專利名稱：一種光刻投影裝置及其器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，包括光網(wǎng)平臺單元，包括支承形成圖案機構(gòu)的支承結(jié)構(gòu)，和短行程單元，用來細調(diào)所述支承結(jié)構(gòu)的位置，該形成圖案機構(gòu)用來使投影光束形成所需要的圖案；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將帶圖案的光束投影到基片的目標部分，所述投影系統(tǒng)具有光軸。
背景技術(shù)：
本文使用的術(shù)語“形成圖案機構(gòu)”應(yīng)被廣義地理解為用來使入射光束的斷面形成圖案的裝置，該圖案對應(yīng)于在基片目標部分中產(chǎn)生的圖案；在本文中也可以使用“光閥”這一術(shù)語。一般來說，所述圖案對應(yīng)于在目標部分制造的器件，如集成電路或其它器件(參見下文)，的特定功能層。這種形成圖案機構(gòu)的示例包括掩模，掩模的概念在光刻法中為大家所熟知，掩模包括的掩模類型，比如雙體、交變相移和衰減相移，以及各種混合的掩模類型。將這樣的掩模放置在光束中會使照射到掩模上的光束根據(jù)掩模圖案產(chǎn)生選擇性透射(在透射式掩模的情況下)或選擇性反射(在反射式掩模的情況下)。對于掩模來說，固定形成圖案機構(gòu)的支承結(jié)構(gòu)在下文中也稱作“掩模臺”；掩模臺可確保掩模固定在入射光束所要求的位置，而且還可以按要求相對光束移動。
可編程反射鏡陣列，這種機構(gòu)的一個示例是帶有粘彈性控制層和反射面的可編址矩陣表面。這種機構(gòu)的基本原理是(舉例來說)反射面的編址區(qū)域反射入射光線成為衍射光，而未編址區(qū)域反射入射光線成為非衍射光。利用適當?shù)臑V光器可以將所述非衍射光從反射光束中濾掉而只剩下衍射光；通過這種方式，可以根據(jù)可編址矩陣表面的編址圖案使光束形成圖案?？删幊谭瓷溏R陣列的另一種可供選擇的實施例采用小反射鏡矩陣，通過施加適當?shù)木植侩妶龌蛲ㄟ^使用壓電致動裝置可以使每個反射鏡單獨繞軸線傾斜。同樣，反射鏡形成可編址矩陣，使編址反射鏡沿不同于未編址反射鏡的方向反射入射光束；通過這種方式，可以根據(jù)可編址矩陣反射鏡的編址圖案使反射光束形成圖案。可以用適當?shù)碾娮友b置來進行所需要的矩陣編址。在上述兩種情況，形成圖案機構(gòu)可以包括一個或多個可編程反射鏡陣列。從美國專利US 5,296,891和US 5,523,193以及PCT申請WO 98/38597和WO 98/33096中可以得到更多有關(guān)反射鏡陣列的信息。對于可編程反射鏡陣列來說，所述支承結(jié)構(gòu)可以用框架或平臺來實現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定或活動的。
可編程液晶顯示(LCD)陣列。這種結(jié)構(gòu)的示例在美國專利US5,229,872中給出。同上，這種情況下的支承結(jié)構(gòu)可以用框架或平臺來實現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要比如可以是固定的或活動的。
為了簡單起見，本文的其余部分可能在某處具體涉及到包括掩模和掩模臺的示例；但是，在這些示例中討論的一般原理可用于如前述形成圖案機構(gòu)的更廣泛范圍。
光刻投影裝置可以用來制造集成電路(ICs)。在這種情況下形成圖案機構(gòu)可產(chǎn)生對應(yīng)于單層集成電路的電路圖形，且該圖形可以在覆蓋光敏感材料層(抗蝕膜)的基片(硅晶片)目標部分(可包括一個或多個芯片)上成像。一般來說，單個晶片將包括相鄰目標部分的整個電路，這些目標部分依次由投影系統(tǒng)一次一個地照射。在現(xiàn)有的通過掩模臺上掩模來形成圖案的裝置中，分為兩種不同類型的設(shè)備，其中一種類型的光刻投影儀，通過將整個掩模圖案一次曝光到目標部分的方式照射各目標部分；這種設(shè)備通常稱作晶片分檔器或步進-重復(fù)機。在另一種可供選擇的通常稱作步進掃描機的設(shè)備中，每個目標部分通過在投影光束下沿給定基準方向(“掃描”方向)逐步掃描掩模圖案來照射的，同時沿與此方向相同或相反的方向同步掃描基片臺；一般來說，由于投影系統(tǒng)會具有放大系數(shù)M(通常＜1)，所以掃描基片臺的速度V應(yīng)等于系數(shù)M乘以掃描掩模臺的速度。有關(guān)光刻裝置的更多信息可以從美國專利US 6,046,792中得到。
在使用光刻投影裝置的制造器件過程中，圖案(比如掩模中的圖案)在基片上成像，該基片至少局部由光敏感材料層(抗蝕膜)覆蓋。在成像步驟之前，可以對基片進行各種處理，如涂底漆、涂抗蝕膜和低溫烘焙。在曝光之后，可以對基片進行其它處理，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、高溫烘焙以及對成像要素進行測量/檢查。這一系列步驟是形成單層器件如集成電路圖案的基礎(chǔ)。接下來可以對圖案層進行各種加工如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機械拋光等，所有這些工序都是為了完成單層器件。如果需要有若干層，那么對于每個新層都必須重復(fù)進行整個過程或其變化。最終，在基片(晶片)上會形成一系列器件。接著利用切割或鋸切這樣的技術(shù)將這些器件相互分開，于是這些單獨的器件可以安裝在載體上、連接到插腳上等。有關(guān)這種工藝的詳細資料可以從1997年的第三版“微芯片制造半導(dǎo)體加工實用指南”一書中得到，作者為Peter van Zant，McGraw Hill出版公司，書號為ISBN 0-07-067250-4。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下面可以被稱作“透鏡”；但是，這一術(shù)語應(yīng)當被廣義地理解為包括各種類型的投影系統(tǒng)，比如包括折射光學(xué)、反射光學(xué)、和反折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)也可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一種進行操作以引導(dǎo)、修正或控制投影光束的部件，下面這些部件也可以共同或單獨地稱作“透鏡”。此外，光刻投影裝置可以帶有兩個或更多個基片臺(和/或兩個或更多個掩模臺)。在這種“多平臺”設(shè)備中，增加的平臺可以并行使用，或者當一個或多個其它的平臺進行曝光時，同時在一個或多個平臺上進行準備步驟。雙平臺光刻投影裝置在美國專利US 5,969,441和國際專利申請WO 98/40791中作了介紹。
