極寬度L2窄的Xl < L2。另外,根據(jù)圖13可知,當(dāng)遮蔽電極寬度Xl從0. 5 iim變化到I. Oiim時相鄰像素的黑色透過率從0. 09減小到0. 07即減小18%,與此相對,當(dāng)從0 ii m變化到0. 5 y m時相鄰像素的黑色透過率從0. 17減小到0. 09即減小44%。即,通過將遮蔽電極寬度Xl設(shè)為0. 5 ii m以上,能夠?qū)⑾噜徬袼氐暮谏高^率設(shè)為0. 10以下,并且能夠有效地對從布線(漏極線DL、柵極線等)產(chǎn)生的電力線LF以及從白色顯示像素的平面電極PX2的下表面產(chǎn)生的電力線LF減小遮蔽。根據(jù)以上效果,優(yōu)選遮蔽電極寬度Xl為0.5彡Xl彡L2(iim)的范圍內(nèi)。
這是由于,從白色顯示像素的壁電極PX產(chǎn)生的電力線LF在沒有設(shè)置遮蔽電極CE的情況下通過布線的下表面(第一基板SUBl側(cè))到達相鄰像素,與此相對,在設(shè)置于遮蔽電極CE的情況下通過遮蔽電極CE附近的電力線LF被由遮蔽電極CE遮蔽。這樣,遮蔽電極CE兼?zhèn)湔诒尾季€電位的效果以及抑制相鄰像素的黑色透過率的效果兩者。根據(jù)上述情況,即使在配置遮蔽電極CE的情況下,通過設(shè)置平面電極PX2,也起到低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位的影響引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加的效果,遮蔽電極CE起到抑制由布線電位的影響引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加的效果。但是,遮蔽電極CE也可以是并非OV的電壓或者固定電壓的浮動的狀態(tài)。在遮蔽電極CE為浮動的情況下,在圖5的(a)示出的以往結(jié)構(gòu)中,有可能在遮蔽電極CE中積存電荷而黑色顯示時黑色透過率增加。與此相對,在本申請的發(fā)明的實施方式2的結(jié)構(gòu),構(gòu)成為壁電極PX具備平面電極PX2,因此從充電后的遮蔽電極CE產(chǎn)生的電力線LF被由平面電極 PX2遮蔽,因此能夠抑制黑色透過率的增加。因而,即使在遮蔽電極CE為浮動的情況下,也一邊抑制由充電引起的黑色透過率的增加,一邊與上述效果同樣地起到低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加的效果?!磳嵤┓绞?>圖14是用于說明本發(fā)明實施方式3的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,圖15是用于說明本發(fā)明實施方式3的壁電極的詳細結(jié)構(gòu)的截面圖。但是,在實施方式3的液晶顯示裝置中,僅是在第一基板SUB I側(cè)形成壁電極PX的結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置不同,其它結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置相同。因而,在以下說明中,詳細說明壁電極PX的結(jié)構(gòu)。另外,在實施方式3的液晶顯示裝置中,也說明了將像素PXL的兩端的壁電極 PX設(shè)為像素電極而將模擬壁電極CT設(shè)為公共電極的情況,但是也可以設(shè)為將像素PXL的兩端的壁電極設(shè)為公共電極而將模擬壁電極設(shè)為像素電極的結(jié)構(gòu)。如圖14以及圖15所示,在實施方式3的液晶顯示裝置中,具有在像素PXL的區(qū)域內(nèi)分別形成凸?fàn)畹慕^緣膜PAS3的結(jié)構(gòu),在該絕緣膜PAS3的側(cè)壁面內(nèi)在各像素PXL區(qū)域的外側(cè)的側(cè)壁面(外側(cè)壁面)形成壁狀電極PX1。另外,與壁狀電極PXl進行電連接的平面電極PX2形成于絕緣膜PAS3的下層側(cè),與壁狀電極PXl進行電連接的平面電極(第二平面電極)PX3形成于絕緣膜PAS3的上層側(cè)。特別是,在實施方式3中,在絕緣膜PAS3的下側(cè)面(第一基板SUBl側(cè)面)即絕緣膜PAS2與絕緣膜PAS3之間形成平面電極PX2,在絕緣膜PAS3的上表面?zhèn)?液晶層LC側(cè)的面、相對面?zhèn)?即絕緣膜PAS3與取向膜ORI之間形成平面電極PX3。此時,平面電極PX2、PX3的邊緣部中的、壁狀電極PXl側(cè)的邊緣部與該壁狀電極PXl的邊緣部連續(xù)地形成,壁狀電極PXl與平面電極PX2、PX3進行電連接,形成通過模擬壁電極CT與第一基板SUBl側(cè)的面內(nèi)方向相對配置的壁電極PX。由此,構(gòu)成在壁狀電極PXl的上下端具有以從該壁狀電極PXl的邊緣部向模擬壁電極CT側(cè)突出的方式延伸的平面電極PX2、PX3的壁電極PX。即,在實施方式3的液晶顯示裝置中,具有與第一基板SUBl相抵接的平面電極PX2以及與第二基板SUB2接近的平面電極PX3,平面電極PX2、PX3從壁狀電極PXl的邊緣部向作為像素PXL的透過區(qū)域的模擬壁電極CT側(cè)延伸而形成。
