專利名稱：光刻設(shè)備、投影系統(tǒng)和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備、一種投影系統(tǒng)以及一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。在已知的光刻系統(tǒng)中，投影系統(tǒng)包括其中投影圖案化的輻射束的真空室。這樣，投影束穿過(guò)真空室的至少一個(gè)區(qū)域。在真空室中，具有顆粒的污染物，例如源自襯底結(jié)構(gòu)的碳羥基(carbon hydroxyl)顆粒，可能損傷光學(xué)元件，例如反射鏡。此外，污染物顆?？赡苡绊懲队笆墓鈱W(xué)透射率。具體地，極紫外(EUV)光刻系統(tǒng)可能會(huì)遭受這種氣體污染。在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US6714279號(hào)中，真空室設(shè)置有惰性氣體源。通過(guò)在真空室中供給惰性氣體可以抑制光學(xué)部件的污染。

發(fā)明內(nèi)容
期望例如實(shí)現(xiàn)一種光刻設(shè)備，其中能夠進(jìn)一步地抑制在真空室內(nèi)產(chǎn)生污染物顆粒。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括配置成調(diào)節(jié)輻射束的照射系統(tǒng)； 構(gòu)造成支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束；構(gòu)造成保持襯底的襯底臺(tái)，配置成將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)；真空室，在使用期間所述圖案化的輻射束被投影通過(guò)真空室；和凈化系統(tǒng)，配置成在所述室內(nèi)提供凈化氣體流。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種投影系統(tǒng)，配置成在光刻設(shè)備中將圖案化輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述投影系統(tǒng)包括真空室，其中在使用期間所述圖案化的輻射束被投影，并且其中所述投影系統(tǒng)還包括凈化系統(tǒng)，所述凈化系統(tǒng)配置成在所述室內(nèi)提供凈化氣體流。根據(jù)本發(fā)明的一方面，還提供一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中在真空室中應(yīng)用凈化氣體流，所述圖案化輻射束被投影通過(guò)所述真空室。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示出光刻設(shè)備的示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意圖；圖4示出施加在顆粒上的拖曳力和重力的圖；圖5示出沿表面行進(jìn)的污染物顆粒的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或可見光輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)， 或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)用于曝光。所述光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體覆蓋(例如水)，以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底) 浸入到液體中，而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器和聚光器?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))ΜΤ上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)ΜΑ上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分 C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IFl用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位) 和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。 可以使用圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置 MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu) MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。圖2示意地示出光刻設(shè)備1。光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)2，例如包括EUV源，其配置用以調(diào)節(jié)輻射束。