在本文中介紹的掩模亦稱“光網(wǎng)”，這一術(shù)語可在下文中使用。而且，上述掩模臺在下文中也可以稱作“光網(wǎng)平臺”。通常用一個或多個激光干涉儀測量光網(wǎng)平臺和基片臺的位置以達到所需的精度，使得基片在曝光時能夠精確定位并使器件的各圖案層相互對準。
可以用軟和/或薄的膜片保護光網(wǎng)以防止光網(wǎng)的圖案面造成損壞。這種軟薄膜通常由聚合物薄片構(gòu)成，基本上平行于光網(wǎng)表面并離開一定的垂直距離。
例如，光網(wǎng)上的微粒會對照射在光網(wǎng)上的光束產(chǎn)生的圖案影像造成不利影響。通過將薄膜上的微粒攔截在不是投影系統(tǒng)焦點平面的表面上，基本上可以保證(干凈)光網(wǎng)產(chǎn)生的影像的質(zhì)量。
已經(jīng)注意到短波長輻射光如深紫外輻射(比如126和157納米)和遠紫外輻射(EUV)(比如5-20納米)會使軟薄膜很快變壞，因此在這種情況下使用軟薄膜是不現(xiàn)實的。
對(深)紫外/遠紫外光刻技術(shù)應(yīng)用中的光網(wǎng)正在考慮使用替代薄膜。這種替代薄膜能夠經(jīng)受(深)紫外/遠紫外輻射并且是由對(深)紫外/遠紫外輻射透明的薄玻璃片構(gòu)成。
由于玻璃片的折射特性(根據(jù)Snell定律)，輻射光束可通過某種方式折射，即可使產(chǎn)生圖案影像的投影系統(tǒng)的焦點平面發(fā)生偏移，因而光網(wǎng)相對投影系統(tǒng)的位置相應(yīng)改變。
然而，光網(wǎng)位置的這種變化在某些工藝過程中會對無薄膜的光網(wǎng)造成不利影響。比如，集成電路的晶片加工要進行許多光刻技術(shù)試驗(有些甚至是日常性的)，需要使用不帶薄膜的光網(wǎng)。在這樣的情況下可以使用不帶薄膜的光網(wǎng)，因為能夠使圖案更加精確。
帶或不帶薄膜的光網(wǎng)之間變換必須對光刻投影裝置進行麻煩和費時的調(diào)整，從而使裝置的正常運行時間減少。更換帶和不帶薄膜的光網(wǎng)最好能夠在幾分鐘(比方說少于10分鐘)內(nèi)完成。
本發(fā)明的目的是要使光刻投影裝置中帶和不帶薄膜的光網(wǎng)之間是變換更加容易。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的這一目的和其它目的是通過如開頭段落中所述的光刻投影裝置來實現(xiàn)的，其特征在于，所述光刻投影裝置還包括補償器，用來沿所述光軸改變所述光網(wǎng)平臺單元一部分的位置以補償由所述形成圖案機構(gòu)中薄膜引起的形成圖案機構(gòu)的圖案面的虛擬偏移，所述光網(wǎng)平臺單元的一部分至少包括短行程單元和支承結(jié)構(gòu)。
通過提供上述補償器，能夠簡單和快速地改變光刻投影裝置中圖案面的位置。而且，使用補償器可以減少操作人員在必須更換帶和不帶薄膜的光網(wǎng)的情況下出錯的可能性。
使用時投影系統(tǒng)和光網(wǎng)之間距離的改變通過短行程單元的位置變化來進行。投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置及其相對于晶片的位置可以保持不變，但也可以作為參數(shù)用來補償虛擬偏移。對于適用于深紫外輻射的光刻投影裝置，投影光束穿過的裝置內(nèi)部空間通常是用凈化氣體凈化的，對于所述輻射光凈化氣體基本上是可透射的(這與環(huán)境空氣不同)。本發(fā)明的另一個優(yōu)點是光網(wǎng)平臺和壁構(gòu)件(設(shè)置在短行程單元上用來構(gòu)成靠近光網(wǎng)的要凈化的空腔的一部分)之間的一個或多個凈化間隙的尺寸(即，凈化間隙中沿垂直于凈化氣流方向的尺寸，基本上決定了凈化氣體通過該間隙的流速)與通過補償器實現(xiàn)的沿光軸方向的位置變化無關(guān)。所述一個或多個凈化間隙的尺寸的控制是十分重要的，因為通過這一個或多個凈化間隙的凈化氣體流速與所述尺寸直接相關(guān)。收窄凈化間隙降低所述流速，加寬凈化間隙提高所述流速。尤其是當流速減小時，環(huán)境氣體(如空氣)會擴散到要凈化的空腔中。
在本發(fā)明的一個實施例中，補償器還包括用來改變圖案面沿光軸位置的間隔機構(gòu)。在此實施例中，間隔機構(gòu)可根據(jù)是否有薄膜存在來補償圖案面的虛擬變化。
在第二個實施例中，補償器包括調(diào)節(jié)機構(gòu)，用來調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)使其焦點平面的位置與光網(wǎng)圖案面的相對位置重合。在此實施例中，可以減小和/或平衡由薄膜或薄膜與對圖案面虛擬變化補償?shù)慕M合造成的低階光學(xué)像差，使得對投影圖案質(zhì)量的影響減到最小。這一實施例尤其適用于包括非遠心投影系統(tǒng)的光刻投影裝置。在這種裝置中，薄膜的存在通常會同時引起若干種不同的低階像差，而通過調(diào)整投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置可以校正和/或平衡這些像差。
而且，可以提供這樣一種光刻投影裝置，其中調(diào)節(jié)機構(gòu)通過改變投影系統(tǒng)中某一光學(xué)元件相對于投影系統(tǒng)中另一光學(xué)元件的位置來調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的焦點平面。在這種投影系統(tǒng)中，可根據(jù)是否有薄膜存在來改變光學(xué)裝置以補償光網(wǎng)圖案面的虛擬偏移。
而且，可以提供這樣一種光刻投影裝置，其中，調(diào)節(jié)機構(gòu)通過在光路中插入作為假薄膜的光學(xué)元件或一層透射材料來調(diào)整投影系統(tǒng)的焦點平面。
