專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置、投射型顯示裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在元件基板設(shè)置有存儲(chǔ)電容的電光裝置、具備該電光裝置的投射型顯示裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在液晶裝置和/或有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置等有源矩陣型的電光裝置中，具備像素晶體管及透光性的像素電極的像素配置為矩陣狀，利用通過(guò)經(jīng)由掃描線供給的掃描信號(hào)使像素晶體管導(dǎo)通的期間對(duì)像素晶體管供給圖像信號(hào)。此外，在電光裝置中，通過(guò)在各像素設(shè)置存儲(chǔ)電容，來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示圖像的高對(duì)比化等。此時(shí)，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極，由于包含金屬膜等遮光性材料，所以為了不妨礙來(lái)自像素的顯示光的出射，設(shè)置 于與由相鄰的像素電極夾著的像素間區(qū)域俯視重疊的區(qū)域(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。但是，在電光裝置中，在以形成更加高清晰的圖像等為目的實(shí)現(xiàn)了像素間距的縮小和/或像素大小的小型化的情況下，直接用專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的結(jié)構(gòu)，存在著不能確保對(duì)于存儲(chǔ)電容的形成而言所充足的面積、不能構(gòu)成具有充足的電容值的存儲(chǔ)電容這樣的問(wèn)題。特別是，在液晶裝置之中的透射型的液晶裝置和/或從基板主體側(cè)出射顯示光的底部發(fā)射類(lèi)型的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置中，由于存在必須在不妨礙顯示光的出射的位置設(shè)置存儲(chǔ)電容的限制，所以上述的問(wèn)題顯著。因此，如圖9示意性所示，提出了在相對(duì)于透光性的像素電極9a俯視重疊的區(qū)域設(shè)置透光性的電介質(zhì)層40及透光性的電極7w且對(duì)電極7w和對(duì)置基板20側(cè)的共用電極21施加共用電位的液晶裝置(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。在這樣的結(jié)構(gòu)的液晶裝置中，由于通過(guò)透光性的像素電極9a、透光性的電介質(zhì)層40和透光性的電極7w構(gòu)成存儲(chǔ)電容55w，所以具有即時(shí)擴(kuò)展存儲(chǔ)電容55w的形成區(qū)域，也不妨礙顯示光的出射的優(yōu)點(diǎn)。專(zhuān)利文獻(xiàn)I特開(kāi)2010-96966號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)2010-176119號(hào)公報(bào)在專(zhuān)利文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)中，存在著在像素電極9a的端部附近不能適宜地控制液晶層50的取向、圖像的清晰度降低的問(wèn)題。更具體地，在液晶裝置中，通過(guò)在元件基板10側(cè)的像素電極9a與對(duì)置基板20側(cè)被施加共用電位的共用電極21之間產(chǎn)生的縱方向的電場(chǎng)(由箭頭Vl表示的電場(chǎng))控制液晶分子的取向。但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)中，在與由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域，在被施加共用電位的電極7w的上層僅存在電介質(zhì)層40。因此，在像素電極9a與電極7w之間產(chǎn)生通過(guò)液晶層50的多余的電場(chǎng)(由箭頭V2表示的電場(chǎng))。因此，在液晶層50，在像素電極9a的端部附近會(huì)產(chǎn)生電位分布的紊亂，液晶分子的取向變得紊亂。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問(wèn)題，本發(fā)明的課題在于提供即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容的形成區(qū)域，也難以產(chǎn)生顯示光的出射光量的降低和/或像素電極的端部附近的電位分布的紊亂的電光裝置、具備該電光裝置的投射型顯示裝置及電子設(shè)備。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的電光裝置具備基板；設(shè)置于該基板的一面?zhèn)鹊耐腹庑缘南袼仉姌O；以及存儲(chǔ)電容，其設(shè)置于該像素電極與前述基板之間，層疊有與前述像素電極分別俯視重疊的透光性的第I電極層、電連接于前述像素電極的透光性的第2電極層以及介于前述第I電極層與前述第2電極層之間的透光性的電介質(zhì)層。在本發(fā)明中，由于通過(guò)透光性的第I電極層、透光性的電介質(zhì)層及透光性的第2電極層構(gòu)成存儲(chǔ)電容，所以即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容的形成區(qū)域而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容的電容值的增大，也不會(huì)妨礙顯示光的出射光量。此外，在本發(fā)明中，由于使用與像素電極不同的2個(gè)透光性電極(第I電極層及第2電極層)，所以能夠在存儲(chǔ)電容與像素電極之間設(shè)置透光性的層間絕緣膜。因而，即使在相鄰的像素電極之間(像素間區(qū)域)的俯視重疊的區(qū)域存在第I電極層的情況下，也由于在第I電極層與像素電極的層間至少介有層間絕緣膜，所以具有在像素電極的端部與第I電極層之間難以產(chǎn)生多余的電場(chǎng)的優(yōu)點(diǎn)。、
在本發(fā)明中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)前述第I電極層在與相互相鄰的前述像素電極之間重疊的區(qū)域具有開(kāi)口部；在俯視與前述開(kāi)口部重疊的區(qū)域，設(shè)置有將前述像素電極與前述第2電極層相互電連接的第I中繼電極。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在遍及寬廣的范圍形成第I電極層的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極的電連接。此外，由于利用在與相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域形成的開(kāi)口部，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極的電連接。在本發(fā)明中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)前述第I中繼電極具有在與前述相互相鄰的像素電極之間俯視重疊的區(qū)域在第I方向延伸的延伸部和從該延伸部向與前述第I方向交叉的第2方向彎曲的彎曲部；用于將前述第I中繼電極與前述第2電極層電連接的第I接觸孔設(shè)置于與前述延伸部重疊的區(qū)域；用于將前述第I中繼電極與前述像素電極電連接的第2接觸孔設(shè)置于與前述彎曲部重疊的區(qū)域。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于利用在與相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域形成的第I中繼電極，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極的電連接。在本發(fā)明中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)具備與前述像素電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的晶體管以及將前述晶體管與前述第I中繼電極電連接的第2中繼電極；其中，前述第2中繼電極俯視配置為與前述晶體管重疊，并且配置為在與前述相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域在第I方向延伸；前述第I中繼電極俯視具有在與前述相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域在前述第I方向延伸并與前述第2中繼電極俯視重疊的重疊部和在與前述相互相鄰的像素電極之間俯視重疊的區(qū)域從前述第2中繼電極的端部向前述第I方向突出的突出部；前述第2電極層與前述重疊部經(jīng)由第I接觸孔電連接；前述像素電極與前述突出部經(jīng)由第2接觸孔電連接。