在本實施方式3的壁電極PC的形成工藝中,在絕緣膜PASl的上層形成布線(漏極線DL等),形成絕緣膜PAS2使得覆蓋該布線等之后,成膜成為平面電極PX2的導(dǎo)電性薄膜,通過圖案形成來形成平面電極PX2。接著,在平面電極PX2的上層形成壁狀(凸?fàn)?的絕緣膜PAS3,在該壁狀的絕緣膜PAS3的上層即側(cè)壁面和上表面形成透明電極,形成壁狀電極PXl和平面電極PX3。在該情況下,設(shè)為以下結(jié)構(gòu)壁電極PX形成為不與相鄰像素的壁電極PX相連接即不形成電氣上的短路,并且平面電極PX2與壁狀的絕緣膜上的透明電極(壁狀電極PXl)在用兩點劃線表示的像素邊界部一側(cè)相連接。S卩,在實施方式3的壁電極PX中,按照每個像素PXL在該像素PXL的長度方向(Y方向)上模擬壁電極CT (線狀電極CT1、CT2)延伸形成。另外,在與該線狀電極CTl的延伸方向正交的方向(X方向)的一對邊緣部即長度方向的邊緣部中形成有通過薄膜晶體管TFT被提供相同影像信號的壁電極PX。此時,在實施方式3的壁電極PX中,根據(jù)像素PXL的寬度方向(XZ平面)的截面圖即圖15可知,在壁電極PX的截面結(jié)構(gòu)中,構(gòu)成為形成壁電極PX
的壁狀電極PXl和平面電極PX2、PX3形成為C字狀,在模擬壁電極CT側(cè)打開壁電極PX的開口部(C字狀的開口部)。通過該結(jié)構(gòu),從壁狀電極PXl延伸的從上下的平面電極PX2、PX3產(chǎn)生的電力線LF由于從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電力線LF急劇彎曲而到達模擬壁電極CT的個數(shù)變多,從而能夠抑制電場強度的不均勻性。其結(jié)果,在實施方式3的液晶顯示裝置中,除了得到實施方式I的液晶顯示裝置的效果以外,也能夠得到能夠進一步提高像素整體的顯示模式效率的特別的效果。并且,在壁狀電極PXl的上側(cè)和下側(cè)設(shè)置有平面電極PX2、PX3,因此還能夠提高抑制由作為布線的漏極線DL的電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加的效果。根據(jù)上述情況,在實施方式3的液晶顯示裝置中,能夠進一步得到低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加的效果。另外,在實施方式3的液晶顯示裝置中也可以使用金屬薄膜形成壁電極PX,即使在使用金屬電極形成壁電極PX的情況下,也與實施方式I同樣地,能夠提高液晶顯示器的成品率,使液晶顯示裝置低成本化。但是,即使在使用金屬薄膜形成實施方式3的壁電極PX的情況下,也與實施方式I同樣地,優(yōu)選在用兩點劃線表示的像素邊界部接近配置的兩個壁電極PX的寬度比黑矩陣的寬度窄。并且,如圖16示出的用于說明本發(fā)明的實施方式3的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖16示出的其它液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PASl來配置遮蔽電極CE。即,形成絕緣膜PASl使得覆蓋形成于第一基板SUBl的液晶層LC側(cè)(相對面?zhèn)?的遮蔽電極CE,在該絕緣膜PAS2的上層形成漏極線DL。此時,遮蔽電極CE形成為與漏極線DL重疊,與漏極線DL —起在Y方向上延伸而在X方向上并行設(shè)置。此時,漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖14示出的液晶顯示裝置相同,覆蓋包括該漏極線DL的第一基板SUB I的表面的絕緣膜PAS2、形成臺階的絕緣膜PAS3、構(gòu)成壁電極PX的壁狀電極PXl和平面電極PX2、PX3以及構(gòu)成模擬壁電極CT的線狀電極CT1,在其上層形成取向膜ORI使得覆蓋第一基板SUBl的液晶層LC側(cè)。該第一基板SUBl通過液晶層LC與第二基板SUB2相對配置,形成液晶顯示面板PNL。即,與實施方式2的液晶顯示裝置同樣地,構(gòu)成為在相鄰的像素PXL的壁電極PX與遮蔽電極CE之間的層中配置布線(漏極線DL)。因而,在圖16示出的實施方式3的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖15示出的實施方式3的液晶顯示裝置的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果。〈實施方式4>
圖17是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,僅是提供公共信號的公共電極的結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置不同,其它結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置相同。因而,在以下說明中,詳細說明公共電極的結(jié)構(gòu)。如圖17所示,實施方式4的公共電極具有構(gòu)成作為實施方式I的公共電極的模擬壁電極CT的一對線狀電極CT1、CT2中的、除了第二基板SUB2側(cè)的線狀電極CT2以外的結(jié)構(gòu)。即,與實施方式I同樣地,沿與相鄰像素PXL之間的邊界部分形成絕緣膜PAS3,壁電極PX至少由形成于絕緣膜PAS3的側(cè)壁面的壁狀電極PXl以及從該壁狀電極PXl的端部起在第一基板SUBl的面內(nèi)方向上延伸的平面電極PX2形成。另一方面,成為公共電極的線狀電極CTl形成于在X方向上相對配置的一對壁電極PX之間的區(qū)域,在像素PXL的區(qū)域內(nèi)在Y方向上延伸,并且僅形成于第一基板SUBl側(cè)。因而,在實施方式4的結(jié)構(gòu)中,不需要在第二基板SUB2中形成線狀電極CT2的工序,因此能夠以低成本制造液晶顯示裝置。