專利名稱：光分支元件、使用光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備，以及制造光分支元件的方法，制造光波導(dǎo)設(shè) ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光分支元件和使用光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備，以及特別地涉及Y分支結(jié)構(gòu)型的光分支元件、使用該光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備，以及該光分支元件的制造方法和光波導(dǎo)設(shè)備的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著光波導(dǎo)技術(shù)的進步，通過光波導(dǎo)與各種光學(xué)元件連接并集成的各種光波導(dǎo)設(shè)備投入實際使用。為組成光集成電路，特別在用于這種光波導(dǎo)設(shè)備的光學(xué)元件中，光分支元件是重要的元件之一。通常，作為光分支元件，例如，使用Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件、多模干涉儀型光分支元件、定向稱合器或Mach-Zehnder干涉儀型光分支元件。通過應(yīng)用半導(dǎo)體制造工藝的薄膜成形技術(shù)和精加工技術(shù)制造它們。在定向耦合器、Mach-Zehnder干涉儀型光分支元件或多模干涉儀型光分支元件的情況下，通過制造干擾，諸如折射率變化和圖案化誤差，光分支比可能靈敏地改變。定向耦合器、Mach-Zehnder干涉儀型光分支元件或多模干涉儀型光分支元件的光分支比理論上隨波長而改變。因此，必須限制所使用的波段。另一方面，Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件具有對分來自一個波導(dǎo)的輸入光和輸出所對分的輸入光的對稱結(jié)構(gòu)。因此，Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件通常用作最基本的光分支元件，因為如果適當(dāng)?shù)卦O(shè)計Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件，不存在光分支比的波長相關(guān)性，而且Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件在制造干擾上相對魯棒。此外，盡管為設(shè)備小型化，期望使組成光集成電路的光波導(dǎo)中的彎曲波導(dǎo)部的曲率半徑盡可能小，有必要以某一或更大的曲率半徑設(shè)計光波導(dǎo)中的彎曲波導(dǎo)部以便抑制由于光泄漏的損失出現(xiàn)。通過光 波導(dǎo)的芯和光波導(dǎo)的包層間的相對折射率差(在下文中，稱為相對折射率差)和芯的大小，確定這一最小曲率半徑的設(shè)計值。即使光波導(dǎo)具有相同的相對折射率差，當(dāng)光波導(dǎo)傳輸越多模時，光封閉效果變得越大。即，傳輸光波導(dǎo)的光通常在電場從光波導(dǎo)某種程度上泄漏的狀態(tài)下傳播。當(dāng)該泄漏量變得越小時，能降低彎曲波導(dǎo)中輻射到外部的成分。因為與在單模波導(dǎo)中相比，該泄漏在傳輸許多模的多模波導(dǎo)中更小，以及光被強烈地封閉在波導(dǎo)中并傳播，即使在其小彎曲半徑中，也能抑制出現(xiàn)的損失。另一方面，在單模光波導(dǎo)的情況下，通過泄漏到光波導(dǎo)的外部，在光波導(dǎo)中激發(fā)的較高次模不能穩(wěn)定地存在，而是僅能傳播有限的距離直到較高次模消失。然而，通過構(gòu)成其傳播距離以致某一長度的量能保持特性，即使單模光波導(dǎo)也具有使其彎曲半徑小，某種程度上抑制損失的效果。通過這種光波導(dǎo)制成光集成電路，變得可以繞更小曲率半徑拉光波導(dǎo)，而不改變相對折射率差，結(jié)果使芯片尺寸小。然而，當(dāng)通過使用這種光波導(dǎo)，構(gòu)成包括Y分支型光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備時，出現(xiàn)下述問題。