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于利用在與相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域形成的第I中繼電極及第2中繼電極，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極的電連接。在本發(fā)明中，優(yōu)選前述第I電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述基板側(cè)；前述第2電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述像素電極側(cè)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在第I電極層與像素電極的層間介有層間絕緣膜及電介質(zhì)層。因此，能夠防止在像素電極的端部與第I電極層之間產(chǎn)生多余的電場(chǎng)。此外，相對(duì)于第I電極層，被施加像素電位的像素電極及第2電極層僅存在于一側(cè)，相對(duì)于第I電極層，在基板側(cè)不存在像素電極及第2電極層。因此，由于在像素電極及第2電極層與數(shù)據(jù)線等之間不會(huì)寄生多余的電容，所以不會(huì)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)損耗。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化。在本發(fā)明中，也可以采用下述結(jié)構(gòu)前述第I電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述像素電極側(cè)；前述第2電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述基板側(cè)。在這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，也由于能夠使層間絕緣膜介于第I電極層與像素電極之間，所以能夠防止在像素電極的端部與第I電極層之間產(chǎn)生多余的電場(chǎng)的情況。在本發(fā)明中，優(yōu)選設(shè)置于前述存儲(chǔ)電容與前述像素電極之間的層間絕緣膜的表面為平坦面。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在與相鄰的第2電極層之間重疊的區(qū)域，層間絕緣膜的厚度相比較于與第2電極層重疊的區(qū)域，厚第2電極層的厚度量。因此，具有在第I電極層與像素電極之間難以產(chǎn)生多余的電場(chǎng)的優(yōu)點(diǎn)。在本發(fā)明中，若應(yīng)用于前述第I電極層設(shè)置于排列有多個(gè)前述像素電極的像素排列區(qū)域的整面的情況，則是有效的。在本發(fā)明中，由于難以在第I電極層與像素電極之間產(chǎn) 生多余的電場(chǎng)，所以即使在遍及寬廣的范圍形成第I電極層、結(jié)果在相鄰的像素電極之間(像素間區(qū)域)第I電極層所位于的面積擴(kuò)展的情況下，也難以產(chǎn)生多余的電場(chǎng)的影像。在本發(fā)明中，優(yōu)選在相對(duì)于相鄰的前述像素電極之間俯視重疊的區(qū)域設(shè)置有遮光層；前述存儲(chǔ)電容至少設(shè)置于相對(duì)于由前述遮光層包圍的透光性區(qū)域俯視重疊的區(qū)域內(nèi)。在遮光層設(shè)置于相對(duì)于像素間區(qū)域俯視重疊的區(qū)域的情況下，由于透光性區(qū)域容易縮窄，所以應(yīng)用本發(fā)明的情況的效果增大。在將本發(fā)明所涉及的電光裝置構(gòu)成為液晶裝置的情況下，成為前述基板在與相對(duì)配置于該基板的一面?zhèn)鹊耐腹庑缘膶?duì)置基板之間保持液晶層的結(jié)構(gòu)。應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置，能夠在各種電子設(shè)備中用于直視型顯示裝置等各種顯示裝置。此外，在應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置為液晶裝置的情況下，電光裝置(液晶裝置)能夠用于投射型顯示裝置。這樣的投射型顯示裝置具有出射對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置(液晶裝置)進(jìn)行照射的照明光的光源部；以及投射由前述液晶裝置調(diào)制后的光的投射光學(xué)系統(tǒng)。


圖I是表示應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置(電光裝置)的電結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置中所使用的液晶面板的說(shuō)明圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置的像素的說(shuō)明圖。圖4是放大表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置的像素晶體管周邊的說(shuō)明圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置中構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極層的形成區(qū)域的說(shuō)明圖。圖6是示意性表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置的存儲(chǔ)電容等中所使用的各電極的剖面的位置關(guān)系的說(shuō)明圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的液晶裝置的像素的說(shuō)明圖。圖8是使用應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置的投射型顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖9是表示現(xiàn)有的問(wèn)題的說(shuō)明圖。符號(hào)說(shuō)明3a掃描線(遮光層)，5b漏電極(第2中繼電極)，6a數(shù)據(jù)線(遮光層)，7第I電極層，6b中繼電極(第I中繼電極)，6bl延伸部，6b2彎曲部，6b3重疊部，6b4突出部，8a第2電極層，9a像素電極，10元件基板，IOa圖像顯示區(qū)域(像素排列區(qū)域)，IOf像素間區(qū)域，IOp透光性區(qū)域，IOw基板主體，30像素晶體管，43層間絕緣膜，43a接觸孔(第I接觸孔)，44層間絕緣膜，44a接觸孔(第2接觸孔)，55存儲(chǔ)電容，100液晶裝置(電光裝置)，110投射型顯示裝置。
具體實(shí)施例方式參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在以下的說(shuō)明中，以將本發(fā)明應(yīng)用于各種電光裝置之中的液晶裝置的情況為中心進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下的說(shuō)明所參照的圖中，為了使各層和/或各部件成為在圖上可以識(shí)別的程度的大小，按各層和/或各部件使比例尺不同。此外，在流過(guò)像素晶體管的電流的方向反轉(zhuǎn)的情況下，將源和漏相替換，但是，在本說(shuō)明中，將連接像素電極的一側(cè)(像素側(cè)源漏區(qū)域)設(shè)定為漏，將連接數(shù)據(jù)線的一側(cè)(數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域)設(shè)定為源。此外，在說(shuō)明形成于元件基板的層時(shí)，上層側(cè)或者表面?zhèn)戎概c元件基板的基板主體所位于的一側(cè)相反的一側(cè)(對(duì)置基板所位于的一側(cè))，下層側(cè)指元件基板的基板主體所位于的一側(cè)。此外，在以下的說(shuō)明中，為了容易理解與參照?qǐng)D8說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)性，對(duì)于相同的部分賦予同一符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式I(整體結(jié)構(gòu))圖I是表示應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置(電光裝置)的電結(jié)構(gòu)的框圖。另外，圖I是單純表示電結(jié)構(gòu)的框圖，未示出布線和/或電極的形狀和/或延伸方向、布局等。在圖I中，本方式的液晶裝置100 (電光裝置)，具有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式或VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式的液晶面板IOOp,液晶面板IOOp在其中央?yún)^(qū)域具有矩陣狀地排列有多個(gè)像素IOOa的圖像顯示區(qū)域10a(像素排列區(qū)域)。