而且，可以提供這樣一種光刻投影裝置，其中，這種裝置包括傳感器，該傳感器用來檢測圖案面的位置，而致動器可根據(jù)是否有薄膜存在來調(diào)整圖案面的位置。
而且，可以提供這樣一種光刻投影裝置，其中，這種裝置包括另一傳感器，這另一傳感器用來檢測是否有薄膜存在，而致動器可根據(jù)這另一傳感器的檢測結(jié)果來調(diào)整圖案面的位置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件制造方法。一種利用光刻投影裝置的器件制造方法，光刻投影裝置包括光網(wǎng)平臺單元，包括支承形成圖案機構(gòu)的支承結(jié)構(gòu)和短行程單元，用來細調(diào)所述支承結(jié)構(gòu)的位置；所述形成圖案機構(gòu)可根據(jù)要求的圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將帶圖案的光束投影到基片的目標部分，所述投影系統(tǒng)具有光軸，該方法包括以下步驟準備至少局部由光敏感材料層覆蓋的基片；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；利用形成圖案機構(gòu)使投影光束的斷面形成某一圖案；和利用投影系統(tǒng)將帶圖案的光束投影到光敏感材料層的目標部分，其特征在于，還包括以下步驟沿所述光軸改變所述短行程單元的位置以補償由所述形成圖案機構(gòu)中薄膜引起的所述形成圖案機構(gòu)的圖案面的虛擬偏移。
雖然在本文中對根據(jù)本發(fā)明的裝置用于制造集成電路進行了具體介紹，但是應(yīng)當明確地認識到這種裝置還可以具有許多其它用途。比如，可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)，對磁疇存儲器、液晶顯示板、薄膜磁頭等的圖案進行導(dǎo)向和檢測。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當認識到，對于這些其它的用途，在本文中使用的術(shù)語“光網(wǎng)”、“晶片”或“芯片”可分別用更通用的術(shù)語“掩模”、“基片”和“目標部分”來代替。
在本文中，術(shù)語“輻射光”和“光束”包括各種類型的電磁輻射，包括紫外光(UV)輻射(如波長為365、248、193、157或126納米)和遠紫外(EUV)輻射(如波長在5-20納米的范圍內(nèi))，以及粒子束，如離子束或電子束。


現(xiàn)在將參考示意性附圖來介紹只是作為示例的本發(fā)明實施例，在這些附圖中，相應(yīng)的參考符號表示相應(yīng)的部件，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻投影裝置；圖2示意性地示出了帶有薄膜的光網(wǎng)的橫斷面；圖3示意性地示出了在光網(wǎng)平面上形成的光路中薄膜的光折射作用的影響；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第一個實施例，光網(wǎng)不帶薄膜；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第一個實施例，光網(wǎng)帶有薄膜；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第二個實施例；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第三個實施例；圖8示出了靠近光網(wǎng)的要凈化的空腔的實施例，其中壁構(gòu)件設(shè)置在短行程單元上；圖9示出了靠近光網(wǎng)的要凈化的空腔的實施例，其中壁構(gòu)件設(shè)置在支架上；和圖10示出了調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的調(diào)節(jié)機構(gòu)。
具體實施例方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明一個特定實施例的光刻投影裝置。該裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，提供投影光束PB(比如，由工作在193納米或157納米波長的準分子激光器產(chǎn)生的深紫外輻射光，或者由工作在13納米或6納米的激光等離子體源產(chǎn)生的遠紫外輻射光)。在此具體實例中，輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA；第一載物臺(掩模臺、光網(wǎng)平臺)MT，裝有固定掩模MA(如光網(wǎng))的掩模固定器，并連接到第一定位裝置PM，使掩模相對于部件PL精確定位；第一干涉測量裝置IF1用來測量掩模臺的位置。掩模固定器未在圖1中示出；可以是靠吸力或真空固定掩模的機構(gòu)。
第二載物臺(基片臺)WT，裝有固定基片W(如涂有抗蝕膜的硅晶片)的基片座，并連接到第二定位裝置PW，使基片相對于部件PL精確定位；和投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(如石英和/或CaF2透鏡系統(tǒng)或包括這類材料制成的透鏡元件的反折射光學(xué)系統(tǒng)，或反射鏡系統(tǒng))，用來將照射的掩模MA部分成像到基片W的目標部分C(包括一個或多個芯片)上。
如圖所示，該裝置是透射型的(即帶有透射式掩模)。但一般來說，也可以是反射型的(帶有反射式掩模)?；蛘?，該裝置可以采用另一種形成圖案機構(gòu)如上面所提到的可編程反射鏡陣列類型。
輻射源LA(如汞燈或紫外線準分子激光器、激光等離子體源、放電源、或設(shè)置在存儲環(huán)或同步加速器中電子束路徑周圍的波動器或擺動器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在穿過調(diào)制裝置如光束擴展器Ex后送入照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括調(diào)整機構(gòu)AM，用來設(shè)置光束強度分布的外和/或內(nèi)徑向區(qū)域(通常分別稱作σ-外和σ-內(nèi))。另外，一般還包括其它部件如積分器IN和聚光器CO。通過這種方式，使照射到掩模MA上的光束PB在其斷面上具有所要求的均勻度和強度分布。