在傳播多模式的光波導(dǎo)中，因為每一模式彼此結(jié)合傳播，傳播光的電場干擾的中心不完全與波導(dǎo)的中心一致，以及有些蛇行地行進。該蛇行狀態(tài)由傳播的光的波長改變，以及由光波導(dǎo)的直段和彎曲部的每一長度或拐點的數(shù)量復(fù)雜地改變。由此，當(dāng)在波導(dǎo)中蛇行傳播的光進入Y分支型光分支元件時，因為光在Y分支型光分支元件中繼續(xù)蛇行，分支的對稱性將丟失。用于解決這一問題的技術(shù)在例如日本專利申請公開號N0.1996-292340 (在下文中，稱為專利文獻I)或日本專利申請公開號N0.2006-011417 (在下文中，稱為專利文獻2)中公開。如圖8所示，在專利文獻I和2中公開的技術(shù)是在與Y分支型光分支元件相連的波導(dǎo)部的芯中提供兩個錐形部21和22，以及在兩個錐形部21和22間的細(xì)長部23的芯寬變窄的結(jié)構(gòu)。在專利文獻I中，將細(xì)長部23的寬度設(shè)置成6.0 μ m至6.5 μ m，以及在專利文獻2中，設(shè)置成3.5 μ m。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由蛇行從光波導(dǎo)的中心偏移傳播的光在從錐形部21到細(xì)長部23的范圍中輻射較高次模，以及光強峰值向波導(dǎo)的中心減小。因此，因為傳播光的蛇行消失以及電場分布經(jīng)錐形部22從電場分布的中心與波導(dǎo)的中心一致的狀態(tài)分支到兩個輸出波導(dǎo)24和25，能有效地防止光分支比的偏差出現(xiàn)。引用清單專利文獻專利文獻I日本專利申請公開N0.1996-292340專利文獻2日本專利申請公開N0.2006-01141
發(fā)明內(nèi)容
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本發(fā)明要解決的問題在上述專利文獻I和2中描述的技術(shù)就即使當(dāng)在波導(dǎo)中蛇行傳播的光進入時，也不會變?yōu)閱栴}來說，能在常規(guī)的光分支設(shè)備中，均勻地保持Y分支型光分支元件的光分支比。然而，在除光強外，處理相位信息的設(shè)備的情況下，在專利文獻I和2中所述的技術(shù)中，即使在光導(dǎo)電路中蛇行傳播的光的光強峰值到波導(dǎo)的中心減小，也非常難以分支同時抑制相移。例如，通過用于超高速通信的極化的正交多個多值數(shù)字信號調(diào)制方法的數(shù)字相干接收機可以包括光波導(dǎo)設(shè)備。這種數(shù)字相干接收機需要圖9中所示的干涉儀，其承擔(dān)90度光混合功能，從極化-多路分用的光信號抽取相位信息。在圖9所示的干涉儀中，光波導(dǎo)臂26和27在光程長(optical path length)上是相等的，另一方面,按傳播的光的相位角來說，使光波導(dǎo)臂28的光程長比光波導(dǎo)臂29長/2。將在光分支元件30中分支的光信號按相同相位分別輸入到稱合器32和33。另一方面,將在光分支兀件31中分支的本地振蕩光(local oscillation light)按彼此90度相位差輸入到耦合器32和33。在使用波段中，該相位差通常必須在90±5度內(nèi)。在該干涉儀中，當(dāng)Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件用于光分支元件30和31時，可能通過在專利文獻I和2中公開的技術(shù)來抑制通過波導(dǎo)蛇行傳播的光的蛇行，以及能通過足夠均勻強度來分支光。然而，即使正好在分支前傳播的光的峰值強度從波導(dǎo)的中心稍微偏移，在分支光的各個相位間仍然生成大的差值。因此，在專利文獻I和2中公開的技術(shù)能在足夠光強級上均勻地分支，但難以控制分支光的相移的生成，以及相移導(dǎo)致對設(shè)備設(shè)計的限制以及產(chǎn)量的下降。本發(fā)明的目的是解決上述問題，以及提供光分支元件、使用該光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備，及其制造方法，即使光入射并從波導(dǎo)的中心偏移，也能適當(dāng)?shù)匾种品种Ч獾南嘁频纳?。