在液晶面板100p，在后述的元件基板10(參照?qǐng)D2等)，在圖像顯示區(qū)域IOa的內(nèi)側(cè)縱橫延伸多條數(shù)據(jù)線6a及多條掃描線3a，在與它們的交點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的位置構(gòu)成像素100a。在多個(gè)像素IOOa的各個(gè),形成有由場(chǎng)效應(yīng)型晶體管構(gòu)成的像素晶體管30以及后述的像素電極9a。在像素晶體管30的源電連接著數(shù)據(jù)線6a，在像素晶體管30的柵電連接著掃描線3a，在像素晶體管30的漏電連接著像素電極9a。在元件基板10，在比圖像顯示區(qū)域IOa靠外周側(cè)設(shè)置有掃描線驅(qū)動(dòng)電路104和/或數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101電連接于各數(shù)據(jù)線6a，將從圖像處理電路供給的圖像信號(hào)依次供給于各數(shù)據(jù)線6a。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104電連接于各掃描線3a，對(duì)各掃描線3a依次供給掃描信號(hào)。在各像素100a，像素電極9a隔著液晶層與形成于后述的對(duì)置基板20 (參照?qǐng)D2等)的共用電極相對(duì)，構(gòu)成液晶電容50a。此外，在各像素100a，為了防止由液晶電容50a保持的圖像信號(hào)的變動(dòng)，與液晶電容50a并列附加有存儲(chǔ)電容55。在本方式中，為了構(gòu)成存儲(chǔ)電容55，形成跨多個(gè)像素IOOa的第I電極層7作為電容電極層。在本方式中，對(duì)第I電極層7施加共用電位Vcom。(液晶面板IOOp的結(jié)構(gòu))圖2是應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置100中所使用的液晶面板IOOp的說(shuō)明圖，圖2(a)、(b)分別是從對(duì)置基板側(cè)觀察液晶面板IOOp及各構(gòu)成要素的俯視圖及其H-H'剖面圖。如圖2 (a)、(b)所示，在液晶面板100p，元件基板10 (電光裝置用元件基板/液晶裝置用元件基板)與對(duì)置基板20隔著預(yù)定的間隙通過(guò)密封件107相互粘貼，密封件107以沿著對(duì)置基板20的外緣的方式設(shè)置為框狀。密封件107是由光固化樹(shù)脂和/或熱固化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接劑，混合有用于將兩基板間的距離設(shè)定為預(yù)定值的玻璃纖維或玻璃珠等間隙材料。在這樣的結(jié)構(gòu)的液晶面板IOOp中，元件基板10及對(duì)置基板20都是四邊形，在液 晶面板IOOp的大致中央，參照?qǐng)DI說(shuō)明的圖像顯示區(qū)域IOa(像素排列區(qū)域)設(shè)置為四邊形的區(qū)域。對(duì)應(yīng)于這樣的形狀，密封件107也設(shè)置為大致四邊形，在密封件107的內(nèi)周緣與圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣之間，大致四邊形的周邊區(qū)域IOb設(shè)置為框邊狀。在元件基板10，在圖像顯示區(qū)域IOa的外側(cè)，沿著元件基板10的一邊形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及多個(gè)端子102，沿著與該一邊相鄰的另一邊形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路104。另外，在端子102連接柔性布線基板(未圖示)，對(duì)元件基板10經(jīng)由柔性布線基板輸入各種電位和/或各種信號(hào)。在元件基板10的一面IOs和另一面IOt之中的一面IOs側(cè)，在圖像顯示區(qū)域10a，參照?qǐng)DI說(shuō)明的像素晶體管30及電連接于像素晶體管30的像素電極9a形成為矩陣狀，在這樣的像素電極9a的上層側(cè)形成有取向膜16，詳情后述。此外，在元件基板10的一面IOs側(cè)，在周邊區(qū)域10b，形成有與像素電極9a同時(shí)形成的虛設(shè)像素電極9b (參照?qǐng)D2(b))。關(guān)于虛設(shè)像素電極％，采用與虛設(shè)的像素晶體管電連接的結(jié)構(gòu)、不設(shè)置虛設(shè)的像素晶體管而直接電連接于布線的結(jié)構(gòu)或者處于不被施加電位的浮置狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。這樣的虛設(shè)像素電極％，有助于在通過(guò)研磨使得在元件基板10中形成取向膜16的面平坦化時(shí)，壓縮圖像顯示區(qū)域IOa和周邊區(qū)域IOb的高度位置，使得形成取向膜16的面成為平坦面。此外，如果將虛設(shè)像素電極9b設(shè)定為預(yù)定的電位，則能夠防止在圖像顯示區(qū)域IOa的外周側(cè)端部的液晶分子的取向的紊亂。在對(duì)置基板20中，在與元件基板10相對(duì)的一面?zhèn)?，形成共用電極21，在共用電極21的上層，形成有取向膜26。共用電極21在對(duì)置基板20的大致整面或者作為多個(gè)帶狀電極跨多個(gè)像素IOOa而形成，在本方式中，共用電極21形成于對(duì)置基板20的大致整面。此夕卜，在對(duì)置基板20中與元件基板10相對(duì)的一面?zhèn)?，在共用電極21的下層側(cè)形成有遮光層108。在本方式中，遮光層108，形成為沿著圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣延伸的框邊狀，作為間隔件起作用。此處，遮光層108的外周緣，位于與密封件107的內(nèi)周緣之間隔著間隙的位置，遮光層108與密封件107不重疊。另外，在對(duì)置基板20中，遮光層108有時(shí)也在與由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域重疊的區(qū)域等，作為黑矩陣部形成。在這樣構(gòu)成的液晶面板IOOp中，在元件基板10，在比密封件107更靠外側(cè)的與對(duì)置基板20的角部分重疊的區(qū)域，形成有用于在元件基板10與對(duì)置基板20之間獲得電導(dǎo)通的基板間導(dǎo)通用電極109。在此基板間導(dǎo)通用電極109中，配置包含導(dǎo)電微粒的基板間導(dǎo)通件109a，對(duì)置基板20的共用電極21，經(jīng)由基板間導(dǎo)通件109a及基板間導(dǎo)通用電極109電連接于元件基板10側(cè)。因此，共用電極21，從元件基板10側(cè)被施加共用電位Vcom。密封件107具有大致同一寬度尺寸地沿對(duì)置基板20的外周緣設(shè)置。因此，密封件107為大致四邊形。但是，密封件107，設(shè)置為在與對(duì)置基板20的角部分重疊的區(qū)域避開(kāi)基板間導(dǎo)通用電極109而通過(guò)內(nèi)側(cè)，密封件107的角部分為大致圓弧狀。在這樣的結(jié)構(gòu)的液晶裝置100中，若通過(guò)ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)和/或IZ0(Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等透光性的導(dǎo)電膜形成像素電極9a以及共用電極21，則能夠構(gòu)成透射型的液晶裝置。在本方式中，液晶裝置100為透射型，在元件基板10以及對(duì)置基板20中，從一側(cè)的基板入射的光在透射過(guò)另一側(cè)的基板并出射的期間，被調(diào)制而顯示圖像。 液晶裝置100，能夠作為移動(dòng)計(jì)算機(jī)、便攜電話(huà)機(jī)等電子設(shè)備的彩色顯示裝置使用，此情況下，在對(duì)置基板20形成濾色器(未圖示)和/或保護(hù)膜。此外，在液晶裝置100中，對(duì)應(yīng)于使用的液晶層50的種類(lèi)和/或常白模式/常黑模式的不同，相對(duì)于液晶面板IOOp以預(yù)定的朝向配置相位差膜和/或偏振板等。進(jìn)而，液晶裝置100，在后述的投射型顯示裝置(液晶投影機(jī))中，能夠作為RGB用的光閥使用。此情況下，因?yàn)橄騌GB用的各液晶裝置100的各個(gè)，分別入射經(jīng)由RGB色分解用的分色鏡分解后的各色的光作為投射光，所以不形成濾色器。在本實(shí)施方式中，以液晶裝置100是在后述的投射型顯示裝置中作為RGB用的光閥使用的透射型的液晶裝置，從對(duì)置基板20入射的光透射過(guò)元件基板10并出射的情況為中心進(jìn)行說(shuō)明。此外，在本方式中，以液晶裝置100具備使用介電各向異性為負(fù)的向列液晶化合物作為液晶層50的VA模式的液晶面板IOOp的情況為中心進(jìn)行說(shuō)明。(像素的具體的結(jié)構(gòu))圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置100的像素的說(shuō)明圖，圖3(a)、(b)分別是元件基板10中相鄰的多個(gè)像素的俯視圖、在與圖3 (a)的F-F'線相當(dāng)?shù)奈恢闷是幸壕аb置100時(shí)的剖面圖。