在實施方式4的像素結(jié)構(gòu)中,從壁狀電極PXl的圖中下側(cè)端部延伸的電力線也到達成為公共電極的線狀電極CT1,并且從平面電極PX2延伸的電力線也到達線狀電極CT1,因此能夠得到與實施方式I相同的效果,能夠使低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加。另外,沿像素PXL的邊緣部形成壁電極PX,在該壁電極PX之間的區(qū)域內(nèi)形成有線狀電極CT1。因而,即使在圖17中的X方向的像素寬度變大的情況下,也能夠?qū)⑻峁┯跋裥盘柕南袼仉姌O即壁電極PX以及提供公共信號的公共電極即線狀電極CTl之間的間隔(電極間距離)設(shè)為像素寬度的一半左右的距離。其結(jié)果,還能夠得到能夠抑制同一像素內(nèi)的電場強度的不均勻性。并且,在實施方式4的結(jié)構(gòu)中,在第二基板SUB2中形成濾色器、黑矩陣BM,因此能夠以與以往相同的定位精度形成液晶顯示裝置。其結(jié)果,能夠降低隨著第一基板SUBl與第二基板SUB2之間的粘貼產(chǎn)生的不良率,能夠得到能夠提高成品率這種特別的效果,從而能夠使液晶顯示裝置低成本化。另外,如圖18示出的用于說明本發(fā)明實施方式4的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖18示出的其它液晶顯示裝置中,也構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PASl配置有遮蔽電極CE。此時,漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖16示出的液晶顯示裝置相同,在遮蔽電極CE以及形成于漏極線DL的上層的絕緣膜PAS3的側(cè)壁面分別形成壁狀電極PXl,在各壁狀電極PXl的端部中形成在第一基板SUB I的面內(nèi)方向上延伸的平面電極PX2,形成壁電極PX。另外,具有在該壁電極PX的中間的區(qū)域內(nèi)形成線狀電極CTl的結(jié)構(gòu)。因而,在圖18示出的實施方式4的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖17示出的實施方式4的液晶顯示裝置的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果。〈實施方式5>
圖19是用于說明本發(fā)明實施方式5的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,在實施方式5中,像素邊界的壁電極成為公共電極,壁電極之間的中央的電極成為像素電極。此夕卜,除了作為公共電極的公共壁電極CT3的結(jié)構(gòu)以外的其它結(jié)構(gòu)與實施方式9相同,在以下說明中,詳細說明公共壁電極CT3。如圖19所示,在實施方式5的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為以跨過與用兩點劃線表示的相鄰像素之間的邊界區(qū)域的方式形成絕緣膜PAS3,在其側(cè)壁面形成有壁狀電極CT4。在該壁狀電極CT4的下端側(cè)端部即第一基板SUB I側(cè)的端部中,從壁狀電極CT4起以規(guī)定寬度連續(xù)地形成在第一基板SUBl的面內(nèi)方向上延伸的平面狀的電極(平面電極)CT5。此時,平面電極(第一平面電極)CT5沿絕緣膜PAS2的上表面形成。另外,絕緣膜PAS3的上表面即第二基板SUB2側(cè)的面形成由導(dǎo)電性薄膜形成的電極(平面電極)CT6,該平面電極CT6的端部與該壁狀電極CT4的上端側(cè)端部(即第二基板SUB2側(cè)的端部)相連接。由該壁狀電極CT4與平面電極CT5、CT6構(gòu)成公共壁電極CT3。此夕卜,平面公共公共電極CT5的形狀呈沿絕緣膜PAS3的上表面形狀的形狀。這樣,在實施方式5中,構(gòu)成為對形成于相鄰像素之間的公共壁電極CT3提供公共信號,因此形成于像素的邊緣部的一對公共壁電極CT3中的、相鄰的像素PXL的一個公共壁電極CT3在絕緣膜PAS3的上表面形成一體而進行電連接。即,構(gòu)成為形成公共壁電極CT3使得覆蓋絕緣膜PAS3。另一方面,實施方式5的像素電極PX由線狀電極PX4形成,該線狀電極PX4由在圖19中的Y方向即像素PXL的長度方向上延伸的透明導(dǎo)電膜形成,形成于各像素PXL的一對公共壁電極CT3之間的區(qū)域內(nèi)。這樣,在實施方式5的液晶顯示裝置中,也構(gòu)成為在與公共壁電極CT3之間的區(qū)域內(nèi)僅在第一基板SUBl側(cè)形成電極(成為像素電極PX的線狀電極PX4),因此與實施方式4同樣地,能夠得到提高制造液晶顯示面板時的成品率這種特別的效果。其結(jié)果,能夠得到能夠使液晶顯示裝置低成本化這種特別的效果。另外,在實施方式5的液晶顯示裝置中,以覆蓋絕緣膜PAS3的方式形成公共壁電極CT3而提供公共信號、即像素邊界部分的公共壁電極CT3成為整面公共電極。因而,能夠使液晶顯示面板PNL的顯示面的面積所占的公共壁電極CT3的面積增加,能夠抑制來自相鄰像素的電力線,因此能夠得到抑制相鄰像素的黑色透過率的增加以及能夠進一步抑制由相鄰像素電位的變動弓I起的透過率的變動這種特別的效果。另外,從作為像素電極PX的線狀電極PX4延伸的電力線到達與第一基板SUBl的面內(nèi)方向平行地形成的公共壁電極CT3。此時,形成公共壁電極CT3的平面電極CT5能夠抑制來自漏極線DL等的布線的電力線,因此能夠得到與上述實施方式4相同的效果,能夠使低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加。