解決方案本發(fā)明的光分支元件包括:第一波導(dǎo)部，具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀；第四波導(dǎo)部，具有從第三端部到分別連接到第二和第三波導(dǎo)部的第四端部單調(diào)地增加其芯寬的形狀；以及第五波導(dǎo)部，連接該第二端部和第三端部，以及具有從0.8 μ m到2.7 μ m的值的芯寬，其中，關(guān)于C波段波長域中的光，第一至第五波導(dǎo)部的芯和包層的相對折射率差為至少1.3%。本發(fā)明的光分支元件的制造方法包括:在基板上形成第一包層的步驟；在第一包層上層壓芯層的步驟；圖案化芯層和形成芯的步驟；以及用具有與第一包層相同的折射率的第二包層覆蓋芯的步驟，其中，關(guān)于C波段波長域中的光，芯與第一包層和第二包層間的相對折射率差為至少1 .3%，以及在圖案化芯層中，形成:波導(dǎo)部，具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀，第四波導(dǎo)部，具有從第三端部到分別連接第二和第三波導(dǎo)部的第四端部單調(diào)地增加其芯寬的形狀，以及第五波導(dǎo)部，連接第二端部和第三端部，具有從
0.8 μ m至Ij 2.7 μ m的任意值的芯寬。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明提供了一種光分支元件、使用該光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備、及其制造方法，能夠甚至即使在入射光從波導(dǎo)的中心偏移時，也能適當(dāng)?shù)匾种浦练种У南辔徊畹纳伞?br>

[圖1]示出了本發(fā)明的第一示例性實施例的光分支元件的光波導(dǎo)芯的結(jié)構(gòu)的俯視圖；[圖2]示出了本發(fā)明的第一示例性實施例的光分支元件的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的截面圖；[圖3]示出了用于本發(fā)明的特性計算的光分支元件模型的結(jié)構(gòu)的俯視圖；[圖4]不出了對第五波導(dǎo)部5的每一長度L,輸出光相位差與第五波導(dǎo)部5的寬度W的變化的圖；[圖5]示出了對第五波導(dǎo)部5的每一長度L，損耗與第五波導(dǎo)部5的寬度W的變化的圖；[圖6]示出了本發(fā)明的第二示例性實施例的光分支元件的結(jié)構(gòu)的俯視圖；[圖7]示出了通過組合本發(fā)明的第三實施例的兩個90度光混合干涉儀的極化的正交多個多值數(shù)字信號調(diào)制方法的數(shù)字相干接收機的結(jié)構(gòu)的俯視圖；[圖8]示出了在專利文獻I和2中公開的光分支元件的結(jié)構(gòu)的俯視圖；[圖9]示出了90度光混合功能干涉儀的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實施方式
接著，將參考附圖，描述本發(fā)明的示例性實施例。(第一示例性實施例)圖1是示出了第一示例性實施例的光分支元件的光波導(dǎo)芯的結(jié)構(gòu)的俯視圖，以及圖2是示出了沿圖1的A-B部分的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的截面圖。該光分支元件包括第一波導(dǎo)部3、第四波導(dǎo)部4和第五波導(dǎo)部5。第一波導(dǎo)部3具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小芯寬的形狀。第四波導(dǎo)部4具有從第三端部到分別連接第二波導(dǎo)部6和第三波導(dǎo)部7的第四端部單調(diào)地增加芯寬的形狀。第五波導(dǎo)部5具有從0.8 μ m到2.7 μ m的任何值的芯寬，以及連接第二端部和第三端部。關(guān)于C波長域中的光，第一至第五波段部的芯I和包層2的相對折射率差設(shè)置成至少1.3%。該光分支元件是將從第一端部入射的光輸出到第二和第三波導(dǎo)部6和7，以及適當(dāng)?shù)靥幚韽?530nm到1570nm的波長段的C波段的光信號的Y分支結(jié)構(gòu)型光分支元件。當(dāng)芯I和包層2的相對折射率差為1.3%或更大時，獲得光波導(dǎo)的適當(dāng)光封閉效果，以及能將該光分支元件應(yīng)用于使用整體地具有小的曲率半徑的彎曲波導(dǎo)的小型化的光波導(dǎo)設(shè)備。