應(yīng)當指出，就圖1而言，輻射源LA可能在光刻投影裝置的外殼內(nèi)(比如當輻射源LA是汞燈時通常就是這樣)，但也可以遠離光刻投影裝置，所產(chǎn)生的輻射光束引導(dǎo)到裝置中(比如通過適當?shù)囊龑?dǎo)反射鏡)；當輻射源LA是準分子激光器時通常就采用后一種方案。本發(fā)明及其權(quán)利要求包括這兩種方案。
光束PB接著與固定在掩模臺MT上的掩模MA相交。掩模MA選擇性地透射之后，光束PB穿過投影系統(tǒng)PL，投影系統(tǒng)PL將光束PB聚焦到基片W的目標部分C。借助于第二定位裝置PW(和第二干涉測量裝置IF2)可以精確地移動基片臺WT，比如可以將不同的目標部分C置于光束PB的路徑中。類似地，第一定位裝置PM可使掩模MA相對光束PB的路徑精確定位，比如在從掩模庫中機器檢索掩模MA之后，或是在掃描過程中。一般來說，載物臺MT、WT的移動可以通過長行程單元(粗定位)和短行程單元(精定位)來實現(xiàn)，這在圖1中并沒有明確示出。然而，對于晶片分檔器(不同于步進掃描機)來說，掩模臺MT可以只與短行程致動器相連，或者可以是固定的。掩模MA和基片W可以利用掩模對準標記M1、M2以及基片對準標記P1、P2來對準。
所示裝置可以在兩種不同的模式中使用1.步進模式，掩模臺MT基本上保持不動，且整個掩模圖像是一次投影(單次“閃光”)到目標部分C。然后基片臺WT沿x和/或y方向移動，使得不同的目標部分C被光束PB照射；和2.掃描模式，基本上采用相同的方案，除了給定的目標部分C不是在單次“閃光”中曝光外。而代之以，掩模臺MT可以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方向”如Y方向)移動，因此使投影光束PB在整個掩模圖像上掃描；同時，基片臺WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向移動，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(一般來說，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，可以使相對較大的目標部分C曝光而無須犧牲分辨率。
圖2示意性地示出了帶薄膜的光網(wǎng)的橫斷面。
光網(wǎng)RE包括支承體B1、圖案面CP、薄膜框架PF和薄膜TP。在這種情況下，圖案面CP由位于支承體B1表面上的圖案層構(gòu)成。薄膜框架PF布置在支承體B1上并包圍圖案面如所述圖案層CP。薄膜TP位于薄膜框架PF上，離開圖案面CP，用以保護圖案面CP免受微粒等的污染。薄膜TP由對于輻射光束透明并耐輻射光束照射的材料構(gòu)成。這種材料可以是所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員知道的某種玻璃化合物。
圖3示意性地示出了在光網(wǎng)平面上形成的光路中薄膜的光折射作用的影響。在圖3中示出了圖2所示光網(wǎng)RE的一部分。
利用透射式光網(wǎng)RE介紹薄膜TP的折射作用。箭頭Rad表示的入射光束(在(深)紫外線范圍內(nèi)，波長為157或126納米)照射到光網(wǎng)RE的圖案面CP上。入射光束在圖案面CP上局部衍射(取決于圖案)為用BM1和BM2示意性表示的第一出射光束和第二出射光束。
入射光束BM1的光路在第一位置Q1進入薄膜TP。當在Q1點進入薄膜TP時，光束BM1產(chǎn)生折射然后沿路徑BM1″穿過薄膜至Q2點，光束在Q2點離開薄膜TP，繼續(xù)沿路徑BM1朝投影系統(tǒng)PL(在此未示出)前進，投影系統(tǒng)PL的焦點平面與光網(wǎng)的圖案面重合，薄膜TP位于適當位置。
第二出射光束BM2沿路徑BM2在位置R1進入薄膜TP，在薄膜材料中產(chǎn)生折射，沿路徑BM2″穿過薄膜，在位置R2離開，然后沿路徑BM2繼續(xù)朝投影系統(tǒng)PL前進。
由于薄膜TP的折射作用(相對輻射光束波長給出折射率)，圖案面CP的圖像發(fā)生虛擬z-偏移(z-移位)Z。顯然，光束BM1和BM2分別沿相交于虛擬圖案面CPV的虛擬路徑BM1′和BM2′前進(見圖3)，其中虛擬圖案面CPV位置比實際位置更靠近薄膜TP，其差距為Z。由于投影系統(tǒng)PL的焦點平面設(shè)置成與光網(wǎng)的圖案面CP重合，所以當把帶薄膜的光網(wǎng)換為不帶薄膜的光網(wǎng)時(或者反過來)，必須改變光網(wǎng)相對于投影系統(tǒng)PL焦點平面的z向位置，以能夠在基片W的目標部分C得到聚焦的圖案影像。
通常，對于薄膜TP厚度為800微米、輻射光束波長為157納米、熔融石英薄膜材料的折射率、輻射光束BM1和BM2的入射角在臨界角以上的條件下，當帶有薄膜TP的光網(wǎng)與不帶薄膜的光網(wǎng)互換時，需要偏移大約312微米以恢復(fù)聚焦。對于薄膜TP參數(shù)的另一種組合情況來說，所要求的偏移將相應(yīng)改變，如所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知道的。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了可快速改變光網(wǎng)z向位置的裝置，能夠?qū)П∧さ墓饩W(wǎng)更換為不帶薄膜的光網(wǎng)，反之亦然。應(yīng)當認識到實現(xiàn)此目的并不去改變投影系統(tǒng)的整體位置，因為這么做需要費很大功夫來重新校準光刻投影裝置在目標部分C上的投影面。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第一個實施例，光網(wǎng)RE1不帶薄膜。
圖4中示出的光刻投影裝置是透射型的。照明系統(tǒng)(在此未示出)將輻射光束照射到光網(wǎng)上，如箭頭Rad所示。
該光刻投影裝置包括底座BF、光網(wǎng)平臺單元RSMF、投影系統(tǒng)PL、調(diào)節(jié)機構(gòu)PLAM和晶片平臺單元WSMF。