另外,如圖20示出的用于說明本發(fā)明的實施方式5的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖20示出的實施方式5的其它液晶顯示裝置中,也構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PASl配置有遮蔽電極CE。此時,漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖19示出的液晶顯示裝置相同,以覆蓋形成于像素的邊界部的絕緣膜PAS3的方式,形成一對公共壁電極CT3,該公共壁電極CT3由公共壁電極CT4和平面公共電極CT5、CT6形成,并且在一對公共壁電極CT3之間的區(qū)域內(nèi)形成有線狀電極PX4。因而,在圖20示出的實施方式5的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖19示出的實施方式5的液晶顯示裝置中的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果?!磳嵤┓绞?>
圖21是用于說明本發(fā)明的實施方式6的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,成為像素電極的壁電極PX的結(jié)構(gòu)以及除了漏極線DL的形成位置以外的其它結(jié)構(gòu)與實施方式5相同。因而,在以下說明中,詳細說明壁電極PX和漏極線DL的結(jié)構(gòu)。如圖21所示,構(gòu)成為在與相鄰像素之間的邊界部分以及各像素的區(qū)域內(nèi),也形成在第一基板SUBl的相對面?zhèn)韧範(fàn)畹赝怀龅慕^緣膜PAS3,形成導(dǎo)電性薄膜使得覆蓋該絕緣膜PAS3。S卩,在實施方式6中,構(gòu)成為像素PXL的邊緣部以及像素PXL的區(qū)域(透過區(qū)域)內(nèi)也形成壁電極。但是,覆蓋絕緣膜PAS3的導(dǎo)電性薄膜中的、至少覆蓋形成于與相鄰像素之間的邊界部分中的絕緣膜PAS3即形成于像素區(qū)域的內(nèi)側(cè)的絕緣膜PAS3的導(dǎo)電性薄膜由透明導(dǎo)電性薄膜形成。在實施方式6的液晶顯示裝置中,覆蓋形成于與相鄰像素之間的邊界部分中的絕緣膜PAS3的導(dǎo)電性薄膜成為提供公共信號的公共電極(公共壁電極)CT3,覆蓋形成于一對公共壁電極CT3之間的區(qū)域即像素的區(qū)域內(nèi)的絕緣膜PAS3的導(dǎo)電性薄膜成為通過薄膜晶體管提供影像信號的像素電極(壁電極PX)。此時,壁電極PX和公共壁電極CT3由形成于絕緣膜PAS3的側(cè)壁面的壁狀電極PX1、CT4、從該壁狀電極PX1、CT4的下端側(cè)起在第一基板SUBl的面內(nèi)方向上延伸形成的平面電極PX2、CT5以及從壁狀電極PXl的上端側(cè)起以覆蓋絕緣膜PAS3的頂端部分的方式形成的平面電極PX3、CT6形成。即,在實施方式6中,構(gòu)成為在一對壁電極CT之間的區(qū)域內(nèi)形成作為像素電極的壁電極PX。另外,在實施方式6中,構(gòu)成為在壁電極PX的下層即形成壁電極PX的絕緣膜PAS3的下層通過絕緣膜PAS2配置有漏極線DL。并且,在圖21中的X方向即像素PXL的寬度方向的大致中心部分中形成有在Y方向上延伸的壁電極PX。因而,在除了形成薄膜晶體管等區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi),各像素電極PX構(gòu)成為相對于漏極線DL即壁電極PX在圖21中的X方向即像素PXL的寬度方向上對稱。此時,在實施方式6中,也僅在第一基板SUBl側(cè)形成電極,因此能夠得到與實施方式5相同的效果,能夠提高液晶顯示面板中的成品率,能夠使液晶顯示裝置的制造成本低成本化。另外,在實施方式6的液晶顯示裝置中,也構(gòu)成為在與相鄰像素之間的邊界部分中形成公共壁電極CT3,因此能夠得到與實施方式5的液晶顯示裝置相同的效果,能夠使低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加,并且還能夠抑制由相鄰像素電位變動引起的透過率變動等。特別是,在實施方式6的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在一對公共壁電極CT3之間的區(qū)域內(nèi)形成壁電極PX,因此能夠?qū)⑾袼仉姌O與公共電極之間的間隔即壁電極PX與公共壁電極CT3之間的間隔設(shè)為小于像素PXL的寬度方向的間隔,能夠使在壁電極PX與公共壁電極CT3之間產(chǎn)生的電力線的分布均勻。并且,構(gòu)成為在壁電極PX與公共壁電極CT3中的任一個電極中,均形成從壁狀電極PX1、CT4的下端側(cè)起在第一基板SUBl的面內(nèi)方向即各像素PXL的面內(nèi)方向上延伸的平面電極PX2、CT5。因而,在壁電極PX與公共壁電極CT3中的任一個中,均能夠抑制來自壁狀電極PXl、CT4的下側(cè)邊部的電力線通過液晶層LC迂回至漏極線DL、相鄰像素的情況。另外,在實施方式6的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在像素PXL的中央設(shè)置壁電極PX,在與該壁電極PX重疊的區(qū)域內(nèi)設(shè)置由金屬布線形成的漏極線DL,但是在與形成壁電極PX的平面電極PX3重疊的區(qū)域的液晶層LC中液晶分子幾乎不能動作,因此也能夠形成由透過 率低的金屬薄膜形成的漏極線DL。