圖4是放大表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置100的像素晶體管30周邊的說(shuō)明圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置100中構(gòu)成存儲(chǔ)電容55的電極層的形成區(qū)域的說(shuō)明圖，圖5(a)、(b)是將第I電極層7的形成區(qū)域表示為灰色區(qū)域的說(shuō)明圖及將第2電極層8a的形成區(qū)域表示為灰色區(qū)域的說(shuō)明圖。另外，在圖3(a)、圖4及圖5中，用以下的線表示各區(qū)域掃描線3a =粗的實(shí)線半導(dǎo)體層Ia=細(xì)的實(shí)線柵電極3c=虛線源電極5a及漏電極5b (第2中繼電極)=細(xì)的一點(diǎn)劃線數(shù)據(jù)線6a及中繼電極6b (第I中繼電極)=粗的一點(diǎn)劃線第2電極層8a =兩點(diǎn)劃線像素電極9a=粗長(zhǎng)的虛線第I電極層7的開(kāi)口部7a及接觸孔42a等=細(xì)的實(shí)線。另外，因?yàn)殡娊橘|(zhì)層40形成于與第I電極層7大致相同的區(qū)域，所以在圖3 (a)、圖4及圖5中省略圖示。此外，在圖3(a)、圖4及圖5中，在各構(gòu)成要素的端部俯視重疊的情況下，也將其相互的位置錯(cuò)開(kāi)，使得容易識(shí)別。如圖3(a)、圖4及圖5所示，在元件基板10，在多個(gè)像素IOOa的各個(gè)形成有矩形狀的像素電極9a，沿著與由相鄰的像素電極9a夾著的縱橫的像素間區(qū)域IOf (相鄰的像素電極9a之間)重疊的區(qū)域形成有數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a。更具體地，在像素間區(qū)域IOf之中，掃描線3a沿著與在X方向(第I方向)延伸的第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸，數(shù)據(jù)線6a沿著與在Y方向(第2方向)延伸的第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸。數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a分別直線地延伸，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉處形成有像素晶體管30。在此，數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a，由遮光性的導(dǎo)電膜形成，作為遮光層起作用。此外，由數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a構(gòu)成的遮光層，與像素電極9a的外周端部重疊。因此，在本方式中，形成有像素電極9a的區(qū)域之中由數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a所構(gòu)成的遮光層包圍的區(qū)域，是出射顯示光的透光性區(qū)域10p。
(像素的剖面結(jié)構(gòu)等)如圖3 (a)、(b)、圖4及圖5所示，元件基板10，以石英基板或者玻璃基板等透光性的基板主體10w、在基板主體IOw的液晶層50側(cè)的表面(一面IOs側(cè))形成的透光性的像素電極9a、像素開(kāi)關(guān)用的像素晶體管30以及透光性的取向膜16為主體構(gòu)成。對(duì)置基板20，以石英基板或者玻璃基板等的透光性的基板主體20w、在其液晶層50側(cè)的表面(與元件基板10相對(duì)的一面?zhèn)?形成的透光性的共用電極21以及透光性的取向膜26為主體構(gòu)成。在元件基板10中，在基板主體IOw的一面IOs側(cè)，形成由導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等導(dǎo)電膜構(gòu)成的掃描線3a，這樣的掃描線3a，在像素間區(qū)域IOf之中，沿著與在X方向(第I方向)延伸的第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸。此外，掃描線3a，具有朝向Y方向(第2方向)突出的突出部分3a0。在本方式中，掃描線3a由硅化鎢(WSix)等遮光性導(dǎo)電膜構(gòu)成，也作為針對(duì)像素晶體管30的遮光膜起作用。在本方式中，掃描線3a由厚度200nm左右的硅化鎢構(gòu)成。另外，在基板主體IOw與掃描線3a之間，也有時(shí)設(shè)置氧化硅膜等絕緣膜。在基板主體IOw的一面IOs側(cè)，在掃描線3a的上層側(cè)，形成由氧化硅膜等絕緣膜12，在這樣的絕緣膜12的表面，形成有具備半導(dǎo)體層Ia的像素晶體管30。在本方式中，絕緣膜12，例如具有2層構(gòu)造，該2層構(gòu)造是通過(guò)使用四乙氧基硅烷(Si (0C2H5) 4)的減壓CVD法和/或使用四乙氧基硅烷和氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜和通過(guò)高溫CVD法形成的氧化娃膜(HT0(High Temperature Oxide,高溫氧化物)膜)的2層構(gòu)造。像素晶體管30，具備在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉區(qū)域長(zhǎng)邊方向朝向數(shù)據(jù)線6a的延伸方向的半導(dǎo)體層Ia和在與半導(dǎo)體層Ia的長(zhǎng)度方向正交的方向延伸并與半導(dǎo)體層Ia的長(zhǎng)度方向的大致中央部分重疊的柵電極3c。此外，像素晶體管30，在半導(dǎo)體層Ia與柵電極3c之間具有透光性的柵絕緣層2。半導(dǎo)體層la，具備相對(duì)于柵電極3c隔著柵絕緣層2相對(duì)的溝道區(qū)域lg，并且在溝道區(qū)域Ig的兩側(cè)具備源區(qū)域Ib及漏區(qū)域lc。在本方式中，像素晶體管30具有LDD構(gòu)造。因此，源區(qū)域Ib和漏區(qū)域Ic分別在溝道區(qū)域Ig的兩側(cè)具備低濃度區(qū)域lbl、lcl，相對(duì)于低濃度區(qū)域IblUcl在與溝道區(qū)域Ig相反側(cè)相鄰的區(qū)域具備高濃度區(qū)域Ib2、lc2。半導(dǎo)體層Ia通過(guò)多晶硅膜等構(gòu)成。柵絕緣層2包括2層構(gòu)造，該2層構(gòu)造是由對(duì)半導(dǎo)體層Ia進(jìn)行熱氧化而得到的氧化硅膜構(gòu)成的第I柵絕緣層2a和由利用CVD法等形成的氧化硅膜等構(gòu)成的第2柵絕緣層2b的2層構(gòu)造。柵電極3c由導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等導(dǎo)電膜構(gòu)成，在半導(dǎo)體層Ia的兩側(cè)經(jīng)由貫通柵絕緣層2及絕緣膜12的接觸孔12a、12b與掃描線3a導(dǎo)通。在本方式中，柵電極3c具有膜厚IOOnm左右的導(dǎo)電性的多晶硅膜和膜厚IOOnm左右的硅化鎢膜的2層構(gòu)造。另外，在本方式中，以防止在透射過(guò)了液晶裝置100后的光由其他部件反射時(shí)、此反射光向半導(dǎo)體層Ia入射從而在像素晶體管30產(chǎn)生因光電流引起的誤工作為目的，通過(guò)遮光膜形成掃描線3a。但是，也可以將掃描線形成于柵絕緣層2的上層，將其一部分作為柵電極3c。在此情況下，圖3所示的掃描線3a，僅以遮光為目的而形成。在柵電極3c的上層側(cè)形成包含氧化硅膜等的透光性的層間絕緣膜41，在層間絕緣膜41的上層通過(guò)同一導(dǎo)電膜形成源電極5a及漏電極5b (第2中繼電極)。層間絕緣膜41例如包含通過(guò)使用硅烷氣體(SH4)和一氧化二氮(N20)的等離子CVD法等形成的氧化硅 月旲等。源電極5a及漏電極5b,包含導(dǎo)電性的多晶娃膜、金屬娃化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等導(dǎo)電膜。在本方式中，源電極5a及漏電極5b具有按順序?qū)盈B膜厚20nm的鈦(Ti)膜、膜厚50nm的氮化鈦(TiN)膜、膜厚350nm的鋁(Al)膜、膜厚150nm的TiN膜而成的4層構(gòu)造。源電極5a，在與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域(與數(shù)據(jù)線6a重疊的區(qū)域)形成為矩形形狀，經(jīng)由貫通層間絕緣膜41及柵絕緣層2的接觸孔41a與源區(qū)域Ib (數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域)導(dǎo)通。漏電極5b，具備與像素晶體管30俯視重疊的矩形部5bl和從矩形部5bl沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的帶狀部分5b2。在這樣的漏電極5b中，矩形部5bl在與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域(與數(shù)據(jù)線6a重疊的區(qū)域)，與半導(dǎo)體層Ia的漏區(qū)域Ic (像素電極側(cè)源漏區(qū)域)俯視一部分重疊，經(jīng)由貫通層間絕緣膜41及柵絕緣層2的接觸孔41b與漏區(qū)域Ic導(dǎo)通。在源電極5a及漏電極5b的上層側(cè)，形成有包含氧化硅膜等的透光性的層間絕緣膜42。