底座BF支承晶片平臺單元WSMF。晶片平臺單元WSMF包括用來定位支承在晶片平臺WT上的晶片的短行程晶片平臺單元WSSS和長行程晶片平臺單元WSLS。短行程晶片平臺單元WSSS支承在長行程晶片平臺單元WSLS上，使得能夠?qū)脚_WT的位置進行組合的粗調(diào)和細調(diào)。
而且，在底座BF上設(shè)有用來防止投影系統(tǒng)PL產(chǎn)生振動的調(diào)節(jié)機構(gòu)PLAM。調(diào)節(jié)機構(gòu)PLAM頂部的投影系統(tǒng)PL位于晶片平臺單元WSMF的上方，用來將圖案影像投影到支承在晶片平臺WT上的晶片的目標部分。
而且，光網(wǎng)平臺單元RSMF也支承在底座BF上。光網(wǎng)平臺單元RSMF包括支座RSM、支架RSF、長行程單元RSLS、短行程單元RSSS和光網(wǎng)平臺MT。為了清楚起見，所述長行程單元RSLS和所述短行程單元RSSS在下文中也稱作長行程光網(wǎng)平臺單元RSLS和短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS。
支座RSM位于底座BF上。支架RSF設(shè)在支座RSM的頂部。同樣為了清楚起見，所述支座RSM和所述支架RSF在下文中被稱作光網(wǎng)平臺支座RSM和光網(wǎng)平臺支架RSF。
短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS和長行程光網(wǎng)平臺單元RSLS支承在支架RSF上短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS位于長行程光網(wǎng)平臺單元RSLS中，能夠?qū)饩W(wǎng)平臺MT的位置進行組合的粗調(diào)和細調(diào)。光網(wǎng)RE1位于由短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS承載的光網(wǎng)平臺MT上。
在圖4中，不帶薄膜TP的光網(wǎng)RE1位于光網(wǎng)平臺MT上。投影系統(tǒng)PL的焦點平面設(shè)置在圖案面CP上。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第一個實施例，光網(wǎng)RE2帶有薄膜TP(未示出)。
在圖5中，帶有薄膜TP(未示出)的光網(wǎng)RE2位于光網(wǎng)平臺MT上。投影系統(tǒng)PL的焦點平面設(shè)置在圖案面CP上。根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，通過在光網(wǎng)平臺MT和光網(wǎng)RE2之間加入間隔機構(gòu)SPC來補償由薄膜TP引起的虛擬z-偏移。
薄間隔機構(gòu)SPC可以作為獨立嵌入物，布置在光網(wǎng)的周邊部分。而且，間隔機構(gòu)SPC還可以固定安裝在光網(wǎng)RE2上。
對于各種不同的薄膜，可以提供不同尺寸的間隔機構(gòu)?；蛘?，間隔機構(gòu)可以是能夠調(diào)整的?？梢酝ㄟ^檢測方法來確定適當?shù)拈g隔機構(gòu)，比如根據(jù)光網(wǎng)條形碼信息測定薄膜尺寸。
間隔機構(gòu)SPC最好能夠通過掩模處理系統(tǒng)自動處理，因為在生產(chǎn)過程中光刻投影裝置的操作通常需要有光網(wǎng)RE2的間隔機構(gòu)SPC。后面將更加詳細地介紹如何檢測薄膜是否存在。
或者，可以想像在測試過程中使用間隔機構(gòu)SPC(即，投影系統(tǒng)PL的焦點平面設(shè)置成與帶有薄膜TP的光網(wǎng)RE2的圖案面CP重合)。在這種情況下，間隔機構(gòu)SPC設(shè)置成使不帶薄膜TP的光網(wǎng)RE1處于更加靠近投影系統(tǒng)PL的位置。
應(yīng)當認識到在這種情況下不需要對光刻投影裝置進行大的調(diào)整。為了處理從掩模庫自動輸出輸入光網(wǎng)RE1、RE2可能需要進行某些調(diào)整。在某些情況下，帶有薄膜的光網(wǎng)替換不帶薄膜的光網(wǎng)，反之亦然，偶爾才發(fā)生，可以想到圖案面相對投影系統(tǒng)PL焦點平面距離的改變是通過手動裝上/卸下間隔機構(gòu)SPC來實現(xiàn)的。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第二個實施例。
在圖6中，帶有薄膜TP(未示出)的光網(wǎng)RE2位于由短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS承載的光網(wǎng)平臺MT上。
根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例，由薄膜TP引起的z-偏移是通過調(diào)節(jié)機構(gòu)OS調(diào)整投影系統(tǒng)PL的光學(xué)設(shè)置來補償?shù)摹Ｈ缟纤?，投影系統(tǒng)PL可以由若干個光學(xué)部件構(gòu)成，在本實例中只是用三個元件EL1、EL2、EL3示意性地表示。比如通過調(diào)整一個或多個光學(xué)部件EL1、EL2、EL3沿投影系統(tǒng)PL光軸OA的相互的相對位置，調(diào)節(jié)機構(gòu)OS能夠調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置。通過改變光學(xué)設(shè)置可以將投影系統(tǒng)PL的焦點平面調(diào)整為與圖案面CP重合(見圖3)。
當把帶有薄膜TP的光網(wǎng)RE2換成不帶薄膜的光網(wǎng)RE1時，或反過來進行時，投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置可通過使投影系統(tǒng)PL的焦點平面重新與光網(wǎng)RE1的圖案面CP重合的方式改變，反之亦然。本實施例特別適用于非遠心的投影系統(tǒng)，因為在非遠心的情況下，通過改變光網(wǎng)平臺單元中一部分位置對薄膜進行補償會引起額外的低階像差，而這種低階像差最好如上面所介紹的那樣通過調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置加以校正。