此外,形成漏極線DL的位置并不限定于與壁電極PX重疊的位置,與上述實施方式I 5同樣地,也可以是在與公共壁電極CT3重疊的區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)。并且,如圖22示出的用于說明本發(fā)明的實施方式6的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖22示出的實施方式6的其它液晶顯示裝置中,也構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PASl配置有遮蔽電極CE。此時,漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖21示出的液晶顯示裝置相同,以覆蓋形成于像素的邊界部的絕緣膜PAS3的方式,形成由壁狀電極CT4和平面電極CT5、CT6形成的一對公共壁電極CT3形成于像素PXL的邊緣部,并且在該一對公共壁電極CT3之間的區(qū)域內(nèi)形成有由壁狀電極PXl和平面電極PX2、PX3形成的壁電極PX。因而,在圖22示出的實施方式6的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖21示出的實施方式6的液晶顯示裝置中的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果?!磳嵤┓绞?>圖23是用于說明本發(fā)明實施方式7的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,除了由壁電極形成的公共電極以外的其它結(jié)構(gòu)與實施方式I相同。因而,在以下說明中,詳細說明形成公共電極的壁電極(公共壁電極)CT3的結(jié)構(gòu)。如圖23所示,實施方式7的液晶顯示裝置構(gòu)成為不使用上述實施方式I的模擬壁電極,并且將一對壁電極中的一個使用于像素電極,將另一個使用于公共電極。即,構(gòu)成為將分別形成于像素PXL的一對邊緣部的壁電極中的、一個壁電極PX設(shè)為提供影像信號的像素電極,并且將另一個壁電極(公共壁電極)CT3設(shè)為提供公共信號的公共電極。在具有該結(jié)構(gòu)的實施方式7的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在各像素PXL的邊緣部中在Y方向上延伸而形成的凸?fàn)罱^緣膜PAS3的X方向側(cè)的側(cè)壁面中的、一個側(cè)壁面中形成由壁狀電極PXl和平面電極PX2形成的壁電極PX,通過未圖示的薄膜晶體管對該壁電極PX提供影像信號。另外,在另一個側(cè)壁面中形成由壁狀電極CT4和平面電極CT5形成的公共壁電極CT3,對該公共壁電極CT3提供公共信號。具有該結(jié)構(gòu)的絕緣膜PAS3以與漏極線DL重疊的方式配置于與相鄰像素PXL之間的邊界部分,因此在各像素PXL的區(qū)域內(nèi)將一對壁電極PX與公共壁電極CT3進行相對配置。這樣,在實施方式7的壁電極PX和公共壁電極CT3中,也構(gòu)成為具備從第一基板SUB I的表面向第二基板SUB2側(cè)立設(shè)的壁狀電極PXl、CT4,并且具備從壁狀電極PXl、CT4的第一基板SUB I側(cè)的邊緣部起沿該第一基板SUB I的面內(nèi)方向延伸的平面電極PX2、CT5。其結(jié)果,在實施方式7的液晶顯示裝置中,也能夠得到與實施方式I相同的效果。即,能夠使用平面電極PX2來防止(遮蔽)從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電力線通過液晶層LC側(cè)朝向相鄰的像素、漏極線DL,并且從平面電極PX2產(chǎn)生的電力線能夠到達公共壁電極CT3。同樣地,在公共壁電極CT3中,也能夠使用平面電極CT5來防止(遮蔽)從相鄰的像素、漏極線DL產(chǎn)生的電力線通過液晶層LC而到達壁狀電極CT4,并且從壁電極PX產(chǎn)生的電力線能夠
到達平面電極CT5。因此,在實施方式7的液晶顯示裝置中,也能夠抑制像素PXL內(nèi)的電場強度的不均勻性。另外,在實施方式7的像素結(jié)構(gòu)中,不需要將在各像素PXL的中央部分中用于形成模擬壁電極的線狀電極形成于第一基板SUBl和第二基板SUB2,因此能夠減少制造第一基板SUB I和第二基板SUB2所需的工序數(shù),從而得到能夠使液晶顯示裝置低成本化這種特別的效果。特別是,在實施方式7的液晶顯示裝置中,構(gòu)成為形成在各像素PXL的長度方向上延伸的壁電極PX和公共壁電極CT3,將壁電極PX和公共壁電極CT3在寬度方向上進行相對配置。因而,在將本申請的發(fā)明應(yīng)用于高精度的液晶顯示面板中的情況下,能夠縮短(縮小)壁電極PX與公共壁電極CT3中間的間隔,因此能夠?qū)Ρ陔姌OPX與公共壁電極CT3之間施加均勻的電場,從而能夠提高顯示模式效率。但是,在實施方式7的像素結(jié)構(gòu)中,當(dāng)壁電極PX與公共壁電極CT3之間的間隔變長(變大)時,電力線密度在壁電極PX和公共壁電極CT3附近變得密集,當(dāng)從壁電極PX和公共壁電極CT3分離時變得稀疏。因此,壁電極PX與公共壁電極CT3之間的電場強度變得不均勻,從而擔(dān)心顯示模式效率降低。