此外，所述設(shè)備1包括支撐結(jié)構(gòu)(為了清楚沒有示出)，其配置用以保持圖案形成裝置3，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化輻射束。所述設(shè)備1還包括襯底臺(tái)4，其配置成保持襯底。襯底可以通過(guò)襯底處理裝置5移動(dòng)，以便沿襯底交換路徑6移動(dòng)襯底用于下一處理。光刻設(shè)備1還包括配置成投影圖案化輻射束的投影系統(tǒng)7和真空室8，在所述真空室中投影所述圖案化輻射束。在光刻設(shè)備1運(yùn)行期間，投影的圖案化束9在到達(dá)由襯底臺(tái)4保持的襯底之前穿過(guò)真空室8的一區(qū)域。所述設(shè)備1還包括泵10，其配置成接收存在于真空室8內(nèi)的污染物顆粒。在圖1中，示意地示出了示例性的污染物顆粒11。在被接收于泵10內(nèi)之前，污染物顆粒11在真空室8 內(nèi)沿準(zhǔn)任意路徑(quasi arbitrary path) 12移動(dòng)。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備1的示意圖。類似于圖2中示出的設(shè)備1， 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備1包括照射系統(tǒng)2、配置成保持圖案形成裝置3的支撐結(jié)構(gòu)、襯底臺(tái)4、投影系統(tǒng)7以及真空室8。此外，圖2中示出的設(shè)備1的投影系統(tǒng)7設(shè)置有配置用以在真空室8內(nèi)提供凈化氣體流的凈化系統(tǒng)。通過(guò)在其中投影圖案化輻射束的真空室8 內(nèi)提供凈化氣體流，可以減少在投影束9穿過(guò)室8的區(qū)域內(nèi)的污染物顆粒的數(shù)量，因而有助于改善投影系統(tǒng)7的光學(xué)性能。當(dāng)污染物顆粒的數(shù)量減少，光學(xué)透射率可以改善。此外，光學(xué)部件的使用壽命可以延長(zhǎng)。在圖3中示出的實(shí)施例中，凈化系統(tǒng)包括凈化入口 13，其配置成提供凈化氣體流進(jìn)入真空室8。凈化氣體基本上沿著特定流動(dòng)路徑15流動(dòng)，沿所述流動(dòng)路徑15收集污染物顆粒。此外，凈化系統(tǒng)包括兩個(gè)泵16、17，分別布置在真空室8的相對(duì)于投影束9穿過(guò)的部分的相對(duì)側(cè)處的側(cè)壁上。凈化入口 13和泵16、17的位置設(shè)計(jì)成使得凈化氣體基本上沿著凈化氣體流動(dòng)路徑15、18流動(dòng)。作為示例，氣體流動(dòng)路徑15穿過(guò)由投影束9穿過(guò)的真空室 8的所述部分。這種氣體流動(dòng)路徑15的一部分從由投影束9穿過(guò)的區(qū)域朝向輻射束的外側(cè)延伸，使得從該區(qū)域去除污染物顆粒，從而改善所述設(shè)備1的光學(xué)性能。另一氣體流動(dòng)路徑 18沿著投影束9穿過(guò)的區(qū)域但是在該區(qū)域外側(cè)、并且方向是離開投影束9，以使污染物顆粒排出離開投影束9。在圖3中，示出沿方向朝向泵17的路徑14行進(jìn)的污染物顆粒11的示例。與圖1中示出的情形相反，污染物顆粒被泵17收集，而不會(huì)穿過(guò)投影束9，使得設(shè)備1 的光學(xué)退化被抵消。此外，因?yàn)榭梢栽谖廴疚镱w?？邕^(guò)襯底交換路徑6之前去除污染物顆粒，將有利于消除污染物顆粒粘附到襯底臺(tái)4?？梢蕴峁┮粋€(gè)或更多個(gè)其他凈化氣體流動(dòng)路徑以從真空室8去除污染物顆粒11。 作為示例，可以提供從真空室8內(nèi)投影束9穿過(guò)的區(qū)域的部分朝向投影束9的外側(cè)的另一凈化氣體流動(dòng)路徑，或提供沿投影束9區(qū)域但在投影束9區(qū)域外側(cè)并且方向?yàn)殡x開投影束的另一凈化氣體流動(dòng)路徑。原則上，還可以僅設(shè)計(jì)一種類型的凈化氣體流動(dòng)路徑，例如基本上相對(duì)于投影束9橫穿地延伸的凈化氣體流動(dòng)路徑。類似地，可以布置一個(gè)或更多個(gè)凈化入口和/或一個(gè)或更多個(gè)泵，用于基本上確定所需的凈化氣體流動(dòng)路徑。根據(jù)本發(fā)明的一方面，一個(gè)或更多個(gè)凈化入口布置在對(duì)污染物顆粒重要的區(qū)域附近，使得污染物顆粒更容易地被去除掉，因此消除所謂的死區(qū)的存在，即消除污染物顆粒在被去除之前可以存在相對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)或更多個(gè)泵根據(jù)需要設(shè)置在污染物顆粒源的附近。 結(jié)果，可以在污染物顆粒穿過(guò)投影束9之前從真空室8相對(duì)快速地去除污染物顆粒。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以根據(jù)需要在所述室的由圖案化輻射束穿過(guò)的區(qū)域內(nèi)應(yīng)用氫氣凈化氣體流。有利地，氫氣對(duì)于EUV輻射具有相對(duì)高的透射率，使得投影束可以以最小程度被氫氣干擾。此外，可以在所述室的圖案化輻射束的外部區(qū)域應(yīng)用鹵素凈化氣體流， 以改善泵的泵送效率。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可以沿光學(xué)裝置的表面提供凈化氣體流，以減小污染物顆粒到達(dá)這種光學(xué)裝置表面的機(jī)會(huì)。下面描述分別施加在污染物顆粒上的拖曳力和重力的計(jì)算。施加在氣體流中一般質(zhì)量顆粒上的拖曳力以及施加在該質(zhì)量顆粒上的重力分別由以下公式給出