光學(xué)設(shè)置的改變是在通過傳感器(在此未示出)檢測是否有薄膜存在之后發(fā)生的。根據(jù)檢測結(jié)果，由調(diào)節(jié)機構(gòu)OS調(diào)整光學(xué)設(shè)置?？梢杂盟鶎偌夹g(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的任何方法調(diào)整光學(xué)裝置，比如將對應(yīng)于不帶薄膜光網(wǎng)的第一光學(xué)設(shè)置的光學(xué)元件EL1、EL2、EL3的某種預(yù)定形態(tài)改變?yōu)閷?yīng)于帶有薄膜光網(wǎng)的第二光學(xué)設(shè)置的另一種預(yù)定形態(tài)。通過某種光學(xué)理論的計算還可以得到新的光學(xué)設(shè)置。而且，光學(xué)元件EL1、EL2、EL3的形態(tài)可以通過檢測某些(光學(xué))標記或其變化來改變。
在優(yōu)選實施例中，包括作為假薄膜的光學(xué)元件的遮光器TPL設(shè)在投影系統(tǒng)PL的頂部以調(diào)整光學(xué)設(shè)置。通過在光路中插入或關(guān)閉遮光器TPL，可以對z-偏移進行校正。此實施例的優(yōu)點是在圖案面和基片之間沿投影系統(tǒng)光軸的光程長度是不變的，與使用帶或不帶薄膜的光網(wǎng)RE2和RE1無關(guān)。在兩種情況下，光程長度都包括通過薄膜的光程長度和通過投影系統(tǒng)的光程長度。這使得能夠在設(shè)計上對投影系統(tǒng)進行最佳像差改正，從而使裝置的光刻成像性能達到最佳。上述不變的光程長度也可以通過在(形成圖案的)投影光束穿過的光路中光網(wǎng)下游處設(shè)置光程長度補償光學(xué)系統(tǒng)來實現(xiàn)，通過改變光程長度補償系統(tǒng)的厚度可調(diào)節(jié)沿投影系統(tǒng)光軸的光程長度。例如，光程長度補償系統(tǒng)可以由在兩個透射元件100和103之間的液體層102構(gòu)成，如圖10所示，其中透射元件可沿光軸110相對移動。當從使用不帶薄膜TP的光網(wǎng)RE1變換為使用帶有薄膜TP的光網(wǎng)RE2時，可減小光程長度補償系統(tǒng)的厚度以抵消所述薄膜的存在。反過來，當光網(wǎng)RE2變換為光網(wǎng)RE1時，可增大光程長度補償系統(tǒng)的厚度以補償所述薄膜TP的缺少。在后一種情況下，為保持相同的光程長度所需增加的厚度在圖10中用T表示。如果npel和tpel是薄膜的折射率和厚度，而nliq是液體層102的折射率，那么當Tnliq＝tpelnpel時光程長度保持不變。
透射元件可以采用平行玻璃板，以形成簡單和價格效率比高的結(jié)構(gòu)。然而，元件的形狀原則上講是自由的，可以是球面和/或非球面。
使用可變厚度的液體層對于模擬薄膜厚度的變化或補償各種不同厚度的薄膜提供了更多靈活性。假(固體)薄膜沒有這種靈活性。
液體膜的另一個優(yōu)點是通過改變液體膜的厚度可以補償球形厚度變化。比如，元件100和103可以相互傾斜。因此，這種自由度可用來模擬所要補償?shù)谋∧ばㄐ握`差或可用于補償任何殘余的慧差。
應(yīng)當認識到調(diào)整光學(xué)設(shè)置時投影系統(tǒng)PL的整體位置最好不變。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的第三個實施例。
在圖7中，帶有薄膜TP(未示出)的光網(wǎng)RE2放置在由短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS承載的光網(wǎng)平臺MT上。
根據(jù)第三個實施例，由薄膜TP引起的z-偏移是通過在z-偏移方向上調(diào)整包括短行程單元RSSS和光網(wǎng)平臺MT的光網(wǎng)平臺單元RSMF的一部分的位置來補償。使用中投影系統(tǒng)和光網(wǎng)之間的距離是通過短行程單元RSSS的位置變化來改變的。投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置及其相對于晶片的位置可以保持不變，但同樣也可以作為補償虛擬偏移的參數(shù)。對于適用于深紫外輻射的光刻投影裝置來說，投影光束穿過的裝置內(nèi)部空間通常是用凈化氣體凈化的，對于所述輻射光凈化氣體基本上是可透射的(這與環(huán)境空氣不同)。在圖8中示出了構(gòu)成要凈化的空腔82和83一部分的壁形件88的實施例?？涨?2和83與光網(wǎng)RE2相鄰。壁形件88利用固定件89與短行程單元RSSS相連。壁形件88略微離開光網(wǎng)平臺MT以形成凈化間隙840、850、860和870。由于空腔83和84中過壓的凈化氣體，在凈化間隙840、850、860和870中產(chǎn)生向外的凈化氣流，具有相應(yīng)的凈化氣流方向84、85、86和87。這里，在相應(yīng)的凈化間隙840、850、860和870沿垂直于凈化氣流方向84、85、86和87的方向上的尺寸基本上決定了通過相應(yīng)凈化間隙的凈化氣體的流速。本發(fā)明的一個優(yōu)點是光網(wǎng)平臺MT和壁形件88之間的一個或多個凈化間隙840、850、860及870的尺寸與通過補償器實現(xiàn)的沿系統(tǒng)光軸方向的位置變化無關(guān)，所述系統(tǒng)包括光網(wǎng)平臺MT、短行程單元RSSS、以及短行程致動器/導(dǎo)軌81。所述凈化間隙尺寸的控制是十分重要的，因為通過一個或多個凈化間隙840、850、860和870的凈化氣體流速與所述尺寸直接相關(guān)。收窄凈化間隙降低所述流速，加寬凈化間隙提高所述流速。尤其是當流速減小時，環(huán)境氣體(如空氣)可能會擴散到空腔82和83中，從而使沿穿過空腔82和83的投影光束路徑的傳輸偏差超出容許范圍。在本實施例中，可以有效地避免這種可能性；因為對于任何光網(wǎng)和任何所述z-偏移的補償來說，凈化間隙840、850、860和870的尺寸都是用機械方法固定的。