因而,壁電極PX與公共壁電極CT3之間的距離期望選擇能夠得到高顯示模式效率的范圍,優(yōu)選使用于小型且高精度的液晶顯示面板PNL。另外,實施方式7的壁電極PX與公共壁電極CT3構(gòu)成為分別具備平面電極PX2、CT5,因此能夠得到與實施方式I相同的效果,能夠使低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率的增加。此外,在實施方式7的像素結(jié)構(gòu)中,構(gòu)成為在一個絕緣膜PAS3的側(cè)壁面中的、一個側(cè)壁面中形成提供影像信號的像素電極(壁電極)PX,在另一個側(cè)壁面中形成提供公共信號的公共電極(公共壁電極)CT3,但是形成像素電極和公共電極的位置并不限定于實施方式7的配置。例如,也可以構(gòu)成為在X方向上在第奇數(shù)個絕緣膜PAS3的側(cè)壁面均形成壁電極PX,在第偶數(shù)個絕緣膜PAS3的側(cè)壁面形成公共壁電極CT3。通過設(shè)為這種結(jié)構(gòu),在同一絕緣膜PAS3中接近配置相鄰的像素PXL的像素電極或者公共壁電極,因此能夠得到能夠防止在相鄰的像素的公共壁電極CT3之間產(chǎn)生電位差這種特別的效果。并且,如圖24示出的用于說明本發(fā)明的實施方式7的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖24示出的實施方式7的其它液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PAS I配置有遮蔽電極CE。此時,漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖23示出的液晶顯示裝置相同,在絕緣膜PAS3的側(cè)壁面即像素PXL的長邊側(cè)的邊緣部中,在一個邊緣部中形成由壁狀電極PXl和平面電極PX2形成的壁電極PX,在另一個邊緣部中形成由壁狀電極CT4和平面電極CT5形成的壁電極(公共壁電極)CT3。因而,在圖24示出的實施方式7的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖23示出的實施方式7的液晶顯示裝置中的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果。<實施方式8> 圖25是用于說明本發(fā)明實施方式8的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖,除了由壁電極形成的公共電極CT3以外的其它結(jié)構(gòu)與實施方式3相同,提供給壁電極PX和公共壁電極CT3的信號與實施方式7相同。因而,在以下說明中,詳細說明形成公共電極的公共壁電極CT3的結(jié)構(gòu)。如圖25所示,實施方式8的液晶顯示裝置構(gòu)成為不使用上述實施方式3的模擬壁電極,并且沿長度方向的邊緣部形成的一對壁電極沒有電連接。與實施方式7同樣地,構(gòu)成為作為一個壁電極的壁電極PX與薄膜晶體管的源電極進行電連接,作為另一個壁電極的公共壁電極CT3與公共線相連接。即,沿長度方向的邊緣部形成的一對壁電極中的、一個壁電極PX成為像素電極,另一個壁電極(公共壁電極)CT3成為公共電極。并且,隔著像素PXL的邊界部分(用兩點劃線表示),接近配置壁電極PX和相鄰像素PXL的公共壁電極CT3。在具有該結(jié)構(gòu)的實施方式8的像素結(jié)構(gòu)中,與實施方式3同樣地,沿像素PXL的邊部中的長度方向的一對邊部形成有絕緣膜PAS3。該絕緣膜PAS3在像素PXL的寬度方向的平面中的截面形狀呈臺形狀,在一個絕緣膜PAS3的相鄰像素側(cè)的側(cè)壁面中形成有壁狀電極PX1。另外,在形成該壁狀電極PXl的絕緣膜PAS3的下表面?zhèn)刃纬善矫骐姌OPX2,上表面?zhèn)刃纬善矫骐姌OPX3。此時,壁狀電極PXl的上側(cè)和下側(cè)的邊緣部在其端部中分別與平面電極PX2、PX3連續(xù)地進行連接,由壁狀電極PXl和平面電極PX2、PX3形成壁電極PX的截面形狀向各像素PXL的中心方向(透過區(qū)域)即公共壁電極CT3側(cè)打開開口的C字狀的壁電極PX0同樣地,在一對絕緣膜PAS3中的、另一個絕緣膜PAS3的相鄰像素側(cè)的側(cè)壁面形成有壁狀電極CT4。另外,在絕緣膜PAS3的下表面?zhèn)刃纬善矫骐姌O(第一平面電極)CT5,并且在上表面?zhèn)刃纬善矫骐姌O(,第二平面電極)CT6。此時,壁狀電極CT4的上側(cè)和下側(cè)的邊緣部在其端部中分別與平面電極CT5、CT6連續(xù)地進行連接,由該壁狀電極CT4和平面電極CT5、CT6形成公共壁電極CT3的截面形狀向各像素PXL的中心方向(透過區(qū)域)即壁電極PX側(cè)打開開口的C字狀的公共壁電極CT3。因而,在實施方式8的像素結(jié)構(gòu)中,也與實施方式3同樣地,從平面電極PX2、PX3產(chǎn)生的電力線由于從壁狀電極PX產(chǎn)生的電力線急劇彎曲。另外,到達平面電極CT5、CT6的電力線也由于從第二壁狀電極CT4產(chǎn)生的電力線急劇彎曲。由此,從壁電極PX到達第二壁電極CT3的電力線的個數(shù)變多,因此能夠抑制電場強度的不均勻性,從而能夠提高像素整體的顯示模式效率。另外,在實施方式8的結(jié)構(gòu)中,能夠使用平面電極PX2、PX3來防止(遮蔽)從壁狀電極PXl產(chǎn)生的電力線通過液晶層LC側(cè)朝向相鄰的像素、漏極線DL,并且從平面電極PX2、PX3產(chǎn)生的電力線能夠到達第二壁電極CT3。