層間絕緣膜42，例如包含通過(guò)使用四乙氧基硅烷和氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜等。在本方式中，層間絕緣膜42的表面，用化學(xué)機(jī)械研磨等方法被平坦化。在層間絕緣膜42的上層側(cè)，通過(guò)同一導(dǎo)電膜形成數(shù)據(jù)線6a及中繼電極6b (第I中繼電極)。數(shù)據(jù)線6a及中繼電極6b，包含導(dǎo)電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等導(dǎo)電膜。在本方式中，數(shù)據(jù)線6a及中繼電極6b，具有按順序?qū)盈B膜厚20nm的鈦(Ti)膜、膜厚50nm的氮化鈦(TiN)膜、膜厚350nm的鋁(Al)膜、膜厚150nm的TiN膜而成的4層構(gòu)造。數(shù)據(jù)線6a，沿著像素間區(qū)域IOf之中與在Y方向(第2方向)延伸的第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸，經(jīng)由貫通層間絕緣膜42的接觸孔42a與源電極5a導(dǎo)通。中繼電極6b，在與第I像素間區(qū)域IOg俯視重疊的區(qū)域，具有在X方向延伸的延伸部6bI和從延伸部6bl在Y方向彎曲的彎曲部6b2。此外，中繼電極6b，在與第I像素間區(qū)域IOg俯視重疊的區(qū)域，具有在X方向延伸且與漏電極5b俯視重疊的重疊部6b3和從漏電極5b的端部在X方向突出的突出部6b4，由重疊部6b3和突出部6b4的一部分構(gòu)成延伸部6bl。此外，突出部6b4的一部分在Y方向彎曲而構(gòu)成彎曲部6b2。在此，在層間絕緣膜42，在與重疊部6b3重疊的位置形成接觸孔42b，中繼電極6b經(jīng)由接觸孔42b與漏電極5b導(dǎo)通。在數(shù)據(jù)線6a及中繼電極6b的上層側(cè)，形成有包含氧化硅膜等的透光性的層間絕緣膜43。層間絕緣膜43，例如包含通過(guò)使用四乙氧基硅烷和氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜等。在本方式中，層間絕緣膜43的表面，用化學(xué)機(jī)械研磨等方法被平坦化。(存儲(chǔ)電容55的結(jié)構(gòu))在層間絕緣膜42的上層側(cè)，形成包含ITO膜和/或IZO膜等透光性導(dǎo)電膜的第I電極層7,在本方式中，第I電極層7包含ITO膜。第I電極層7,是用于構(gòu)成存儲(chǔ)電容55的電容電極。更具體地，第I電極層7，是構(gòu)成存儲(chǔ)電容55的一對(duì)電容電極之中被施加共用電位Vcom的電容電極，形成為相對(duì)于多個(gè)像素電極9a重疊。在本方式中，第I電極層7遍 及排列有多個(gè)像素IOOa的圖像顯示區(qū)域IOa(像素排列區(qū)域)的全體形成為一體(圖5(a)的灰色區(qū)域)。因此，第I電極層7也形成于像素間區(qū)域IOf。在這樣的第I電極層7，在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域設(shè)置有開(kāi)口部7a(第I電極層7的非形成區(qū)域/圖5(a)的涂白區(qū)域)，這樣的開(kāi)口部7a，用于使第2電極層8a和/或像素電極9a與下層側(cè)的中繼電極6b導(dǎo)通。在第I電極層7的上層，層疊有透光性的電介質(zhì)層40。作為電介質(zhì)層40，除了能夠使用氧化硅膜和/或氮化硅膜等硅化合物以外，還能夠使用氧化鋁膜、氧化鈦膜、氧化鉭膜、氧化鈮膜、氧化鉿膜、氧化鑭膜、氧化鋯膜等高介電常數(shù)的電介質(zhì)層。電介質(zhì)層40，與第I電極層7同樣，形成于大致整面，但是與第I電極層7的開(kāi)口部7a同樣，在使第2電極層8a和/或像素電極9a與下層側(cè)的中繼電極6b導(dǎo)通的部分設(shè)置有開(kāi)口部40a。在電介質(zhì)層40的上層，層疊包含ITO膜和/或IZO膜等透光性導(dǎo)電膜的第2電極層8a，在本方式中，第2電極層8a包含ITO膜。第2電極層8a，隔著電介質(zhì)層40與第I電極層7重疊，與第I電極層7及電介質(zhì)層40 —起構(gòu)成存儲(chǔ)電容55。這樣的第2電極層8a,在第I像素間區(qū)域IOg與中繼電極6b的延伸部6bl重疊，在第I電極層7的開(kāi)口部7a及電介質(zhì)層40的開(kāi)口部40a的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由形成于層間絕緣膜43的接觸孔43a(第I接觸孔)與中繼電極6b的延伸部6bl導(dǎo)通。此外，第2電極層8a，經(jīng)由接觸孔43a(第I接觸孔)與中繼電極6b的延伸部6bl之中的重疊部6b3導(dǎo)通。在本方式中，第2電極層8a，在與像素電極9a大致重疊的區(qū)域形成，經(jīng)由中繼電極6b相對(duì)于像素電極9a以I對(duì)I的關(guān)系電連接(圖5(b)的灰色區(qū)域)。因此，第2電極層8a，與由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域成為非形成區(qū)域(圖5(b)的涂白區(qū)域)，在與這樣的非形成區(qū)域重疊的區(qū)域，第I導(dǎo)電層7位于電介質(zhì)層40的下層側(cè)。(層間絕緣膜44及像素電極9a等的結(jié)構(gòu))在第2電極層8a的上層側(cè)形成有透光性的層間絕緣膜44，在層間絕緣膜44的上層側(cè)，以大致四邊形的平面形狀形成有包含ITO膜和/或IZO膜等透光性導(dǎo)電膜的像素電極9a。像素電極9a，在第I像素間區(qū)域IOg附近與中繼電極6b的彎曲部6b2重疊，像素電極9a在第I電極層7的開(kāi)口部7a及電介質(zhì)層40的開(kāi)口部40a的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由形成于層間絕緣膜44的接觸孔44a(第2接觸孔)與中繼電極6b的突出部6b4導(dǎo)通。此外，像素電極9a,經(jīng)由接觸孔44a (第2接觸孔)與中繼電極6b的突出部6b4之中的彎曲部6b2導(dǎo)通。這樣，第2電極層8a及像素電極9a，經(jīng)由中繼電極6b電連接，經(jīng)由中繼電極6b及漏電極5b與像素晶體管30的漏區(qū)域Ic電連接。在本方式中，層間絕緣膜44，成為通過(guò)使用四乙氧基硅烷和氧氣的等離子CVD法等形成的氧化硅膜441和在氧化硅膜441的上層側(cè)通過(guò)常壓CVD法等形成的摻雜硅酸鹽玻璃膜442的2層構(gòu)造，摻雜硅酸鹽玻璃膜442是摻雜有磷及硼之中的至少一方的硅酸鹽玻璃。在這樣的摻雜硅酸鹽玻璃膜442之中，形成磷摻雜硅酸鹽玻璃(PSG膜)的情況下的使用氣體，是SiH4、PH3、03等。形成硼摻雜硅酸鹽玻璃(BSG膜)的情況下的使用氣體是SiH4、B2H6、03等，形成硼、磷摻雜硅酸鹽玻璃膜(BPSG膜)的情況下的使用氣體是SiH4、B2H6、PH3、03等。因此，像素電極9a在摻雜硅酸鹽玻璃膜442的表面上形成。此外，摻雜硅酸鹽玻璃膜442在由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf，從像素電極9a露出，與取向膜16相接。此外，摻雜硅酸鹽玻璃膜442的表面，通過(guò)研磨成為平坦面，在這樣的平坦面形成像素電極9a。在這樣的研磨中，能夠利用化學(xué)機(jī)械研磨，在化學(xué)機(jī)械研磨中，通過(guò)研磨液中所包含的化學(xué)成分的作用和研磨劑與元件基板10的相對(duì)移動(dòng)，能夠高速地得到平滑的研磨面。更具體地，在研磨裝置中，邊使得粘貼有包含無(wú)紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔質(zhì)氟樹(shù)脂等的研磨布(襯墊)的平臺(tái)與保持元件基板10的保持件相對(duì)旋轉(zhuǎn),邊進(jìn)行研磨。此時(shí)，例如，向研磨布與元件基板10之間供給包含平均粒徑為0. 01 20 i! m的氧化鈰微粒、作為分散劑的丙烯酸酯衍生物以及水的研磨劑。在像素電極9a的表面形成有取向膜16。取向膜16包含聚酰亞胺等樹(shù)脂膜或者氧化硅膜等斜向蒸鍍膜。在本方式中，取向膜16是包含51( (乂<2)、5102、1102、1%041203、In203、Sb203、Ta205等的斜向蒸鍍膜的無(wú)機(jī)取向膜(垂直取向膜)。(對(duì)置基板20側(cè)等的結(jié)構(gòu)等)在對(duì)置基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等透光性的基板主體20w的液晶層50側(cè)的表面(與元件基板10相對(duì)的一側(cè)的面)形成包含ITO膜等透光性導(dǎo)電膜的共用電極21，并以覆蓋此共用電極21的方式形成取向膜26。取向膜26與取向膜16同樣，包含聚酰亞胺等的樹(shù)脂膜或者氧化硅膜等斜向蒸鍍膜。本方式中，取向膜26是包含SiOX(X < 2)、Si02、Ti02、Mg0、A1203、In203、Sb203、Ta205等的斜向蒸鍍膜的無(wú)機(jī)取向膜(垂直取向膜)。此取向膜16、26，使在液晶層50中使用的介電各向異性為負(fù)的向列液晶化合物垂直取向，液晶面板IOOp以常黑的VA模式工作。