根據(jù)第三個實施例的光網(wǎng)平臺單元RSMF包括一個或多個致動器AR以及用來測定所安裝光網(wǎng)中是否有薄膜TP存在的傳感器S1。致動器AR屬于用來改變光網(wǎng)平臺單元中一部分位置的補償器的一部分。
在本實施例中，致動器AR可設(shè)在支座RSM和支架RSF之間，因此通過致動器AR的動作可使光網(wǎng)平臺支架RSF在z-偏移方向上移動以補償光網(wǎng)圖案面相對于投影系統(tǒng)PL焦點平面位置的變化。本實施例對于掃描光刻投影裝置十分有利；在圖9中示意性地示出了用于掃描光刻投影裝置的要凈化的空腔82和83的實施例。在掃描時隨短行程單元移動的壁形件88和通過固定件980用機械方法連接到支架RSF的壁形件98之間形成凈化間隙940、950、960和970。在圖中示出了相應(yīng)的向外凈化氣流94、95、96和97。如上所述，必須控制這些凈化間隙的尺寸。在本實施例中，除了圖8中的對應(yīng)部件之外，凈化間隙940、950、960和970的尺寸是通過固定件980、將長行程單元連接到短行程單元上的固定件911、以及對長行程單元RSLS的掃描移動進行導(dǎo)向的導(dǎo)軌91用機械方式固定的。對任何光網(wǎng)和任何所述z-偏移的補償，通過修改包括支架RSF、長行程單元RSLS、短行程單元RSSS和掩模臺MT的整個裝置的z-位置，都可以用機械方法固定凈化間隙940、950、960和970的尺寸。通過采用可伸縮的側(cè)壁92和93，這種修改不會影響照明系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PL的位置。
可以將致動器AR安裝在其它的位置如，在支架RSF和長行程光網(wǎng)平臺單元RSLS之間，在長行程光網(wǎng)平臺單元RSLS和短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS之間，以及在短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS和光網(wǎng)平臺MT之間。還可以用獨立的致動器移動壁形件98使凈化間隙940、950、960和970的尺寸基本上保持不變。
用來測量光網(wǎng)RE2相對位置(或者是絕對位置，如果需要的話)的傳感器S1最好設(shè)置在光網(wǎng)平臺支架RSF和/或短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS上。(圖7所示的傳感器S1只與短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS相連。)或者，傳感器S1可以設(shè)置在投影透鏡框架上。
而且，致動器AR和傳感器S1還各自連接到信號處理單元SPM以控制光網(wǎng)平臺單元RSMF中至少一部分的移動。
工作時，對致動器AR產(chǎn)生的移動用傳感器S1進行測量。來自傳感器的信號作為輸入信號輸送到信號處理單元SPM，信號處理單元SPM將輸入信號與存儲在存儲器(與信號處理單元SPM相連或嵌入信號處理單元SPM)中的代表預(yù)定z-偏移值的參考信號作比較，并根據(jù)比較結(jié)果控制致動器的移動。應(yīng)當認識到信號處理單元SPM可以用數(shù)字處理裝置、模擬處理裝置、或可由電腦執(zhí)行的軟件模塊來實現(xiàn)。
致動器AR可以提供氣動的雙態(tài)調(diào)整，或者通過步進電動機或伺服電動機提供連續(xù)調(diào)整，每一種致動器都帶有其相應(yīng)的控制裝置。
應(yīng)當認識到能夠探測光網(wǎng)中薄膜存在的其它類型傳感器也可以用于本發(fā)明。傳感器S1還可以含有用來讀取光網(wǎng)上條型碼的條型碼閱讀器，通過上面的編碼可以知道是否有薄膜存在。此外，傳感器S1可以是一種重量傳感器，通過光網(wǎng)的重量來測定是否有薄膜存在。比如，可以將這種重量傳感器設(shè)置在短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS。而且，傳感器S1可以是一種光學(xué)傳感器，在光網(wǎng)平臺MT的調(diào)準過程中，與短行程光網(wǎng)平臺單元RSSS接觸可確定光網(wǎng)的聚焦結(jié)果。聚焦過程的結(jié)果確定了光學(xué)傳感器得到的是否有薄膜存在的信息。當移動光網(wǎng)平臺單元RSMF至少一部分時，這種傳感器還可以提供對致動器AR的控制。
還可以認識到在第二和第三個實施例中，最好用輔助傳感器系統(tǒng)S3來自動探測不帶薄膜的光網(wǎng)RE1或帶有薄膜TP的光網(wǎng)RE2是否存在，輔助傳感器系統(tǒng)S3只在圖7中示意性地示出。這種傳感器系統(tǒng)S3可以連接到另一個信號處理單元SPM2，在檢測到帶有薄膜的光網(wǎng)RE2或不帶薄膜的光網(wǎng)RE1時，信號處理單元SPM2對投影系統(tǒng)PL和光網(wǎng)平臺單元RSMF的調(diào)整分別進行自動控制。
在第三個實施例中，另一個信號處理單元SPM2最好連接到信號處理單元SPM，以便進一步根據(jù)傳感器系統(tǒng)S3的信號控制致動器AR。
在第二個實施例中，另一個信號處理單元SPM2最好連接到調(diào)節(jié)機構(gòu)OS上，通過調(diào)整一個或多個光學(xué)部件EL1、EL2、EL3沿投影系統(tǒng)PL光軸OA的相對位置來調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)置。而且，調(diào)節(jié)機構(gòu)OS還可以改變單個光學(xué)元件的形狀，使投影系統(tǒng)PL的光學(xué)設(shè)置產(chǎn)生所要求的變化。
或者，對于第三個實施例來說，傳感器系統(tǒng)S3也可以直接連接到已經(jīng)存在的信號處理單元SPM。而且，應(yīng)當認識到作為另一種可供選擇的方法，傳感器S1也可以用來感測不帶薄膜的光網(wǎng)RE1或帶有薄膜TP的光網(wǎng)RE2是否存在。
應(yīng)當認識到在第二和第三個實施例中，在某些情況下可能不需要根據(jù)是否有薄膜存在來自動調(diào)整光刻投影裝置。在這種情況下，可以想到圖案面相對于投影系統(tǒng)PL焦點平面距離的改變是通過手動控制相應(yīng)的部件，如調(diào)節(jié)機構(gòu)OS、遮光器TPL和/或致動器AR，來實現(xiàn)的。