并且,在第二壁電極CT3中,也能夠使用平面電極CT5、CT6來防止(遮蔽)從相鄰的像素、漏極線DL產(chǎn)生的電力線通過液晶層LC而到達壁狀電極CT4,并且從壁電極PX產(chǎn)生的電力線能夠到達平面電極CT5、CT6。因而,在實施方式8的液晶顯示裝置中,也與實施方式3同樣地,能夠抑制像素PXL內(nèi)的電場強度的不均勻性。另外,還能夠有助于抑制由來自作為布線的漏極線DL等的電位引起的黑色透過率增力口。并且,能夠抑制到達黑色顯示的相鄰像素的電力線的個數(shù),因此還能夠抑制相鄰像素的黑色透過率增加。根據(jù)以上情況,在實施方式8的結(jié)構(gòu)中也能夠使低驅(qū)動電壓化、顯示模式效率提高、抑制由布線電位引起的黑色透過率增加以及抑制相鄰像素的黑色透過率增加。另外,在實施方式8的液晶顯示裝置中,也與實施方式7同樣地,構(gòu)成為將各像素PXL的長度方向上延伸的壁電極PX和公共壁電極CT3,將壁電極PX的壁電極PX與公共壁電極CT3在寬度方向上進行相對配置,因此在將本申請的發(fā)明應(yīng)用于高精度的液晶顯示面、板中的情況下,能夠縮短(縮小)壁電極PX與公共壁電極CT3中間的間隔。其結(jié)果,能夠?qū)Ρ陔姌OPX與公共壁電極CT3之間施加均勻的電場,從而能夠提高顯示模式效率。并且,不需要將在各像素PXL的中央部分中用于形成模擬壁電極的線狀電極形成于第一基板SUBl和第二基板SUB2,因此能夠減少制造第一基板SUBl和第二基板SUB2所需的工序數(shù),從而還能夠得到能夠使液晶顯示裝置低成本化這種效果。此外,在實施方式8的像素結(jié)構(gòu)中,例如,也可以在X方向上在第奇數(shù)個像素邊界的絕緣膜PAS3的側(cè)壁面形成壁電極PX,在第偶數(shù)個像素邊界的絕緣膜PAS3的側(cè)壁面形成公共壁電極CT3等,在與像素邊界接近形成的絕緣膜上以集中的方式配置相鄰像素的公共電極、像素電極。并且,如圖26示出的用于說明本發(fā)明的實施方式8的其它液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的截面圖所示,能夠?qū)⑴c實施方式2同樣的遮蔽電極CE設(shè)置于布線(例如,漏極線DL)的下層側(cè)。在該圖26示出的其它液晶顯示裝置中,構(gòu)成為在作為布線的漏極線DL的下層側(cè)通過絕緣膜PASl來配置遮蔽電極CE。漏極線DL的上層的結(jié)構(gòu)與上述圖25示出的液晶顯示裝置相同,在絕緣膜PAS3的側(cè)壁面即像素PXL的長邊側(cè)的邊緣部中,在一個邊緣部中形成由壁狀電極PXl和平面電極PX2、PX3形成的壁電極PX,在另一個邊緣部中形成由壁狀電極CT4和平面電極CT5、CT6形成的公共壁電極CT3。因而,在圖26示出的實施方式8的其它液晶顯示裝置中,除了得到圖25示出的實施方式8的液晶顯示裝置中的效果以外,也能夠得到遮蔽電極CE能夠抑制產(chǎn)生從漏極線DL通過液晶層LC到達壁電極PX的電力線LF這種特別的效果。此外,在實施方式I 8的液晶顯示裝置中,設(shè)為沿像素的周緣部形成壁電極的結(jié)構(gòu),但是并不限定于此,例如圖27所示,也可以是由在像素PXL的寬度方向(X方向)上打開開口的、即在長度方向(Y方向)上延伸而在寬度方向(X方向)上相對配置的一對壁電極PX形成的結(jié)構(gòu)。以上,根據(jù)上述發(fā)明的實施方式來具體說明了由本發(fā)明者進行的發(fā)明,但是本發(fā)明并不限定于上述發(fā)明的實施方式,在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)能夠進 行各種變更。
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示裝置,具有第一基板,其形成有第一電極和第二電極;以及第二基板,其配置成經(jīng)由液晶層與上述第一基板相對置,其中,具有上述第一電極和上述第二電極的像素的區(qū)域被配置成矩陣狀,通過在上述第一電極與上述第二電極之間施加的上述第一基板的面內(nèi)方向的電場來驅(qū)動上述液晶層,該液晶顯示裝置的特征在干, 在每個上述像素的區(qū)域內(nèi)在上述第一基板的相對側(cè)形成層差部, 上述第一電極和上述第二電極中的至少ー個具有形成于上述層差部的側(cè)壁面的壁狀電極、以及從上述壁狀電極的邊緣部起沿上述第一基板的主面形成的平面電極, 上述壁狀電極與上述平面電極進行電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述層差部由凸?fàn)铙w形成,該凸?fàn)铙w由橫跨在相鄰像素之間形成的絕緣體構(gòu)成, 上述壁狀電極由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成,該導(dǎo)電性薄膜形成于上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面內(nèi)的、至少沿像素的邊緣部形成的側(cè)壁面上, 上述平面電極由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成,該導(dǎo)電性薄膜從上述凸?fàn)铙w的底部沿上述第一基板面在該像素的區(qū)域內(nèi)延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 在由上述絕緣體構(gòu)成的ー個凸?fàn)铙w的相對的側(cè)壁面上形成相鄰的像素的上述壁狀電扱。