當(dāng)從第一端部入射蛇行傳播的光時，光可以被分支，使得通過變窄第五波導(dǎo)的寬度W和調(diào)整到波導(dǎo)的中心的傳播光的電場強度峰值，光強可以變得足夠相等。然而，為分支光，甚至抑制相移，有必要進一步變窄第五波導(dǎo)的寬度W以及更嚴(yán)格地調(diào)整將光傳播到波導(dǎo)的中心的電場 強度峰值。圖4示出了當(dāng)使用具有圖3所示的尺寸的光分支元件模型，通過從光波導(dǎo)的中心偏移1.0 μ m，入射波長1550nm的高斯光束時，關(guān)于值W，對輸出光I和輸出光2的相位差的計算結(jié)果。參考圖4，當(dāng)W變得較小時，輸出光相位差收斂在固定范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谖宀▽?dǎo)部5的長度L的值變得較大時，輸出光相位差收斂在固定極限內(nèi)的W的值傾向于變得較大。然而，當(dāng)W超過2.7 μ m時，即使L設(shè)置成不小于700 μ m，輸出相位差也不能收斂。因此，期望將W設(shè)置成不超過2.7 μ m。盡管如上所述，通過變窄W，能使分支輸出光的相位差較小，但當(dāng)使其太小時，出現(xiàn)損耗增加的問題。圖5是使用具有圖3所示的尺寸的光分支元件模型，當(dāng)通過從光波導(dǎo)的中心偏移1.0 μ m，入射波長1550nm的高斯光束時，關(guān)于W，入射光的損耗的變化的計算結(jié)果。此外，圖5的垂直軸不為輸出光對入射光的損耗,包括由于輸入的偏移1.0 μ m的固定I禹合損耗。認(rèn)為該損耗是由于從錐形部的輻射。當(dāng)W變?yōu)榧s2.7μπι時，到波導(dǎo)的中心附近，傳播光變窄，以及損耗值變?yōu)閹缀豕潭ǖ?。然而，?dāng)W變?yōu)樾∮?.8μ m時，損耗值將快速地增力口。這被認(rèn)為是在芯的第五波導(dǎo)部5中出現(xiàn)的損耗，期望將W設(shè)置成大于0.8 μ m的值，以便抑制該部分中的損耗出現(xiàn)。如上所述，當(dāng)?shù)谖宀▽?dǎo)部5的芯寬W設(shè)置成從2.7 μ m到0.8 μ m間時，能同時抑制相位差的出現(xiàn)以及分支光的損耗。如上所述，該示例性實施例的光分支元件能分支即使入射并從波導(dǎo)的中心偏移的光，適當(dāng)?shù)匾种葡辔徊畹某霈F(xiàn)。(第二示例性實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二示例性實施例。圖6是示出第二示例性實施例的光分支元件的結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中，將第一示例性實施例的光分支元件中的第五波導(dǎo)部的寬度設(shè)置成2 μ m。寬4 μ m和高4 μ m的光波導(dǎo)8與第一端部連接。
期望將第一波導(dǎo)3和第四波導(dǎo)4的錐形角(波導(dǎo)的中心線與芯邊緣的傾角)設(shè)置成小于3度以便所傳播的光不會激發(fā)傳導(dǎo)模式。盡管期望使錐形角更小以便抑制不必要的光損耗，但與第一波導(dǎo)部3相比，能將芯寬擴大的第四波導(dǎo)部4設(shè)置成較大錐形角。因為整個元件的大小變得巨大以致使這些錐形角小，通過考慮芯片大小和光波導(dǎo)的布局，可以設(shè)置錐形角以便可以獲得所需特性。在圖6中，第一波導(dǎo)部3的長度為500 μ m,以及在該部分處，使芯寬從4 μ m變窄2μπι。在這種情況下，錐形角為約0.11度。另一方面，第四波導(dǎo)部4的長度為700μπι，以及在該部分處，芯寬從2 μ m擴大至12.5 μ m。在這種情況下,錐形角為約0.43度。第一波導(dǎo)部3和第四波導(dǎo)部4共同的芯寬的變化是足夠準(zhǔn)靜態(tài)的，所傳播的光不會激發(fā)傳導(dǎo)模式，以及它們能通過釋放不必要的較高次模以及光分支特性從設(shè)計值的偏離來抑制損耗。此外，當(dāng)如圖4所示，L變得較大時，輸出光相位差收斂在固定極限內(nèi)的W值傾向于變得較大，以及當(dāng)輸出光相位差的變化收斂時，相位差的變化量傾向于變得適合較小值。然而，當(dāng)L超過700 μ m時，幾乎不再看得出這種趨勢。因為當(dāng)L變得比必要更長時，損耗也增加，期望將L的長度設(shè)置成不超過700 μ m。