所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當知道在不違背本發(fā)明真正精神的情況下，可以對本發(fā)明的實施例作出各種修改和變化，本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括光網(wǎng)平臺單元，包括用來支承形成圖案機構(gòu)的支承結(jié)構(gòu)，和短行程單元，用來細調(diào)所述支承結(jié)構(gòu)的位置；所述形成圖案機構(gòu)可根據(jù)要求的圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將帶圖案的光束投影到所述基片的目標部分，所述投影系統(tǒng)具有光軸；其特征在于，所述光刻投影裝置還包括補償器，用來沿所述光軸改變所述光網(wǎng)平臺單元的一部分的位置以補償由所述形成圖案機構(gòu)中薄膜引起的所述形成圖案機構(gòu)的圖案面的虛擬偏移，所述光網(wǎng)平臺單元的一部分至少包括所述短行程單元和所述支承結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述光網(wǎng)平臺單元的一部分還包括對所述形成圖案機構(gòu)的位置進行粗調(diào)的長行程單元和支承所述長行程單元的支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述虛擬偏移取決于所述薄膜厚度和所述投影光束波長中至少一項。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一項所述的裝置，其特征在于，所述補償器還包括間隔機構(gòu)，可沿所述光軸調(diào)整所述圖案面的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任何一項所述的裝置，其特征在于，所述補償器還包括調(diào)節(jié)機構(gòu)，用來調(diào)節(jié)所述投影系統(tǒng)使其焦點平面的位置與所述圖案面重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)通過改變所述投影系統(tǒng)中某一光學(xué)元件相對所述投影系統(tǒng)中另一光學(xué)元件的位置來調(diào)節(jié)所述投影系統(tǒng)的焦點平面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)通過在所述光路中加入一層作為假薄膜的透射材料來調(diào)整所述投影系統(tǒng)的所述焦點平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)通過在所述光路中加入作為假薄膜的光學(xué)元件來調(diào)整所述投影系統(tǒng)的所述焦點平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項所述的裝置，其特征在于，所述補償器包括致動器，可沿所述光軸改變所述圖案面的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括傳感器，所述傳感器用來檢測所述圖案的位置，而所述致動器根據(jù)是否存在所述薄膜來調(diào)整所述圖案面的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述裝置包括另一傳感器，所述另一傳感器用來檢測是否有薄膜存在，而所述致動器根據(jù)所述另一傳感器的檢測結(jié)果來調(diào)整所述圖案面的所述位置。
12.一種利用光刻投影裝置的器件制造方法，所述光刻投影裝置包括光網(wǎng)平臺單元，包括支承形成圖案機構(gòu)的支承結(jié)構(gòu)，所述形成圖案機構(gòu)可根據(jù)要求的圖案使所述投影光束形成圖案；短行程單元，用來細調(diào)所述支承結(jié)構(gòu)的位置；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將帶圖案的光束投影到所述基片的目標部分，所述投影系統(tǒng)具有光軸，所述方法包括以下步驟準備基片，所述基片至少局部由光敏感材料層覆蓋；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；利用形成圖案機構(gòu)使所述投影光束的斷面形成圖案；和利用投影系統(tǒng)將所述帶圖案的光束投影到所述光敏感材料層的目標部分；其特征在于，還包括以下步驟沿所述光軸改變所述光網(wǎng)平臺單元一部分的位置以補償由所述形成圖案機構(gòu)中薄膜引起的所述形成圖案機構(gòu)的圖案面的虛擬偏移，所述光網(wǎng)平臺單元的一部分至少包括所述短行程單元和所述支承結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件制造方法，其特征在于，還要調(diào)節(jié)所述投影系統(tǒng)使其焦點平面的位置與所述圖案面重合以補償所述虛擬偏移。
全文摘要
本發(fā)明公開一種光刻投影裝置及其器件制造方法。在投影系統(tǒng)中，照射光網(wǎng)上的圖案面，形成聚焦在像平面上的投影圖像。光路中存在薄膜使得光網(wǎng)上圖案面的位置產(chǎn)生虛擬偏移。根據(jù)是否存在薄膜，對投影圖像的像平面調(diào)整以正確聚焦。補償器通過改變圖案面的位置來抵消由薄膜引起的圖案面的虛擬偏移。
文檔編號G03F7/20GK1527138SQ20031012207
公開日2004年9月8日 申請日期2003年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月23日
發(fā)明者A·J·M·詹森, M·K·M·巴根, J·C·M·賈斯佩, R·L·J·施里維, R·J·布魯爾斯, J·J·M·巴塞曼斯, W·R·龐格斯, T·尤特迪克, A J M 詹森, J 施里維, M 巴塞曼斯, M 巴根, M 賈斯佩, 布魯爾斯, 龐格斯, 氐峽 申請人:Asml荷蘭有限公司