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述層差部由凸?fàn)铙w構(gòu)成,該凸?fàn)铙w沿上述像素區(qū)域內(nèi)的至少相對的一對邊緣部形成, 上述壁狀電極由導(dǎo)電性薄膜形成,該導(dǎo)電性薄膜在上述凸?fàn)铙w的側(cè)壁面內(nèi)形成于相鄰像素側(cè), 上述平面電極由第一平面電極和第二平面電極構(gòu)成,該第一平面電極由沿上述凸?fàn)铙w的底面部形成的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成,該第二平面電極由沿上述凸?fàn)铙w的頂端部形成的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任一項所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述第一電極由形成于上述像素區(qū)域的邊緣部內(nèi)、隔著該像素區(qū)域相對置的至少ー對邊緣部中的上述壁狀電極和上述平面電極構(gòu)成, 上述第二電極由線狀的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成,該線狀的導(dǎo)電性薄膜形成于配置在上述像素區(qū)域的相對置的邊緣部中的ー對上述第一電極之間的區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述線狀電極由第一線狀電極和第二線狀電極構(gòu)成,該第一線狀電極形成于上述第一基板上,該第二線狀電極形成于上述第二基板上,并形成為至少其一部分經(jīng)由上述液晶層與上述第一線狀電極重疊, 上述第一線狀電極與上述第二線狀電極進行電連接,形成模擬壁電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述第二線狀電極的電極寬度大于上述第一線狀電極的電極寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述線狀電極沿上述第一基板的主面形成,且由在該像素的長度方向上延伸的第一線狀電極構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任一項所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 上述第一電極由形成于上述像素區(qū)域的邊緣部內(nèi)、隔著該像素區(qū)域相對置的至少ー對邊緣部中的上述壁狀電極和上述平面電極構(gòu)成, 上述第二電極由第二凸?fàn)铙w和導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成,該第二凸?fàn)铙w形成于配置在上述像素區(qū)域的相對置的邊緣部中的ー對第一電極之間的區(qū)域內(nèi),該導(dǎo)電性薄膜至少覆蓋該第二凸?fàn)铙w的側(cè)邊面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 具有漏極線,其形成于上述第一基板的相對面?zhèn)?,提供影像信號;柵極線,其提供掃描信號;以及薄膜晶體管,其與上述掃描信號同步地對上述第一電極提供上述影像信號, 上述漏極線或者/以及上述柵極線形成干與上述第二凸?fàn)铙w重疊的區(qū)域內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任一項所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 具有漏極線,其形成于上述第一基板的相對面?zhèn)?,提供影像信號;柵極線,其提供掃描信號;以及薄膜晶體管,其與上述掃描信號同步地對上述第一電極提供上述影像信號, 具備在上述漏極線或者/以及上述柵極線的下層重疊配置的遮蔽電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任一項所述的液晶顯示裝置,其特征在干, 在將從上述壁狀電極的邊緣部向像素的區(qū)域延伸的上述平面電極的電極寬度設(shè)為LI、將上述液晶層的厚度設(shè)為d的情況下,上述平面電極的電極寬度LI為0.LI < d。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置,其能夠通過使像素內(nèi)的電場分布均勻來提高顯示模式效率。該液晶顯示裝置具有第一基板,其形成有第一電極和第二電極;以及第二基板,其配置成經(jīng)由液晶層與上述第一基板相對置,其中,具有上述第一電極和上述第二電極的像素的區(qū)域被配置成矩陣狀,通過在上述第一電極與上述第二電極之間施加的上述第一基板的面內(nèi)方向的電場來驅(qū)動上述液晶層。在每個上述像素的區(qū)域內(nèi)具有形成于上述第一基板的相對側(cè)的層差部。上述第一電極或者/以及上述第二電極具有形成于上述層差部的側(cè)壁面的壁狀電極以及從上述壁狀電極的邊緣部起沿上述第一基板的主面形成的平面電極。上述壁狀電極與上述平面電極進行電連接。
文檔編號G02F1/1343GK102736329SQ201210101568
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月5日
發(fā)明者伊東理, 岡真一郎, 小村真一, 平塚崇人 申請人:株式會社日立顯示器