此外，通過應(yīng)用用于常規(guī)半導(dǎo)體制造工藝的精加工技術(shù)，能合并光波導(dǎo)地生產(chǎn)圖6所示的光分支元件。在通過化學(xué)氣相生長法，硅基板上形成例如達10 μ m厚的、變?yōu)橄掳鼘拥牡驼凵渎实亩趸枘ず螅瑢訅哼_4 μ m厚的、變?yōu)樾緦拥母哒凵渎实亩趸枘ぁＴ诖酥?，使用具有上述預(yù)定波導(dǎo)芯形狀的圖案的光掩模，通過光刻法，將該芯層圖案化為波導(dǎo)芯。通過層壓10 μ m厚的、變?yōu)樯习鼘拥牡驼凵渎实亩趸枘?，并覆蓋在上述波導(dǎo)芯上，能構(gòu)成預(yù)定光波導(dǎo)。通過磷和硼的摻雜量，可選擇地調(diào)整二氧化硅膜的折射率。在該示例性實施例中，如上所述，可以抑制傳播光的損耗和提高光分支的效率。(第三示例性實施例)作為本發(fā)明的第三示例性實施 例，圖7是示出當(dāng)通過結(jié)合圖9中所示的兩個90度光混合干涉儀的，極化的正交多個多值數(shù)字信號調(diào)制方法，將本發(fā)明應(yīng)用于數(shù)字相干接收機時的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖7中，將與圖6所示的相同的光分支元件用于光分支元件9-13的任何一個。為調(diào)制和傳輸TE模式和TM模式的兩個極化狀態(tài)的不同數(shù)據(jù)，在圖7的數(shù)字相干接收機中，有必要分開這兩個極化狀態(tài)并在接收側(cè)解調(diào)。為通過具有更大尺寸的TIA(跨阻抗放大器)，執(zhí)行輸出信號的處理，根據(jù)輸入端口和輸出端口的位置，在有限芯片大小中，復(fù)雜地牽繞光波導(dǎo)。在這種光波導(dǎo)的布局中，因為正使用具有小曲率半徑的許多彎曲波導(dǎo)，在理想的單模波導(dǎo)中，損耗變得太大。因此，期望使用保持距離直到所激發(fā)的高次模在某種程度上消失的波導(dǎo)。在這種情況下，因為基本上進入光分支元件10和12的光將在很大程度上蛇行傳播，在一般Y光分支元件中，難以將相位差的出現(xiàn)抑制到所需水平并執(zhí)行光分支。在這種結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)中，圖6所示的光分支元件的應(yīng)用特別地產(chǎn)生該效果。通過與第二示例性實施例所述的、應(yīng)用用于常規(guī)半導(dǎo)體制造工藝的精加工技術(shù)的光分支元件的制造方法相同的過程，能制造圖7的數(shù)字相干接收機。如上所述，該示例性實施例能通過即使對在有限芯片大小中，復(fù)雜地牽繞波導(dǎo)的光波導(dǎo)設(shè)備，也將相位差的出現(xiàn)抑制到所需水平，執(zhí)行光分支以及在波導(dǎo)中傳播的光在很大程度上蛇行。
盡管參考上述示例性實施例，描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述示例性實施例。能在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和細(xì)節(jié)方面執(zhí)行在本發(fā)明的范圍內(nèi)本領(lǐng)域的技術(shù)人員能理解的各種改變。本申請要求在2010年12月I日提交的日本專利申請N0.2010-268548的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此引入以供參考。參考數(shù)字的說明1芯2包層3第一波導(dǎo)部4第四波導(dǎo)部5第五波導(dǎo)部6第二波導(dǎo)部7第三波導(dǎo)部8光波導(dǎo)9-13 光分支元件21，22 錐形部23細(xì)長部24，25輸出波導(dǎo)26-29 光波導(dǎo)臂30,31光分支元件32，33 耦合器
權(quán)利要求
1.一種光分支兀件，包括: 第一波導(dǎo)部，具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀； 第四波導(dǎo)部，具有從第三端部到分別連接到第二和第三波導(dǎo)部的第四端部單調(diào)地增加其芯寬的形狀；以及 第五波導(dǎo)部，連接所述第二端部和所述第三端部，并且具有從0.8 μ m到2.7 μ m的任意值的芯寬，其中，關(guān)于C波段波長域中的光，所述第一至第五波導(dǎo)部的芯和包層的相對折射率差為至少1.3%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光分支元件，其中，所述第五波導(dǎo)部的長度短于700μπι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光分支元件，其中，所述第四波導(dǎo)部的錐形角小于3度并且大于所述第一波導(dǎo)部的錐形角。