另外，在參照?qǐng)DI以及圖2說(shuō)明的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，構(gòu)成具備n溝道型的驅(qū)動(dòng)用晶體管和p溝道型的驅(qū)動(dòng)用晶體管的互補(bǔ)型晶體管電路等。此處，驅(qū)動(dòng)用晶體管是利用像素晶體管30的制造工序的一部分而形成的。因此，在元件基板10形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104的區(qū)域，也具有與圖3(b)所示的剖面結(jié)構(gòu)大致相同的剖面結(jié)構(gòu)。(本方式的主要效果)圖6是示意性表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的液晶裝置100的存儲(chǔ)電容55等中所使用的各電極的剖面的位置關(guān)系的說(shuō)明圖。在本方式的液晶裝置100中，如圖6示意性所示，通過(guò)透光性的第I電極層7、透光性的電介質(zhì)層40及透光性的第2電極層8a構(gòu)成存儲(chǔ)電容55。因此，即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容55的形成區(qū)域而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容55的電容值的增大，也不會(huì)妨礙顯示光的出射光量。特別是，在本方式中，在基板主體10w，在相對(duì)于由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf 俯、視重疊的區(qū)域，設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a作為遮光層，所以?xún)H由這樣的遮光層包圍的透光性區(qū)域IOp是可以透射顯示光的區(qū)域。然而，在本方式中，由于通過(guò)透光性的第I電極層7、透光性的電介質(zhì)層40及透光性的第2電極層8a構(gòu)成存儲(chǔ)電容55，所以即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容55的形成區(qū)域直至透光性區(qū)域而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容55的電容值的增大，也不會(huì)妨礙顯示光的
出射光量。此外，在本方式中，由于使用3個(gè)透光性電極(像素電極9a、第I電極層7及第2電極層8a)，所以能夠在存儲(chǔ)電容55與像素電極9a之間設(shè)置透光性的層間絕緣膜44。因此，在如以下所說(shuō)明那樣在與相鄰的像素電極9a之間(像素間區(qū)域IOf)俯視重疊的區(qū)域存在第I電極層7的情況下，也由于在第I電極層7與像素電極9a的層間至少介有層間絕緣膜44，所以由于在與像素電極9a的端部附近不會(huì)產(chǎn)生電位分布的紊亂，所以在像素電極9a的端部也能夠適宜地控制液晶分子的取向。更具體地，在本方式中，構(gòu)成存儲(chǔ)電容55的第I電極層7,由于設(shè)置為相對(duì)于多個(gè)、像素電極9a俯視重疊，所以可在與像素電極9a重疊的區(qū)域及與由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域形成。相對(duì)于此，第2電極層8a，由于以I對(duì)I的關(guān)系電連接于像素電極9a，所以在與像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域成為非形成區(qū)域。因此，在與由相鄰的第2電極層8a夾著的區(qū)域(由相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域IOf)重疊的區(qū)域，第I導(dǎo)電層7位于電介質(zhì)層40的下層側(cè)。此外，第I電極層7，與對(duì)置基板20側(cè)的共用電極21同樣,被施加共用電位Vcom。在此，在液晶裝置100中，通過(guò)在元件基板10側(cè)的像素電極9a與對(duì)置基板20側(cè)被施加共用電位的共用電極21之間形成的縱方向的電場(chǎng)(由箭頭VI表示的電場(chǎng))控制液晶層50的液晶分子的取向，按每像素進(jìn)行光調(diào)制。此時(shí)，由于對(duì)第I電極層7施加共用電位Vcom，所以在像素電極9a的端部與第I電極層7之間將產(chǎn)生多余的電場(chǎng)(由箭頭V2表示的電場(chǎng))，但是在本方式中，在第I電極層7與像素電極9a的層間，介有層間絕緣膜44。因此，根據(jù)本方式，由于不會(huì)產(chǎn)生由箭頭V2表示的多余電場(chǎng)，所以在像素電極9a的端部附近不會(huì)產(chǎn)生電位分布的紊亂，在像素電極9a的端部也能夠適宜地控制液晶分子的取向。此外,在本方式中，第2電極層8a相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于像素電極9a所位于的一側(cè)，第I電極層7相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于基板主體IOw所位于的一側(cè)。因此，在像素電極9a與第I電極層7之間，除了層間絕緣膜44，還位有電介質(zhì)層40。因此，根據(jù)本方式，能夠切實(shí)地防止由箭頭Vl表示的多余電場(chǎng)的產(chǎn)生。此外,在本方式中，第2電極層8a相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于像素電極9a所位于的一側(cè)，第I電極層7相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于基板主體IOw所位于的一側(cè)。因此，相對(duì)于第I電極層7，被施加像素電位的像素電極9a及第2電極層8a僅存在于一側(cè),相對(duì)于第I電極層7，在基板主體IOw側(cè)(下方)不存在被施加像素電位的像素電極9a及第2電極層8a。因此，數(shù)據(jù)線6a，在與相鄰的像素IOOa的像素電極9a及第2電極層8a之間不會(huì)寄生多余的電容。此外，數(shù)據(jù)線6a，不從自身所對(duì)應(yīng)的像素IOOa之中處于斷路狀態(tài)的像素電極9a及第2電極層8a受到電位的影響。因此，由于不會(huì)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)損耗，所以能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化。特別是，在本方式中，在存儲(chǔ)電容55與數(shù)據(jù)線6a之間僅介有層間絕緣膜43，但是由于在數(shù)據(jù)線6a與像素電極9a及第2電極層8a之間介有第I電極層7，所以對(duì)于數(shù)據(jù)線6a的電的影響小。
此外，在本方式的液晶裝置100中，由于在第2電極層8a與像素電極9a之間介有層間絕緣膜44，所以能夠通過(guò)研磨將要形成像素電極9a的基底(層間絕緣膜44的表面)形成為平坦面。因此，能夠?qū)⑾袼仉姌O9a形成于平坦面。此外，由于層間絕緣膜44的表面通過(guò)研磨被平坦化，所以與相鄰的第2電極層8a之間重疊的區(qū)域的層間絕緣膜44的厚度dl，相比較于與第2電極層8a重疊的區(qū)域的層間絕緣膜44的厚度d2，厚第2電極層8a的厚度量。因此，由于在位于相鄰的第2電極層8a之間的部分，在第I電極層7的上層側(cè)存在厚的層間絕緣膜44，所以能夠切實(shí)地防止由箭頭Vl表示的多余電場(chǎng)的產(chǎn)生，在像素電極9a的端部也能夠適宜地控制液晶分子的取向。此外，第I電極層7，在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域形成有開(kāi)口部7a，在與這樣的開(kāi)口部7a重疊的區(qū)域，設(shè)置有將像素電極9a及第2電極層8a相互電連接的中繼電極6b (第I中繼電極)。因此，在遍及寬廣的范圍形成第I電極層7的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極9a的電連接。此外，由于利用在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域形成的開(kāi)口部7a，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極9a的電連接。