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其配置成調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺(tái)，其構(gòu)造成保持襯底；投影系統(tǒng)，其配置成將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；真空室，在使用期間所述圖案化的輻射束被投影通過(guò)所述真空室；凈化系統(tǒng)，其配置成在所述室內(nèi)提供凈化氣體流，其中在所述室的所述圖案化的輻射束外側(cè)的區(qū)域應(yīng)用鹵素凈化氣體流。
2.一種投影系統(tǒng)，其配置成在光刻設(shè)備中將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述投影系統(tǒng)包括真空室，在所述真空室中在使用期間所述圖案化的輻射束被投影，并且其中所述投影系統(tǒng)還包括凈化系統(tǒng)，所述凈化系統(tǒng)配置成在所述室內(nèi)提供凈化氣體流，其中在所述室的所述圖案化的輻射束外側(cè)的區(qū)域應(yīng)用鹵素凈化氣體流。
3.如權(quán)利要求2所述的投影系統(tǒng)，其中，所述凈化系統(tǒng)包括凈化入口，所述凈化入口配置成供給凈化氣體流到所述真空室中。
4.如權(quán)利要求3所述的投影系統(tǒng)，其中，所述凈化入口布置在對(duì)污染物顆粒重要的區(qū)域附近。
5.如權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中，所述凈化系統(tǒng)還包括配置成接收所述凈化氣體流的泵。
6.如權(quán)利要求5所述的投影系統(tǒng)，其中，所述泵在污染物顆粒源的附近。
7.一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中在真空室內(nèi)應(yīng)用凈化氣體流，所述圖案化的輻射束被投影通過(guò)所述真空室，其中在所述室的所述圖案化的輻射束外側(cè)的區(qū)域應(yīng)用鹵素凈化氣體流。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括提供凈化氣體流動(dòng)路徑，所述凈化氣體流動(dòng)路徑沿所述圖案化的輻射束但在所述圖案化的輻射束的外側(cè)并且方向?yàn)殡x開所述圖案化的輻射束。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，還包括提供凈化氣體流動(dòng)路徑，所述凈化氣體流動(dòng)路徑從位于所述室的被所述圖案化的輻射束橫穿的區(qū)域內(nèi)的部分朝向所述圖案化的輻射束的外側(cè)。
10.如權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的方法，包括應(yīng)用氫氣凈化氣體流。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，包括在所述室的被所述圖案化的輻射束橫穿的區(qū)域內(nèi)應(yīng)用所述氫氣凈化氣體流。
12.如權(quán)利要求6-11中任一項(xiàng)所述的方法，還包括沿光學(xué)裝置的表面提供凈化氣體流。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，沿所述光學(xué)裝置的表面提供的所述凈化氣體流的溫度低于所述光學(xué)裝置的表面的溫度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備(1)，包括投影系統(tǒng)(7)，其配置成將所述圖案化的輻射束(9)投影到襯底的目標(biāo)部分上；真空室(8)，在使用期間所述圖案化的輻射束(9)被投影通過(guò)真空室；和凈化系統(tǒng)(13、16、17)，其配置成在所述室(8)內(nèi)提供凈化氣體流。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102495538SQ20121000573
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日
發(fā)明者J·H·J·莫爾斯, P·G·約克斯, W·J·M·沃斯蒂格, Y·J·G·范德維基沃爾 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司