4.一種使用光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備，包括: 為根據(jù)權(quán)利要求 1至3的任何一項的光分支元件的第一和第二光分支元件； 第一和第二光波導(dǎo)臂，所述第一和第二光波導(dǎo)臂從所述第一光分支兀件分支并且具有相等的光程長； 第三和第四光波導(dǎo)臂，所述第三和第四光波導(dǎo)臂從所述第二光分支元件分支并且具有作為傳播光的相位角的度數(shù)為η/2的光程長差； 第一光耦合器，用于連接所述第一光波導(dǎo)臂和所述第三光波導(dǎo)臂；以及 第二光耦合器，用于連接所述第二光波導(dǎo)臂和所述第四光波導(dǎo)臂。
5.一種光分支元件的制造方法，包括: 在基板上形成第一包層的步驟； 在所述第一包層上層壓芯層的步驟； 圖案化所述芯層和形成芯的步驟；以及 用具有與所述第一包層相同的折射率的第二包層覆蓋所述芯的步驟，其中關(guān)于C波段波長域中的光，所述芯的相對折射率與所述第一包層和所述第二包層的相對折射率間的相對折射率差設(shè)置成至少1.3%，以及在圖案化所述芯層中，形成: 第一波導(dǎo)部，具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀， 第四波導(dǎo)部，具有從第三端部到分別連接到第二和第三波導(dǎo)部的第四端部單調(diào)地增加其芯寬的形狀，以及 第五波導(dǎo)部，連接所述第二端部和所述第三端部，并且具有從0.8 μ m到2.7 μ m的任意值的芯寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的光分支元件的制造方法，其中，使得所述狹窄波導(dǎo)部的長度短于700 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6的光分支元件的制造方法，其中，所述第四錐形波導(dǎo)部的錐形角小于3度并且設(shè)置成大于所述第一波導(dǎo)部的錐形角。
8.一種使用光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備的制造方法，其中， 通過根據(jù)權(quán)利要求5至7的任何一項的光分支元件的制造方法，構(gòu)造: 第一和第二光分支兀件； 第一和第二光波導(dǎo)臂，所述第一和第二光波導(dǎo)臂從所述第一光分支兀件分支并且具有相等的光程長；第三和第四光波導(dǎo)臂，所述第三和第四光波導(dǎo)臂從所述第二光分支元件分支并且具有作為傳播光的相位角的度數(shù)為η/2的光程長差； 第一光耦合器，用于 連接所述第一光波導(dǎo)臂和所述第三光波導(dǎo)臂的傳播光；以及 第二光耦合器，用于連接所述第二光波導(dǎo)臂和所述第四光波導(dǎo)臂的傳播光。
全文摘要
為了提供能適當(dāng)?shù)匾种葡辔徊畹纳梢员惴种踔翉墓獠▽?dǎo)的中心偏移的入射光的光分支元件、使用光分支元件的光波導(dǎo)設(shè)備、制造光分支元件的方法以及制造光波導(dǎo)設(shè)備的方法，光分支元件包括第一波導(dǎo)部，具有從第一端部到第二端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀；第四波導(dǎo)部，具有從第三端部到分別連接第二和第三波導(dǎo)部的第四端部單調(diào)地減小其芯寬的形狀；以及第五波導(dǎo)部，連接該第二端部和第三端部，以及具有從0.8μm到2.7μm的任意值的芯寬。關(guān)于C波段波長域中的光，第一至第五波導(dǎo)部的芯和包層的相對折射率為至少1.3%。
文檔編號G02B6/13GK103238093SQ201180058269
公開日2013年8月7日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者渡邊真也 申請人:日本電氣株式會社