此外，用于將中繼電極6b與第2電極層8a電連接的接觸孔43a (第I接觸孔)設(shè)置于與中繼電極6b的延伸部6bI重疊的區(qū)域，用于將中繼電極6b與像素電極9a電連接的接觸孔44a(第2接觸孔)設(shè)置于與中繼電極6b的彎曲部6b2重疊的區(qū)域。這樣，在本方式中，由于利用在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域形成的中繼電極6b，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于像素電極9a的電連接。此外，由于漏電極5b與中繼電極6b的電連接也利用與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域而進(jìn)行，所以無(wú)需大幅縮窄可以出射顯示光的區(qū)域，便可以實(shí)現(xiàn)漏電極5b與中繼電極6b的電連接。此外，在本方式中，層間絕緣膜44的上層側(cè)，是摻雜有磷及硼之中的至少一方的摻雜硅酸鹽玻璃膜442，這樣的硅酸鹽玻璃是多孔性的，具備吸濕性。此外，摻雜硅酸鹽玻璃膜442之中在與像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域形成的部分，從像素電極9a露出，與取向膜16相接。因此，在設(shè)置于像素電極9a的上層側(cè)的液晶層50中混入水分的情況下，摻雜硅酸鹽玻璃膜442經(jīng)由取向膜16從液晶層50除去水分。因此，能夠提高液晶裝置100的特性和/或可靠性等。此外，摻雜硅酸鹽玻璃膜442，由于研磨速度高，所以能夠高效地進(jìn)行對(duì)于層間絕緣膜44的表面(摻雜硅酸鹽玻璃膜442)的研磨工序。實(shí)施方式2圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的液晶裝置100的像素的說(shuō)明圖，圖7(a)、(b)分別是在相當(dāng)于圖3(a)的F-F'線的位置剖切液晶裝置100時(shí)的剖面圖和示意性地表示存儲(chǔ)電容55等中所使用的各電極的剖面的位置關(guān)系的說(shuō)明圖。另外，本方式的基本結(jié)構(gòu)，由于與實(shí)施方式I相同，所以對(duì)于共同的部分，賦予同一符號(hào)并省略其說(shuō)明。如圖7所示，在本方式的液晶裝置100中，也與實(shí)施方式I同樣，通過(guò)透光性的第I電極層7、透光性的電介質(zhì)層40和透光性的第2電極層8a構(gòu)成存儲(chǔ)電容55。因此,可產(chǎn)生即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容55的形成區(qū)域而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容55的電容值的增大，也不會(huì)妨礙顯示光的出射光量等效果。在此，存儲(chǔ)電容55,與實(shí)施方式I上下相反,第2電極層8a相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于基板主體IOw所位于的一側(cè),第I電極層7相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于像素電極9a所位于的一側(cè)。
在這樣構(gòu)成的情況下，也在第I電極層7與像素電極9a的層間介有層間絕緣膜44。因此，在相鄰的像素電極9a之間(像素間區(qū)域IOf)的俯視重疊的區(qū)域存在第I電極層7的情況下，也難以在像素電極9a的端部與第I電極層7之間產(chǎn)生多余的電場(chǎng)(由箭頭V2表示的電場(chǎng))。因此，可產(chǎn)生在與像素電極9a的端部附近不會(huì)產(chǎn)生電位分布的紊亂，在像素電極9a的端部也能夠適宜地控制液晶分子的取向的效果。此外，介于第I電極層7與像素電極9a之間的層間絕緣膜44的表面，被平坦化而成為平坦面。因此，能夠在平坦面形成像素電極9a。此外，由于層間絕緣膜44的表面通過(guò)研磨被平坦化，所以與相鄰的第2電極層8a之間重疊的區(qū)域的層間絕緣膜44的厚度dl，相比較于與第2電極層8a重疊的區(qū)域的層間絕緣膜44的厚度d2，厚第2電極層8a的厚度量。因此，由于在位于相鄰的第2電極層8a之間的部分，在第I電極層7的上層側(cè)存在厚的層間絕緣膜44，所以可產(chǎn)生能夠切實(shí)地防止由箭頭Vl表示的多余電場(chǎng)的產(chǎn)生等與實(shí)施方式I同樣的效果。其他的實(shí)施方式 此外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了將本發(fā)明應(yīng)用于液晶裝置100的例子，但是也可以將本發(fā)明應(yīng)用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置等液晶裝置100以外的電光裝置。電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)例關(guān)于具備上述實(shí)施方式所涉及的液晶裝置100的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖8是使用應(yīng)用了液晶裝置100的投射型顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖8所示的投射型顯示裝置110是向設(shè)置在觀察者側(cè)的屏幕111照射光，觀察在此屏幕111反射的光的、所謂投影型的投射型顯示裝置。投射型顯示裝置110具備包含光源112的光源部130，分色鏡113、114，液晶光閥115 117(液晶裝置100)，投射光學(xué)系統(tǒng)118，交叉分色棱鏡119，和中繼系統(tǒng)120。光源112，由供給包含紅色光、綠色光以及藍(lán)色光的光的超高壓水銀燈構(gòu)成。分色鏡113為使來(lái)自光源112的紅色光透射并且反射綠色光以及藍(lán)色光的結(jié)構(gòu)。此外，分色鏡114為使由分色鏡113反射的綠色光以及藍(lán)色光之中的藍(lán)色光透射并且反射綠色光的結(jié)構(gòu)。這樣，分色鏡113、114構(gòu)成將從光源112出射的光分離為紅色光、綠色光和藍(lán)色光的色分離光學(xué)系統(tǒng)。此處，在分色鏡113與光源112之間，從光源112開(kāi)始依次配置積分器121以及偏振變換兀件122。積分器121為均一化從光源112照射的光的照度分布的結(jié)構(gòu)。此外,偏振變換元件122為使得來(lái)自光源112的光為例如s偏振光那樣具有特定的振動(dòng)方向的偏振光的結(jié)構(gòu)。液晶光閥115是根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制透射過(guò)分色鏡113并由反射鏡123反射的紅色光的透射型的液晶裝置100。液晶光閥115具備\ /2相位差板115a、第一偏振板115b、液晶面板115c以及第二偏振板115d。此處，入射到液晶光閥115的紅色光，因?yàn)榧词雇干溥^(guò)分色鏡113，光的偏振也不變化，所以還是s偏振光。A /2相位差板115a是將入射到液晶光閥115的s偏振光變換為p偏振光的光學(xué)元件。此外，第一偏振板115b是遮斷s偏振光而使p偏振光透射的偏振板。并且，液晶面板115c構(gòu)成為通過(guò)根據(jù)圖像信號(hào)的調(diào)制將p偏振光變換為s偏振光(如果是半色調(diào)則為圓偏振光或者橢圓偏振光)。進(jìn)而，第二偏振板115d是遮斷p偏振光而使s偏振光透射的偏振板。因此，液晶光閥115，為根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制紅色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制后的紅色光的結(jié)構(gòu)。
另外，A /2相位差板115a以及第一偏振板115b,以與不變換偏振光的透光性的玻璃板115e相接的狀態(tài)配置，能夠避免\ /2相位差板115a以及第一偏振板115b由于發(fā)熱而彎曲。液晶光閥116是根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制在由分色鏡113反射之后由分色鏡114反射的綠色光的透射型的液晶裝置100。而且，液晶光閥116，與液晶光閥115同樣，具備第一偏振板116b、液晶面板116c以及第二偏振板116d。入射到液晶光閥116的綠色光，是由分色鏡113、114反射而入射的s偏振光。第一偏振板116b是遮斷p偏振光而使s偏振光透射的偏振板。此外,液晶面板116c構(gòu)成為通過(guò)根據(jù)圖像信號(hào)的調(diào)制將s偏振光變換為p偏振光(如果是半色調(diào)則為圓偏振光或者橢圓偏振光)。并且，第二 偏振板116d是遮斷s偏振光而使P偏振光透射的偏振板。因此，液晶光閥116，為根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制綠色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制后的綠色光的結(jié)構(gòu)。液晶光閥117，是根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制由分色鏡113反射、透射過(guò)分色鏡114之后經(jīng)過(guò)了中繼系統(tǒng)120的藍(lán)色光的透射型的液晶裝置100。液晶光閥117，與液晶光閥115，116同樣，具備\ /2相位差板117a、第一偏振板117b、液晶面板117c以及第二偏振板117d。此處，入射到液晶光閥117的藍(lán)色光，因?yàn)橛煞稚R113反射，透射過(guò)分色鏡114之后，由中繼系統(tǒng)120的后述的2個(gè)反射鏡125a、125b反射,所以為s偏振光。X/2相位差板117a,是將入射到液晶光閥117的s偏振光變換為p偏振光的光學(xué)元件。此外，第一偏振板117b是遮斷s偏振光而使p偏振光透射的偏振板。而且，液晶面板117c為通過(guò)根據(jù)圖像信號(hào)的調(diào)制將p偏振光變換為s偏振光(如果是半色調(diào)則為圓偏振光或者橢圓偏振光)。進(jìn)而，第二偏振板117d是遮斷p偏振光而使s偏振光透射的偏振板。因此，液晶光閥117，為根據(jù)圖像信號(hào)調(diào)制藍(lán)色光，向交叉分色棱鏡119出射調(diào)制后的藍(lán)色光的結(jié)構(gòu)。另夕卜，X/2相位差板117a以及第一偏振板117b,以與玻璃板117e相接的狀態(tài)配置。中繼系統(tǒng)120具備中繼透鏡124a、124b和反射鏡125a、125b。中繼透鏡124a、124b，為了防止由于藍(lán)色光的光路長(zhǎng)導(dǎo)致的光損失而設(shè)置。此處，中繼透鏡124a，在分色鏡114與反射鏡125a之間配置。此外，中繼透鏡124b，在反射鏡125a、125b之間配置。反射鏡125a，配置為將透射過(guò)分色鏡114而從中繼透鏡124a出射的藍(lán)色光向中繼透鏡124b反射。此外，反射鏡125b配置為將從中繼透鏡124b出射的藍(lán)色光向液晶光閥117反射。 交叉分色棱鏡119，是將2個(gè)分色膜119a、119b垂直配置為X字型而成的色合成光學(xué)系統(tǒng)。分色膜119a是反射藍(lán)色光而透射綠色光的膜,分色膜119b是反射紅色光而透射綠色光的膜。因此，交叉分色棱鏡119，構(gòu)成為合成由液晶光閥115 117分別調(diào)制后的紅色光、綠色光和藍(lán)色光，向投射光學(xué)系統(tǒng)118出射。另外，從液晶光閥115、117向交叉分色棱鏡119入射的光為s偏振光,從液晶光閥116向交叉分色棱鏡119入射的光為p偏振光。這樣,使得向交叉分色棱鏡119入射的光為不同種類(lèi)的偏振光，由此能夠在交叉分色棱鏡119合成從各個(gè)液晶光閥115 117入射的光。此處，一般地，分色膜119a、119b在s偏振光的反射晶體管特性上優(yōu)異。因此，將由分色膜119a、119b反射的紅色光以及藍(lán)色光設(shè)定為s偏振光，將透射過(guò)分色膜119a、119b的綠色光設(shè)定為P偏振光。投射光學(xué)系統(tǒng)118，具有投影透鏡(圖示略)，構(gòu)成為向屏幕111投射由交叉分色棱鏡119合成的光。
(其他的投射型顯示裝置)另外，關(guān)于投射型顯示裝置，也可以構(gòu)成為使用出射各色光的LED光源等作為光源部，將從此LED光源出射的色光分別供給到不同的液晶裝置。(其他的電子設(shè)備)
關(guān)于應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置100，除了上述電子設(shè)備之外，也可以在便攜電話(huà)機(jī)、信息便攜終端(PDA :Personal Digital Assistants (個(gè)人數(shù)字助理))、數(shù)字照相機(jī)、液晶電視機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航裝置、視頻電話(huà)、POS終端、包含觸摸面板的設(shè)備等電子設(shè)備中作為直視型顯示裝置使用。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，具備 基板； 設(shè)置于該基板的一面?zhèn)鹊耐腹庑缘南袼仉姌O；以及 存儲(chǔ)電容，其設(shè)置于該像素電極與前述基板之間，層疊有與前述像素電極分別俯視重疊的透光性的第I電極層、電連接于前述像素電極的透光性的第2電極層以及介于前述第I電極層與前述第2電極層之間的透光性的電介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于 前述第I電極層在與相互相鄰的前述像素電極之間重疊的區(qū)域具有開(kāi)口部； 在俯視與前述開(kāi)口部重疊的區(qū)域，設(shè)置有將前述像素電極與前述第2電極層相互電連 接的第I中繼電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于 前述第I中繼電極具有在與前述相互相鄰的像素電極之間俯視重疊的區(qū)域在第I方向延伸的延伸部和從該延伸部向與前述第I方向交叉的第2方向彎曲的彎曲部； 用于將前述第I中繼電極與前述第2電極層電連接的第I接觸孔設(shè)置于與前述延伸部重疊的區(qū)域； 用于將前述第I中繼電極與前述像素電極電連接的第2接觸孔設(shè)置于與前述彎曲部重疊的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于，具備 與前述像素電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的晶體管；以及 將前述晶體管與前述第I中繼電極電連接的第2中繼電極； 其中，前述第2中繼電極俯視配置為與前述晶體管重疊，并且配置為在與前述相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域在第I方向延伸； 前述第I中繼電極俯視具有在與前述相互相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域在前述第I方向延伸并與前述第2中繼電極俯視重疊的重疊部和在與前述相互相鄰的像素電極之間俯視重疊的區(qū)域從前述第2中繼電極的端部向前述第I方向突出的突出部； 前述第2電極層與前述重疊部經(jīng)由第I接觸孔電連接； 前述像素電極與前述突出部經(jīng)由第2接觸孔電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 前述第I電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述基板側(cè)； 前述第2電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述像素電極側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 前述第I電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述像素電極側(cè)； 前述第2電極層相對(duì)于前述電介質(zhì)層設(shè)置于前述基板側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 設(shè)置于前述存儲(chǔ)電容與前述像素電極之間的層間絕緣膜的表面為平坦面。
8.根據(jù)權(quán)利要求I 7中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 前述第I電極層設(shè)置于排列有多個(gè)前述像素電極的像素排列區(qū)域的整面。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 8中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于 在相對(duì)于相鄰的前述像素電極之間俯視重疊的區(qū)域設(shè)置有遮光層；前述存儲(chǔ)電容至少設(shè)置于相對(duì)于由前述遮光層包圍的透光性區(qū)域俯視重疊的區(qū)域內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 9中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于前述基板在與相對(duì)配置于該基板的一面?zhèn)鹊耐腹庑缘膶?duì)置基板之間保持液晶層。
11.一種投射型顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求I 10中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置；出射對(duì)前述電光裝置進(jìn)行照射的照明光的光源部；以及投射由前述電光裝置調(diào)制后的光的投射光學(xué)系統(tǒng)。
12.—種電子設(shè)備,其特征在于,具備權(quán)利要求I 11中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供即使擴(kuò)展存儲(chǔ)電容的形成區(qū)域，也難以產(chǎn)生顯示光的出射光量的降低和/或像素電極的端部附近的電位分布的紊亂的電光裝置、投射型顯示裝置及電子設(shè)備。在液晶裝置100中，在各像素，第1電極層7相對(duì)于透光的電介質(zhì)層40設(shè)置于基板主體10w所位于的一側(cè)，透光性的第2電極層8a相對(duì)于電介質(zhì)層40設(shè)置于像素電極9a所位于的一側(cè)。因此，通過(guò)透光性的第1電極層7、透光性的電介質(zhì)層40及透光性的第2電極層8a構(gòu)成存儲(chǔ)電容55。此外，在存儲(chǔ)電容55與像素電極9a之間設(shè)置有透光性的層間絕緣膜44。因此，能夠?qū)⑾袼仉姌O9a形成于通過(guò)研磨平坦化了的平坦面上，并且在被施加共用電位的第1電極層7與像素電極9a的端部之間不會(huì)產(chǎn)生多余的電場(chǎng)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102738147SQ201210090900
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者伊藤智, 立野善丈 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社